ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T15876—2015

代替

GB/T15876—1995

半導體集成電路

塑料四面引線扁平封裝引線框架規范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforplasticquadflatpackage

2015-05-15發布2016-01-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T15876—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

技術要求

4…………………1

引線框架的尺寸

4.1……………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………1

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強度

4.5………………3

銅剝離試驗

4.6…………………………3

銀剝離試驗

4.7…………………………3

檢驗規則

5…………………4

檢驗批的構成

5.1………………………4

鑒定批準程序

5.2………………………4

質量一致性檢驗

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標志包裝運輸貯存

7、、、……………………7

標志包裝

7.1、……………7

運輸貯存

7.2、……………7

附錄規范性附錄引線框架機械測量

A()………………8

Ⅰ

GB/T15876—2015

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替塑料四面引線扁平封裝引線框架規范

GB/T15876—1995《》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T15876—1995:

按照標準的使用范圍將原標準的標準名稱修改為半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝

———,“

引線框架規范

”;

規范性引用文件增加引導語抽樣標準由代替增加引

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

標準中的由設計改為引線框架尺寸并將原標準中引線鍵合區寬度精壓深度和金屬

———4.1“”“”,、

間隙的有關內容調整到

4.2;

對標準的引線框架形狀和位置公差中相應條款順序進行了調整并增加了芯片粘接區

———“4.2”,

下陷的有關要求

;

修改了標準中對卷曲的要求見原標準中僅規定了卷曲變形小于本標準

———“”(4.2.2):0.51mm,

根據材料的厚度分別進行了規定

;

修改了標準中對橫彎的要求見原標準中僅規定了引線數

———“”(4.2.3):52~100、132~164、196~

三個范圍內的橫彎值本標準擴大了引線數涵蓋的范圍

244,;

修改了標準中對條帶扭曲的要求見原標準中僅規定了框架扭曲不超過

———“”(4.2.4):0.51mm,

本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據材料的厚度分別進行了規定

,;

修改了標準中對引線扭曲的要求見原標準中規定了引線扭曲的角度及引線寬度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規定

,;

修改了標準中對精壓深度的要求見原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響簡

———“”(4.2.6):,

單的規定了精壓深度的尺寸范圍本標準修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條

。:90%

件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為

,30%,0.015mm~0.06mm;

將金屬間隙修改為絕緣間隙并修改了標準中對絕緣間隙的要求見原標準規

———“”“”,“”(4.2.7):

定金屬與金屬的間隙應受金屬間隙的要求限制每邊最大精壓凸出不超過本標

“,0.051mm”,

準修改為相鄰兩精壓區端點間的間隔及精壓區端點與芯片粘接區間的間隔大于

“0.076mm”;

修改了標準中對精壓引線端共面性的要求見原標準中規定的公差范圍為

———“”(4.2.8):

本標準考慮到極限情況把負差改為

±0.15mm、±0.2mm,-0.1mm;

修改了標準中對芯片粘接區斜度的要求見原標準中分別規定了在打凹和未打凹條

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本標準統一規定為在長或寬每尺寸最大傾斜

,2.54mm0.05mm;

將芯片粘接區平整度改為芯片粘接區平面度并修改了標準中對芯片粘接區平面度的

———“”“”,“”

要求見取消了原標準中每芯片粘接區長度的限制

(4.2.11):2.54mm;

修改了標準中對毛刺的要求見原標準中規定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過

———“”(4.3.1):

本標準對垂直毛刺和水平毛刺分別進行了規定

0.025mm,;

修改了標準中對凹坑壓痕和劃痕的要求見在原標準的基礎上增加劃痕的有關

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了標準中對局部鍍銀層厚度的要求見原標準僅規定了局部鍍銀層的厚度本

———“”(4.4.1):,

標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規定

;

增加了銅剝離試驗的有關要求見

———“”(4.6);

Ⅲ

GB/T15876—2015

增加了銀剝離試驗的有關要求見

———“”(4.7);

對標準檢驗規則中相應條款進行修改參照檢驗規則并增加了鑒定

———“5”,GB/T14112—2015,

批準程序和質量一致性檢驗的有關內容

;

修改了標準中對貯存的有關要求原標準有鍍層的保存期為個月本標準規定為個月

———“”:3,6

見

(7.2);

增加了規范性附錄引線框架機械測量

———A“”。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標準主要起草人林桂賢陳仲賢洪玉云

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T15876—1995。

Ⅳ

GB/T15876—2015

半導體集成電路

塑料四面引線扁平封裝引線框架規范

1范圍

本標準規定了半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架以下簡稱引線框架的技術要求及

()

檢驗規則

。

本標準適用于半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架塑料四面引線扁平封裝刻

。

蝕引線框架也可參照使用

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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