1、泓域咨詢/東莞功率半導體項目投資計劃書目錄第一章 市場分析8一、 二極管、晶體管行業的基本情況8二、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）10三、 TVS產品的行業基本情況13第二章 項目建設背景及必要性分析17一、 MOSFET產品的行業基本情況17二、 發電源管理IC產品的行業基本情況18三、 以科技創新為核心，著力營造最優創新生態19四、 加快建設高品質現代化都市21第三章 項目概況24一、 項目名稱及建設性質24二、 項目承辦單位24三、 項目定位及建設理由26四、 報告編制說明28五、 項目建設選址29六、 項目生產規模30七、 建筑物建設規模30八、 環境影響30九、 項目總投資及資金構成3

2、0十、 資金籌措方案31十一、 項目預期經濟效益規劃目標31十二、 項目建設進度規劃31主要經濟指標一覽表32第四章 建筑工程方案34一、 項目工程設計總體要求34二、 建設方案35三、 建筑工程建設指標36建筑工程投資一覽表37第五章 產品規劃方案39一、 建設規模及主要建設內容39二、 產品規劃方案及生產綱領39產品規劃方案一覽表40第六章 項目選址分析41一、 項目選址原則41二、 建設區基本情況41三、 項目選址綜合評價43第七章 SWOT分析說明44一、 優勢分析（S）44二、 劣勢分析（W）46三、 機會分析（O）46四、 威脅分析（T）48第八章 發展規劃52一、 公司發展規劃5

3、2二、 保障措施56第九章 法人治理結構59一、 股東權利及義務59二、 董事66三、 高級管理人員70四、 監事73第十章 環保方案分析76一、 編制依據76二、 環境影響合理性分析76三、 建設期大氣環境影響分析77四、 建設期水環境影響分析78五、 建設期固體廢棄物環境影響分析79六、 建設期聲環境影響分析79七、 環境管理分析80八、 結論及建議84第十一章 組織架構分析85一、 人力資源配置85勞動定員一覽表85二、 員工技能培訓85第十二章 項目進度計劃88一、 項目進度安排88項目實施進度計劃一覽表88二、 項目實施保障措施89第十三章 安全生產90一、 編制依據90二、 防范措

4、施93三、 預期效果評價95第十四章 投資估算及資金籌措97一、 投資估算的編制說明97二、 建設投資估算97建設投資估算表99三、 建設期利息99建設期利息估算表100四、 流動資金101流動資金估算表101五、 項目總投資102總投資及構成一覽表102六、 資金籌措與投資計劃103項目投資計劃與資金籌措一覽表104第十五章 經濟效益106一、 經濟評價財務測算106營業收入、稅金及附加和增值稅估算表106綜合總成本費用估算表107固定資產折舊費估算表108無形資產和其他資產攤銷估算表109利潤及利潤分配表111二、 項目盈利能力分析111項目投資現金流量表113三、 償債能力分析114借款

5、還本付息計劃表115第十六章 風險防范117一、 項目風險分析117二、 項目風險對策119第十七章 項目總結122第十八章 附表124主要經濟指標一覽表124建設投資估算表125建設期利息估算表126固定資產投資估算表127流動資金估算表128總投資及構成一覽表129項目投資計劃與資金籌措一覽表130營業收入、稅金及附加和增值稅估算表131綜合總成本費用估算表131利潤及利潤分配表132項目投資現金流量表133借款還本付息計劃表135報告說明普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現，與大多數二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產品的保護作用，

6、對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節結構，主要采用臺面結構技術。根據謹慎財務估算，項目總投資14030.13萬元，其中：建設投資11248.05萬元，占項目總投資的80.17%；建設期利息318.41萬元，占項目總投資的2.27%；流動資金2463.67萬元，占項目總投資的17.56%。項目正常運營每年營業收入27500.00萬元，綜合總成本費用22122.62萬元，凈利潤3931.87萬元，財務內部收益率21.38%，財務凈現值6137.55萬元，全部投資回收期5.87年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現值良好，投資回收期合理。該項目工藝技術方案先進合理，原材

7、料國內市場供應充足，生產規模適宜，產品質量可靠，產品價格具有較強的競爭能力。該項目經濟效益、社會效益顯著，抗風險能力強，盈利能力強。綜上所述，本項目是可行的。本期項目是基于公開的產業信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業分析模型而進行的模板化設計，其數據參數符合行業基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。第一章 市場分析一、 二極管、晶體管行業的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導電性二端器件，其產品結構比較簡單，一般為單個PN節結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續發展出整流二極管、開關二極管、穩壓二極管、

8、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流、穩壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙

9、極性結型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業的市場規模及競爭格局2018年全球二極管市場規模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據中國電子信息產業統計年鑒數據，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據芯謀研究的有關數據，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結型晶體管（三極管）、MOSFET和IGBT。根據三種晶體管的市場規模估算，2019年，晶體管總的市場規模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規模約為147.88億美元。由于雙

10、極性結型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節能減排的推行，其市場規模總體趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市場規模則以較高速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業的未來發展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產品，對技術創新要求較高，會隨著應用領域的技術要求不斷提升，推動產品的技術升級，尤其是在消費類電子領域。晶體管中，雙極性結型晶體管（三極管）是電流型功率開關器件，價格

11、低、功耗大，在少數價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費類電子、網絡通訊、工業、安防等領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規模增長迅速。二、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）1、全球經濟發展態勢和電子系統產品市場將是帶動全球半導體市場發展的主要因素ICInsights發布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全

12、球GDP總量增長呈現高度相關性，2010-2018年的相關系數高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業愈發成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯性。二是消費者驅動的IC市場持續轉型。20年前大約60%的

13、半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比已經互換。因此，隨著消費者為導向的環境推動電子系統銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅動產業繁榮發展國家高度重視半導體行業發展，近年來出臺了多項扶持產業發展政策，鼓勵技術進步。2014年6月，國務院發布國家集成電路產業發展推進綱要，以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環節作為集成電路行業發展重點，提出到2020年，集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。2014年9

14、月24日，國家集成電路產業投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設立；2019年10月22日，國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業，實施市場化運作、專業化管理，充分展現了國家扶持半導體行業的信心，將大力促進行業增長。功率半導體作為半導體行業的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業創造了良好的政策環境和投融資環境，為功率半導體行業發展帶來了良好的發展機遇，促進行業發展的同時加速產業的轉移進程，國內功率半導體行業有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產品的功

15、能多樣化將增加功率器件的產品需求功率器件應用領域十分廣泛，下游終端產品類別繁多，隨著社會發展和技術發展，下游終端產品對電能轉換效率、穩定性、高壓大功率提出了更高的需求，產品設計將更加復雜化，產品功能將更加多樣化。下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進功率器件的技術發展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發展。4、新興產業需求和技術創新將引領半導體行業發展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統、虛擬貨幣等新興領域的快速發展，相關IC產品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產品中。這些

16、需求將刺激我國IC產品的技術創新和產業發展，對我國IC設計、制造企業帶來增長機遇。同時，我國功率半導體企業一直緊跟國際先進技術發展，通過持續的技術創新不斷推動產品升級，并積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網絡通信、智能家居、汽車電子等行業的技術發展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內功率半導體相關企業贏得更多的發展機遇。5、市場空間巨大半導體產業是全球性產業，全球產業景氣度是中國半導體產業發展的大前提，但中國半導體產業的內生力更值得關注。半導體行業發源于歐美，日韓及中國臺灣在產業轉移中亦建立了先進的半導體工業體系。中國半導體起步晚，但近年來，國家高度重視半

17、導體行業的發展，不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內的半導體行業。隨著國內大循環、國內國際雙循環格局發展，國內功率半導體產品需求繼續增加，國內功率半導體設計企業不斷成長，未來發展空間巨大。根據顧問機構InternationalBusinessStrategies（IBS）預測，到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業的比例將逐漸上升，到2030年將達到39.8%。預計到2030年，69%的消費量將來自中國本土公司，需求主要來自數據中心、消費電子、汽車、醫療等應用領域。三、 TVS產品的行業基本情況1、TVS/E

18、SD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現，與大多數二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節結構，主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電

19、能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發出來并不斷創新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發展方向。目前，功率半導體行業內部分國際企業已將ESD保護器件在內的TVS單獨分類。比如，安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類，將其與二極管、MOSFE

20、T、邏輯和模擬IC等產品類別共同列為主要產品類別；安森美將ESD保護單獨分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產品類別并列為安森美的主要產品類別；英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規模及競爭格局根據OMDIA發布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規模約為16.21億美元，預計2021年全球TVS市場規模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規模約為10.55億美元，預計2023年全球ESD保護器件市場規模約為13.20億美元。根據韋爾股份2019年年度報告

21、，在TVS領域，韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩居國內第一，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導體（NXP），商升特半導體（Semtech）等。根據韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導，根據OMDIA發布的研究報告，全球前五大廠商分別為安世半導體（Nexperia）、意法半導體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.

22、08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護器件的未來發展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛，隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業電子等市場的推動下，預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域，由于產品集成度高，技術要求不斷提升，產品更新換代較快，相應地對ESD保護器件的技術創新要求也較高，未來的發展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發展的趨勢和需要，市場前景廣闊。第二章 項目建設背景及必要性分析一、 MO

23、SFET產品的行業基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。隨著技術的發展，溝槽結構MOSFET于1990年左右逐步研發成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內市場而言，MOSFET產品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產化空間巨大。2、MOSFET的市場規模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規模達76億美元，2016-2023年復合增速達5%；中國大陸MOSFET市場規模達36億美元，中國市場在

24、全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規模達80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預計2025年將達到118.47億美元。根據有關數據，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發展趨勢近二

25、十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗發展。中國MOSFET市場規模增長迅速，據統計，2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規模穩步增長，MOSFET需求長期穩定。二、 發電源管理IC產品的行業基本情況1、電源管理IC簡介電源管理IC在電子設備系統中擔負起對電能的變換、分配、檢測等功能，是電子設備中不可或缺的芯片。電源管理IC可應用于手機、可穿戴設備等消費類電子領域以及網絡通訊、

26、工業、安防等領域的各類終端產品，是模擬芯片的重要組成部分。2、電源管理IC的市場規模及競爭格局根據Frost&Sullivan統計，全球電源管理IC擁有廣闊的市場空間。2020年全球電源管理芯片市場規模約328.8億美元，2016年至2020年年復合增長率為13.52%。國際市場調研機構TMR預測，到2026年全球電源管理芯片市場規模將達到565億美元，年復合增長率高達10.69%。其中以大陸為主的亞太地區是未來全球電源管理芯片最大的成長動力。全球電源管理芯片被美、歐等國際廠商壟斷，前五大供應商占據71%市場份額。目前，雖然歐美發達國家及地區電源管理芯片廠商在產品線的完整性及整體技術水

27、平上保持領先優勢，但隨著國內集成電路市場的不斷擴大，部分本土企業在激烈的市場競爭中逐漸崛起，整體技術水平和國外設計公司的差距不斷縮小。3、電源管理IC的未來發展趨勢隨著電子產品的種類、功能和應用場景的持續增加，消費端對電子產品的穩定性、能效、體積等要求也越來越高。為順應終端電子產品的需求，電源管理IC將朝著高效能，微型化及集成化等方向發展，技術上追求更高的直流耐壓，更小的導通阻抗，以及更小的封裝尺寸。隨著5G通信、物聯網、智能家居、汽車電子、工業控制等新興應用領域的發展，電源管理芯片下游市場有望持續發展。三、 以科技創新為核心，著力營造最優創新生態舉全市之力建設綜合性國家科學中心先行啟動區。做

28、好松山湖科學城建設發展的頂層設計，科學編制和實施發展總體規劃、科學功能規劃、國土空間規劃。深入推進與中科院的戰略合作，共同抓好建設重大科技基礎設施集群、搭建前沿科學交叉研究平臺、舉辦科技交流活動等工作。加快推進散裂中子源二期、南方先進光源研究測試平臺、先進阿秒激光設施的建設，爭取納入國家重大科技基礎設施建設“十四五”規劃。加快推進大灣區大學和香港城市大學（東莞）建設，全力支持東莞理工學院建設新型高水平理工科大學示范校。支持粵港澳聯合實驗室建設，辦好粵港澳院士峰會等活動，推動大灣區科技創新論壇升格為省院共辦并永久落戶，積極吸引港澳臺和國際人才來莞創新創業。進一步提升重大平臺的創新引領作用。支持濱

29、海灣新區加快打造莞港特色合作平臺，謀劃建設上市企業總部基地、大灣區大學科技園、濱海灣青創城等，主動對接自貿區創新資源外溢，探索離岸創新、莞港“三鏈”融合，力爭在制度開放、區鎮融合發展等方面創造更多先行經驗。全面鋪開水鄉功能區建設，基本完成八大核心單元空地整備，加快打造數字經濟產業園，掀起水鄉大開發、大建設新高潮。支持銀瓶創新區立足生態資源稟賦，強化粵海平臺和市鎮聯合招商，打造粵港澳生態發展創新區。大力推進產業鏈創新鏈雙向融合。加快中子治療技術探索設施、大科學智能計算數據中心等項目建設，形成大科學裝置與前沿技術攻關鏈式協同，為產業關鍵技術突破提供支撐。組織關鍵共性技術、顛覆性技術創新攻關。加快出

30、臺新型研發機構提質增效配套政策，完善技術創新和成果轉化體系，“一院一策”增強自我造血能力。建設一批創新創業工場、公共技術服務平臺，推廣國際機器人產業基地模式，聯動研究生培養（實踐）計劃，打造科創訓練營。努力打造更有溫度、更有吸引力的人才高地。進一步整合優化現有人才政策，樹立更加開放的用才導向，聚焦重點招引產業、重大科研項目，實施創新團隊、高層次人才機構化、成建制同步引進，探索特定“雙聘制”高端人才與全職引進人才享受同等政策待遇。優化出臺2.0版“技能人才之都”政策，做好急需緊缺技術技能人才引育。大力實施人才安居工程，建設籌集安居房5000套，規劃建設一批人才社區、青年人才驛站。優化調整高端人才

31、個稅補貼等政策，擴大人才入戶“秒批”范圍，全面實施優才卡，為人才在莞工作生活提供全方位便利。四、 加快建設高品質現代化都市在國際一流灣區和世界級城市群建設中強化東莞擔當、展現東莞顏值、彰顯東莞魅力，著力打造高品質環境、集聚高素質人才、發展高質量產業，努力把東莞建設成為有志之士向往聚集、追夢圓夢的高品質現代化都市。以綠色集約為導向提升城市品質。全面推進新一輪城市品質提升，讓欣欣向榮的現代都市、草長鶯飛的山水田園在東莞有機融合、協調共生。積極構建“三心引領、廊道支撐、片區協同、節點開花”的城市空間格局，進一步提升都市核心區首位度，加快打造立體交通、科技創新、生態環境三條城市線性發展廊道，推動“六大

32、片區”組團統籌聯動發展。推動土地利用模式從“增量擴展”向“存量優化”轉型，每年至少實施“工改工”1萬畝，五年收儲土地4.5萬畝。全面鞏固提升污染防治攻堅戰成果，推動環境改善重心向綜合治理、生態修復、綠色發展延伸，凸顯“半城山色半城水、一脈三江莞邑香”的城市特色，力爭實現碳排放達峰走在全省前列，加快實現從世界工廠向生態之都、綠色之城的轉變提升。更加注重優化城市軟環境，不斷提升城市文明水平、科學素養、人文精神、藝術氛圍，促進人的全面發展，致力打造青春之城、活力之城、夢想之城、成長之城。以鎮村基層為重點優化綜合環境。結合鄉村振興戰略的深入推進，把鎮村作為優環境的主戰場。突出加強鎮村規劃管控，實施大片

33、區統籌，抓好江河岸線管理，以鎮村核心區和重點片區的更新改造為突破口，對城鄉面貌、公共空間、居住空間等進行優化提升，加快打造產城融合、宜居宜業的品質鎮街，鄉風淳樸、美麗幸福的莞邑村居。積極推動南部各鎮加快建設一批高品質、低成本、優環境的產城融合新社區，打造深莞深度融合、一體聯動發展的“引爆點”。著力推動鎮村提升公共服務水平，讓群眾在家門口就能上優質的學校，逛美麗的公園，享受便捷的醫療，欣賞精彩的演出，讓東莞的鎮村成為能夠留住本地人、吸引外來人的好地方。以優質環境為平臺集聚高端人才。把人才作為支撐發展的第一資源，依托大科學裝置集群、新型研發機構、高水平大學、科技企業等平臺載體，大力引進國際一流的科

34、學家團隊、科技領軍人才和高水平創新團隊，加強研發人才、營銷人才、管理人才等的培養，全方位提供人才創新創業、施展才華的靚麗舞臺。努力為人才打造舒適愜意、安居樂業的優質環境，廣聚天下英才而用之，讓人才聚莞、人才愛莞成為東莞一道亮麗的風景線。第三章 項目概況一、 項目名稱及建設性質（一）項目名稱東莞功率半導體項目（二）項目建設性質本項目屬于新建項目二、 項目承辦單位（一）項目承辦單位名稱xx投資管理公司（二）項目聯系人趙xx（三）項目建設單位概況公司堅持提升企業素質，即“企業管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經營水平進一步提高”

35、，培育一批具有工匠精神的高素質企業員工，企業品牌影響力不斷提升。當前，國內外經濟發展形勢依然錯綜復雜。從國際看，世界經濟深度調整、復蘇乏力，外部環境的不穩定不確定因素增加，中小企業外貿形勢依然嚴峻，出口增長放緩。從國內看，發展階段的轉變使經濟發展進入新常態，經濟增速從高速增長轉向中高速增長，經濟增長方式從規模速度型粗放增長轉向質量效率型集約增長，經濟增長動力從物質要素投入為主轉向創新驅動為主。新常態對經濟發展帶來新挑戰，企業遇到的困難和問題尤為突出。面對國際國內經濟發展新環境，公司依然面臨著較大的經營壓力，資本、土地等要素成本持續維持高位。公司發展面臨挑戰的同時，也面臨著重大機遇。隨著改革的深

36、化，新型工業化、城鎮化、信息化、農業現代化的推進，以及“大眾創業、萬眾創新”、中國制造2025、“互聯網+”、“一帶一路”等重大戰略舉措的加速實施，企業發展基本面向好的勢頭更加鞏固。公司將把握國內外發展形勢，利用好國際國內兩個市場、兩種資源，抓住發展機遇，轉變發展方式，提高發展質量，依靠創業創新開辟發展新路徑，贏得發展主動權，實現發展新突破。公司滿懷信心，發揚“正直、誠信、務實、創新”的企業精神和“追求卓越，回報社會” 的企業宗旨，以優良的產品服務、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優質產品及服務。公司在發展中始終堅持以創新為源動力，不斷投入巨資引入先進研發設備，更新思想觀念，依托優秀

37、的人才、完善的信息、現代科技技術等優勢，不斷加大新產品的研發力度，以實現公司的永續經營和品牌發展。三、 項目定位及建設理由21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD

38、保護器件”）在近十幾年被開發出來并不斷創新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發展方向。經濟實力穩中有進。全市地區生產總值達9650.2億元，年均增長6.5%，提前一年完成“十三五”規劃目標。人均地區生產總值超過11萬元，達到高收入經濟體水平。市一般公共預算收入694.7億元、稅收總額2153.2億元，分別是2015年的1.3倍和1.5倍。社消零總額、規上工業增加

39、值分別突破3000億元、4000億元，是2015年的1.4倍和1.5倍。本外幣存、貸款余額分別突破1.8萬億元和1.2萬億元，是2015年的1.8倍和2.1倍。五年實際利用內外資5326.7億元，完成固投9615.2億元。外貿進出口超1.3萬億元，穩居全國第五。全市市場主體超過134萬戶，是2015年的1.8倍，占全國總量1%。高企總數6381家，是2015年的6.5倍。主營業務收入超千億元企業實現零的突破。鎮村實力持續增強。全國百強鎮從12個增至15個，5個鎮街進入500億元俱樂部，所有次發達鎮均超100億元，實現歷史性的突破。村組兩級總資產、經營性純收入分別增長42%和66.8%，純收入超

40、億元村由10個增至30個，70個次發達村（社區）村組兩級經營性純收入實現翻番。城市影響力不斷提升。先后榮獲全國質量強市示范市、版權示范城市、水生態文明城市和國家節水型城市、中國法治政府獎等稱號，首獲全國綜治工作“長安杯”，成功蟬聯全國文明城市、衛生城市、社會治理創新示范市、雙擁模范城等榮譽，連續兩年政商關系健康指數排名全國第一，連續三年躋身中國外貿百強市競爭力前三，連續四年入圍新一線城市，“灣區都市、品質東莞”的價值追求深入人心，投資洼地、創業沃土的城市形象充分彰顯。四、 報告編制說明（一）報告編制依據1、承辦單位關于編制本項目報告的委托；2、國家和地方有關政策、法規、規劃；3、現行有關技術規

41、范、標準和規定；4、相關產業發展規劃、政策；5、項目承辦單位提供的基礎資料。（二）報告編制原則1、嚴格遵守國家和地方的有關政策、法規，認真執行國家、行業和地方的有關規范、標準規定；2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術路線，提高項目的競爭力和市場適應性；3、設備的布置根據現場實際情況，合理用地；4、嚴格執行“三同時”原則，積極推進“安全文明清潔”生產工藝，做到環境保護、勞動安全衛生、消防設施和工程建設同步規劃、同步實施、同步運行，注意可持續發展要求，具有可操作彈性；5、形成以人為本、美觀的生產環境，體現企業文化和企業形象；6、滿足項目業主對項目功能、盈利性等投資方面的要求；7、充分估計工程各

42、類風險，采取規避措施，滿足工程可靠性要求。（二） 報告主要內容根據項目的特點，報告的研究范圍主要包括：1、項目單位及項目概況；2、產業規劃及產業政策；3、資源綜合利用條件；4、建設用地與廠址方案；5、環境和生態影響分析；6、投資方案分析；7、經濟效益和社會效益分析。通過對以上內容的研究，力求提供較準確的資料和數據，對該項目是否可行做出客觀、科學的結論，作為投資決策的依據。五、 項目建設選址本期項目選址位于xx園區，占地面積約36.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。六、 項目生產規模項目建成后，形成年產xxx件功率半導

43、體的生產能力。七、 建筑物建設規模本期項目建筑面積38642.02，其中：生產工程22723.01，倉儲工程7027.78，行政辦公及生活服務設施4106.59，公共工程4784.64。八、 環境影響建設項目的建設和投入使用后，其產生的污染源經有效處理后，將不致對周圍環境產生明顯影響。建設項目的建設從環境保護角度考慮是可行的。項目建設單位在執行“三同時”的管理規定的同時，切實落實本環境影響報告中的環保措施，并要經環境保護管理部門驗收合格后，項目方可投入使用。九、 項目總投資及資金構成（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資14030

44、.13萬元，其中：建設投資11248.05萬元，占項目總投資的80.17%；建設期利息318.41萬元，占項目總投資的2.27%；流動資金2463.67萬元，占項目總投資的17.56%。（二）建設投資構成本期項目建設投資11248.05萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用9384.43萬元，工程建設其他費用1579.05萬元，預備費284.57萬元。十、 資金籌措方案本期項目總投資14030.13萬元，其中申請銀行長期貸款6498.21萬元，其余部分由企業自籌。十一、 項目預期經濟效益規劃目標（一）經濟效益目標值（正常經營年份）1、營業收入（SP）：27500.00萬元

45、。2、綜合總成本費用（TC）：22122.62萬元。3、凈利潤（NP）：3931.87萬元。（二）經濟效益評價目標1、全部投資回收期（Pt）：5.87年。2、財務內部收益率：21.38%。3、財務凈現值：6137.55萬元。十二、 項目建設進度規劃本期項目按照國家基本建設程序的有關法規和實施指南要求進行建設，本期項目建設期限規劃24個月。十四、項目綜合評價該項目的建設符合國家產業政策；同時項目的技術含量較高，其建設是必要的；該項目市場前景較好；該項目外部配套條件齊備，可以滿足生產要求；財務分析表明，該項目具有一定盈利能力。綜上，該項目建設條件具備，經濟效益較好，其建設是可行的。主要經濟指標一覽

46、表序號項目單位指標備注1占地面積24000.00約36.00畝1.1總建筑面積38642.021.2基底面積13440.001.3投資強度萬元/畝295.022總投資萬元14030.132.1建設投資萬元11248.052.1.1工程費用萬元9384.432.1.2其他費用萬元1579.052.1.3預備費萬元284.572.2建設期利息萬元318.412.3流動資金萬元2463.673資金籌措萬元14030.133.1自籌資金萬元7531.923.2銀行貸款萬元6498.214營業收入萬元27500.00正常運營年份5總成本費用萬元22122.62""6利潤總額萬元524

47、2.49""7凈利潤萬元3931.87""8所得稅萬元1310.62""9增值稅萬元1124.08""10稅金及附加萬元134.89""11納稅總額萬元2569.59""12工業增加值萬元8614.98""13盈虧平衡點萬元11035.29產值14回收期年5.8715內部收益率21.38%所得稅后16財務凈現值萬元6137.55所得稅后第四章 建筑工程方案一、 項目工程設計總體要求（一）總圖布置原則1、強調“以人為本”的設計思想，處理好人與建筑、人與環境、

48、人與交通、人與空間以及人與人之間的關系。從總體上統籌考慮建筑、道路、綠化空間之間的和諧，創造一個宜于生產的環境空間。2、合理配置自然資源，優化用地結構，配套建設各項目設施。3、工程內容、建筑面積和建筑結構應適應工藝布置要求，滿足生產使用功能要求。4、因地制宜，充分利用地形地質條件，合理改造利用地形，減少土石方工程量，重視保護生態環境，增強景觀效果。5、工程方案在滿足使用功能、確保質量的前提下，力求降低造價，節約建設資金。6、建筑風格與區域建筑風格吻合，與周邊各建筑色彩協調一致。7、貫徹環保、安全、衛生、綠化、消防、節能、節約用地的設計原則。（二）總體規劃原則1、總平面布置的指導原則是合理布局，

49、節約用地，適當預留發展余地。廠區布置工藝物料流向順暢，道路、管網連接順暢。建筑物布局按建筑設計防火規范進行，滿足生產、交通、防火的各種要求。2、本項目總圖布置按功能分區，分為生產區、動力區和辦公生活區。既滿足生產工藝要求，又能美化環境。3、按照廠區整體規劃，廠區圍墻采用鐵藝圍墻。全廠設計兩個出入口，廠區道路為環形，主干道寬度為9m，次干道寬度為6m，聯系各出入口形成順暢的運輸和消防通道。4、本項目在廠區內道路兩旁，建（構）筑物周圍充分進行綠化，并在廠區空地及入口處重點綠化，種植適宜生長的樹木和花卉，創造文明生產環境。二、 建設方案（一）混凝土要求根據混凝土結構耐久性設計規范（GB/T50476

50、）之規定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。3、埋件鋼板采用Q235鋼、Q345鋼，吊鉤用HPB235。4、鋼材連接所用焊條及方式按相應標準及規范要求。（三）隔墻、圍護墻

51、材料本工程框架結構的填充墻采用符合環境保護和節能要求的砌體材料（多孔磚），材料強度均應符合GB50003規范要求：多孔磚強度MU10.00，砂漿強度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保護層1、水泥選用標準：水泥品種一般采用普通硅酸鹽水泥，并根據建（構）筑物的特點和所處的環境條件合理選用添加劑。2、混凝土保護層：結構構件受力鋼筋的混凝土保護層厚度根據混凝土結構耐久性設計規范（GB/T50476）規定執行。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積38642.02，其中：生產工程22723.01，倉儲工程7027.78，行政辦公及生活服務設施4106.59，公共工程4784.64。建筑工程投

52、資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產工程7123.2022723.012750.621.11#生產車間2136.966816.90825.191.22#生產車間1780.805680.75687.651.33#生產車間1709.575453.52660.151.44#生產車間1495.874771.83577.632倉儲工程2822.407027.78685.652.11#倉庫846.722108.33205.692.22#倉庫705.601756.94171.412.33#倉庫677.381686.67164.562.44#倉庫592.701475.83143.

53、993辦公生活配套846.724106.59637.873.1行政辦公樓550.372669.28414.623.2宿舍及食堂296.351437.31223.254公共工程2688.004784.64487.05輔助用房等5綠化工程3436.8067.05綠化率14.32%6其他工程7123.2034.907合計24000.0038642.024663.14第五章 產品規劃方案一、 建設規模及主要建設內容（一）項目場地規模該項目總占地面積24000.00（折合約36.00畝），預計場區規劃總建筑面積38642.02。（二）產能規模根據國內外市場需求和xx投資管理公司建設能力分析，建設規模確定

54、達產年產xxx件功率半導體，預計年營業收入27500.00萬元。二、 產品規劃方案及生產綱領本期項目產品主要從國家及地方產業發展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業資金籌措能力、生產工藝技術水平的先進程度、項目經濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據市場需求狀況進行必要的調整，各年生產綱領是根據人員及裝備生產能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產量和銷量視為一致，本報告將按照初步產品方案進行測算。MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。隨著技術的發展，溝槽結構

55、MOSFET于1990年左右逐步研發成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內市場而言，MOSFET產品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產化空間巨大。產品規劃方案一覽表序號產品（服務）名稱單位單價（元）年設計產量產值1功率半導體件xx2功率半導體件xx3功率半導體件xx4.件5.件6.件合計xxx27500.00第六章 項目選址分析一、 項目選址原則1、符合城鄉規劃和相關標準規范的原則。2、符合產業政策、環境保護、耕地保護和可持續發展的原則。3、有利于產業發展、城鄉功能完善和城鄉空間資源合理配置與利用的原則。4、保障公共利益、改善人居環

56、境的原則。5、保證城鄉公共安全和項目建設安全的原則。6、經濟效益、社會效益、環境效益相互協調的原則。二、 建設區基本情況東莞市位于廣東省中南部，珠江口東岸，東江下游的珠江三角洲。因地處廣州之東，盛產莞草而得名。介于東經113°31114°15，北緯22°3923°09。東西最大橫距70.45千米，最東是清溪鎮的銀瓶嘴山，與惠州市惠陽區接壤；最西是沙田鎮西大坦西北的獅子洋中心航線，與廣州市番禺區、南沙區隔海交界；南北最大縱距46.8千米，最北是中堂鎮大坦村，與廣州市黃埔區和增城區、惠州市博羅縣隔江為鄰；最南是鳳崗鎮雁田水庫，與深圳市寶安區相連。2019年，全市陸地面積2460.1平方千米，海域面積82.57平方千米