1、一、名詞解釋一、名詞解釋二、開關(guān)機流程二、開關(guān)機流程三、鍍膜主控界面說明三、鍍膜主控界面說明真空真空鍍膜鍍膜設(shè)備操作培訓設(shè)備操作培訓一、名詞解釋一、名詞解釋1.1. 真空濺射：真空濺射：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子（分子）或原子團的過程。2.2. 物理氣相沉積：物理氣相沉積：在真空狀態(tài)下，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。3.3. 磁控濺射：磁控濺射：借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，來增強電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。4.4. 鍍膜室：鍍膜室：真空鍍膜設(shè)備中實施實際鍍膜過

2、程的部件。5.5. 濺射裝置：濺射裝置：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。6.6. 靶材：靶材：母材，用來制取膜層的原材料。7.7. 擋板：擋板：用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置；擋板可以是固定的也可以是活動的。8.8. 基片架：基片架：可直接夾持基片的裝置,別稱夾具或治具,基片安裝方式分平放、立放，立式放置一般通過彈片、夾扣固定基片。9.9. 基片：基片：膜層承受體。10.10.試驗基片（工藝片）：試驗基片（工藝片）：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和（或）試驗的基片。11.11.沉積速率：沉積速率

3、：在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間和基片表面積。一、名詞解釋一、名詞解釋12.12.加熱裝置：加熱裝置：在真空鍍膜設(shè)備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。13.13.冷卻裝置：冷卻裝置：在真空鍍膜設(shè)備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。14.14.連續(xù)鍍膜設(shè)備：連續(xù)鍍膜設(shè)備：被鍍膜物件（單件或帶材）連續(xù)地從大氣壓經(jīng)過壓力梯段進入到一個或數(shù)個鍍膜室，再經(jīng)過相應的壓力梯段，繼續(xù)離開設(shè)備的連續(xù)式鍍膜設(shè)備。15.15.真空泵：真空泵：抽除氣體，能使腔體達到設(shè)計的真空度。16.16.陰極：陰極：靶材安裝位置，兼工藝布氣管入口。17.17.陽極：陽極：

4、非陰極區(qū)域。18.18.工藝氣體：工藝氣體：鍍膜所需沖入氣體，常用的有氬氣、氮氣、氧氣。19.19.真空度：真空度：低于一個標準大氣壓。二、開關(guān)機流程二、開關(guān)機流程確認設(shè)備檢修完成、檢查箱門擦拭干凈，門關(guān)閉OK(門螺絲用工具使用5成力扭緊）開冷卻水、檢查主控面板有無異常報警生產(chǎn)參數(shù)確定：開門壓差15pa;分子泵啟動10pa；羅茨泵啟動500pa泵組電控柜分子泵開關(guān)打開，操作面板分子泵設(shè)定使能設(shè)定正常自檢（“取消自檢”顯示綠色）真空模式轉(zhuǎn)抽氣模式，需泵組模式切換使能設(shè)備自檢后自動抽氣，如有問題處理不了，通知設(shè)備正常羅茨泵抽氣時間30分鐘，真空度到達10pa，分子泵啟動；啟動完成，提示轉(zhuǎn)生產(chǎn)模式泵

5、組切換使能，抽氣轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)模式；門螺絲用工具使用5成力再次扭緊。檢漏升溫降溫工藝調(diào)試（本底真空5E-3；布氣，2.5kw轟靶0.5H）試投生產(chǎn)開機開機流程流程百級間禁止上片鍍膜腔體夾具全部走完后開始停機，傳動設(shè)為手動模式生產(chǎn)模式轉(zhuǎn)保壓模式；關(guān)靶、關(guān)氣、加熱器設(shè)為0分子泵降速停機，約20min;期間可以松開箱體門螺絲，門把手位置留1顆螺絲扣住待所有泵組停止，確認門螺絲松開，保壓模式轉(zhuǎn)放氣模式關(guān)閉冷卻水系統(tǒng)；關(guān)閉換靶位置陰極冷卻水閥關(guān)閉分子泵空氣開關(guān)；開始保養(yǎng)作業(yè)關(guān)機關(guān)機流程流程三、鍍膜主控界面說明三、鍍膜主控界面說明(總貌畫面）總貌畫面）三、鍍膜主控界面說明三、鍍膜主控界面說明(生產(chǎn)參數(shù)表）生產(chǎn)參數(shù)表）三、鍍膜主控界面說明三、鍍膜主控界面說明(加熱參數(shù)表）加熱參數(shù)表）三、鍍膜主控界面說明三、鍍膜主控界面說明(工藝參數(shù)表）工藝參數(shù)表）