1、半導(dǎo)體之清洗工藝及濾芯應(yīng)用 芯片生產(chǎn)過程視頻介紹典型的化學(xué)清洗工藝典型的化學(xué)清洗工藝污染物類型：顆粒、有機(jī)殘留物、無機(jī)殘留物、要去除的污染物類型：顆粒、有機(jī)殘留物、無機(jī)殘留物、要去除的氧化層。氧化層。化學(xué)品作用工藝溫度選用濾芯H2SO4+氧化劑（H202/2S2O8/HNO3/O3）可去除大多數(shù)無機(jī)殘留物和顆粒，也可用于光刻中去光刻膠90-125全氟（0.050.2um）HF/H2O(DHF)去除硅氧化層室溫PTFE/PES（0.00.2um）NH4OH/H2O2/H2O(SC-1)去除有機(jī)殘留物75-85全氟（0.020.2um）HCl/H2O2/H2O(SC-2)去除殘留金屬離子75-85

2、UPW超純水清洗用于各清洗步驟前后，去除殘留藥劑20-85PES/NY（0.040.1um） NH4OH/H2O2/H2O (SC-1):S利用氨水的弱堿性活化硅晶圓及微粒子表面，使晶圓表面與微粒子間產(chǎn)生相互排斥；雙氧水具有氧化晶圓表面的作用，然后氨水對SiO2進(jìn)行微刻蝕，去除顆粒S氨水與部分過度金屬離子形成可溶性絡(luò)合物，去除金屬不溶物SH2O:H2O2:NH4OH=5:1:17:1:1 (H2O2:30%,NH4OH:29%) HCl/H2O2/H2O(SC2):S利用雙氧水氧化污染的金屬，而鹽酸與金屬離子生成可溶性的氯化物而溶解。SHCl:H2O2:H2O=1:1:61:2:8，在70度下

3、進(jìn)行510分鐘的清洗(HCl:37%,H2O2 :30%) SC1、SC2標(biāo)準(zhǔn)溶液統(tǒng)稱為RCA清洗 H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean):S利用硫酸及雙氧水的強(qiáng)氧化性和脫水性破壞有機(jī)物的碳?xì)滏I，去除有機(jī)不純物。SH2SO4:H2O2=24:1，在130度高溫下進(jìn)行1015分鐘的浸泡HF/H2O(DHF)或或HF NH4F/H2O(BHF):S 清除硅晶圓表面自然生成的氧化層，通常使用稀釋后的氫氟酸（0.49%2%）或以氫氟酸和氟化銨生成的緩沖溶液SHF:NH4F=1:200400，在室溫下進(jìn)行1530秒的反應(yīng) 濕法清洗工藝流程濕法清洗工藝流程MS AFS-

4、Pure PFA全氟濾芯，采用 e-PTFE膜和PFA 中心桿及外殼，可以滿足最惡劣環(huán)境中的最嚴(yán)格的過濾要求，適用于微電子行業(yè)各種強(qiáng)腐蝕性酸、堿、有機(jī)溶劑等化學(xué)品的過濾，且耐高溫，可達(dá)260。先進(jìn)的流體動力學(xué)設(shè)計(jì)，使過膜壓差更低，單位面積通量更大。獨(dú)特的打褶設(shè)計(jì)使膜面積更大，納污量更高，使用壽命更長。潔凈生產(chǎn)間生產(chǎn)，100%完整性測試。vAFS-Pure PFAMSFlorPure PTFE濾芯采用高精度e-PTFE膜，帶無紡布支撐層。中心桿，外殼，端蓋等采用PP材質(zhì)，具有優(yōu)異的耐腐蝕性能，對全氟濾芯來說是一種很好的經(jīng)濟(jì)型的替代。可用于除去流體中納米級的顆粒雜質(zhì)，保持流體的高潔凈度。最高耐受溫度80。先進(jìn)的流體動力學(xué)設(shè)計(jì)，使過膜壓差更低，單位面積通量更大。獨(dú)特的打褶設(shè)計(jì)使膜面積更大，納污量更高，使用壽命更長。潔凈生產(chǎn)間生產(chǎn)，100%完整性測試。vFluorPure-HF PTFEMSSteriPure PES濾芯采用高不對稱的親水性聚醚砜膜，帶無紡布支撐層， PP材質(zhì)的中心桿，外殼、端蓋，具有廣泛的化學(xué)兼容性，適合于微電子中的超純水，腐蝕性化學(xué)品過濾。高精度的截留效率，使過濾流體潔凈度更高。最高耐受溫度9