ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T14863—2013

代替

GB/T14863—1993

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系

測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

Methodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitance

ofgatedandungateddiodes

2013-12-31發布2014-08-15實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14863—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流

GB/T14863—1993《-

子濃度的標準方法

》。

本標準與相比主要有下列變化

GB/T14863—1993,:

增加了標準的前言

———“”;

調整并增加了引用標準

———;

對試驗條件試驗方法進行了簡化和調整

———、;

對附錄進行了調整

———。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本標準由中國電子技術標準化研究院歸口

。

本標準起草單位信息產業部專用材料質量監督檢驗中心中國電子科技集團公司第四十六研究

:、

所中國電子技術標準化研究院

、。

本標準主要起草人何秀坤董顏輝周智慧段曙光劉筠

:、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T14863—1993。

Ⅰ

GB/T14863—2013

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系

測定硅外延層中凈載流子濃度的方法

1范圍

本標準規定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的測試方法

。

本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值見附錄相同或相反導電類型襯底上的型或

(A)n

型外延層的凈載流子濃度測量本標準也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測量

p。。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅外延層擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

用磨角和染色技術測定硅外延或擴散層厚度的試驗方法

SEMIMF110-1105

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

擊穿電壓breakdownvoltage

被測二極管出現漏電電流時的反向偏壓

10μA。

4方法原理

測量柵控或非柵控結或肖特基二極管的小訊號高頻電容與反向偏壓的函數關系由所測電容

p-n,

和反向偏壓值確定凈載流子濃度與深度的函數關系對于柵控二極管的測量柵極加一恒定偏壓

。,。

5測量儀器

51電容電橋或電容計

.

量程滿刻度為以倍增大或減小測量頻率范圍為每個

1pF~1000pF,10。0.09MHz~1.1MHz,

量程準確度優于滿刻度的重復性優于滿刻度的儀器應能承受或絕對值更高的外

1.0%,0.25%。200V

加直流偏壓能補償不低于的外部探針架的雜散電容內部交流測量訊號不大于

,5pF,0.05V(r.m.s)。

52數字電壓表或電位計

.

其靈敏度優于