1、學院 姓名 學號 任課老師 考場教室 選課號/座位號密封線以內答題無效電子科技大學2014 -2015學年第一學期期末考試A卷課程名稱：集成電路CAD 考試形式：開卷 考試日期:2014 年 工月 空日 考試時長：120分鐘課程成績構成：平時 10%, 期中%, 實驗%, 期末 90%本試卷試題由_2_部分構成，共_5 頁。題號一一三四五得分六七八九十合計、填空題（共 25共6,每空1分）1、SOC中文翻譯為（），DRC中文翻譯為（），Semi-Custom Design TOC o 1-5 h z Approach中文翻譯為（）。2、集成電路版圖設計中圖形匹配技術，對數字集成電路可以（），對

2、模擬集成電路可以（）3、在SPICE電路模擬軟件中，集成電路中的電感，考慮了（）和（）對電感值的影響。4、SPICE中的二極管溫度模型中，考慮了溫度對（）、（）和（）的影響。5、引起飽和區輸出特性曲線向上傾斜的原因，對于BJT而言是（）效應，SPIC可用模型參數）來描述； 而對MOSFET則是（）效應，SPICE中用模型參數（）來描述。6、門海的基本單元由（）構成，宏單元采用（）進行隔離。7、集成電路的版圖設計中，消除天線效應的方法是（），（）和8、SPICE語句：M1 2 1 0 0 MOD L=5U W=20UM1是指（），節點1接的是（），MOD是（）。9、在 PSPICE中 Analy

3、sis菜單的 Setup對話框中， DC Sweep意思是（），Transient功能是）,Parametric的選擇是進行（）。、簡答下列問題：（共20分）1、簡單說明提取 MOS晶體管溝道長度調制系數的方法。（4分）第1頁共頁學院 姓名 學號 任課老師 考場教室 選課號/座位號 TOC o 1-5 h z 密封線以內答題無效2、解釋下列PSPICEg句的內容。（4分） C2 6 0 ACAP 20NF IC=1.5V3、大規模集成電路芯片成本由什么決定？根據芯片特性如何降低其成本？ （4分）4、什么是小尺寸 MOSFET的速度飽和效應？它對電路性能的影響是什么？（4分）5、MOS晶體管BS

4、IM模型中，是如何考慮寄生串聯電阻的？（4分）|三、畫圖：a。分）1、畫出集成電路芯片薄層電阻的射頻等效電路圖。2、畫出標準單元法設計的集成電路版圖示意圖。第2頁共頁學院 姓名 學號 任課老師 考場教室 選課號/座位號密封線以內答題無效3、畫出下圖共柵門陣列六管單元所組成倒向器和二輸入端或非門的內連圖。血血血：4、畫出肖特基二極管和 PN結二極管電流電壓特性曲線示意圖。5、畫出如下電源波形，并標明數值和單位。T3 P3rtffnae： VPUT-SE四、模型與參數（15分）下圖為某 TV STRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR極管或稱瞬變電壓抑制二極管 的I-V特性曲線，在-10V至10V區域其特性等效于一個電阻，在電壓大于10V或小于-10V的區域近似等效于一個理想二極管，試用理想二極管、電阻、電壓源構造其等效電路的宏模型并解釋其直流參數，并寫成SPICE子電路語句形第3頁共頁學院 姓名 學號 任課老師 考場教室 選課號/座位號密封線以內答題無效（10 分）2、第4頁共頁學院 姓名 學號 任課老師 考場教室 選課號/座位號密封線以內答題無效PSPIC跑路模擬（10分）1、寫出模擬下圖三點式