ICS31200

L57.

中華人民共和國國家標準

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

代替:

GB/T13062—1991

半導體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細規范采用鑒定批準程序

()

Semiconductordevices—Integratedcircuits—

Part21-1Blankdetailsecificationforfilminteratedcircuitsandhbridfilm

:pgy

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21-1:1997,IDT)

2018-12-28發布2019-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

前言

半導體器件集成電路已經或計劃發布以下部分

《》:

半導體器件集成電路第部分總則

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984);

半導體器件集成電路第部分數字集成電路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985);

半導體器件集成電路第部分模擬集成電路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986);

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第一篇線性數

———GB/T18500.1—20014::

字模擬轉換器空白詳細規范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993);

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第二篇線性模

———GB/T18500.2—20014::

擬數字轉換器空白詳細規范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993);

半導體器件集成電路第部分半定制集成電路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5);

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合電路

)(idtIEC60748-11:1990);

膜集成電路和混合膜集成電路總規范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21:1997,IDT);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路

———GB/T13062—201821-1:

空白詳細規范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT);

膜集成電路和混合膜集成電路分規范采用能力批準程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22);

膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規范采用能力批準程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)。

本部分為半導體器件集成電路的第部分

《》21-1。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規范采用鑒定批準程

GB/T13062—1991《(

序與相比主要技術變化如下

)》,GB/T13062—1991,:

修改了鑒定檢驗程序由一個程序擴展為程序和程序兩個程序見表表年版的

———,AB(4、5,1991

表表

2、3);

刪除了有關文件的規定見年版的第章

———“”(19913);

增加了封蓋前目檢和電耐久性兩個試驗項目見表

———“”“”(2);

增加了可焊性試驗見表

———“4.5.10”(3b)。

本部分采用翻譯法等同采用半導體器件集成電路第部分膜集成

IEC60748-21-1:1997《21-1:

電路和混合膜集成電路空白詳細規范采用鑒定批準程序

()》。

與本部分中規范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下

:

膜集成電路和混合膜集成電路總規范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)。

本部分做了下列編輯性修改

:

Ⅰ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

表中易燃性試驗欄增加腳注建議該試驗宜規定為破壞性試驗見表

———3b“D/ND”,(3b);

表中分組電耐久性有誤改為電耐久性見

———IEC60748-21-1:19974bB8“4.4.14”,,“4.5.14”(

表

4b)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第四十三研究所中國電子技術標準化研究院

:、。

本部分主要起草人馮玲玲陳裕焜雷劍王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T13062—1991。

Ⅱ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

半導體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細規范采用鑒定批準程序

()

引言

電子元器件質量評定體系遵循章程并在授權下工作該體系的目的是確定質量評

IECIECIEC。

定程序以這種方式使一個參加國家按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有

,

參加國同樣接受

。

編制詳細規范時將總規范中和分規范中和的內容考慮進去

,3.52.33.2。

本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一并與下列標準一起使用

,:

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合集成電路總規范

IEC60748-2020:(Semi-

conductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecificationforfilmintegratedcircuitsand

hybridfilmintegratedcircuits)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路總規范

IEC60748-20-120-1:

第部分內部目檢要求

1:(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecification

forfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuits—Section1:Requirementsforinternal

visualexamination)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分規范采用

IEC60748-2121:(

鑒定批準程序

)(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part21:Sectionalspecificationforfilm

integratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofqualificationapprovalprocedures)

對于目錄內電路已經出版詳細規范其格式及最少內容應符合表表要求

a),,2~4;

對于定制電路未出版詳細規范其格式和內容是可以選擇的但是定制電路與其外形安裝

b),,;,、

和功能等方面有關的要求需經過驗證可在鑒定批準的維持試驗程序中規定也可在詳細規范

,,

中規定亦或兩者組合規定

,;

對于未出版詳細規范其格式及內容宜符合表表要求

c)CQCs,,2~4。

本部分規定了編制膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規范采用鑒定批準程序的基本要求