1、直拉單晶硅中的雜質直拉單晶硅中的雜質主講：張培明主講：張培明雜質分凝雜質分凝 由兩種或兩種以上元素構成的固溶由兩種或兩種以上元素構成的固溶體，在高溫熔化后，隨著溫度的降低將體，在高溫熔化后，隨著溫度的降低將重新結晶，形成固溶體。重新結晶，形成固溶體。 雜質在固體和熔體中的濃度是不同雜質在固體和熔體中的濃度是不同的，在結晶的過程中會發生偏析，稱為的，在結晶的過程中會發生偏析，稱為分凝現象。分凝現象。 實際晶體生長時，不可能達到平衡狀態，也實際晶體生長時，不可能達到平衡狀態，也就是說固體不可能以無限緩慢的速度從熔體中就是說固體不可能以無限緩慢的速度從熔體中結晶，因此，熔體中的雜質不是均勻分布的。結

2、晶，因此，熔體中的雜質不是均勻分布的。例如，雜質在熔體中擴散的速度小于晶體結晶例如，雜質在熔體中擴散的速度小于晶體結晶的速度的話，則在固液界面熔體一側會出現雜的速度的話，則在固液界面熔體一側會出現雜質的堆積，形成一層雜質富集層。此時固液界質的堆積，形成一層雜質富集層。此時固液界面處固體一側雜質濃度和液體中雜質濃度的比面處固體一側雜質濃度和液體中雜質濃度的比值，稱為值，稱為有效分凝系數有效分凝系數SLCKeC 有效分凝系數有效分凝系數和和平衡分凝系數平衡分凝系數遵循遵循BPS關系關系(普凡方程普凡方程)000(1)efDKKKK e氧氧污污染染熔硅與石英坩堝作用，生成熔硅與石英坩堝作用，生成Si

3、O進入硅熔體進入硅熔體通過機械對流通過機械對流、自然對流等方式，自然對流等方式， SiO傳輸到熔體傳輸到熔體表面，而表面，而SiO的的蒸氣壓蒸氣壓為為12mbar，因此，到達硅熔體，因此，到達硅熔體表面的表面的SiO以氣體形式揮發。以氣體形式揮發。少量的少量的SiO溶解在熔硅中，以氧原子形態存在于液溶解在熔硅中，以氧原子形態存在于液體硅中，最終進入直拉單晶硅。體硅中，最終進入直拉單晶硅。22SiSiOSiO氧以間隙態存在于晶體硅氧以間隙態存在于晶體硅中，形成中，形成Si-O-Si鍵結合鍵結合 氧在晶體硅中的濃度要受到固溶度的限制，在硅氧在晶體硅中的濃度要受到固溶度的限制，在硅的熔點溫度附近，氧

4、的平衡固溶度為的熔點溫度附近，氧的平衡固溶度為 ，隨，隨著著晶體硅溫度的降低，硅中氧的固溶度會逐漸下降，晶體硅溫度的降低，硅中氧的固溶度會逐漸下降，在在1000以上其表達式為以上其表達式為1832.75 10 cm 2231.529 10exp()eVOcmkT 由于在晶體硅的生長過程中存在分凝現象，一般由于在晶體硅的生長過程中存在分凝現象，一般認為其認為其分凝系數為分凝系數為1.25，因此在實際直拉單晶硅中，因此在實際直拉單晶硅中，氧濃度表現為頭部高、尾部低。氧濃度表現為頭部高、尾部低。 氧是氧是Cz硅中含量最高雜質，它在硅中行為也很復硅中含量最高雜質，它在硅中行為也很復雜。總的說來，硅中氧

5、既有益也有害。雜。總的說來，硅中氧既有益也有害。（1 1）增加機械強度）增加機械強度 氧在硅晶格中處于間隙位置，對位錯有釘扎作用氧在硅晶格中處于間隙位置，對位錯有釘扎作用，因而可，因而可增加晶體的機械強度增加晶體的機械強度，避免硅片在器件工藝，避免硅片在器件工藝的熱過程中發生型變（如彎曲翹曲等）。這是氧對硅的熱過程中發生型變（如彎曲翹曲等）。這是氧對硅單晶性能的最大貢獻之一，單晶性能的最大貢獻之一，也是也是CzCz硅單晶在集成電路硅單晶在集成電路領域廣泛應用的主要原因之一領域廣泛應用的主要原因之一 （2）形成氧熱施主）形成氧熱施主 硅中氧以過飽和間隙態存在于硅單晶中。當直拉硅中氧以過飽和間隙態

6、存在于硅單晶中。當直拉單晶硅在單晶硅在300500熱處理時，熱處理時，會會產生產生與氧相關的施與氧相關的施主效應，此時，主效應，此時，n型晶體硅的電阻率型晶體硅的電阻率下降下降， p型晶體硅型晶體硅的電阻率的電阻率上升上升。施主效應嚴重時，甚至能使。施主效應嚴重時，甚至能使p型晶體硅型晶體硅轉化為轉化為n型晶體硅，這種與氧相關的施主被稱為型晶體硅，這種與氧相關的施主被稱為“熱施熱施主主”。 研究表明，熱施主是雙施主，即每個熱施主可以研究表明，熱施主是雙施主，即每個熱施主可以向硅基體提供向硅基體提供2個電子，其能級分別位于導帶下個電子，其能級分別位于導帶下0.060.07eV和和0.130.15

7、eV處。因此，當產生的熱施處。因此，當產生的熱施主濃度較高時，會直接影響太陽電池的性能。主濃度較高時，會直接影響太陽電池的性能。 熱氧施主可以在熱氧施主可以在300500 范圍內生成，范圍內生成，而且在而且在450 是最有效的熱施主生成溫度。一是最有效的熱施主生成溫度。一旦生成熱施主，可以在旦生成熱施主，可以在550 以上用短時間熱以上用短時間熱處理予以消除，通常利用的熱施主處理予以消除，通常利用的熱施主消除溫度為消除溫度為650 。 除溫度外，單晶硅原生氧濃度是影響熱施除溫度外，單晶硅原生氧濃度是影響熱施主濃度的最大因素。通常認為，熱施主濃度主主濃度的最大因素。通常認為，熱施主濃度主要取決于

8、單晶硅中的初始氧濃度，其初始形成要取決于單晶硅中的初始氧濃度，其初始形成速率與氧濃度的速率與氧濃度的4次方成正比，其最大濃度與次方成正比，其最大濃度與氧濃度的氧濃度的3次方成正比。次方成正比。 另外，晶體硅中的其他雜質也會影響熱施另外，晶體硅中的其他雜質也會影響熱施主的生成，研究已經指出，主的生成，研究已經指出，碳、氮會抑制碳、氮會抑制熱施熱施主的生成，而主的生成，而氫會促進氫會促進熱施主的形成。熱施主的形成。 除熱施主外，含氧的直拉單晶硅在除熱施主外，含氧的直拉單晶硅在550850熱處熱處理時，還會形成新的與氧相關的施主，被稱為理時，還會形成新的與氧相關的施主，被稱為“新施新施主主”，具有與

9、熱施主相近的性質。但是它的生成一般需，具有與熱施主相近的性質。但是它的生成一般需要要10h左右，甚至更長。對于太陽電池用直拉單晶硅，其左右，甚至更長。對于太陽電池用直拉單晶硅，其冷卻過程雖然要經過該溫區，但是要少于冷卻過程雖然要經過該溫區，但是要少于10h；另外硅太；另外硅太陽電池的工藝一般不會長時間熱處理，所以，對于太陽陽電池的工藝一般不會長時間熱處理，所以，對于太陽電池用直拉單晶硅而言，新施主的作用和影響一般可以電池用直拉單晶硅而言，新施主的作用和影響一般可以忽略。忽略。（3）氧成淀）氧成淀 氧在直拉單晶硅中通常是以過飽和間隙態存在，氧在直拉單晶硅中通常是以過飽和間隙態存在，因此，在合適的

10、熱處理條件下，氧在硅中要析出，除因此，在合適的熱處理條件下，氧在硅中要析出，除了氧熱施主以外，氧析出的另一種形式是氧沉淀。在了氧熱施主以外，氧析出的另一種形式是氧沉淀。在晶體生長完成后的冷卻過程和硅器件的加工過程中，晶體生長完成后的冷卻過程和硅器件的加工過程中，單晶硅要經歷不同的熱處理過程。單晶硅要經歷不同的熱處理過程。在在低溫熱處理時低溫熱處理時，過飽和的氧一般聚集形成，過飽和的氧一般聚集形成氧施主氧施主；在相對高溫熱處理或多步熱處理循環時，過飽和的氧在相對高溫熱處理或多步熱處理循環時，過飽和的氧就析出形成樣就析出形成樣氧沉淀氧沉淀。 氧經高溫或多步熱處理，會發生析出生成氧成氧經高溫或多步熱

11、處理，會發生析出生成氧成淀。淀。氧成淀是中性的，主要成分為氧成淀是中性的，主要成分為SiOx，沒有學沒有學性能性能，體積是硅原子的，體積是硅原子的2.25倍。在形成沉淀時，倍。在形成沉淀時，會從成淀體中向晶體內發射自間隙硅原子，導致會從成淀體中向晶體內發射自間隙硅原子，導致硅晶格中自間隙原子飽和而發生偏析，產生位錯硅晶格中自間隙原子飽和而發生偏析，產生位錯、層錯等二次缺陷。、層錯等二次缺陷。 影響單晶硅中氧沉淀形成、結構、分布和狀態的因素：初始氧濃度初始氧濃度 熱處理的溫度熱處理的溫度熱處理的時間熱處理的時間碳、氮及其他雜質原子的濃度、碳、氮及其他雜質原子的濃度、原始晶體硅的生長條件、熱處理氣

12、原始晶體硅的生長條件、熱處理氣氛、次序等。氛、次序等。 初始氧濃度時決定氧沉淀的主要因素之一。初始氧濃度初始氧濃度 熱處理溫度降低、熱處理時間延長或碳熱處理溫度降低、熱處理時間延長或碳濃度增加濃度增加，能使整個曲線向左移動向左移動，氧沉氧沉淀形成的濃度閥值降低淀形成的濃度閥值降低，即使是較低的氧濃度也能形成氧沉淀。反之，則曲線向右移動，氧沉淀形成的濃度閥值升高。 影響氧沉淀的另一個因素是熱處理的溫度熱處理的溫度。因為氧在硅中的固溶度隨溫度的下降而不斷下降。所以，具有一定濃度的氧在不同溫度時的過飽和度是不同的，這是氧沉淀產生的必要條必要條件件。 熱處理的溫度熱處理的溫度 當溫度較低時，間隙氧的過

13、飽和度大，形當溫度較低時，間隙氧的過飽和度大，形核驅動力強，但是氧的擴散速率較低。但溫核驅動力強，但是氧的擴散速率較低。但溫度較高時，氧的擴散速率大，易于形成氧沉度較高時，氧的擴散速率大，易于形成氧沉淀，但是間隙氧的過飽和度小，形核驅動力淀，但是間隙氧的過飽和度小，形核驅動力弱。因此，在不同溫度下的氧沉淀是氧的過弱。因此，在不同溫度下的氧沉淀是氧的過飽和度和氧擴散競爭的結果。飽和度和氧擴散競爭的結果。 研究證明，氧沉淀過程是氧的擴散過程，是受受氧擴散氧擴散控制的。而溫度不僅影響氧的過飽和度，而且影響氧的擴散。 在一定溫度下，熱處理時間是決定氧沉淀的重要因素。熱處理的時間熱處理的時間 氧沉淀少量

14、形成，表現出一個孕育期；氧沉淀少量形成，表現出一個孕育期；氧沉淀快速增加；氧沉淀快速增加；氧沉淀增加緩慢，接近飽和。氧沉淀增加緩慢，接近飽和。 此時，間隙氧濃度趨近該溫度下的飽和固溶度飽和固溶度。 通常，直拉單晶硅在高溫形成氧沉淀時有三個階段三個階段：（1）氧沉淀形成時，晶體硅中的點缺點缺點、雜質、摻雜劑點、雜質、摻雜劑都可能提供氧沉淀的異質核心異質核心影響氧濃度的形成；太陽電池用直拉單晶硅一般是硼摻雜p型晶體硅，研究表明重摻雜硼能夠促進重摻雜硼能夠促進氧沉淀氧沉淀。碳、氮及其他雜質原子的濃度、碳、氮及其他雜質原子的濃度、原始晶體硅的生長條件、熱處理氣原始晶體硅的生長條件、熱處理氣氛、次序等。

15、氛、次序等。（2）對于太陽電池直拉單晶硅及電池工藝而言，其常用熱處理氣氛有高純的氬高純的氬氣、氮氣、氧氣、氨氣等氣、氮氣、氧氣、氨氣等。 其中氬氣氬氣為惰性氣體，化學活性很弱，對氧沉淀幾乎沒有附加影響，在實驗室中往往被作為衡量其他氣氛對氧沉淀影響的標準。 氮化氣氛氮化氣氛對氧沉淀有促進作促進作用用，這是因為硅片氮化可能產生大量的空位擴散到體內，對氧沉淀有促進作用。 純氧化氣氛純氧化氣氛（如干氧、濕氧）抑制抑制氧沉淀，主要原因是氧化時在表面生成SiO2層，有大量的自己安息硅原子從硅表面進入體內，導致氧沉淀被抑制。 氮化氣氛氮化氣氛對氧沉淀有促進作促進作用用，這是因為硅片氮化可能產生大量的空位擴散

16、到體內，對氧沉淀有促進作用。 純氧化氣氛純氧化氣氛（如干氧、濕氧）抑制抑制氧沉淀，主要原因是氧化時在表面生成SiO2層，有大量的自己安息硅原子從硅表面進入體內，導致氧沉淀被抑制。5.1.3.2 原生氧沉淀原生氧沉淀 氧沉淀不僅產生與硅器件制備工藝的熱處理過程中，而且存在于原生的直拉單晶硅中，當晶體硅生長完成后，需要冷卻至室溫后取出。通常收收尾完成后就斷電冷卻尾完成后就斷電冷卻。此時，晶體尾部剛完成的部分能迅速降溫，而晶體頭部、中部在晶體生長器件在爐內的時間較長，相當于經歷了一定程度的熱處理。 有研究指出，晶體的冷卻過程相當于3.5h、700-1000和和3.7h、400-700的熱處理的熱處理

17、。因此，在原生晶體中很可能存在原生氧沉淀。 原生氧沉淀的生成和晶體生長加工工藝緊晶體生長加工工藝緊密相關密相關，這些原生氧沉淀不僅可以與硅晶體中的點缺點作用，改變原生缺陷的性質，而且可以作為核心，影響后續氧沉淀的性質。 在實驗時，由于研究者所采用的拉晶條件不盡相同，晶體冷卻過程也不一致，因此晶體的原生狀態相差很大，常常得到不同的結論。 為了消除原生氧沉淀和熱歷史的影響，一般需要將單晶硅在在1300左右熱左右熱處理處理1-2h并迅速冷卻并迅速冷卻，以溶解原生氧沉淀和消除熱歷史。 由圖5.11可知，在熱處理在熱處理前熱處理前原生氧濃度為9.31017cm-3，熱處理后熱處理后氧濃度增加，變為9.6

18、1017cm-3，這是由于原生單晶硅中的氧沉淀溶解，重新以間隙態存在于單晶硅中，所以氧濃度增加。 對于太陽電池用直拉單晶硅，一般對晶體生長過程不需要精密控制晶體生長過程不需要精密控制。另外，還可以容忍少量位錯容忍少量位錯，因此，從降低成本的角度出發，太陽電池用硅材料的晶體生長速度比較快，故冷卻速度也快，晶體硅在爐內經過的原位熱處理也少，所以與集成電路用單晶硅硅相比，可能與集成電路用單晶硅硅相比，可能具有較少的原生氧沉淀具有較少的原生氧沉淀，特別是小直徑的直拉單晶硅。 但是，對于大直徑的單晶硅，如200mm的直拉單晶硅，晶體生長速度即使相對較快，由于總的晶體生長時間延長，單晶硅特別是頭部和中部頭

19、部和中部部分在晶體生長爐內的時間也延長了，原生氧沉淀的影響就難以忽略。5.1.3.3 氧沉淀的形態氧沉淀的形態 溫度時決定氧沉淀的主要因素。圖5.9所示為直拉單晶硅的氧沉淀在不同熱處理溫度下形成情況。根據氧沉淀的形成情況，熱處理的溫度一般分為：低溫（低溫（600-800）熱處理）熱處理中溫（中溫（850-1050）熱處理）熱處理高溫（高溫（1100-1250）熱處理）熱處理 在不同的溫度下，其氧沉淀的形態和結構都不相同。當然，這種溫度的分段并不是非常嚴格的，在各退火溫度段的重疊處，氧沉淀很可能表現出兩者的性質氧沉淀很可能表現出兩者的性質。 在低溫熱處理時，間隙氧的過飽和度大，形核臨界半徑小，氧

20、沉淀易于形核且沉淀密度大。但是由于溫度較低，氧的擴散慢，所以氧沉淀的核心小。該溫度區間又稱為“氧沉淀形核氧沉淀形核”溫度溫度。低溫（低溫（600-800）熱處理）熱處理 在該溫度區間，此時氧沉淀的形態主要是在該溫度區間，此時氧沉淀的形態主要是棒狀棒狀，又稱又稱針狀針狀或或帶狀帶狀，認為是有，認為是有SiO2的高壓相柯石英所構的高壓相柯石英所構成成。 有研究者認為棒狀沉淀不是氧沉淀，而是一種棒狀有研究者認為棒狀沉淀不是氧沉淀，而是一種棒狀的硅自間隙團，即晶體硅。中自己安息原子團在局部的硅自間隙團，即晶體硅。中自己安息原子團在局部變成六方晶型的硅結構變成六方晶型的硅結構 中溫熱處理時，氧的過飽和度

21、大，氧的過飽和度大，擴散能力也強擴散能力也強，氧沉淀的核心極易長大，氧沉淀量大增，此時的熱處理溫度區間又被稱為“氧沉淀長大氧沉淀長大”溫度溫度。中溫（中溫（850-1050）熱處理）熱處理 此時氧沉淀的形態主要是片狀沉淀。電鏡研究此時氧沉淀的形態主要是片狀沉淀。電鏡研究說明，說明，沉淀的組成為沉淀的組成為SiOx，x接近接近2（1.2-2）。沉淀。沉淀通常位于（通常位于（100）晶面，呈片狀正方形，平行于）晶面，呈片狀正方形，平行于晶向，對角線長晶向，對角線長30-50nm以上，厚度以上，厚度1.0-4.0nm，氧沉淀的大小與熱處理時間的，氧沉淀的大小與熱處理時間的0.75次方成正次方成正比。

22、比。 高溫熱處理時，氧的擴散速率大擴散速率大，利于利于氧沉淀的形成和長大氧沉淀的形成和長大；但是，此時的氧過飽和度低，氧沉淀的驅動力弱，沉淀的臨界形核半徑大，所以實際生產的氧沉淀很少；而且熱處理溫度高，導致小于臨界形核半徑的氧沉淀核心會收縮，重新溶入硅基體中去，從而使氧沉淀的核心密度小，最終氧沉淀量較少。高溫（高溫（1100-1250）熱處理）熱處理 高溫熱處理產生的氧沉淀主要是高溫熱處理產生的氧沉淀主要是多面體沉淀多面體沉淀。這些多面體的這些多面體的大小約在大小約在15-100nm左右左右，在多面體，在多面體沉淀產生的同時，形成大量的外插型層錯，其邊緣沉淀產生的同時，形成大量的外插型層錯，其

23、邊緣被被Frank不全位錯所包圍。不全位錯所包圍。 在實際退火中，并不是只出現一種形態并不是只出現一種形態的氧沉淀，而是可能會有兩種氧沉淀形態的氧沉淀，而是可能會有兩種氧沉淀形態同時，只是其中一種占主要而已。同時，只是其中一種占主要而已。5.1.3.4 太陽電池用直拉單晶硅的氧沉淀太陽電池用直拉單晶硅的氧沉淀 拉晶速度慢，故冷卻速度也慢，在晶體生長爐內原位熱處理的時間也長；同時，熔硅和坩堝接觸的時間長，進入融硅的氧雜質相對較多。微電子用直拉單晶硅熱歷史微電子用直拉單晶硅熱歷史太陽電池用直拉單晶硅熱歷史太陽電池用直拉單晶硅熱歷史 拉晶速度快，故冷卻速度也快，可以認為在爐內經歷的熱處理很少，而且，

24、熔硅和坩堝接觸的時間段，進入融硅的氧雜質則相對較少。 這些晶體生長工藝不同，也導致這些晶體生長工藝不同，也導致了原生氧沉淀性質不同，同時也會影了原生氧沉淀性質不同，同時也會影響單晶硅中間隙氧的濃度分布。響單晶硅中間隙氧的濃度分布。 與集成電路需要經歷數十道甚至更多的熱處理工藝不同，硅太陽電池的工藝十分硅太陽電池的工藝十分簡單簡單，所經歷的熱處理工藝也很少，基本上是單步短時間熱處理，主要是磷擴散制備p-n結時的高溫熱處理過程。當然，如果是特殊的高效太陽電池工藝，則可能經歷更多的熱處理工藝。 有研究表明，對于太陽電池用直拉單晶硅，如果其初始的氧濃度低于4.51017cm-3，在高溫單步熱處理高溫單

25、步熱處理時，氧濃度幾乎不變氧濃度幾乎不變，說明基本上沒有基本上沒有氧沉淀產生氧沉淀產生，如圖5.13。從圖5.13可以看出：在850熱處理時，氧濃度略微下降，幾乎保持不變；氧濃度略微下降，幾乎保持不變；在950或是1050熱處理時，氧濃度首先上升，然后有一氧濃度首先上升，然后有一些下降，最終保持不變，說明在熱處理初期有原聲氧沉淀些下降，最終保持不變，說明在熱處理初期有原聲氧沉淀溶解，然后又少量新的沉淀形成，總的濃度變化不大。溶解，然后又少量新的沉淀形成，總的濃度變化不大。 從圖5.14中可以看出，隨著熱處理隨著熱處理時間延長，間隙氧時間延長，間隙氧濃度不斷下降，這濃度不斷下降，這意味著氧沉淀的

26、生意味著氧沉淀的生成成。 因此，對于氧濃度較低太陽電池用直拉單晶硅，如果僅經歷普通太陽電池工藝，則很少有氧沉淀，硅中的氧對太陽電池效率的影響就可以忽略。如果直拉單晶硅氧濃度較高，或經歷多步熱處理的太陽電池工藝，就會形成氧沉淀，可能對太陽電池的效率產生影響。 由于由于位錯等缺陷有吸附雜質特別是金屬雜質的作位錯等缺陷有吸附雜質特別是金屬雜質的作用用，工藝上常用生成氧沉淀來吸附雜質，使器件制作，工藝上常用生成氧沉淀來吸附雜質，使器件制作區域為潔凈區，以提高器件的成品率和品質，這種工區域為潔凈區，以提高器件的成品率和品質，這種工藝稱為藝稱為或本征吸除工藝。或本征吸除工藝。影響單晶硅中氧沉淀的因素影響單

27、晶硅中氧沉淀的因素初始氧濃度的影響初始氧濃度的影響熱處理溫度的影響熱處理溫度的影響在一定溫度下，不同熱處理時間的影響在一定溫度下，不同熱處理時間的影響其他因素的影響其他因素的影響原生氧沉淀的影響原生氧沉淀的影響 對于氧濃度較低的太陽電池用直拉單晶硅，對于氧濃度較低的太陽電池用直拉單晶硅，如果僅經歷普通的太陽電池工藝，則很少有氧沉淀如果僅經歷普通的太陽電池工藝，則很少有氧沉淀生成，生成，硅中的氧對太陽電池效率的影響就可以忽略硅中的氧對太陽電池效率的影響就可以忽略。如果直拉單晶硅中氧濃度較高，或者經歷了多步熱如果直拉單晶硅中氧濃度較高，或者經歷了多步熱處理的太陽電池工藝，就會形成氧沉淀，可能對太處

28、理的太陽電池工藝，就會形成氧沉淀，可能對太陽電池的效率產生負面影響。陽電池的效率產生負面影響。5.1.4 硼氧復合體硼氧復合體 在1973年，Fischer等就發現直拉單晶硅太陽電池在光照條件下會出現效率衰退現象。 這個效率衰減，在空氣中空氣中200熱處理熱處理后又能完全恢復后又能完全恢復。這在非晶硅太陽電池是著名的S-W現象現象。但是，也出現在直拉單晶硅太陽電池中。 其原因一直沒有解決，成為直拉單晶硅高效太陽電池的重要因素，尤其是在目前直拉單晶硅太陽電池的效率達到15%以上以上，這個問題就顯得突出。 目前，單晶硅太陽電池的最高效率為最高效率為24.7%，但這是利用低氧的區熔單晶硅低氧的區熔單

29、晶硅制備的，對于高氧直高氧直拉單晶硅拉單晶硅，最高的太陽電池效率只有最高的太陽電池效率只有20%左右左右。 人們最初認為是直拉單晶硅中的金屬雜質所致，如鐵雜質可以與硼形成Fe-B對對，在200左右可以分解，形成間隙態鐵，引入深能級，可能導引入深能級，可能導致太陽電池效率的降低致太陽電池效率的降低。 后來人們發現，在載流子注入或光照條件下，直拉單晶硅的少數載流子壽命會降低，照成電池效率的衰減。研究表明，這種現象與氧的一種亞氧的一種亞穩態缺陷穩態缺陷有關。研究發現單晶硅衰減原因研究發現單晶硅衰減原因無無O，有，有B，無衰減現象；，無衰減現象；有有O，有，有P，無衰減現象；，無衰減現象；有有O，有，

30、有B，無其他雜質污染，有衰減現象；，無其他雜質污染，有衰減現象；有有O，有，有P，有，有Ga，無衰減現象；，無衰減現象；低低O，有硼，無衰減現象；，有硼，無衰減現象； 以上結果證明，這種壓穩的缺陷是與氧、硼相關的，是一種硼氧（硼氧（B-O）復合體）復合體。 由圖5.16可知，缺陷密度與氧濃度呈指數關系，其指數為1.9，接近2次方次方。 硼氧復合體缺陷除了與氧、硼相關外，溫度對其溫度對其形成和消失也有決定性作用形成和消失也有決定性作用。硼氧復合體的缺陷可以經低溫（硼氧復合體的缺陷可以經低溫（200左右）熱處左右）熱處理予以消除理予以消除 光照強度是影響硼氧復合體缺陷產生的另光照強度是影響硼氧復合

31、體缺陷產生的另一個重要因素。一個重要因素。圖5.19所示為摻硼直拉單晶硅經光照產生的缺陷密度與光照強度的關系。由5.19可知，隨著光照強度的增加光照強度的增加，歸一化的缺陷密度也增大缺陷密度也增大。為了避免硼氧復合體的出現避免硼氧復合體的出現，有四種技術已經被提出：利用低氧單晶硅如區熔單晶硅或磁控利用低氧單晶硅如區熔單晶硅或磁控直拉單晶硅（直拉單晶硅（MCZ）。）。到目前為止，單晶硅太陽電池在實驗室中的最高效率為24.7%，這是建立區熔單晶硅上的，但是區熔單晶硅的成本很高，只適用于高效率太陽電池的制備。而低氧的MCZ單晶硅太陽電池的效率已達到24.5%，是今后可能廣泛應用的硅單晶。利用鎵代替硼

32、摻雜制備利用鎵代替硼摻雜制備p型單晶型單晶硅，利用這樣的材料，效率為硅，利用這樣的材料，效率為24.5%的太陽電池已經被制備成的太陽電池已經被制備成功。功。但是，硅中鎵的分凝系數較小，使得單晶硅頭尾的電阻率相差較大，不利于規模化化生產。利用利用n型單晶硅，型單晶硅，但需要改變現有的太陽電池制備工藝，而且n型單晶硅中少數載流子空穴的遷移率低于p型單晶硅中少數載流子電子的遷移率，也會影響太陽電池的效率。利用新的太陽電池制備工藝。利用新的太陽電池制備工藝。有研究報道，利用不同的升降溫工藝和氧化工藝可以有效地降低太陽電池的光照效率衰減，但是這兩種因素對光照效率衰減的作用機理比較復雜。如果選擇不好，反而

33、使太陽電池的效率降低。直拉單晶硅中的直拉單晶硅中的碳碳 直拉單晶硅中的碳雜質主要來自于直拉單晶硅中的碳雜質主要來自于多晶硅原料多晶硅原料、晶體、晶體生長爐內的生長爐內的保護氣體以及石英坩堝與石墨加熱器的反保護氣體以及石英坩堝與石墨加熱器的反應等應等。石英與石墨件的反應為。石英與石墨件的反應為 C+SiO2=SiO+CO CO+Si=SiO+C CO與與SiO相比，不易揮發，若不及時排除，大多相比，不易揮發，若不及時排除，大多數就會進入熔硅中與硅反應，生成的數就會進入熔硅中與硅反應，生成的SiO大部分從熔大部分從熔體表面揮發，而碳則留在了熔體中。體表面揮發，而碳則留在了熔體中。 對于太陽電池用直

34、拉單晶硅，其原料來源并不對于太陽電池用直拉單晶硅，其原料來源并不完全是高純多晶硅，還包括微電子用直拉單晶硅的完全是高純多晶硅，還包括微電子用直拉單晶硅的頭尾料；而且，晶體生長的控制也不如微電子用直頭尾料；而且，晶體生長的控制也不如微電子用直拉單晶硅嚴格，所以其碳濃度相對較高。拉單晶硅嚴格，所以其碳濃度相對較高。 碳在硅中的基本性質碳在硅中的基本性質 碳在硅中處于碳在硅中處于替位替位位置。由于它是四價元素，位置。由于它是四價元素，屬非電活性雜質。在特殊情況下，碳在硅晶體中也屬非電活性雜質。在特殊情況下，碳在硅晶體中也可以以可以以間隙態間隙態存在。當碳原子處于晶格位置時，因存在。當碳原子處于晶格位

35、置時，因為碳原子半徑小于硅原子半徑，晶格會發生形變。為碳原子半徑小于硅原子半徑，晶格會發生形變。 目前，采用減壓拉晶和熱屏系統，目前，采用減壓拉晶和熱屏系統，CO大量被保大量被保護氣體帶走，有利于減少硅晶體中的碳濃度。護氣體帶走，有利于減少硅晶體中的碳濃度。 碳在硅中的平衡碳在硅中的平衡分凝系數為分凝系數為0.07，在直拉硅單，在直拉硅單晶中晶中頭部濃度小，尾部濃度大。頭部濃度小，尾部濃度大。 替位碳的測量方法也替位碳的測量方法也是是紅外吸收光譜法紅外吸收光譜法。太陽。太陽電池用直拉單晶硅，載流電池用直拉單晶硅，載流子濃度在子濃度在1016cm-3左右，左右，已經能夠對紅外線產生額已經能夠對紅

36、外線產生額外的吸收，因此在測量碳外的吸收，因此在測量碳濃度時一定要用無碳的、濃度時一定要用無碳的、具有相近（同）載流子濃具有相近（同）載流子濃度的區熔單晶硅標樣，仔度的區熔單晶硅標樣，仔細去除晶格吸收和載流子細去除晶格吸收和載流子吸收的影響。吸收的影響。碳和氧沉淀碳和氧沉淀 一般認為碳能促進氧沉淀的形成，特別是在一般認為碳能促進氧沉淀的形成，特別是在低氧硅中，碳對氧成淀的生成有強烈的低氧硅中，碳對氧成淀的生成有強烈的促進作用促進作用。試驗表明，對低碳硅單晶中的間隙氧濃度，在試驗表明，對低碳硅單晶中的間隙氧濃度，在900 以下熱處理僅有少量成淀；對高碳硅單晶中的間以下熱處理僅有少量成淀；對高碳硅

37、單晶中的間隙氧濃度，在隙氧濃度，在600以下熱處理氧濃度急劇減少，以下熱處理氧濃度急劇減少，而硅晶體中的碳濃度也大幅減少，說明了碳促使氧而硅晶體中的碳濃度也大幅減少，說明了碳促使氧沉淀生成。沉淀生成。 因碳的原子半徑比硅小，引起晶格形變，容因碳的原子半徑比硅小，引起晶格形變，容易吸引氧原子在其附近聚集，形成氧成淀核心，為易吸引氧原子在其附近聚集，形成氧成淀核心，為氧成淀提供異質核。氧成淀提供異質核。 一般認為，碳的半徑比硅小碳的半徑比硅小，因為引入晶格畸引入晶格畸變，容易吸引氧原子在談原子附近偏聚，形成氧變，容易吸引氧原子在談原子附近偏聚，形成氧沉淀的核心，為氧沉淀提供異質核心，從而促進沉淀的

38、核心，為氧沉淀提供異質核心，從而促進氧沉淀的形核氧沉淀的形核。進一步而言，碳如果吸附在氧沉淀和基面上，還能降低氧沉淀的界面能，起到穩降低氧沉淀的界面能，起到穩定氧沉淀核心的作用定氧沉淀核心的作用。碳促進氧沉淀形成的原理碳促進氧沉淀形成的原理 主要原因在于主要原因在于氧原子和碳原子在氧聚集的氧原子和碳原子在氧聚集的初期形成大量的初期形成大量的C-O復合體復合體。到目前為止，這。到目前為止，這個復合體的結構、性質還不是很清楚。個復合體的結構、性質還不是很清楚。碳對氧沉淀和氧施主產生影響的主要原因碳對氧沉淀和氧施主產生影響的主要原因在高溫單步熱處理時，在高溫單步熱處理時，碳沒有明顯地促進氧沉淀碳沒有

39、明顯地促進氧沉淀，這，這或許或許是因為太陽電池直拉是因為太陽電池直拉單晶硅的晶體生長速度快，單晶硅的晶體生長速度快，沒有很多的原生氧沉淀作為進一步熱處理過程中氧沉沒有很多的原生氧沉淀作為進一步熱處理過程中氧沉淀的核心淀的核心，從而導致在單步高溫處理時，幾乎沒有氧，從而導致在單步高溫處理時，幾乎沒有氧沉淀和碳沉淀。沉淀和碳沉淀。在低在低-高兩步熱處理時，碳會明顯參與氧沉高兩步熱處理時，碳會明顯參與氧沉淀的形成。淀的形成。5.3 直拉單晶硅中的金屬雜質直拉單晶硅中的金屬雜質 金屬，特別是過渡金屬過渡金屬是硅材料中非常重要的雜質，他們在單晶硅中一般以間隙態間隙態、替位態替位態、復合體復合體存在。引入

40、額外的電子或空穴，導致單晶硅載流子濃引入額外的電子或空穴，導致單晶硅載流子濃度的改變；度的改變；金屬雜質降低太陽電池性能的形式金屬雜質降低太陽電池性能的形式直接引入深能級中心，成為電子、空穴的符合直接引入深能級中心，成為電子、空穴的符合中心，大量降低少數載流子壽命，增加中心，大量降低少數載流子壽命，增加p-n結結的漏電流；的漏電流；降低雙極性器件的發射效率；降低雙極性器件的發射效率；使得使得MOS器件的氧化層被擊穿。器件的氧化層被擊穿。 對于集成電路用直拉單晶硅集成電路用直拉單晶硅，由于采用高純的多晶硅原料，同時金屬在晶體硅中的分凝系數很小，所以，在原生的直拉單晶硅中，金屬雜質的濃度一般很低，

41、可以忽略可以忽略。 對于太陽電池用直拉單晶硅太陽電池用直拉單晶硅，一方面是多晶硅原料來源復雜，本身可能含有一定量的金屬雜質；另一方面，為了降低成本，硅太陽電池的制備一般不會再超凈房中進行。因此，對于太陽電池用直拉單晶硅，金屬的影響就不能簡單忽略了不能簡單忽略了。金屬雜質在集成電路和太陽電池的影響程度金屬雜質在集成電路和太陽電池的影響程度金屬雜質的引入方式金屬雜質的引入方式硅片滾圓、切片、倒角、磨片等制備過程中，直接與金屬工具接觸；在硅片清洗或濕化學拋光過程中，使用不夠純的化學試劑；在工藝過程中，使用不銹鋼等金屬設備。 金屬雜質不論以何種形式存在于硅中，金屬雜質不論以何種形式存在于硅中，它們都很

42、可能會導致硅器件的性能降低，它們都很可能會導致硅器件的性能降低，甚至失效。甚至失效。而它們的存在形式存在形式又主要取決于硅中過渡族金屬的固溶度、擴散速率等硅中過渡族金屬的固溶度、擴散速率等基本的物理性質和材料或器件的熱處理工基本的物理性質和材料或器件的熱處理工藝藝，特別是熱處理溫度和冷卻方式熱處理溫度和冷卻方式。5.3.1 金屬雜質的基本性質金屬雜質的基本性質 與其他硅中雜質一樣，硅中金屬雜質的存在形式主要取決于主要取決于固溶度固溶度，同時，也受熱處理溫度熱處理溫度、降溫速降溫速率率、擴散速率擴散速率等因素影響。5.3.1.1 硅中金屬雜質的存在形式和對硅硅中金屬雜質的存在形式和對硅 器件的影

43、響器件的影響 一般情況下，如果某金屬雜質的濃度低于該金屬在晶體中的固溶度低于該金屬在晶體中的固溶度，它們可以以間隙態間隙態或替位態形式的單替位態形式的單個原子個原子存在。 對于硅中金屬雜質而言，大部分金屬原子處理間隙為主；如果某金屬雜質的濃度大于其大于其在晶體硅中的固溶度在晶體硅中的固溶度，則可能以復合體復合體或沉淀沉淀形式存在。固溶度的影響固溶度的影響 在高溫高溫時，硅中金屬濃度一般低于固溶度，主要以間隙態間隙態存在在晶體硅中。 在低溫低溫時，硅中金屬的固溶度較小，特別是在室溫下，因此，晶體硅中的金屬將是過飽和過飽和的。此時，晶體硅的冷卻速率冷卻速率和金屬的擴散速金屬的擴散速率率將起到主要作

44、用主要作用。固溶度的影響固溶度的影響 如果高溫熱處理后冷卻速率很冷卻速率很快快，而金屬的擴散速率又相對較擴散速率又相對較慢慢，金屬來不及運動和擴散，它們將以過飽和、單原子形式過飽和、單原子形式存在于晶體硅中，或者是間隙態間隙態，或者是替位態替位態。冷去速率和擴散速率的影響冷去速率和擴散速率的影響 一般而言，硅中金屬是以間隙態存在的，如硅中的鐵雜質等。此時它們是電活性的，形成了具有不同電荷狀態的深能級，如單施單施主、單受主、雙施主等主、單受主、雙施主等，有時也會同時同時出現受主和施主的狀態出現受主和施主的狀態。 實際上，即使金屬以單個原子形態存在晶體硅中時，這些金屬原子也是不穩定金屬原子也是不穩

45、定的，或者說是的，或者說是“半穩半穩”的的，如施主-受主對，有些復合體也具有電活性。進一步低溫退火時，這些復合體還會聚集，最終能形成金屬沉淀。冷去速率和擴散速率的影響冷去速率和擴散速率的影響 如果高溫處理后冷卻速度較慢高溫處理后冷卻速度較慢，或者說雖然冷去速率很快，但金屬雜質的擴散速度特別冷去速率很快，但金屬雜質的擴散速度特別快快，那么在冷卻過程中，金屬擴散到表面或晶體缺陷處形成復合體和沉淀。 金屬沉淀可能出現在體內或表面，有時會同時出現在體內和表面，這取決于金屬擴散速率、冷卻速率和硅片樣品的厚度擴散速率、冷卻速率和硅片樣品的厚度。如果金屬的擴散速率快，冷卻速率慢，且樣品不是很厚，金屬就會沉淀

46、在表面，如銅和鎳金屬；而對于擴散速率相對較慢的金屬，它們往往沉淀在體內。冷去速率和擴散速率的影響冷去速率和擴散速率的影響 當金屬原子以單個形式存在于晶體硅中，它們具有電活性，同時也是深能級復合中心，所以原子態的金屬從兩方面影響硅材料和器件的性能：影響載流子濃度影響載流子濃度影響少數載流子壽命影響少數載流子壽命電活性電活性深能級復合中心深能級復合中心 就金屬原子具有電活性而言。當其濃度很高時，就會與晶體中的摻雜其補償作用，影響載流子濃度。 原子態的金屬對器件性能的影響更主要地主要地體現在它的深能級復合中心性質上體現在它的深能級復合中心性質上，它對硅中少數載流子有較大的俘獲截面，從而導致少數載流子

47、的壽命大幅度降低，并且金屬雜質濃度越高，其影響越大。說明硅中少數載流子壽命與金屬雜質的濃度成反比。金屬雜質濃度對少數載流子壽命的影響為：0=1/N 式中，0為少數載流子壽命；為載流子的熱擴散速率；為少數載流子的俘獲面積；N為金屬雜質濃度，cm-3。 金屬在晶體硅中更多是以沉淀形式出現。一旦沉淀，它們并不影響晶體硅中不影響晶體硅中載流子的濃度載流子的濃度，但是會影響載流子的壽影響載流子的壽命命，如晶體硅中常見的金屬鐵、銅和鎳。金屬沉淀對晶體硅和器件的影響取決于沉淀的大小、沉淀的密度和化學性質沉淀的大小、沉淀的密度和化學性質。金屬沉淀金屬沉淀金屬沉淀出現在晶體硅內晶體硅內，它能使少數載流子的壽命減

48、少，降低其擴散長度，漏電流增加；金屬沉淀在晶體硅不同金屬沉淀在晶體硅不同部位對其產生的影響部位對其產生的影響金屬沉淀出現在空間電荷區空間電荷區，會增加漏電流，軟化器件的反向I-V特性，這種沉淀對太陽電池的影響尤為重要；金屬沉淀出現在表面表面，對集成電路而言，這將導致刪氧化層完整性的明顯降低，能引起擊穿電壓的降低，但是，但太陽電池的影響很有限。5.3.1.2 硅中金屬的固溶度硅中金屬的固溶度 從圖5.28中可以看出，硅中金屬的固溶度隨溫度降低而迅速下降，而且不同溫度或同一溫度的不同金屬的固溶度都不同，相差可達幾個數量級。 從圖5.28中還可以看出，金屬在硅中飽和固溶度最大的是銅和鎳銅和鎳，其最大

49、固溶度約為1018cm-3。顯然，與磷、硼磷、硼等摻雜劑相比，硅中金屬雜質的固溶度很小，而硅中磷磷和硼硼的最大固溶度分別可達1021cm-3和51020cm-3，相差 2-3個數量級個數量級。 鐵、銅和鎳是單晶硅中的主要金屬雜質，其固溶度也相對較高。表5.1列出了他們在高溫時的固溶度隨溫度的變化。 由圖5.28和表5.1都可以看出，隨著溫度的降低，金屬在隨著溫度的降低，金屬在硅中的飽和固溶度迅速減小硅中的飽和固溶度迅速減小，特別是外推到室溫，金屬在硅中的固溶度更小。因此，硅中金屬大多是過飽和狀態，而且硅中金屬的擴散相對較快，所以，如果晶體硅在高溫如果晶體硅在高溫處理后冷卻速率不夠快，金屬一般都

50、以復合體或沉淀形式處理后冷卻速率不夠快，金屬一般都以復合體或沉淀形式存在存在。5.3.1.4 硅中金屬的擴散系數硅中金屬的擴散系數 與磷、硼摻雜劑或氧、碳雜質相比，與磷、硼摻雜劑或氧、碳雜質相比，金屬雜質在硅中的擴散是很快的，最快金屬雜質在硅中的擴散是很快的，最快額擴散系數可達額擴散系數可達10-4cm2/s。對于快擴散金屬銅而言，在1000以上僅數秒就能穿過650m后的硅片。由此可見，一旦晶體硅額某部分被金屬污染，很容易擴散到整個硅片。 表5.2列出了晶體硅中常見金屬鐵、銅和鎳的擴散系數，其中銅銅和鎳鎳的擴散系數相近，擴散速率大擴散速率大，而錳錳和鐵鐵相似，擴散速率相對較小擴散速率相對較小。

51、 由圖5.29還可以看出，隨著隨著原子系數的增加，金屬的擴散速原子系數的增加，金屬的擴散速率也在增大率也在增大；在同一溫度下的不同金屬之間，或同一金屬在不停溫度下，擴散速率相差很大，可達5個數量級，而金屬鋅例外，在金屬鋅例外，在高溫下，其擴散系數基本相同高溫下，其擴散系數基本相同。 金屬原子在晶體硅中的擴散一般以間間隙隙和替位擴散替位擴散兩種方式進行。金屬原子在晶體硅中的擴散方式金屬原子在晶體硅中的擴散方式 間隙擴散間隙擴散就是金屬原子處于晶體硅的間隙位置。擴散時它從一個間隙位置移動到另一個間隙位置。替位擴散替位擴散則有空位機制空位機制和“踢出踢出”機制機制。 空位機制空位機制:是金屬原子逐次

52、占據空位位置，促使空位移動到晶體的另一個位置或擴散到表面，達到金屬原子遷移的目的。“踢出踢出”機制機制：是金屬原子逐次占據晶格結點，踢出一個自間隙硅原子，使之沉積形成位錯、層錯等缺陷或移動到表面，達到金屬原子遷移的目的，它們分別為空位或間隙硅原子的擴散所控制。 顯然，間隙擴散要比替位擴散間隙擴散要比替位擴散快快。而晶體硅中的絕大部分金屬處于間隙位置，以間隙方式擴散，所以擴散速率相對較快。5.3.1.4 硅中金屬的測量硅中金屬的測量 晶體硅中的金屬雜質常常以沉淀形式金屬雜質常常以沉淀形式出現，而且總的濃度又比較低出現，而且總的濃度又比較低，所以，硅中金屬濃度的直接測量相對比較困難，缺乏實用、常規

53、的測量技術，通常可以通過測量其他參數來確定硅中金屬的通過測量其他參數來確定硅中金屬的濃度濃度。 金屬在硅中存在有單個原子單個原子和沉淀沉淀兩種狀態，因此，硅中金屬雜質的測量可以分為三種情況：測量硅中各個金屬雜質總體的濃度各個金屬雜質總體的濃度；測量硅中的各個金屬單個原子狀態各個金屬單個原子狀態的濃度的濃度；測量硅中金屬沉淀的濃度金屬沉淀的濃度。 測量晶體硅中總的雜質（包括金屬原子和沉淀）濃度方法： 中子活化法 二次離子質譜法 原子吸收譜法 小角度全反射X射線熒光法（TXRF）測量硅中各個金屬雜質總體的濃度測量硅中各個金屬雜質總體的濃度中子活化法：能夠測量幾乎所有種類的金屬雜質，但它需要中子輻射

54、源，測量周期長，費用大。測量硅中各個金屬雜質總體的濃度測量硅中各個金屬雜質總體的濃度二次離子質譜法：可以測量硅中各種金屬雜質，但局限性較大，要知道具體的雜質濃度，則需要有相同濃度范圍內的標樣，同時靈敏度也較低。 原子吸收譜法：將硅材料熔化，在熔體中利用原子吸收譜測量金屬雜質，但一次只能測一種雜質。上述測量方法雖然比較精確，但很昂貴，大多利用以科學研究為目的的金屬雜質濃度的測量上。測量硅中各個金屬雜質總體的濃度測量硅中各個金屬雜質總體的濃度小角度全反射X射線熒光法（TXRF）：(比較方便和快捷)當X射線以極小角度入射拋光硅樣品時，可以得到僅僅是硅樣品表面附近的信息，通過衍射峰的位置和高度來決定金

55、屬雜質及其濃度，探測精度達探測精度達1010-1011cm-3。但是這種技術主要測量硅片表面的金屬雜質，硅片需要拋光，設備需要放在超凈房中，所以，現代大規模集成電路直拉單晶硅材料的生產企業一般利用TXRF來控制硅片表面的金屬雜質濃度。測量硅中各個金屬雜質總體的濃度測量硅中各個金屬雜質總體的濃度 如果金屬雜質在晶體硅中以單個原子狀態存在時，最有效的測量技術是深能級瞬態譜法最有效的測量技術是深能級瞬態譜法（DLTS）。）。測量硅中各個金屬單個原子的濃度測量硅中各個金屬單個原子的濃度 它是利用反向電壓在空間電荷區形成耗盡區，在硅樣品升溫和降溫的過程中，用周期性的脈沖激發樣品，由于空間電荷區存在金屬雜

56、質的深能級中心，導致空間電荷電容在兩次脈沖器件隨時間變化，在被選擇的一個時間間隙比較電容電的差值和溫度的關系，從而形成深能級瞬態譜。 從圖5.30中可以看出，該樣品含有鐵、金含有鐵、金、鈦和鐵、鈦和鐵-硼復合體金屬雜質，其濃度對應硼復合體金屬雜質，其濃度對應DLTS的峰值高度的峰值高度。應該注意的是，在計算硅中鐵的含量時，應該考慮260K的間隙鐵的間隙鐵盒60K鐵鐵-硼復合體，鐵的濃度濃度應該是兩者硼復合體，鐵的濃度濃度應該是兩者之和之和。測量硅中各個金屬單個原子的濃度測量硅中各個金屬單個原子的濃度 在深能級瞬態譜中，峰值溫度位置對應著不同的金屬雜質，其峰高則對應著雜質額濃度。 但是，絕大部分

57、金屬雜質在硅中的擴散速率很快，如鈷、銅和鎳，即使在高溫熱處理后淬火，約只有1%或更少的雜質能以原子態存在于硅中。在冷卻過程中，它們絕大部分已經沉淀，很難用深能級瞬態譜技術測量金屬雜質，此時，常應用“霧狀缺陷實驗法霧狀缺陷實驗法”來定性測量硅中的金屬雜質。定性測量晶體硅中金屬雜質定性測量晶體硅中金屬雜質 “霧狀缺陷實驗法霧狀缺陷實驗法”：將被金屬污染的硅樣品首先在1050退火數分鐘，使原始的金屬沉淀溶解然后中速冷卻。在冷卻過程中，快擴散的銅、鎳等金屬擴散到表面，重新沉淀在表面，在擇優化學腐蝕后，用電光源進行觀察，有金屬污染的地方有腐蝕坑，會呈現出像“霧狀”的白光反射，從而可以證明金屬污染的存在。

58、定性測量晶體硅中金屬雜質定性測量晶體硅中金屬雜質5.2.2 金屬復合體和沉淀金屬復合體和沉淀 多種金屬可以在硅中形成復合體，如鐵、鉻、錳都能與硼、鋁、鎵、銦分別反應，鐵也能與金、鋅等金屬反應，生成復合體，但是晶體硅中最常見且最重要的金屬復合體是鐵重要的金屬復合體是鐵-硼（硼（Fe-B）對）對，其他復合體在晶體硅中非常少見。 鐵硼復合體的形成減少了硼摻雜的濃度，鐵硼復合體的形成減少了硼摻雜的濃度，也能對其余的硼原子起一定程度的補償，從而也能對其余的硼原子起一定程度的補償，從而導致載流子濃度降低，電阻率升高。導致載流子濃度降低，電阻率升高。而硅太陽電池一般利用的是摻硼的p型晶體硅，所以Fe-B對無

59、疑是影響硅太陽電池效率的一個因素。 室溫時，硼原子處在晶格的替位硼原子處在晶格的替位位置位置，很難移動，但處于間隙態的鐵處于間隙態的鐵原子原子可以方便地擴散。通常，它在晶格的方向與硼結合，形成鐵硼復合體。其反應式為： Fe+B-=Fe+B-金屬復合體金屬復合體 鐵硼復合體也是電活性的，能引入鐵硼復合體也是電活性的，能引入深能級深能級，在，在200以上熱處理或在太陽以上熱處理或在太陽光長時間照射時，鐵硼復合體還會重光長時間照射時，鐵硼復合體還會重新分解，形成具有新分解，形成具有深能級的間隙深能級的間隙Fe，并有鐵沉淀生成。并有鐵沉淀生成。金屬復合體金屬復合體 金屬在晶體硅中的沉淀相結構沉淀相結構

60、主要取決于高位熱處理的溫度。一般而言，對于硅中的過渡族金屬，其沉淀結構相結構為MSi2，M為相關金屬，如Fe、Ni、Co等。但是，對于銅沉淀，其沉淀相結構式例外，其結構為Cu3Si。金屬沉淀金屬沉淀 金屬在硅中沉淀的密度和形態硅中沉淀的密度和形態與其形核方式形核方式大有關系。金屬在冷卻過程中形成沉淀，可以是均勻形核均勻形核，也可以是異質形核異質形核。為了實現均勻形核，該金屬必須要有足夠高的濃度和足夠快的擴散。為了形成異質形核，晶體中必須具有異質沉淀核心，且該金屬有一定快的擴散，是金屬原子能夠擴散到沉淀核心處。金屬沉淀金屬沉淀 通常，硅中的銅和鎳是均勻形核沉硅中的銅和鎳是均勻形核沉淀，而鐵是異質