標準解讀

GB 13539.4-1992 是一項中國國家標準，專注于低壓熔斷器中專門用于半導體器件保護的熔斷體的補充要求。該標準在原有通用低壓熔斷器標準基礎上，針對半導體器件（如晶體管、二極管、集成電路等）的特性，制定了更為具體和嚴格的規定，以確保這些精密電子組件得到恰當的過電流保護，避免因電流過大造成損壞。

標準內容概覽包括：

  1. 適用范圍：明確了標準適用于安裝在電路中，旨在保護半導體器件免受過電流危害的低壓熔斷器。這類熔斷器需能在過電流情況下快速響應，以減少對半導體器件的潛在損害。

  2. 術語與定義：界定了與半導體保護熔斷體相關的專業術語，確保使用者對標準中的概念有統一理解。

  3. 技術要求：

    • 電氣性能：規定了熔斷體的額定電壓、分斷能力、熔斷特性等電氣參數，確保其能適應半導體器件的工作環境和保護需求。
    • 機械性能：包括熔斷體的結構強度、耐熱性、安裝尺寸及兼容性要求，保證安全穩定地集成到電路系統中。
    • 環境條件：考慮到不同使用環境下（如溫度、濕度）熔斷體應保持的功能穩定性。

  4. 試驗方法：詳細說明了對熔斷體進行驗證和測試的具體步驟和條件，如電氣試驗、機械強度試驗、環境適應性試驗等，以驗證其是否滿足規定的性能指標。

  5. 檢驗規則：規定了產品出廠前的檢驗項目、抽樣方案及合格判定準則，確保每批產品的質量控制。

  6. 標志、包裝、運輸和儲存：要求熔斷體的標識清晰，包裝適應長途運輸和儲存需要，防止因外因導致的損壞。

  7. 附加信息：可能包含參考標準、實施日期和標準的替代或廢止情況說明等。

此標準的制定和實施，對于提升半導體器件應用的安全性和可靠性具有重要意義，為制造商、設計工程師以及使用這些保護器件的行業提供了統一的技術遵循依據。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 13539.4-2005
  • 1992-07-01 頒布
  • 1993-03-01 實施
?正版授權
GB 13539.4-1992低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求_第1頁
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文檔簡介

UDC621.316.923.027.2K31中華人民共和國國家標準GB13539.4-92低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01發布1993-03-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求GB13539.4-92中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月電子版制作書號：155066·1-26327版權專有侵權必究舉報電話：010)68533533

中華人民共和國國家標準低壓熔斷器GB13539.4-92半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本標準參照采用國際標準IEC269-4(1986)《低壓熔斷器華導體器件保護用熔斷體的補充要術》本標準應與GB13539.1一92《低壓熔斷器本要求》一起使用。除非本標準另有說明，半導體器件保護用熔斷體，還應符合GB13539.1的規定。1主題內客與適用范圍本標準規定了半導體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、分斷能力、截斷電流特性、7特性、電弧電壓特性、試驗和標志。本標準適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導體器件的設備上使用的熔斷體。注：在多數情況下，以組合設備的一部分作為塔斷體的底座。由于設備種類繁多，難以作出一般的規定。組合設備是否通合用作熔斷體的底座，應由用戶與制造廠協商。但是，當采用獨立的婚斷器底座或支持件時,則它們應符合GB13539.1的有關規定。②這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”2引用標準GB321優先數和優先數系GB13539.11低壓熔斷器基本要求3術語、符號、代號3.1術語3.1.1半導體器件基本特性是由于載流子在半導體中流動引起的-j一種器件、3.1.2半導體熔斷體semiconductorfuse-link在規定條件下，能夠分斷7.2范圍內的任何電流值的-一種限流熔斷體。注：GB13539.1中術語;“(熔斷體的)使用類別”本標準不適用.3.

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