1、高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 內存儲器計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 內存儲器v4.1 閱讀資料：主內存的發展歷程v4.2 內存概述v4.3 內存的分類v4.4 內存的性能指標v4.5 內存的技術規范v4.6 內存的識別與選購計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.1 閱讀資料：主內存的發展歷程80286時代時代30線、線、256KB80486時代時代30線的線的SIMM FPM和和72線的線的SIMM FP并存，速度是并

2、存，速度是60ns以上以上EDO RAM有有72線和線和168線之分，線之分， 速度是速度是40ns以上以上SDRAM168線線Rambus DRAM184線線DDR SDRAM速度是速度是SDRAM的雙倍的雙倍DDR II速度是速度是DDR SDRAM的兩倍的兩倍計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.1 內存的存在方式v4.2.2 內存與外存的區別計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.1 內存的存在方式vRAM：Random

3、Access Memory，隨機存儲器vROM：Read Only Memory，只讀存儲器vCache：高速緩沖存儲器計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.2 內存與外存的區別v外存的表現形式有硬盤、軟盤、光盤等。與CPU交換數據方式容量價格存取速度內存直接交換小每存儲單元價格高快外存間接交換大每存儲單元價格低慢計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.3 內存的結構與封裝v1.內存的結構 內存結構圖計算機組裝與維護第4章 內存儲

4、器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.3 內存的結構與封裝 標注部件名稱說明1PCB板多為綠色，4層或6層的電路板，內部有金屬布線，6層設計要比4層的電氣性能好，性能更穩定，名牌內存多采用6層設計2金手指金黃色的觸點，與主板連接的部分，數據通過“金手指”傳輸。金手指是銅質導線，易氧化，要定期清理表面的氧化物3內存芯片是內存的靈魂所在，決定著內存的性能、速度、容量等，也叫內存顆粒。市場上內存種類很多，但內存顆粒的型號卻并不多，常見的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等幾種品牌。不同品牌的內存顆粒

5、，速度、性能不盡相同4內存顆粒位預留的一片內存芯片位置，供其他采用這種封裝模式的內存條使用。此處預留的是一個ECC校驗模塊位置5電容是PCB板上必不可少的電子元件之一。一般采用貼片式電容，可以提高內存條的穩定性，提高電氣性能6電阻是PCB板上必不可少的電子元件之一，也采用貼片式設計7內存固定缺口內存插到主板上后，主板內存插槽的兩個夾子便扣入該缺口，可以固定內存條8內存腳缺口防止反插，也可以區分以前的SDRAM內存條，以前的SDRAM內存有兩個缺口9SPD是一個八腳的小芯片，實際上是一個EEPROM，可擦寫存儲器。有256字節的容量，每一位都代表特定的意思，包括內存的容量、組成結構、性能參數和廠

6、家信息計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.3 內存的結構與封裝v2. 內存的封裝DIP DIP SOJ SOJ TSOP TSOP BGA BGA 計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.3 內存的結構與封裝v2. 內存的封裝Tiny-BGA Tiny-BGA mBGA mBGA 計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.3 內存的結構與封裝v2.

7、內存的封裝 CSP CSP WLCSP WLCSP 計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.4 內存的接口方式v1SIMMSIMM 30線線SIMM 72線線計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.4 內存的接口方式v2DIMMSIMM 168線線DIMM 184線線（DDR）DIMM 240線線（DDRII）計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內存概述v4.2.4

8、 內存的接口方式v3RIMMRIMM 184線線計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 內存的分類v內存：RAM、ROM、Cachev1FPM DRAMvFast Page Mode DRAM快速頁面模式動態存儲器。v 2EDO DRAMvExtended Data Out DRAM擴展數據輸出動態存儲器。v3SDRAMvSynchronous DRAM同步動態存儲器。計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 內存的分類4RDRAMRambus DRAM高頻動態存儲器。

9、5DDR SDRAMDouble Data Rate SDRAM雙倍速率同步動態隨機存儲器。6DDRDDR內存能夠提供比傳統SDRAM內存快四倍，比DDR內存快兩倍的工作頻率。計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內存的性能指標v4.4.1 內存容量v4.4.2 工作頻率v4.4.3 數據帶寬v4.4.4 奇偶校驗與ECC校驗v4.4.5 CAS的延遲時間v4.4.6 工作電壓v4.4.7 SPD計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內存的性能指標v4.4.1 內

10、存容量v是指一根內存條可以容納的二進制信息量。v4.4.2 工作頻率v內存的工作頻率表示的是內存的傳輸數據的頻率，一般使MHz為計量單位。v4.4.3 數據帶寬v數據帶寬是指內存的數據傳輸速度，也就是內存一次能處理的數據寬度。它是衡量內存性能的重要標準。計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內存的性能指標v4.4.4 奇偶校驗與ECC校驗v奇偶校驗是最早使用的內存軟錯誤的檢測方法。ECC校驗，即Error Checking and Correcting，錯誤檢查和糾正。 v4.4.5 CAS的延遲時間vColumn Addres

11、s Strobe列地址信號。CAS的延遲時間就是指內存縱向地址脈沖的反應時間，用CLCAS Latency來表示。計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內存的性能指標v4.4.6 工作電壓v內存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內存電壓也不同，各有各的規格，不能超出規格，否則會損壞內存。v4.4.7 SPDvSerial Presence Detect，串行存在探測SPD是一個8針的256字節EEPROM電可擦寫可編程只讀存儲器芯片，里面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。 計算機組裝與維護第4章 內存

12、儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范SDRAM:PC100、PC133DDR SDRAM：PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700RDRAM：PC600、PC800、PC1600DDRII：PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300、PC2 6400計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范v4.5.1 PC100v4.5.2 PC133v4.5.3 DDR與DDRII技術規范v4.5.4 RIMM：3200、42

13、00、4800v4.5.5 流行內存性能比較計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范v4.5.1 PC100vPC100是JEDECJoint Electron Device Engineering Council，電子元件工業聯合會和Intel聯合制定的一種SDRAM內存的技術標準，其中100代表該內存的工作頻率可達到100MHz。v4.5.2 PC133vPC133是威盛公司聯合三星、現代、日立、西門子、美光和NEC等數家著名IT廠商共同推出的內存標準其中133是指該內存的工作頻率可達到133MHz。計算機組裝與

14、維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范v4.5.3 DDR與DDRII技術規范規格規格傳輸標準傳輸標準實際工作頻率實際工作頻率等效頻率等效頻率數據傳輸率（帶寬）數據傳輸率（帶寬）DDR內存內存技術技術規范規范DDR200PC1600100MHz200 MHz1 600MB/SDDR266PC 2100133 MHz266 MHz2 100 MB/SDDR333PC 2700166 MHz333 MHz2 700 MB/SDDR400PC 3200200 MHz400 MHz3 200 MB/SDDR433PC 3500216

15、MHz433 MHz3 500 MB/SDDR533PC 4300266 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII內存內存技術技術規范規范DDRII400PC2 3200100 MHz400 MHz3 200 MB/SDDRII533PC2 4300133 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII667PC2 5300166MHz667 MHz5 300 MB/SDDRII800PC2 6400200 MHz800 MHz6 400 MB/S計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范v4.5.4 R

16、IMM：3200、4200、4800 工作頻率工作頻率等效工作頻率等效工作頻率數據帶寬數據帶寬說明說明RIMM 3200400MHz800 MHz3 200MB/S32位的位的RDRAM內存，工作速度與內存，工作速度與PC800的的RDRAM一致一致RIMM 4200533 MHz1 066MHz4 200MB/S32位的位的RDRAM內存，工作速度與內存，工作速度與PC1066RDRAM一致一致RIMM 4800600 MHz1 200MHz4 800MB/S32位的位的RDRAM內存，工作速度與內存，工作速度與PC1200RDRAM一致一致計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與

17、出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內存的技術規范v4.5.5 流行內存性能比較v1HY DDR400v2KimgBox 黑金剛DDR400v3KingSton金士頓 ValueDDR400計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內存的識別與選購v4.6.1 內存的識別v4.6.2 內存的選購計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內存的識別與選購v4.6.1 內存的識別代號代號廠商名稱廠商名稱HYHyundai（現代電子）（現代電子）HYBSiem

18、ens（西門子）（西門子）KM或或MSamsung（三星）（三星）MBFujitsu（富士通）（富士通）MCMMotorola（摩托羅拉）（摩托羅拉）MTMicron（美光）（美光）TC或或TDToshiba（東芝）（東芝）HMHitachi（日立）（日立）uPDNECBMIBM計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內存的識別與選購v4.6.1 內存的識別編號編號HYXXXXXXXXXXXXXXXX位數位數1234567891011第一位：第一位：HYHY代表該產品是現代的產品。代表該產品是現代的產品。第二位：代表內存芯片類型。

19、第二位：代表內存芯片類型。第三位：代表內存工作電壓。第三位：代表內存工作電壓。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第五位：代表芯片輸出的數據位寬：第五位：代表芯片輸出的數據位寬：4040、8080、1616、3232分別代表分別代表4 4位、位、8 8位、位、1616位和位和3232位。位。第六位：代表第六位：代表BANKBANK數量：數量：1 1、2 2、3 3分別代表分別代表2 2個、個、3 3個、個、4 4個和個和8 8個個BankBank，是，是2 2的冪次關系。的冪次關系。第七位：第七位：I/0I/0界面，界面，1SSTL-31SSTL-3；2SSTL-22SSTL-2。第八位：芯片內核版本：可以為空白或第八位：芯片內核版本：可以為空白或A A、B B、C C、D D等字母，越往后表示越新。等字母，越往后表示越新。第九位：代表功耗：第九位：代表功耗：L=L=低功耗芯片；空白低功耗芯片；空白= =普通芯片。普通芯片。第十位：內存芯片封裝形式。第十位：內存芯片封裝形式。第十一位：代表內存工作速度。第十一位：代表內存工作速度。計算機組裝與維護第4章 內存儲器高等職業教育研究與出版中心計算機分社高等