1、Ud=0.7V。D2V"；1<11?1 a一1)25第1章 常用半導體器件自測題一、 判斷下列說法是否正確，用妝”和V”表示判斷結果填入空內。(1) 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。(V )(2) 因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。(X )(3) PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。 (V )(4) 處于放大狀態的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。(X )(5) 結型場效應管外加的柵一源電壓應使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其Rgs大的特點。(V )(6) 若耗盡型N溝道MOS管的Ugs大于零，則其輸入電阻會明顯變

2、小。(X )二、選擇正確答案填入空內。(1) PN結加正向電壓時，空間電荷區將A 。A.變窄B.基本不變C.變寬(2) 穩壓管的穩壓區是其工作在C 。A.正向導通 B.反向截止C.反向擊穿(3) 當晶體管工作在放大區時，發射結電壓和集電結電壓應為B 。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏Ugs=OV時，能夠工作在恒流區的場效應管有A、C 。A.結型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管三、寫出圖Tl.3所示各電路的輸出電壓值，設二極管導通電壓圖 T1.3解：Uoi = 1.3V, Uo2=0V, Uo3=-1.3V, Uo4=2V, Uo5=1.3V, Uo6

3、=-2V。四、已知穩壓管的穩壓值Uz=6V,穩定電流的最小值lzmin=5mA。求圖TI.4所示電路中U01和Uo2各為多少伏。OCZF+500(12kUO fr.IOV(b)圖 T1.4解：左圖中穩壓管工作在擊穿狀態，故Uoi=6V。右圖中穩壓管沒有擊穿，故Uo2= 5V。五、電路如 圖T1.5所示，Vcc=15V, 試問：(1) Rb=50k 時，Uo=?(2) 若T臨界飽和，則Rb=?解：(1)IB VbB Ube 26 A，RbIc Ib 2.6mA,Uo VccIcRc 2V。= 100，Ube=0.7V。圖 T1.5I 計 2'6mA，IBS ICS/ 28 A.RbVbb

4、 Ubb45.5kI BS六、測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如 表Tl.6所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態（截止區、恒流區、可變電阻區），并填入表內。AvV 口呂號U GS(th)/VUs/VUg/VUd/V工作狀態T14-513恒流區T2-43310截止區T3-4605可變電阻區表 T1.6解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強型 MOS管。根據表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態，如表Tl.6最后一欄所示。習題1.1選擇合適答案填入空內。（I）在本征半導體中加入（A ）元素可形成N型半導體，加入（C ）元素可形成P型半導體。A.五價B.四價C.

5、三價（2）當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將（A）A.增大B.不變C.減小（3）工作在放大區的某三極管，如果當 那么它的B約為（C ）。Ib從12 uA 增大到22 uA時，Ic從lmA 變為2mA ,A.83B.91C.100當場效應管的漏極直流電流 Id從2mA變為4mA時,它的低頻跨導gm將（A ）。A.增大;B.不變;C.減小1.2電路如 圖P1.2所示，已知Ui10sin t（v）,試畫出Ui與Uo的波形。設二極管導通電壓可忽略不計。Dp5圖 P1.2廿1*1111141A1 1解圖P1.2解：Ui與Uo的波形如解圖Pl.2所示。1.3電路如 圖P1.3所示，已知Ui5sin t（

6、v）,二極管導通電壓 Ud=o.7V。試畫出口與Uo的波形圖，并標出幅值。圖 P1.3解：波形如解圖Pl.3所示。解圖P1.31.4電路如圖P1.4 所示,二極管導通電壓Ud=0.7V,常溫下U t 26mV，電容C對交流信10mV。試問二極管中流過的交流電流的有效值為多圖 P1.4號可視為短路；Ui為正弦波，有效值為 少？解：二極管的直流電流Id （V Ud）/R 2.6mA其動態電阻：G Ut/Id 10故動態電流的有效值：ld Uj/rD 1mA1.5現有兩只穩壓管，穩壓值分別是 6V和8V，正向導通電壓為 0.7V。試問:(1) 若將它們串聯相接，則可得到幾種穩壓值？各為多少？(2)

7、若將它們并聯相接，則又可得到幾種穩壓值？各為多少？解：串聯相接可得 4種：1.4V; 14V； 6.7V； 8.7V。并聯相接可得2種：0.7V ； 6V。1.6已知圖Pl.6所示電路中穩壓管的穩定電壓Uz 6V，最小穩定電流Izmin 5mA，最大穩定電流 Izmax 25mA。(1)分別計算Ui為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓 Uo的值;若U| 35V時負載開路，則會出現什么現象？為什么?U|10V 時，UoRlL U|R Rl3.3V ；U|15V 時，UoRlU|R Rl5 ；U|35V時，UO11.7V UZ，二 Uo Uz 6V。0.1當負載開路時,IzU| UzR29m

8、A Izmax 25mA，故穩壓管將被燒毀。解：(1)只有當加在穩壓管兩端的 電壓大于其穩壓值時，輸出電壓才為6V。1.7在圖Pl.7所示電路中，發光二極管導通電壓 Ud =1.5V，正向電流在 515mA時才能正常工作。 試問：(1)開關S在什么位置時發光二極管才能發光？(2)R的取值范圍是多少？解：(1)S閉合。(2) R的范圍為：(V UD)/IDmax 233Rmax(V UD)/lDmin 700圖 P1.71.8現測得放大電路中兩只管子兩個電極的電流如圖P1.8所示。分別求另一電極的電流,標出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(b)卩。圖 Pl.8解：答案如解

9、圖Pl.8所示。解圖Pl.8放大倍數分別為1mA/10 A 100和 b5mA/100 A 501.9測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子，并說明它們是硅管還是鍺管。圖 P1.9解:如解圖1.9。解圖1.90.7V , 3=50。試分析 VBb 為 0V、1V、1.10電路如圖P1.10所示，晶體管導通時 Ube3V三種情況下T的工作狀態及輸出電壓 UO的值。解：當Vbb 0時，T截止，Uo當Vbb 1V時，因為I bqVbbU beqRb60 A1 cq 1 bq 3mAUo VccI cq Rc9V圖 P1.10所以T處于放大狀態。VbbU beq當Vbb3

10、V時，因為IbqRb460 A，ICQ IBQ 23mA?ICS113mA，所以T處于飽和狀態。1.11電路如圖Pl.11所示，晶體管的3=50, UBE 0.2V，飽和管壓降Uces 0.1V ；穩壓管的穩定電壓UZ 5V,正向導通電壓UdUi5V 時 uO？解：當uI°v時，晶體官截止，穩壓官擊穿，UoUZ 5V。當uI5V時，晶體管飽和，Uo0.1V。因為IUIU BE480 AI I24mAIBRb，ICIB圖 P1.11Uec Vcc |Ic Rc01.12分別判斷圖Pl.12所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態。(b)(c)（d）（e）圖 P1.12解：（a）可能；

11、（b）可能；（c）不能；（d）不能，T的發射結會因電流過大而損壞。（e）可能。1.13已知放大電路中一只 N溝道場效應管三個極 、 的電位分別為4V、8V、 12V，管子工作在恒流區。試判斷它可能是哪種管子（結型管、MOS管、增強型、耗盡型）， 并說明、與G、S、D的對應關系。解：管子可能是增強型管、耗盡型管和結型管，三個極、與G、S、D的對應關系如 解圖Pl.13所示。盤®ln1解圖Pl.13解圖Pl.14解：在場效應管的恒流區作橫坐標的垂線（如解圖Pl.14 （a） 所示），讀出其與各條曲線交點的縱坐標值及ugs值，建立iDf（UGs）坐標系，描點，連線，即可得到轉移特性曲線，如

12、解圖Pl.14 （b）所示。1.15電路如圖P1.15所示，T的輸出特性如圖Pl.14 所示，分析當UI =4V、8V、12V三種情況下場效應管分別工作在什么區域。解：根據圖P1.14所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為 5V，根據圖Pl.15所示電路 可知UGS U|。當U| =4V時，Ugs小于開啟電壓，故 T截止。當U|=8V時，設T工作在恒流區，根據輸出特性可知iD 0.6mA，管壓降Uds Vdd i°Rd因此， UGD UGS UDS2V，小于開啟電壓，圖 Pl.15說明假設成立，即 T工作在恒流區。1.16分別判斷圖Pl.16所示各電路中的場效應管是否有可能工作在恒流區。(b)(c)(d)(a)圖 P1.16解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。補充1.電路如補圖P1(a)、(b)所示，穩壓管的穩定電壓UZ 3V , R的取值合適，uI的波形如圖(c)所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。(c)(b)補圖P1當UI =12V時，由于Vdd 12V，必然使T工作在可變電阻區。解：波形如下圖所示補充2在溫度20oC時某晶體管的Icbo2 A,試問溫度是60°C時的Icbo解：I CBO60I CBO 202442 232 A。所以,11。0時'管子飽和。補