犐犆犛２９．１２０．５０

犓３１

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

代替ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５、ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５

低壓熔斷器第４部分：

半導體設備保護用熔斷體的補充要求

犔狅狑狏狅犾狋犪犵犲犳狌狊犲狊—犘犪狉狋４：犛狌狆狆犾犲犿犲狀狋犪狉狔

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（ＩＥＣ６０２６９４：２００６，ＩＤＴ）

２００９０４２１發布２００９１１０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅰ

１總則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２術語和定義!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３正常工作條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

４分類!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

５熔斷器特性!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

６標志!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

７設計的標準條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

８試驗!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

附錄Ａ（資料性附錄）熔斷體和半導體設備的配合導則!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

附錄Ｂ（規范性附錄）制造廠應在產品使用說明書（樣本）中列出的半導體設備保護用熔斷體

的資料!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２０

附錄Ｃ（規范性附錄）半導體設備保護用標準化熔斷體示例!!!!!!!!!!!!!!!!２１

書

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

前言

ＧＢ１３５３９《低壓熔斷器》預計分為五個部分：

———第１部分：基本要求；

———第２部分：專職人員使用的熔斷器的補充要求（主要用于工業的熔斷器）標準化熔斷器系統示

例Ａ至Ｉ；

———第３部分：非熟練人員使用的熔斷器的補充要求（主要用于家用和類似用途的熔斷器）標準化

熔斷器系統示例Ａ至Ｆ；

———第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求；

———第５部分：低壓熔斷器應用指南。

本部分為ＧＢ１３５３９的第４部分，本部分等同采用ＩＥＣ６０２６９４：２００６《低壓熔斷器第４部分：半導

體設備保護用熔斷體的補充要求》（英文版）。

為便于使用，本部分作了下列編輯性修改：

———刪除國際標準的前言和引言；

———刪除原表、圖及部分條款下的編輯性注釋；

———原７．４中倒數第二行“熔體不應熔化”疑有誤，改為“熔斷體不應熔斷”；

———原圖１０２“約定試驗裝置舉例”中右圖上標③疑有誤，改為②。

本部分與ＧＢ１３５３９．１—２００８一起使用。本部分的條款號與ＧＢ１３５３９．１相對應。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５《低壓熔斷器第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求》

和ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５《低壓熔斷器第４部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求第１至３篇：

標準化熔斷體示例》。本部分主要由原ＧＢ／Ｔ１３５３９．４及ＧＢ／Ｔ１３５３９．７全部內容合并而成。

本部分與ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５和ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５相比主要變化如下：

———原ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５中附錄Ａ規范性附錄改為資料性附錄，原附錄Ｂ資料性附錄改為規

范性附錄；原ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５內容改為本部分附錄Ｃ內容；

———圖Ｃ．２表中原“Ｆ最大值”改為“Ｆ名義值”；

———圖Ｃ．７表中最后一欄Ｈ最大值倒數第６行，原為“０．４”，現改為“３３．４”。

本部分的附錄Ｂ、附錄Ｃ為規范性附錄，附錄Ａ為資料性附錄。

本部分由中國電器工業協會提出。

本部分由全國熔斷器標準化技術委員會（ＳＡＣ／ＴＣ３４０）歸口。

本部分負責起草單位：上海電器科學研究所（集團）有限公司。

本部分參加起草單位：上海電器陶瓷廠有限公司、西安西整熔斷器廠、浙江西熔電氣有限公司、人民

電器集團有限公司、樂清市滬熔特種熔斷器有限公司。

本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云。

本部分參加起草人：林海鷗、劉雙庫、李全安、郎建才、黃章武、鄭愛國。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ１３５３９．４—１９９２、ＧＢ／Ｔ１３５３９．４—２００５；

———ＧＢ／Ｔ１３５３９．７—２００５。

Ⅰ

犌犅／犜１３５３９．４—２００９／犐犈犆６０２６９４：２００６

低壓熔斷器第４部分：

半導體設備保護用熔斷體的補充要求

１總則

除ＧＢ１３５３９．１—２００８規定外，補充下列要求。

半導體設備保護用的熔斷體應符合ＧＢ１３５３９．１—２００８的所有要求，下文中沒有另外指明的，也應

符合本部分規定的補充要求。

１．１范圍和目的

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，該熔斷體適用于標稱電壓不

超過交流１０００Ｖ或直流１５００Ｖ的電路。如適用，還可用于更高的標稱電壓的電路。

注１：此類熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”。

注２：在多數情況下，組合設備的一部分可用作熔斷器底座。由于設備的多樣性，難以作出一般的規定；組合設備是

否適合作熔斷器底座，應由用戶與制造廠協商。但是，如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件，他們應符

合ＧＢ１３５３９．１—２００８的相關要求。

本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性，從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他

型式的熔斷體替換半導體熔斷體。因此，本部分中特別規定了：

ａ）熔斷體的下列特性：

１）額定值；

２）正常工作時的溫升；

３）耗散功率；

４）時間電流特性；

５）分斷能力；

６）截斷電流特性和犐２狋特性；

７）電弧電壓極限值。

ｂ）驗證熔斷體特性的型式試驗；

ｃ）熔斷體標志；

ｄ）應提