1、1. （2013四川理綜）短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W、X原子的最外層電子數(shù)之比為43,Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4。下列說(shuō)法正確的是（）A.W、Y、Z的電負(fù)性大小順序一定是ZYWB. W、X、Y、Z的原子半徑大小順序可能是WXYZC. Y、Z形成的分子的空間構(gòu)型可能是正四面體D.WY2分子中b鍵與n鍵的數(shù)目之比為21答案：C點(diǎn)撥：由題干信息可知，W為C,X為Al,Z為Cl,Y可能為Si、P或S。若Y為Si,則電負(fù)性WY，原子半徑XW,Y與Z可能形成化合物SiCl4，其空間結(jié)構(gòu)為正四面體，故A、B錯(cuò)誤，C正確；W、丫可形成XY2分子，則Y為S,WY2為CS2,分子結(jié)構(gòu)為

2、S=C=S,b鍵與n鍵的數(shù)目之比為11,故D錯(cuò)誤。2. （2013重慶理綜）下列排序正確的是（）A.酸性：H2CO3C6H5OHCH3COOHB.堿性：Ba（OH）2Ca（OH）2KOHC.熔點(diǎn)：MgBr2SiCl4BND.沸點(diǎn)：PH3NH3Ca（OH）2,B不正確；BN為原子晶體，SiCl4為分子晶體，MgBr2為離子晶體，故熔點(diǎn)：BNMgBr2SiCl4,C不正確；常溫下H2O為液體，NH3為氣體，NH3與PH3相比，NH3分子間有氫鍵，其沸點(diǎn)較高，D正確。3. （2013安徽理綜）X、Y、Z、W是元素周期表中原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素，其相關(guān)信息如下表：丿元糸相關(guān)信息XX的最高價(jià)氧

3、化物對(duì)應(yīng)的水化物化學(xué)式為H2XO3YY是地殼中含量最高的兀素ZZ的基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p1WW的一種核素的質(zhì)量數(shù)為28,中子數(shù)為14W位于元素周期表第周期第族；W的原子半徑比X的（填“大”或“小”）。(2) Z的第一電離能比W的(填“大”或“小”);XY2由固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)所需克服的微粒間作用力是;氫元素、X、Y的原子可共同形成多種分子，寫(xiě)出其中一種能形成同種分子間氫鍵的物質(zhì)名稱。(3) 振蕩下，向Z單質(zhì)與鹽酸反應(yīng)后的無(wú)色溶液中滴加NaOH溶液直至過(guò)量，能觀察到的現(xiàn)象是；W的單質(zhì)與氫氟酸反應(yīng)生成兩種無(wú)色氣體，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是在25C、101kPa下，已知13.5g的Z固體單質(zhì)在Y

4、氣體中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài)，放熱419J,該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是。答案：(1)三IVA大(2) 小分子間作用力乙酸(3) 先生成白色沉淀，后沉淀逐漸溶解，最后變成無(wú)色溶液Si+4HF=SiF4f+2H2f(4) 4AI(s)+3O2(g)=2AI2O3(s)少=-3352kJmol1點(diǎn)撥：根據(jù)題給信息，可推出X、Y、Z、W分別為C、O、Al、Si。(2)同周期元素從左向右，第一電離能有逐漸變大的趨勢(shì)，故Al的第一電離能比Si小；CO2固體為分子晶體，氣化時(shí)克服的是分子間作用力(或范德華力)；C、H、O三種元素的原子可以形成的分子中，同種分子間能形成氫鍵的物質(zhì)很多，例如：甲醇(CH3OH)、乙

5、醇、甲酸、乙酸等，本小題是開(kāi)放性試題，答案可以有多種，屬于醇類、羧酸類以及酚類的物質(zhì)都可以。(3)Al與鹽酸反應(yīng)后的溶液為AlCl3溶液，在AICI3溶液中滴加NaOH溶液，先發(fā)生反應(yīng)Al3+3OH-=Al(OH)3J,NaOH過(guò)量時(shí)，發(fā)生反應(yīng)Al(OH)3+OH-=AlO-+2H2O，故現(xiàn)象為：先生成白色沉淀，后沉淀逐漸溶解，最后變成無(wú)色溶液。(4)13.5g即0.5mol的Al單質(zhì)在O2中完全燃燒后恢復(fù)至原狀態(tài)放出419J的熱量，則1molAl完全燃燒放出的熱量838kJ,在寫(xiě)熱化學(xué)方程式時(shí)應(yīng)注意化學(xué)計(jì)量數(shù)與AH成正比關(guān)系。4. (2013浙江自選)“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”模塊請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(

6、1) N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：電離能I1I2I3I4Im/kJmol15781817274511578則該元素是(填寫(xiě)元素符號(hào))。(2) 基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是。Ge的最高價(jià)氯化物分子式是該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有。A是一種活潑的金屬元素B.其電負(fù)性大于硫C.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料D.其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)HCHOX關(guān)于化合物（）HCH，下列敘述正確的有A.分子間可形成氫鍵B.分子中既有極性鍵又有非極性鍵C.分子中有7個(gè)b鍵和1個(gè)n鍵D.該分子在水中的溶解度大于2-丁烯NaF的熔點(diǎn)BF4的熔點(diǎn)（填“、“=”或“”，其原因是。答案：（1

7、）AI1s22s22p63s23p63d104s24p2GeCMC、D（3）B、D（4）兩者均為離子化合物，且陰陽(yáng)離子電荷數(shù)均為1，但后者的離子半徑較大，離子鍵較弱，因此其熔點(diǎn)較低點(diǎn)撥：（1）由該元素的第四電離能遠(yuǎn)比第三電離能大，可推知其最外層電子數(shù)為3,故答案為AI。（2）由鍺的價(jià)電子排布，可知其最高正價(jià)為+4。由鍺的最高價(jià)氯化物為分子晶體，推出鍺不可能是活潑的金屬元素，A項(xiàng)錯(cuò)誤；電負(fù)性：鍺v硅v硫，所以B項(xiàng)錯(cuò)誤；組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，所以D項(xiàng)正確。(3)該分子結(jié)構(gòu)中H原子與碳原子相連，不滿足構(gòu)成氫鍵的條件，無(wú)法構(gòu)成氫鍵；該分子中有個(gè)n鍵，C項(xiàng)錯(cuò)誤；該分子中含

8、有醛基，其中氧原子與H20中氫原子間可形成氫鍵，所以其溶解度大于2-丁烯。5. (2013課標(biāo)卷選修)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。回答下列問(wèn)題。(1) 基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為。(2) 硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中。(3) 單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)個(gè)原子。(4) 單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為。碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所

9、示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):化學(xué)鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能(kJmol1)356413336226318452硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物，原因是。(6)在硅酸鹽中，SiO4一四面體如圖(a)通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為,Si與O的原子數(shù)之比為，化學(xué)式為。12答案：(1)M94(2) 二氧化硅(3) 共價(jià)鍵3(4) Mg2Si+4NH4CI=SiH4+4NH3+2MgCI2(5) CC鍵和CH鍵

10、較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵(6) sp31:3003鬧(或SiO3)點(diǎn)撥：基態(tài)Si原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2，電子占據(jù)的最高能層為第三層，符號(hào)為M,該能層原子軌道總數(shù)=1(3s軌道)+3(3p軌道)+5(3d軌道)=9,電子數(shù)為4。(3)61個(gè)面心位置貢獻(xiàn)的Si原子數(shù)=6X=3。(4)由題給信息可寫(xiě)出制備SiH4的化學(xué)方程式為Mg2Si+4NH4CI=2MgCI2+4NH3+SiH

11、4?？筛鶕?jù)相關(guān)鍵能的數(shù)據(jù)解釋相關(guān)的兩個(gè)事實(shí)，詳見(jiàn)答案。在Si。4-四面體結(jié)構(gòu)中，處于四面體中心的硅原子的雜化方式為sp3;單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根中，重復(fù)出現(xiàn)的最小結(jié)構(gòu)單元為，其中Si原子數(shù)目為2,1、4號(hào)氧原子為兩個(gè)單元所共有，2、3、5、6、7號(hào)氧原子完全屬于該單元，故每個(gè)最小單元的氧原子數(shù)目為15+2X2=6,Si與0原子數(shù)之比為2:6=1:3，故單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根的化學(xué)式為0032_。6. (2013四川理綜)X、Y、Z、R為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大。X的單質(zhì)與氫氣可化合生成氣體G,其水溶液pH7;Y的單質(zhì)是一種黃色晶體；R基態(tài)原子3d軌道的電子數(shù)是4s軌道電子數(shù)的3倍。丫、Z分別與鈉

12、元素可形成化合物Q和J,J的水溶液與AgNO3溶液反應(yīng)可生成不溶于稀硝酸的白色沉淀L;Z與氫元素形成的化合物與G反應(yīng)生成M。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1) M固體的晶體類型是。(2) Y基態(tài)原子的核外電子排布式是;G分子中X原子的雜化軌道類型是L的懸濁液中加入Q的溶液，白色沉淀轉(zhuǎn)化為黑色沉淀，其原因是(4) R的一種含氧酸根R0具有強(qiáng)氧化性，在其鈉鹽溶液中加入稀硫酸，溶液變?yōu)辄S色，并有無(wú)色氣體產(chǎn)生，該反應(yīng)的離子方程式是。答案：(1)離子晶體1s22s22p63s23p4sp3雜化Ag2S的溶解度小于AgCl的溶解度4FeO4+20H+=4Fe3+30?f+1OH2O點(diǎn)撥：由題干信息可推知：X為N，丫為

13、S，Z為Cl，R為Fe。(1)G為NH3,Z與氫元素形成的化合物與G發(fā)生的反應(yīng)為：HCI+NH3=NH4CI。生成的固體產(chǎn)物NH4CI為離子化合物，其晶體類型為離子晶體。(2)S原子序數(shù)為16,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p4;NH3分子空間構(gòu)型為三角錐形，N原子雜化軌道類型為sp3雜化。(3)L為AgCI,Q為Na2S，根據(jù)沉淀溶解平衡原理知2AgCI(s)+&一(aq)Ag2S(s)+2Cl-(aq),白色AgCI轉(zhuǎn)化為黑色Ag2S的原因是相同條件下Ag2S的溶解度小于AgCI的溶解度。(4)FeO4-在酸性條件下發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成Fe3+、H2O和O2,含F(xiàn)e

14、3+的溶液呈黃色。7. (2013蘇單科)元素X位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有4個(gè)電子。元素Z的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。(1) X與Y所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。 在1個(gè)晶胞中，X離子的數(shù)目為。 該化合物的化學(xué)式為。(2) 在Y的氫化物(H2Y)分子中，Y原子軌道的雜化類型是。(3) Z的氫化物(H2Z)在乙醇中的溶解度大于H2Y,其原因是(4) Y與Z可形成YZ4一。 YZ4的空間構(gòu)型為(用文字描述)。 寫(xiě)出一種與YZ2互為等電子體的分子的化學(xué)式：。(5) X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物X(NH3)4Cl2,1m

15、ol該配合物中含有鍵的數(shù)目為。答案：4ZnSsp3(3) 水分子與乙醇分子之間形成氫鍵正四面體CCl4或SiCl4等(5) 16Na或16X6.02X1023個(gè)點(diǎn)撥：依題意X、Y基態(tài)原子的價(jià)層電子排布分別為3d104s2、3s23p4，故元素X、Y11分別為Zn和S。1個(gè)晶胞中X離子的數(shù)目為8X-+6X=4,含有Y離子的數(shù)目為4。二82者形成的化合物的化學(xué)式為ZnS。(2)H2S分子中S原子采取sp3雜化。(3)Z為氧元素，HQ在乙醇中的溶解度大于H2S是因?yàn)樗肿优c乙醇分子間能形成氫鍵而H2S不能。S04中S原子采取sp3雜化，S04空間構(gòu)型為正四面體。與SO2互為等電子體的分子有SiCl4

16、或CCl4等。(5)在Zn(NH3)4Cl2中，每個(gè)NH3分子中的3個(gè)NH鍵均為鍵，中心離子Zn2+與4個(gè)NH3分子結(jié)合的配位鍵也為b鍵，故1mol配合物中的鍵數(shù)目為4+3X4=16mol，即16Na個(gè)b鍵。(2013課標(biāo)II)化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A、B、C、D中，A和B的價(jià)電子層中未成對(duì)電子均只有1個(gè)，并且A和B+的電子數(shù)相差為8;與B位于同一周期的C和D，它們價(jià)電子層中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4和2,且原子序數(shù)相差為2?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1) D2+的價(jià)層電子排布圖為。(2) 四種兀素中第一電離能最小的是,電負(fù)性最大的是。(填兀素符號(hào))(3) A、B和D三種

17、元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示。 該化合物的化學(xué)式為;D的配位數(shù)為; 列式計(jì)算該晶體的密度gcm_3。(4) A、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，其中化學(xué)鍵的類型有;該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離子，該離子的化學(xué)式為，配位體是。答案：KF.一39X4+59X2+19X8o,K2N1F466.02Xio23x4002X1308X1030=3.4離子鍵、配位鍵FeF6產(chǎn)F點(diǎn)撥：前四周期元素中，C的價(jià)電子層中未成對(duì)電子數(shù)為4，且為第四周期元素，則其價(jià)電子排布圖為,即該元素為26號(hào)元素Fe,進(jìn)一步推知，D為28號(hào)元素Ni,B為K,A為F。(1) Ni原子失去最外層的2個(gè)電子形成Ni2+,Ni2+的價(jià)層電子排布圖為：(2) 四種元素中K最易失去1個(gè)電子，其第一電離能最小，F(xiàn)最易獲得電子，其電負(fù)性最大。(3) 一個(gè)該晶胞中，有16個(gè)F位于晶胞的棱上，2個(gè)F位于晶胞內(nèi)部，4個(gè)F位于11晶胞的面上，根據(jù)均攤法，該晶胞中真正占有的廠數(shù)為：16X-+2+4X-=8;有8個(gè)K+1位于晶胞的棱上，2個(gè)K+位于晶胞內(nèi)部，故該晶胞中真正占有的K+數(shù)為：8X4+2=4;有18個(gè)Ni2+位于晶胞的頂點(diǎn)，1個(gè)Ni2+位于晶胞內(nèi)部，故該晶胞中真正占有的Ni2+數(shù)為：8X?+1=2。因此，該化合物中K