集成電路版圖基礎知識練習集成電路版圖基礎知識練習集成電路版圖基礎知識練習xxx公司集成電路版圖基礎知識練習文件編號：文件日期：修訂次數：第1.0次更改批準審核制定方案設計，管理制度填空ls(填寫參數)命令用于顯示隱藏文件。（-a）進入當前目錄的父目錄的命令為(%cd..)查看當前工作目錄的命令為：（%pwd）目錄/home/www/uuu已建立，當前工作目錄為/home/www，采用絕對路徑進入/home/www/uuu的命令為：（%cd/home/www/uuu）假設對letter文件有操作權限，命令%chmoda+rwletter會產生什么結果：（對所有的用戶增加讀寫權限。）顯示當前時間的命令為：（%date）打開系統管理窗口的命令為：（%admintool）與IP地址為的主機建立FTP連接的命令為：（%ftpor%ftp%open）建立FTP連接后，接收單個文件的命令為：（%get）建立FTP連接后，發送多個文件的命令為：（%mput）有一種稱為2P5MCMOS單井工藝,它的特征線寬為______，互連層共有_____層，其電路類型為_______。7CMOS請根據實際的制造過程排列如下各選項的順序： a.生成多晶硅 b.確定井的位置和大小 c.定義擴散區，生成源漏區 d.確定有源區的位置和大小 e.確定過孔位置 正確的順序為：____________________。bdace集成電路中的電阻主要有__________,____________,_____________三種。井電阻，擴散電阻，多晶電阻為方便版圖繪制，通常將Contact獨立做成一個單元，并以實例的方式調用。若該Contact單元稱為P型Contact，由4個層次構成，則該四個層次分別為：_________，_________,_________,___________.active,P+diffusion,contact,metal.CMOS工藝中，之所以要將襯底或井接到電源或地上，是因為___________________________________。報證PN結反偏，使MOS器件能夠正常工作。版圖驗證主要包括三方面：________，__________，__________;完成該功能的Cadence工具主要有（列舉出兩個）：_________，_________。DRC,LVS,ERC,Diva,Dracula造成版圖不匹配的因數主要來自兩個方面：一是制造工藝引起的，另一個是__________;后者又可以進一步細分為兩個方面：_______________，_____________。片上環境波動，溫度波動，電壓波動。DRC包括幾種常見的類型，如最大面積（MaximumDimension），最小延伸（MinimumExtension），此外還有_________，_________，_________。最小間距，最小寬度，最小包圍（MinimumEnclosure）。減少天線效應的三種方法有：____________，____________，__________。插入二極管，插入緩沖器，Jumper(或者，通過不同的金屬層繞線)。由于EDA工具的不統一，出現了各種不同的文件格式，如LEF,DEF等，業界公認的Tapeout的文件格式為_______，它不可以通過文本編輯器查看，因為它是______（文件類型）。GDSII，流文件。根據的馮.諾依曼的“101頁報告”，計算機的五大部件是：輸入裝置、_________、_________、_________、輸出裝置。邏輯部件、運算部件、存儲器流水線中可能存在三種沖突，它們是：_________、_________、_________，從而造成流水線停頓，使流水線無法達到最高性能。資源沖突、數據沖突、控制沖突寫出JK觸發器的特性方程：__________________。（）隨著1000M網卡等高速設備的出現，傳統的PCI總線無法滿足PC系統的數據傳輸需求，INTEL于2001年提出了第三代局部總線技術_________。3GIO或PCIExpressAMBA是為了設計高性能的嵌入式微控制器系統而推出的片上通信標準，它包括ASB、_________、_________等三套總線。AHB、APBSoC的設計基于IPCore的復用，IPCore包括三種：_________、_________、_________。軟核、固核、硬核RISCCPU的三大特點是：_________、_________、_________。ALU的數據源自Register、只用LD/ST指令可以訪問MEMORY、指令定長ARM處理器包含兩種指令集：_________、_________。Arm指令、thumb指令MCS80C51是CISCCPU，屬于哈佛結構，arm屬于_________CPU。RISCArm7TDMI中，T代表_________、D代表_________、M代表_________、I代表_________。Thumbm、debug、multiplier、ise固體分為晶體和非晶體兩大類。半導體材料中鍺和硅屬于金剛石結構，砷化鎵屬于閃鋅礦結構。施主雜質電離后成為不可移動的帶正電的施主離子，同時向導帶提供電子，使半導體成為電子導電的n型半導體。受主雜離后成為不可移動的帶負電的受主離子，同時向價帶提供空穴．使半導體成為空穴導電的p型半導體。晶體中電子的能量狀態是量子化的。電子在各狀態上的分布遵守費米分布規律。電子在熱運動時不斷受到晶格振動和雜質的散射作用，因而不斷地改變運動方向。半導體中的主要散射機構是電離雜質散射和晶格振動散射。pn結有電容效應，分為勢壘電容和擴散電容。在放大模式偏置下，雙極型晶體管的EB結正向偏置，CB結反向偏置。CMOS的英文全稱是ComplementaryMetalOxideSemiconductor。MOS場效應晶體管分為四種基本類型：N溝增強型、N溝耗盡型、P溝增強型、P溝耗盡型。襯底偏置電壓會影響MOS器件的閾值電壓，反向偏置電壓增大，則MOS器件的閾值電壓也隨之增大，這種效應稱為體效應。用Cadence軟件設計集成電路版圖的輸出數據的格式是（GDSII格式）。在nwell上畫pmos器件時需要在nwell上加（n+接觸孔），并用金屬線把這個（n+接觸孔）與nwell內的（最高）電位相連接。在P型襯底上畫nmos器件時需要在P型襯底上加（p+接觸孔），并用金屬線把這個（p+接觸孔）與P型襯底內的（最低）電位相連接。建立一個新的layoutlibrary時需要(Compileanewtechfile)，或者(Attachedtoanexistingtechfile),或（Don’tneedatechfile）。在layout編輯命令中，Hierachy命令一欄下，有兩個相反的操作命令他們分別是makecell和（flatten）。用DRACULA做layout的LVS檢查時，首先要把schematic轉成CDL的netlist,并對這個netlist做（LOGLVS）。用DRACULA做layout的DRC檢查時，先要運行PDRACULA命令，然后再執行(文件。用DRACULA做layout的LVS檢查時，先要運行PDRACULA命令，然后再執行(文件。用DRACULA做layout的DRC檢查后，修改完所有錯誤的標志是用vi命令在后綴名為（sum）的文件里看到ERRORSWINDOWSIZE是（0）。用DRACULA做layout的LVS檢查后，修改完所有錯誤的標志是用vi命令在名為（）的文件里看到unmatchingdevices是（0），以及沒有（sizeerror）的描述。集成電路產業包括：IC設計、IC制造、IC封裝、IC測試。現代主流的集成電路加工技術為CMOS工藝，即最基本的器件是由PMOS和NMOS組成。PMOS是在N阱上形成P型溝道的MOSFET晶體管。對于CMOS集成電路，通常器件間的電性絕緣采用介質絕緣的方式，如LOCOS（局部場氧隔離）或STI（淺溝道隔離）。集成電路制造與集成電路設計相關紐帶是光刻掩膜版。集成電路制造工藝技術主要包括：熱工藝、離子注入、光刻、清洗與刻蝕、金屬化、表面平坦化。集成電路制造中最為重要的工序是光刻。現在，主流的摻雜技術是離子注入。光刻的圖形曝光方式有：接觸式曝光、接近式曝光和投影式曝光。集成電路金屬薄膜的沉積通常采用濺射物理氣相沉積。判斷標準Solaris操作系統中，普通用戶只能在自己的宿主目錄下創建新的目錄。√Solaris是SUN公司推出的在工作站上運行的操作系統。√Solaris系統只支持單用戶。×Solaris是多進程、多任務的分時操作系統。√%ls–l命令是連續列出文件的名稱。×%echo命令是將用戶在該命令之后放置的任何命令行復制到屏幕上。√%id是顯示用戶正在使用的計算機名稱。×hostnameFTP是本地或者遠程主機之間傳輸文件的工具。√vi是文本編輯器。√vi命令方式下，字母I是打開新行命令。×過孔上往往有較大的寄生電阻，因此為了減少因此產生的IRDrop，單個過孔的面積應該盡可能的大。 ×Bi-CMOS工藝就是用標準的Bipolar工藝來制造MOS器件。×對于N型襯底的單井CMOS工藝，NMOS的襯底應該接到高電位上。 ×盡管版圖中各個層次大致對應于相應的工藝步驟，但劃版圖時，各個層次劃的先后順序是無關緊要的，它不會影響芯片最后的制造。√在采用標準單元鏡像的布圖中，繞線是通過繞線通道（RoutingChannel）進行的。×因為有邏輯綜合的存在，所以數字設計才能夠脫離底層的物理器件，用HDL來設計。√設計規則的出現實際上是為了尋求一種芯片良率和芯片面積的權衡。√并不是所有LVS的錯誤都會造成版圖功能上的錯誤。 √通過各種匹配措施，在版圖上能夠精確的劃出一個125歐的擴散電阻。×用保護環（GuardingRing）可以在一定程度上防止Latchup效應的出現，比如說，在P溝道的MOS管上用P+的環。×半導體內總的正電荷和總的負電荷必須相等，整個半導體是電中性的。（正確）pn結平衡時，勢壘區(即空間電荷區)內電子(或空穴)的擴散和漂移相抵消，整個pn結出現統一的費米能級。（正確）pn結反向偏置時，外加電壓在勢壘區產生的電場和自建電場的方向是一致的，加強了勢壘區的電場。導致勢壘降低，勢壘區寬度變小。（錯誤）結型晶體管是電流放大型器件。（正確）齊納二極管是利用二極管的雪崩擊穿機理。（錯誤）雙極型晶體管的工作區域可分為：飽和區、正向工作區、反向工作區和截止區。（正確）改變氧化層厚度可以控制閾值電壓。（正確）正向電壓加到理想MOS二極管上時，能帶向上彎曲，多數載流子積累。（錯誤）MOS器件工作在亞閾值區，對于漏電流起決定作用的是擴散而不是漂移。（正確）10、器件電容決定MOS晶體管的動態特性，門電容和源漏結電容是主要的確定因素。（正確）31.做DRC檢查需要GDSII文件和DRC命令文件兩個基本文件

對32．做LVS檢查需要GDSII文件，網表文件（netlist）,和LVS命令文件這三個基本文件。對33、在Virtuosolayout的快捷鍵命令中，f是fit整個layout畫面的意思，那么r是代表清除尺子的意思。錯34、在Virtuosolayout的快捷鍵命令中，f是fit整個layout畫面的意思，那么m是移動一個圖形的意思。對35、在Virtuosolayout的快捷鍵命令中，f是fit整個layout畫面的意思，那么k是是copy一個圖形的意思。錯36、在運行PDRACULA檢查DRC時，軟件告訴我要運行的STAGE的數字如果大于或不等于運行文件是得STAGE的數字，這說明我的錯改少了。錯37、在運行PDRACULA檢查LVS時，軟件告訴我要運行的STAGE的數字如果等于大于或不等于運行文件是得STAGE的數字，這說明我的錯改少了。錯38、建立一個新的layoutcellview時不一定需要重建一個新的library，有時只需要在一個已有的library中再開一個新的cellview就可以了。（對）39、在集成電路版圖設計中，器件之間的聯接是通過引線孔和金屬層聯接的，如有源區的引出，多晶硅電阻的聯接。（對）40、用EDA軟件(如Cadence)畫集成電路版圖，不需要建立層次和單元，只需用Createrectangle命令一個器件一器件的畫，相同的器件用copy命令copy一下就可以了。（錯）41、集成電路制造需要在告別凈化環境下進行，而光刻區對凈化級別要求最高，如普通制造環境為1000級，則光刻區的凈化環境則為10000級。（錯，光刻區數量級應小于普通環境，如獲至寶100級）42、集成電路制造需要在告別凈化環境下進行，通常凈化室內氣壓應高于凈化室外氣壓。（對）。43、PMOS是在N阱上形成P溝道的MOSFET晶體管。（對）44、NMOS是在N阱上形成P溝道的MOSFET晶體管。（錯，應是P阱，N溝道）45、NMOS源漏城需進行N+型摻雜；（對）46、集成電路制造與集成電路設計相關紐帶是光刻掩膜版。（對）47、離子注入是集成電路制造中最為重要的工序。（錯，應是光刻）48、在現代集成電路加工技術中，主流的摻雜技術是擴散摻雜。（錯，應為離子注入）49、先進集成電路加工中，主要采用投影式光刻曝光技術。（對）50、通常濕法刻蝕的刻蝕輪廓比干法刻蝕好。（錯，相反）選擇選擇描述正確的語句：（A）A．UNIX是著名的多用戶、多進程、多任務的分時操作系統。B．UNIX是著名的單用戶、多進程、多任務的分時操作系統。C．UNIX是著名的多用戶、單進程、多任務的分時操作系統。D．UNIX是著名的多用戶、多進程、單任務的分時操作系統。當執行下列操作時，可以得到什么信息（A）％whoA．當前用戶的登錄標識。B．顯示主計算機名稱。C．顯示用戶的系統標識。D．顯示當前目錄。采用下列命令更改文件權限，更改后的文件權限為：(C)%chmod700file1A．rw-r--r--B．rwxr-----C．rwx------D．---rwxrwx幫助命令為：(A)A．manB．moreC．mvD．men以文件名形式查找文件的命令參數為：(A)A．-nameB．-sizeC．-atimeD．-mount通配符用于匹配多個字符，[12345]可以和下列那個選項匹配：(A)A．1B．12C．123D．12345退到根目錄的命令為：(B)A．%cd.B．%cd/C．%cd~D．%cd..采用cp命令進行文件拷貝過程中，使用什么參數可以提示拷貝的目的目錄有相同文件名的文件存在(B)A．-aB．-iC．-rD．-bSolaris操作系統中，普通用戶能在創建新的目錄。(D)A．別的用戶的宿主目錄下B．任何目錄下C．同一組中所有用戶的宿主目錄下D．自己的宿主目錄下假設對文件file有操作權限，使file對所有人開放寫權限的命令為。(A)A．%chmoda+wfileB．%chmodu+wfileC．%chmoda+rfileD．%chmodu+rfile在一個一般的制程中，下列材料集成電阻，方塊電阻（SheetResistance）最大的是(B.)A.擴散電阻B.井電阻 C.多晶硅電阻D.鋁層連線電阻一個標準單元庫可包括如下信息：（A、B、C、D）A.時序信息 B.邏輯功能信息C.功耗信息D.面積信息下列關于標準單元說法正確的是：（CD）A.標準單元只能采用單層金屬連線，但該層可以是所給金屬層次中的任意一層。B.標準單元的高度和寬度都是固定的。C.標準單元中必須包含電源線。D.標準單元中的輸入輸出引腳要放在網格上，以便于自動繞線。在ICFB中完成一個完整的集成電路版圖繪制，下列哪些文件是必需的(ABCD)A.Technology文件B.DRC文件 C.LVS文件 D.Display文件標準單元中關于HalfGridSpacing的說法正確的有（ABC）A.它為了保證標準單元在構成芯片以后，其內部各引腳仍在芯片的網格上。B.它在不違反引腳網格約束的前提下，減少了無謂的面積損耗。C.它是指標準單元內部信號連線與單元邊界（CellBoundary）的距離為半個網格間距。D.由于標準單元中的引腳應放在網格上，HalfGridSpacing違背了這一規定。一般地，在同一個制程中，下列集成電容，單位面積電容最小的是（A）A.Metal1-to-Metal2B.Metal1-to-Poly2C.Poly1-to-bulkDPoly2-to-Poly1在ICFB啟動時，它會按一定的順序搜索并加載文件，關于這一操作下列說法正確的是（BC）A.ICFB首先搜索其安裝目錄下面的文件，并始終加載該文件。B.ICFB首先搜索當前目錄下的文件，若發現該文件存在，則加載該文件。C.ICFB首先搜索當前目錄下的文件，若發現該文件不存在，則搜索用戶目錄，查看是否有該文件，若有則加載它。D.ICFB首先搜索當前目錄下的文件，若發現該文件不存在，則加載安裝目錄下面的文件。下列由制程引起的版圖不匹配有（ABC）A.擴散的不一致性B.注入的不一致性C.CMP引起的非理想平面D.溫度梯度下列方法中，用于版圖匹配的有（AB）A.器件相鄰放置B.器件同方向放置C.在器件周圍加金屬線D.在器件周圍加保護環下列關于DRC文件說明正確的是（BD）A.DRC文件是用來說明設計規則的文件。B.DRC文件中定義了各個層之間的邏輯操作，關系操作等。C.DRC的工作原理是統一的，因此一個DRC文件可以用于各種不同的DRC工具。D.DRC文件是使用來指導工具對版圖進行設計規則檢查的腳本文件。關于StickDiagram，下列說法正確的是（C）A.StickDiagram包括了所有版圖的信息。B.StickDiagram的信息是不完整的，因此它對于版圖沒有任何幫助。C.StickDiagram是版圖的抽象表示，它可以幫助高效的畫出版圖。D.StickDiagram沒有層次的概念。關于LVS,下列說法正確的是（BC）A.LVS出現錯誤說明原先版圖上必定有邏輯連接錯誤。B.可以通過一些開關控制某些LVS錯誤的出現和消除。C.和DRC一樣，LVS對版圖中的各個層進行操作，但它可以把其中的器件抽取出來。D.LVS永遠把金屬連線作為理想連線來對待，所以，LVS不可能辨認出用金屬構建的電阻。關于CrossTalk,下列說法正確的是（BC）A.電路的輸出端不能浮空，否則CrossTalk可能會引起電路的誤操作。B.CrossTalk是由于連線之間存在耦合電容引起的。C.在兩條敏感連線之間加入一條接地金屬線，可以減少CrossTalk的影響。D.一般來說，連線上信號的頻率越高，CrossTalk影響就越小。下列工具列表中，綜合工具為（A），布局布線工具（F）ADesignCompilerB.AllegroC.VirtuosoD.DraculaF.SoCEncounter關于高寬長比MOS管的版圖，下列說法正確的是(ABCD)A.高寬長比MOS管通常采用Multi-finger的方式繪制。B.高寬長比MOS管采用Multi-finger后其源/漏極的面積會減少。C.高寬長比MOS管可以通過若干個小MOS管的并聯形式繪制。D.高寬長比MOS管采用Multi-finger后其柵極電阻會減小。下列關于Latchup效應說法不正確的是（D）A.襯底耦合噪聲是造成Latchup問題的原因之一。B.Latchup效應在電路上可以解釋為CMOS集成電路中寄生三極管構成的正反饋電路。C.Latchup效應與兩個寄生三極管的放大系數有關。D.Latchup效應與井和襯底的參雜濃度無關。下列關于保護環說法正確的是（ABC）A.保護環的目的是給襯底或井提供均勻的偏置電壓。B.保護環可以接在VDD或GND上。C.保護環可以減少襯底耦合噪聲對敏感電路的影響。D.保護環無助于Latchup效應的避免。下列哪些屬于ERC錯誤的有（ACD）A.浮動襯底BP襯底接到GND上井接到GND上D.電路短路關于集成電路中的無源器件說法正確的是（ABD）A.集成電路無法高效的實現高值無源器件。B.要精確實現某一特定阻值的電阻幾乎是不可能的。C.由于制造工藝上的偏差，無源器件的比例容差（RatioTolerance）也必定很大。D.盡管存在制造工藝上的偏差，但是無源器件的比例容差（RatioTolerance）可以控制在很小的范圍內。在一個DRC文件中有如下命令： (metal1=(geomOr“metal1”)) ......(ngate=(geomAndndiffpoly1).......(drc(metal1width<))則下列說法正確的是（AD）A.該DRC文件是為Diva寫的層上，最小間距為標識某一個MOS管的柵極。D.如果某一條metal1金屬線的寬度為，則DRC會報錯在VLIW(VeryLongInstructionWord)結構的CPU中，最有效的軟件優化方法是_________。B循環展開；軟件流水；亂序執行；數據打包。下面是一段MIPS指令，完成內存中取數、相加、和存儲的操作：F0,0(R1)(1)F00(R1)F4,F0,F2(2)F4F0+F2F4,0(R1)(3)F40(R1) 指令（1）和指令（3）之間存在_________；指令（1）與指令（2）之間可能會產生_________。C名字相關；寫讀沖突；名字相關；讀寫沖突；數據相關；寫讀沖突；數據相關；讀寫沖突。控制相關是程序中普遍存在的現象，單獨由靜態的軟件方法不能很好的解決控制相關，_________能夠為編譯器提供很有效的硬件支持，將控制相關轉換為數據相關。C路徑調度；超級塊調度；條件指令；全局指令調度。下列哪個處理器不屬于VLIW結構_________。D A．TI公司的TMS320C6201； B．philips公司的TriMedia；C．equator公司的BSP-15；D．intel公司的pentium。1965年，GordonMoore提出了著名的摩爾定律，指出：每三年晶體管的集成數目就會翻_________番。B A．1； B．2；C．3；D．4。馮.諾依曼結構:也稱_________結構，是一種將程序指令存儲器和數據存儲器_________的存儲器結構。A A．普林斯頓，合并； B．普林斯頓，分離；C．哈佛，合并；D．哈佛，分離；下列存儲器中，_________是NonVolatile（非易失）存儲器。C A．SRAM； B．DRAM；C．FLASH；D．SBSRAM。DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要區別是DDR-SDRAM_________。CA．上升沿觸發； B．下降沿出發；C．雙沿觸發；D．低電平觸發。PCI總線是_________。AA．同步并行總線； B．異步并行總線；C．同步串行總線；D．異步串行總線。為了滿足高性能的應用，應當選擇_________總線作為片上系統總線。BA．I2C； B．AHB；C．PCI；D．ASB。施主雜質和受主雜質之間有相互抵消作用，通常稱為B。A、雜質電離 B、雜質補償 C、載流子復合 D、載流子遷移通常把服從費米分布的半導體稱為A。A、簡并半導體 B、非簡并半導體C、雜質半導體 D、化合物半導體pn結正向偏置時，外加電場削弱勢壘區內自建電場，因而勢壘區內擴散占優勢使p區和n區有少子注入，形成正向C。A、復合電流 B、漂移電流 C、擴散電流 D、漏電流雙極型晶體管有A。二個pn結。B、一個pn結。C、三個pn結。D、沒有pn結。耗盡型NMOS晶體管的閾值電壓D。A、大于零 B、等于零。 C、大于 D、小于零當有一反向偏置電壓加在襯底和源之間時，耗盡區加寬，使得閾值電壓A。A、增大 B、減小 C、不變 D、先增大后減小在短溝道MOS器件中，當器件工作在飽和區，源漏電壓升高，會使源漏電流A。A、增大 B、減小 C、不變 D、先減小后增大當NMOS器件工作在飽和區時，溝道出于D狀態。A、積累 B、耗盡 C、導通 D、夾斷NMOS器件的襯底是B型半導體。A、N型 B、P型 C、本征型 D、耗盡型N型半導體材料的遷移率比P型半導體材料的遷移率C。A、相等 B、小 C、大 51.上圖中淡黃色為contactlayer,淡紫色為poly1layer,藍色為activelayer,淡藍色為nimplantlayer,請問這是什么樣的CMOS器件(A)A.是串聯的nmos管B是并聯的nmos管C.是串聯的pmos管D.是并聯的pmos管52．上圖中淡黃色為contactlayer,淡紫色為poly1layer,藍色為activelayer,淡藍色為nimplantlayer,淡綠色為metal1layer請問這是什么樣的CMOS器件(B)A.是串聯的nmos管B是并聯的nmos管C.是串聯的pmos管D.是并聯的pmos管DRACULA做layout的DRC檢查后，應該用vi命令打開那個文件來看錯誤信息？（C）A后綴名為drc的文件。B后綴名為lvs的文件。C后綴名為sum的文件。D后綴名為com的文件。DRACULA做layout的LVS檢查后，應該用vi命令打開那個文件來看錯誤信息。（B）A后綴名為drc的文件。B后綴名為lvs的文件。C后綴名為sum的文件。D后綴名為com的文件。55、在layout中給金屬線加線名標注，即用lable按schematic的Pin的要求對所要標注的金屬線進行說明，通常對metal1層加Pin的標注是用下列層次中的哪一層？（B）Ametel1layerBmt1txtlayerCmetal2layerDmt2txtlayer56、在layout中給金屬線加線名標注，即用lable按schematic的Pin的要求對所要標注的金屬線進行說明，通常對metal2層加Pin的標注是用下列層次中的哪一層？（D）Ametel1layerBmt1txtlayerCmetal2layerDmt2txtlayer57、在集成電路版圖設計中，contact層通常是用來做第一層金屬層和下列那些層次的通孔層的（

答案不止一個）（BC）Ametal2BactiveCpoly1Dnwell58、在集成電路版圖設計中，via1層通常是用來做第一層金屬層和下列那些層次的通孔層的？（A）Ametal2BactiveCpoly1Dnwell59、在集成電路版圖設計中，CMOS器件中的gate這一層通常是通過contact和那一層金屬聯接的（B）Ametal1Bmetal260、在集成電路版圖設計中，如果想插入一個器件或單元，請問用哪個快捷鍵？（C）AaBcCiDk61、在集成電路版圖設計中，如果想把畫過的尺子清除掉，請問用哪個快捷鍵？

（D）AaBkCiDshiftkCadenceVirtuoso中要用一個technologyfile建立一個新的layoutlibrary時，除了要給一個新的libraryname,還需要選擇下列那些步驟？(A)ACompileanewtechfile。BAttachedtoanexistingtechfile。CDon’tneedatechfile。CadenceVirtuoso中要建立一個新的layoutlibrary，并把它附屬于一個已經存在的library時，除了要給一個新的libraryname,還需要選擇下列那些步驟？(B)ACompileanewtechfile。BAttachedtoanexistingtechfile。CDon’tneedatechfile。64、Cadence軟件中可以對一個一個已經存在的library，進行哪些有關technologyfilen的操作(A,BC)A重新load一個techfile。B從這個library里dump出一個techfile。C把這個libraryattche到另外一個library上去。65、在設計Standardcell和6TSRAM的基本單元時，我們都要遵守HalfDesignRule,這個HalfDesignRule通常指什么？(A)AhalfspacingBhalfwidthChalfgrid66、在設計Standardcell和6TSRAM的基本單元時，我們通常都要用prboundrylayer或者markerlayer畫一個矩形，覆蓋上這個單元里的所有器件，這一層的物理作用是什么？(A)A沒什么物理意義，它只是在做單元拼接的時候起一個標記作用。B做聯接層。C可以當nwell層用。67、設計analoglayout時，要考慮的問題比作digitallayout多，它通常表現在下列那幾個方面(B,C,D)A面積要小B寄生效應(parasitics)C對稱（matching）D噪聲問題（noiseissues）68、做集成電路的多晶硅電阻設計時，要計算每個電阻的阻值，那么電阻的長度是怎樣計算的（C）A整個多晶硅的長度B多晶硅中兩個引線孔中心點的距離C多晶硅中兩個引線孔內側的距離D多晶硅中兩個引線孔外側的距離69、在做集成電路的多晶硅電容設計時，要計算每個電容的容值，那么電容的面積大小是怎樣計算的？（C）A第一層多晶硅的面積B第二層多晶硅的面積C二層多晶硅重疊后的面積70、在做DRACULA檢查（DRC或LVS）時，通常要用Vi編輯命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我們只修改那兩行（B，C）Aoutdisk（錯誤輸出信息的gds文件名）Bindisk(重新做過StreamOut的gds文件名)CPrimary（topcellname）71、在集成電路加工制造中，通常所指前道工藝為：（A）A、集成電路制造（晶圓加工）；B、集成電路封裝；C、集成電路測試；D、集成電路設計72、NMOS是在阱形成的溝道的MOSFET晶體管。（B）A、P阱，P溝；B、P阱、N溝；C、N阱、N溝；D、N阱、P溝。73、NMOS源漏的摻雜類型分別為：（C）A、P+、P+；B、P+，N+；C、N+，N+；D、N+，P+74、在較先進的集成電路制造工藝中，通常采來實現摻雜。（B）A、刻蝕；B、離子注入；C、光刻；D、金屬化。75、現代集成電路制造工藝中，主流摻雜技術為：（D）A、擴散；B、化學機械拋光；C、刻蝕；D、離子注入。76、集成電路生產中，金屬薄膜的沉積通常采用：（A）A、濺射物理氣相沉積；B、蒸發物理氣相沉積；C、等離子增強化學氣相沉積；D、低壓化學氣相沉積77、在集成電路多層布線中，通常采用鎢插銷連接各層布線的最主要原因：（C）A、鎢的導電率比鋁更低；B、鎢的刻蝕比鋁更容易；C、采用化學氣相沉積法制備的鎢具有更好的填孔能力；D、鎢與硅的接觸性能更好。78、在集成電路技術中，銅取代鋁成為最主要的互連金屬的主要原因是：（A）A、銅具有更高的導電率；B、銅具有更低的導電率；C、銅更容易刻蝕加工；D、銅具有更好熱導率。79、在大馬士革銅工藝中，銅薄膜通常采用（C）方式獲得：A、物理氣相沉積；B、化學氣相沉積；C、電化學鍍；D、熱氧化。80、表面平垣化的方式有很多種，效果最好的方式是：（D