第16屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議半導(dǎo)體，集成電路，硅材料，學(xué)術(shù)會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料專業(yè)分會(huì)聯(lián)合主辦的全國(guó)半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議是我國(guó)半導(dǎo)體集成電路和硅材料方面最高級(jí)別的學(xué)術(shù)會(huì)議。通過學(xué)術(shù)會(huì)議，展示我國(guó)在半導(dǎo)體集成電路和硅材料領(lǐng)域的最新研究成果和發(fā)展動(dòng)態(tài)。該學(xué)術(shù)會(huì)議每?jī)赡昱e行一次，已成功舉辦了十五屆。第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議將于2009年10月27-30日在杭州召開。會(huì)議由浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)微電子與光電子研究所共同承辦。（會(huì)議主頁(yè)：/icsi2009/）歡迎大家踴躍投稿第16屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議的論文摘要截止日期原定為7月31日，因各種原因，有些同仁還來不及投稿。考慮到該學(xué)術(shù)會(huì)議傳統(tǒng)上一直是我國(guó)在集成電路與硅材料方面規(guī)模最大的會(huì)議，為了使更多的同仁能參與本次會(huì)議，會(huì)議組委會(huì)決定把論文摘要的截止日期延長(zhǎng)至8月15日。請(qǐng)各位同仁抓緊時(shí)間向本次會(huì)議投稿，組委會(huì)對(duì)您的支持表示衷心的感謝。謹(jǐn)祝暑安！第16屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議組委會(huì)第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議通知為展示我國(guó)在半導(dǎo)體集成電路和硅材料領(lǐng)域的最新研究成果和發(fā)展動(dòng)態(tài)，第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體集成電路和硅材料學(xué)術(shù)會(huì)議將于2009年10月27-30日在杭州召開。會(huì)議將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)集成電路和硅材料界的知名專家和學(xué)者做主題報(bào)告，熱忱歡迎國(guó)內(nèi)高等院校、科研院所、公司企業(yè)從事集成電路和硅材料的研究與開發(fā)的專家、學(xué)者、企業(yè)家、學(xué)生參加本次會(huì)議。主辦單位：中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)承辦單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)微電子與光電子研究所會(huì)議主題范圍：MOS、雙極集成電路的設(shè)計(jì)與工藝;MOS、雙極集成電路的器件物理和器件模擬;微波功率器件及集成電路；混合集成電路及MCM技術(shù)；電力電子器件及智能功率集成電路；ASIC設(shè)計(jì)、制造技術(shù)；特種硅器件（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、傳感器、光電器件、微機(jī)械、薄膜器件）;硅基納電子、分子電子學(xué)、納米器件及應(yīng)用；系統(tǒng)集成技術(shù)；集成電路CAD、EDA、CAT、CAM技術(shù)；半導(dǎo)體工藝建模建庫(kù)與工藝設(shè)計(jì)包（PDK）及其應(yīng)用；集成電路封裝技術(shù)；集成電路失效分析及可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估；集成電路測(cè)試及故障分析；微電子技術(shù)在科研、生產(chǎn)及其它領(lǐng)域的應(yīng)用成果和經(jīng)驗(yàn)；微電子技術(shù)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的地位、作用及其發(fā)展戰(zhàn)略。硅和硅基材料的制備工藝；硅和硅基材料的性質(zhì)研究；硅和硅基材料分析與測(cè)試；多晶硅材料及其應(yīng)用;太陽(yáng)電池用硅材料主題報(bào)告大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告：王占國(guó)中國(guó)科學(xué)院院士中科院半導(dǎo)體研究所許居衍中國(guó)工程院院士中國(guó)華晶集團(tuán)硅微電子技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò)屠海令中國(guó)工程院院士北京有色金屬研究總院（確認(rèn)中）葉甜春國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)專家組組長(zhǎng)中科院微電子所極大規(guī)模集成電路重大專項(xiàng)進(jìn)展會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告：（按姓氏筆畫順序）萬里兮中科院微電子所研究員三維封裝技術(shù)及問題陳向東杭州士蘭微電子公司總經(jīng)理SOI與高壓BCD工藝吳漢明中芯國(guó)際技術(shù)處處長(zhǎng)65納米/45納米/32納米CMOS的工藝技術(shù)發(fā)展嚴(yán)大洲洛陽(yáng)中硅總工程師金融危機(jī)下多晶硅產(chǎn)業(yè)的生存與發(fā)展俞濱紐約州立大學(xué)教授TowardstheSiliconScalingLimitandBeyond趙穎南開大學(xué)教授，973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家硅基薄膜太陽(yáng)電池技術(shù)和研發(fā)現(xiàn)狀趙宇航上海集成電路研發(fā)中心副總裁發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)，營(yíng)造綠色社會(huì)。盛況浙江大學(xué)長(zhǎng)江特聘教授硅與碳化硅功率集成技術(shù)黃威森中芯國(guó)際邏輯產(chǎn)品處處長(zhǎng)65納米CMOS技術(shù)的可靠性韓雁浙江大學(xué)微電子與光電子研究所副所長(zhǎng)模擬IC低功耗設(shè)計(jì)方法魏少軍清華大學(xué)移動(dòng)計(jì)算研究中心主任通信集成電路新技術(shù)會(huì)議組織機(jī)構(gòu)1、大會(huì)主席：王占國(guó)副主席：楊德仁徐世六2、顧問委員會(huì)（以姓氏筆畫為序）：馬俊如王占國(guó)王守覺王守武王陽(yáng)元許居衍李志堅(jiān)吳德馨鄒世昌白黃陳星弼羅復(fù)昌趙正平敞梁駿吾闕端麟周炳琨侯洵俞忠鈺夏建3、學(xué)術(shù)委員會(huì)主席：吳德馨副主席：嚴(yán)曉浪王曉亮委員（以姓氏筆畫為序）：于燮康王東琳王躍林王曦葉甜春:劉捷臣時(shí)龍興李肇基吳漢民陳書明陳向東李晉閩張波張衛(wèi)張興張樹丹張維連何杰趙元富趙宇航楊乃彬楊克武楊輝楊德仁祝昌華徐世六錢佩信郝躍黃如戴忠東4、組織委員會(huì)主任：楊德仁副主任：韓雁姜麗娟委員（以姓氏筆畫為序）：馬向陽(yáng)馬潔遜王曉亮張維連王明華朱大中何杰金仲和秦毅秘書處：馬向陽(yáng)丁扣寶郭清李先杭樊瑞新甌海英重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)摘要截稿日期：2009年8月15日錄用通知：2009年8月31日前發(fā)出遞交全文：2009年9月30日論文提交大會(huì)將匯編和提供論文摘要文集和全文光盤。論文摘要被接收后，將通知作者提交全文。論文摘要的要求：不少于2/3A4紙頁(yè)面的篇幅，可以圖文并茂。并按以下順序排版：文題（三號(hào)黑體或TimesNewRoman居中）；作者（四號(hào)仿宋或TimesNewRoman居中）；單位（小四號(hào)宋體或TimesNewRoman居中，含所在省市、郵政編碼、電子郵址；摘要正文（五號(hào)宋體或TimesNewRoman,雙倍行距），具體的格式如附件所示。會(huì)議不接受已在國(guó)內(nèi)外正式出版刊物上發(fā)表過的論文。論文摘要請(qǐng)通過電子郵件于7月31日前發(fā)送到：icsi2009@會(huì)議具體事項(xiàng)會(huì)議地點(diǎn)：杭州戴斯酒店參觀考察：會(huì)議期間將安排到江南四大古鎮(zhèn)之一的烏鎮(zhèn)（著名作家茅盾的故鄉(xiāng)）參觀考察，與會(huì)者自愿參加。會(huì)程安排：27日：