《集成電路設計基礎1-5》復習題2022_第1頁
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《集成電路設計基礎1-5》復習題2022某某某某某某某某某某某某某某《集成電路設計基礎》復習題（某某某某某某某某某某某某某某某1．按原理、工藝、結構、實現方法、用途的不同，集成電路主要有哪些分類？全定制IC驟？雙極型IC集成NPNNPN管的有源PNPNPN的有源PNPECLECL5．什么是MOSIC的“場區寄生MOSFET”？其產NPN電極串聯電阻RCS，在其版圖和工藝設計上主要可采取那些相應措施？7．什么是CMOSCMOSIC8．基區硼擴散電阻的計算公式3.3），其最小條寬設計設計（特別是P54PA,ma某與WR,ma），如：電阻值R=10k，方塊電阻RS=100/□，允許最大耗散功率PA,ma=10W/cm22V，擴散電阻條寬度WL。9．在雙極和硅柵MOSIC（交叉）互連的技術和方法主要有哪些？單元IC特性參數是什么？能針對反相器單元，給出其簡單的定義和描述。能定性地畫出典型雙極TTLECL工作原理。TTL其對器件的噪容特性有什么影響？在五管和六管單元TTLfT2>fT5，試14．請說明五管單元TTL態和截止瞬態對電阻R3TTL六管單元TTLTTL的穩定性以及速度三個方面有何改進？為什么？圖示說明為什么普通具有“圖騰柱”輸出結構的TTLOC電路各有什么優缺點？SBDSTTLIC（SCT本原理）？六管STTLT1之BCSBD中，大規模TTLIC表現在哪里？MOS（靜、動態）以各種方式連接構成的擴展邏輯線路的功能分析（包括邏輯表達式，各局部電路的結構功能特點）法（針對性）？ECL實現高速度的主要原因是什么？有比MOSMOSβRE/EMOSVOL3．會畫出并分析飽和E/EMOSCMOS效電路和工作軌跡，推倒下降時間tfE/EMOS和上升時間tr，其上升過程為什么會有拖長長的尾巴現象？E/DMOS特性好壞的三個標準是什么？CMOSICCMOS如何？請結合圖示，分析MOSMOSMOSCOMS上構成的相應擴展邏輯電路的結構功能分析。不同結構的門電路的下降時間tftr與標準CMOS器下降時間tf升時間tr的關系，并能

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