ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T11094—2020

代替

GB/T11094—2007

水平法砷化鎵單晶及切割片

Galliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafergrownbyhorizontal

bridgmanmethod

2020-09-29發布2021-08-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T11094—2020

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替水平法砷化鎵單晶及切割片與相比除編

GB/T11094—2007《》。GB/T11094—2007,

輯性修改外主要技術變化如下

,:

刪除了范圍中的單晶錠及微波器件見年版的第章

———(20071);

刪除了規范性引用文件中的增加了見第章年

———GJB1927,GB/T13388、GB/T14844(2,2007

版的第章

2);

刪除了術語和定義中的見年版的第章

———3.1~3.8(20073);

修改了產品的牌號表示方法及分類見第章年版的第章

———(4,20074);

修改了砷化鎵單晶生長方向中的偏轉角度見年版的

———(5.1.1,20074.3.1);

刪除了半絕緣砷化鎵單晶的要求及試驗方法見年版的

———(20074.3.2、4.4.3、5.1);

刪除型非摻雜砷化鎵單晶的要求見年版的

———n(20074.3.2);

修改了型摻鋅砷化鎵單晶的載流子濃度范圍見年版的

———p(5.1.2,20074.3.2);

修改了位錯密度的分級及要求見年版的

———(5.1.3,20074.3.3);

增加了直徑砷化鎵切割片及對應砷化鎵單晶的要求見

———82.0mm(5.1.4.2、5.2);

晶錠高度誤差不大于改為單晶厚度變化應不大于見年版的

———4mm2mm(5.1.4.2,20074.4.1);

增加了關于砷化鎵切割片電學性能位錯密度的說明見

———、(5.2.1);

修改了砷化鎵切割片厚度的要求見年版的

———(5.2.3,20074.5.1);

修改了砷化鎵切割片晶向偏離的要求見年版的

———(5.2.4,20074.5.2);

修改了砷化鎵單晶及切割片的試驗方法見第章年版的第章

———(6,20075);

修改了砷化鎵單晶及切割片的檢驗規則相關內容見第章年版的第章

———(7,20076)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研光電新材料有限責任公司有色金屬技術經濟研究院廣東先導先進材料股

:、、

份有限公司北京聚睿眾邦科技有限公司雅波拓福建新材料有限公司

、、()。

本標準主要起草人于洪國林泉馬英俊趙敬平李素青馬遠飛李萬朋許所成權盼朱劉

:、、、、、、、、、、

周鐵軍閆方亮楊麗霞付萍

、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T11094—1989、GB/T11094—2007。

Ⅰ

GB/T11094—2020

水平法砷化鎵單晶及切割片

1范圍

本標準規定了水平法砷化鎵單晶以下簡稱砷化鎵單晶及切割片的牌號及分類要求試驗方法

()、、、

檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容

、、、、、()。

本標準適用于光電器件傳感元件等用的砷化鎵單晶及切割片

、。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

GB/T8760

硅片參考面結晶學取向射線測量方法

GB/T13388X

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號及分類

41牌號

.

砷化鎵單晶及切割片的牌號按照的規定進行表示如有特殊要求由供需雙方協商

GB/T14844