1、真次英文名耦中文名1Active Area±®jE (工作K)2ACETONE丙酮3ADI-After Develop Inspectiong1影彳爰檢查4AEIAfter Etch Inspection食蟲刻彳爰梅T查5AIR SHOWER空氟洗廛室6ALIGNMENT |7ALLOY/SINTER熔合8AL/SI金日/矽靶9AL/SI/CU金目/矽/銅10ALUMINUN金日11ANGLE LAPPING角度研磨12ANGSTROm埃13APCVD (ATMOSPRESSURE)常屋化軍相沈稹14AS75神15ASHING , STRIPPINGHm光阻去除16ASSE

2、MBLY晶粒封裝17BACK GRINDING晶背研磨18BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE烘烤，軟烤，55烤19BF2二氟化硼20BOAT晶舟21B.O.E街做刻液22BONDING PAD23BORON硼24BPSG含硼及磷的矽化物25BREAKDOWN VOLTAGE崩潰18屋一26BURN IN27CAD重月簡軸助IS言十28CD MEASUREMENT微距就29CH3COOH醋酸30CHAMBER真空室，反室31CHANNEL通道32CHIP ,DIE晶粒33CLT (CARRIER LIFE TIME )截子生命遇期34CMOS互捕式金氧半醇H35COATING光

3、阻覆蓋36CROSS SECTION橫截卸37C-V PLOT重容而附138CWQC1全公司品H管制139CYCLE TIME生遇期畤40CYCLE TIME生崖遇期畤41DEFECT DENSITY缺黑占密度42DEHYDRATIONBAKE去水烘烤dehydration bake43DENSIFY密化44DESCUM理45DESIGN RULE46EDSIGN RULE47DIE BY DIE ALIGNMENT每FIELD均封型48DIFFUSION49DI WATER去高隹子水50DOPING參入親隹K51DRAM , SRAM勤熊海熊隨械存取祜意颼52DRIVE IN81入53E-B

4、EAM LITHOGRAPHY甯子束微影技衍54EFR ( EARLY FAILURE RATE )|早期故障率55ELECTROMIGRATION雀子遭移56ELECTRON/HOLE雀子/甯:洞57ELLIPSOMETER58EM (ELECTRO MIGRATION TEST )N甯子遭移可靠度59END POINT DETECTOR黑占值測器60ENERGY _能量61EPI WAFER |I磊晶晶片62EPROM(ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM )甯子可程式唯Uh出63ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE靜霜

5、破壤 靜雷放64ETCH食蟲刻65EXPOSURE66FABRICATION (FAB)裂造67FBFC (FULL BIT FUNCTION CHIP )：全功能晶片68FIELD/MOAT埸K69FILTRATION遇濾70FIT (FAILURE IN TIME )71FOUNDRY客戶委IE加工72FOUR POINT PROBE四黑占值測73F/S (FINESONIC CLEAN)超音波清洗74FTIR傅氏樽換缸外光分析H75FTY (FINAL TEST YIELD )76FUKE DEFECT77GATE OXIDE氧化唇78GATE VALVE79GEC (GOOD ELEC

6、TRICAL CHIP )僵良18器特性晶片180GETTERING吸附81G-LINEG-光82GLOBAL ALIGNMENT整片性封型典言十算83GOI (GATE OXIDE INTEGRITY )陽趣氧化唇完整性|84GRAIN SIZES（粒大小85GRRSTUDY(GAUGEREPEATABILITyANDREPRODUUCIBILITY )測量像器重褪性典再現性之研究86H2SO4硫酸87H3PO4磷酸88HCL氯化氫（亶酸）89HEPA高效率謾濾器90HILLOCK凸起物II91HMDSHMDS 蒸92HNO3硝酸93HOT ELECTRON EFFECT熟雀子效94I-LI

7、NE STEPPERI-LINE步迤封型曝光95IMPURITYSt®96INTEGRATED CIRCUIT (IC)稹Hit路97ION IMPLANTER高隹子植入械98ION IMPLANTATION高隹子植入99ISOTROPIC ETCHING等向性食蟲刻100ITY (INTEGRATED TEST YIELD )綜合測試良率101LATCH UP栓箱效J® 1102LAYOUT僑局103LOAD LOCK僖送室104LOT NUMBER批虢105LPCVD (LOW PRESSURE)低屋化田相沈稹106LP SINTER低107LPY ( LASER PR

8、OBE YIELD )雷射修神前良率108MASK光罩109MICRO,MICROMETER,MICRON微，微米110MIS ALIGN團型不良1111MOS金氧半醇!S112MPY (MULTI PROBE YIELD )多功能值測良率113MTBF ( MEAN TIME BETWEEN FAILURE )平均失效時間114N2,NITROGEN氮氟115N,P TYPE SEMICONDUCTORN,P型半醇H116NSG ( NONDOPED SILICATE GLASS)輾參入親隹K矽酸亶玻璃117NUMERICAL APERTURE ( N.A.)數值孔彳至118OEB (OXI

9、DE ETCH BACK )氧化唇平坦化食蟲刻119OHMIC CONTACT歐姆接斶120ONO (OXIDE NITRIDE OXIDE )氧化屑-氮化屑-氧化屑121OPL (OP LIFE) (OPERATION LIFE TEST)使用期限（毒命）122OXYGEN氧氯123P31磷124PARTICLE CONTAMINATION廛粒污染125PARTICLE COUNTER廛粒言十數器126PASSIVATION OXIDE (P/O )127P/D ( PARTICLE DEFECT )廛粒缺陷128PECVDO CVD129PELLICLE光罩膜130PELLICLE光罩保膜

10、|131PH3氧化磷132PHOTORESIST光阻133PILOT WAFER就作晶片134PINHOLE金十孔135PIRANHA CLEAN謾氧硫酸清洗136PIX聚醯胺月137PLASMA ETCHING138PM(PREVENTIVEMAINTENANCE )定期保U139POCL3三氯氧化磷140POLY SILICON褪晶矽141POX聚醯胺膜含光罩功能142PREHEAT143PRESSURE144REACTIVE ION ETCHING (R.I.E.)活性高隹子食蟲刻145RECIPE程式146REFLOW回流147REGISTRATION ERROR堀百己差I148REL

11、IABILITY可靠性149REPEAT DEFECT重褪性缺黑占150RESISTIVITY阻值151RESOLUTION解析力152RETICLE光罩153REWORK/SCRAP/WAIVE |修改/»/154RUN IN/OUTSKfi/S?出155SCRUBBER刷洗械156SAD(SOFTWAREDEFECTANALYSIS )缺陷分析軟H157SEM( SCANNINGELECTRON甯子16微MICROSCOPE )158SELECTIVITY陽睪性159SILICIDE矽化物160SALICIDE金腐矽化物161SILICON矽162SILICON NITRIDE氯

12、化矽163SMS(SEMICODUCTORMANUFACTURING SYSTEMS )半醇醴裂造系統|164SOFT WARE, HARD WARE< H，硬 H165S.O.G. (SPIN ON GLASS )旋裂氧化矽166S.O.J.(SMALLOUTLINEJ-LEADPACKAGE )縮小型J形腕包裝IC167SOLVENT溶剜168SPECIFICATION (SPEC)169SPICE PARAMETERSPIC參數170S.R.A(SPREADINGRESISTENCEANALYSIS )展偉甯阻分析171SPUTTERING172SSER(SYSTEM SOFT E

13、RROR RATE TEST)系統暫畤性失效比率173STEP COVERAGEP皆梯覆蓋174STEPPER步迤式175SURFACE STATUS表面狀憨176SWR (SPECIAL WORK REQUEST )177TARGET靶178TDDB(TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN )介181WW崩潰的畤依存性1179TECN (TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE )腐畤性裂程建更通知180TEOS(TETRAETHYLOR THOSILICATE )四乙基氧化矽/止硅酸乙脂181THRESHOLD VOLTAGE陶

14、界重屋182THROUGH PUT1生里183TMPTI犯1意宜i品檬品（原型）,TI犯H襟津宜（品(TI MEMORY PROTOTYPE , TMS-XTIMEMORY STANDARD PRODUCT)184TOX氧化屑厚度185TROUBLE SHOOTING故障排除186UNDERCUT底切度187UNIFORMITY均勻度188VACUUM真空189VACUUM PUMP真空K浦190VERNIER 避不票尺191VIA CONTACT逋接窗/接觸孔192VISCOSITY/stickness黏度193VLF (VERTICAL LAMINAR FLOW )垂直流唇194WELL/

15、TANK井K195WLRC(WAFER LEVEL RELIABILITYCONTROL )晶BPW次（J®內）可靠度控制196WLQC (WAFER LEVEL QUALITY CONTROL )品圄唇次（J®內）品控制197X-RAY LITHOGRAPHYX光微影技衍198YELLOW ROOM奧兒至1.?Vt could drops or Cimbs as gate length shrinks Short Channel Effect or Reverse Short Channel Effect.2?Vt could drops or climbs as AA

16、width shrinks dNarrow width Effect or Reverse Narrow Width Effect.3?Channel profile determines SCE and RSCE.4?solation structure and channel profiledeterminesNWE and RNWE.0.40.350.30.250.20.150.100.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1Lgate (um) v VASIC:專用集成電路 application specific ICW/S:width/spaceSTI

17、: shallow slot isolationSlurry泥漿，漿Pad襯墊RTI實時檢測SC specially characteristic 關鍵屬性Numerical Aperture (N.A.)數值孔彳至LDD: low dose drain 輕摻雜漏極:to supperess the SCEATPG:auto test pattern generatorADI: After Developing InspectionDIBL (Drain Induced Barrier Lowering)GIDL(gate induced drain leakage)PSM phase-shi

18、ft mask相移掩膜技術SC1 standard clean 1SC2 standard clean 2FEOL front-end of lineBEOL back-end of lineDIBL: drain induced barrier lowerGIDL: drain induced drain leakageSCE: short channel effectSAC oxide: sacrifice oxideDARC: dielectric anti-reflective coating 無機物;barc & tarc bottom and top 有機物SDE:sour

19、ce/drain-extensionRCA : SC1 + SC2Caro:3 號液：PRRM: PhotoResist ReMoveEKC : EKC 270T (solvent name)APM SPM HPM勺主要成分，除何種雜質；HF的作用。APM NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5SC1主要去除微顆粒，可除部分金屬離子。HPM HCL:H2O2:H2O=1:1:6SC2主要作用是去除金屬離子。SPM H2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有機物（主要是殘留光刻膠）。HF的主要作用是去除OXTSN:thin SiNDNW:deep N-wellAspect ratio: 深寬

20、比、高寬比ARDE:aspect ratio depend etchASIC: 專用集成電路application specific ICSTR:speciall Test RequestEDM:equipment down managementPeeling: 剝皮SSRW: Super Steep Retrograde WellVCE: vacuum cassette elevatorCWF: customor wafer formERB:BKSP:backside pressurePNL:pulse nucleation layerSWR:specially work requestVO

21、C: volatile organic chemistryECP: electric chemical plantingPRB Fail: 串并聯轉換FIB:Focus ion beamPECS:precise etch & coating systemOTP: one time programASI:after strip inspectionDOE:design of experimentFEM:focus energy matrixRS/RC: sheet resistance / contact resistanceEBR:ESC:electrostatic chuck 靜電吸

22、盤SOP:standard operation programDBR:OPC:optical proximity correctionsheath: 外殼，鞘EAR: engineering abnormal reportEAP: engineering automatic programMSTR: MASS speciall technology requestCTM: customerArcing: 靜電放電過程造成的灼傷，比如sputtering s plasmaDRB: Disposition review boardDCVD: Dielectric CVDTEG: test elem

23、ent groupTec: thermal expansion coefficientTTF:total lifeFN: FN injection:Spking :由于al 和 si 的互溶性造成的al 在 si 中擴散導致的穿刺現象SOF:stop on wafer:when one bin fail come out, test stops;COF:continue on wafer: whenone bin fail comesout, test continue for other test items.Qual:abrrviation of qualificationConer lo

24、t: the curve IdsatN vs.IdsatP and form a window in it the lot can be run safe.PRBS:Pseudo Random Binary SequenceZERO mark :35D3H2L2 350A , Deepth 3 um,hump 2um, hole diameter 2 umOAI (Off-Axis Illuminator):?Definition: A kind of special illumination mode to improve process performance (DoF).? In gen

25、eral,there are 3 kinds : small o- ,Quadruple,Annular? This technology is very useful and easy to use,but bad throughput(30% Intensity decreaseP.E.B: Post Exposure Bake=> I-line : Reduce Standing Wave effect=> DUV : Diffuse Photo Acid(Core process)? Root cause of Standing Wave(I-line)=> Diff

26、erent concentration of dissolved PAC because of light wave? PEB temperature of DUV decide CD and its profile :It depends on resist? Need to evaluate optimum Temp: Below PAC dissolution Temp (130Co )? I-line(110oC 120oC),DUV(110oC 130oC) are optimum Temp.OPC: optical proximity correlationDOF: Depth O

27、f FocusIMP:Ion Metal PlasmaGallon:加侖 英：4.546 美 3.785 升(liter)SIP: Self-Ionized PlasmaF/O: fab out = through putDarkfield detection 暗場檢測Descum 掃底膜Diborane B2H6 乙硼烷Dichlorosilane/dichloride/silane H2SiCl2二氯甲硅烷/二氯化物/硅烷Discrete 分離元器件Dishing 凹陷ECR: electron cyclotron resonanceEnhancement mode/depletion m

28、ode 增強型 / 耗盡型FLIP: Floating Indeved Point Arithmetic變址浮點運算FLOP: FLoating Octal Point浮點八進制D FLIP-FLOP D 觸發器直次英文名耦中文名耦解析1Active Area±®jE （工作K）(ACTIVE TRANSISTOR ) 被裂造的K域即所溜的主勤K (ACTIVE AREA )。在襟型之 MOS 裂造謾程中ACTIVE AREA是由一屑 氮化矽光罩即等接氮化矽食蟲刻之彳爰的 局部埸癌氧化所形成的,而由於利用到 局部埸氧化之步驟，所以ACTIVEAREA 曾受到舄嘴(BIRD&

29、#39;S BEAK ) 之影簪而比原先之氮化矽光罩所定教 的K域冰L的小，以房0.6UM之埸K氧 化而百，大概曾有 0.5UM 之BIRD'S BEAK存在，也就是茨；ACTIVE AREA比原在之氮化矽光罩 所定莪的K域小0.5UM。2ACTONE丙酮1 .丙酮是有械溶剜的一槿，分子式懸 CH3COCH3 。2 .性iwi色，具刺激性及薄荷臭味 之液n。3 .在FAB內之用途，主要在於黃光室 內正光阻之清洗、擦拭。4 .封神中福具中度麻醉性，封皮唐 黏膜具微毒性，晨期接斶曾引起 皮唐炎，吸入謾量之丙酮蒸汽曾刺 激鼻、眼結膜及咽喉黏膜，甚至 起1g痛、嗯心、口N吐、目眩、意 不明等。

30、5,允聲筒ft度1000PPM。3ADIg1影彳爰檢查1 .定塾After Developing Inspection 之余宿2 .目的：檢查黃光室裂程；光阻臺一封型 一曝光一K影。樊琪缺黑占彳爰，如覆 益/、良、16影不良等即予修改， 以雉H崖品良率、品H。3 .方法：利用目梅b K微之。4AEI食蟲刻彳爰梅T查1 .定莪：AEI 即 After Etching Inspection , 在蟲刻裂程光阻去除前及光阻去除 彳爰，分別封崖品施全橫或抽檬檢 查。2 .目的：2-1提同莊口口良率，避免不良口口外流。2-2連到品勺一致性和裂程之重褪 性。2-3 18示裂程能力之指襟2-4阻止H常撅大，

31、省成本3 .通常AEI梅T查出來之不良品，非必要 畤很少作修改，因懸重去氧化唇或重房 氧化唇可能造成元件特性改建可靠性 建差、缺黑占密度增加，生成本增高， 以及良率降低之缺黑占。5AIR SHOWER空氟洗廛室迤入瀑凈室之前，需穿輾廛衣，因在外 向更衣室之故，瓢廛衣上沾著廛埃，故 迤瀑浮室之前，需空靠喧洗械符廛埃 吹掉。6ALIGNMENT1 .定莪：利用晶片上的卦型一般用十字 和光罩上的封合封懸之。2 .目的：在IC的裂造謾程中，必610次左右的封型、曝光來定羲霜 路圄案，封型就是要符屑屑圄案精 碓地定我Mm像在日日片上面。3 .方法：A.人眼封型B.用光、H黜合代替人眼，即械械 式I*7A

32、LLOY/SINT ER熔合Alloy 之目的 在使金日典矽基(SiliconSubstrate)之接斶有Ohmic特性,即H屋典ft流成性系。Alloy也可降低接斶的阻值。8AL/SI金日/矽靶此懸金畤所使用的一槿金JB合 金材料利用Ar避高隹的高隹子，具撞拳 此靶的表面，把 Al/Si的原子撞拳出 <,而IS在晶片表面上，一般使用之黜 成潟Al/Si （1%）,符此常作元件典外界 速接。9AL/SI/CU金目/矽/銅金畤所使用的原料名耦，通常是 殖 TARGET ,其成分懸0.5%銅，1 %矽及98.5%金目，一般裂程通常是使用 99%金目1%矽，彳爰冰i懸了金JS甯荷遭移 琪象（E

33、LEC TROMIGRATION ）故滲加0.5%帆 以降低金JS重荷遭移。10ALUMINUN金日此懸金畤所使用的一槿金JB材 料，利用Ar避高隹的高隹子，具撞擎此 槿材料做成的靶表面，把 Al的原子撞 擎出來，而M晶片表面上，符此常作 元件典外界之逋接。11ANGLELAPPING角度研磨Angle Lapping 的目的 是懸了測量 Junction的深度，所作的晶片前慮理， 道程探用光干涉測量的方法就耦之 Angle Lapping 。公式懸 Xj=入 /2NF 即Junction深度等於入射光波房的一 半典干涉僚裁:數之乘稹。但漸漸的隨著 VLSI元件的縮小，型碓度及精密度都 瓢法因

34、 J8。如 SRP（Spreading Resistance Prqbing）也是J8用 Angle Lapping的方法作前慮理，探用的方法 是以表面植入浸度典阻值的封系 求出Junction的深度，精碓度速超謾 入射光干涉法。12ANGSTRON埃是一他畏度罩位，具大小懸1公尺的百 德分之一，系勺懸人的度之五十離 分之一。此罩位常用於IClffi程上，表 示其屑（如 SiO2, Poly, SiN；）厚 度畤用。13APCVD (ATMOSPRESSURE)常屋化孥氟相沈 稹APCVDAtmosphere（大氟），Pressure（ IS 力）,Chemical（化 孥）， Vapor（氟

35、相）及Deposition（沈稹）的東宿 ®,也就是茨:,反鷹（如SiH4（g）, B2H6（g）,和O2（g）在常H卜起化孥 反力焦而生成一唇固熊的生成物（如 BPSG）於晶片上。14AS75神自然界元素之一；由33(011子，42(0 中子即75(0甯子所黜成。半醇H工H 用的神離隹子(As+)可由AsH 3 1Hl分 解得至上種是 N-TYPE DOPANT 常 用作N-埸K、空乏K及S/D植入。15ASHING,STRIPPING光阻去除1. 理，彳系利用n藜方式(Plasma),符晶片表面之光阻加以去除。2. Hm光阻去除的原理，彳系利用氧氟 在甯：藜中所生堡自由基(Rad

36、ical)典光阻(高分子的有H 物)彝生作用，生揮彝性的氧 再由K浦抽走，連到光阻去除的目 的。3. Hm光黜的生速率通常敕酸液光 阻去除懸慢，但是若定品謾離隹子 植入或H符食蟲刻彳爰，表面之光黜或 彝生碳化或石墨化等化孥作用，整 他表面之光阻均已建若以硫酸 吃光阻，瓢法符表面已建之光阻 加以去除，故均必i(先以光阻 去除之方式冰i做。16ASSEMBLY晶粒封裝以榭酯或陶瓷材料，符晶粒包在其中， 以連到保晶粒，隔境污染的目 的，而此一逋用的加工謾程，即耦懸晶 粒封裝(Assembly )。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不 同，本公司襄乎都是以榭酯材料作品粒 的封裝，裂程包括：晶片切割一晶粒目

37、橫一晶粒上架(醇 架，即 Lead frame) 一金星一模H 封裝一?S定烘烤(使榭酯物性?S定)一 切框、郤成型一腳沾金易一蓋印一完 成。以榭酯懸材料之IC,通常用於消費性 品，如11、言十算械，而以陶瓷作封裝材料之IC, JB於高性賴度之元件， 通常用於來彈、火箭等敕精密的崖品 上。17BACKGRINDING晶背研磨利用研磨械符晶片背面磨薄以便 包裝，著重的是厚度均勻度及背面之乾 浮度。一般6 口寸晶片之厚度系勺20mil30 mil 左右，懸了便於晶粒封裝打故需符晶片厚度磨薄至10 mil15mil左右。18BAKE, SOFTBAKE, HARD BAKE烘烤，軟烤，55烤烘烤(B

38、ake):在稹Hit路晶片上的裂造謾程中，符晶 片至於稍高溫(60c250C)的烘箱 內或熟板上均可溜之烘烤，隨其目的的 不同，可隔分微軟烤(Soft bake)典 5H烤(Hard bake )。軟烤(Soft bake ):其使用畤械是在上完光阻彳爰，主要目的 是焉了符光阻中的溶剜蒸綾去除，且 可增加光阻典晶片之附著力。5H烤(Hard bake ):又布浙蟲刻前烘烤(pre-etch bake ), 主要目的懸去除水氟，增加光阻附著 性，尤其在漏食蟲刻(wet etching)更 懸重要，58烤不全H曾造成謾食蟲刻。19BF2二氟化硼一槿供做高隹子植入用之高隹子。BF2 +是由BF3 +

39、氟11晶燎加熟分解 成：Bio、Bi% F19、B10F入 B11F2 oExtract拉出及10普磁埸分析彳爰而得到。柝-type高隹子，通常用作VT植 入(fW®)及S/D植入。20BOAT晶舟Boat原意是覃木舟，在半蹲H IC裂造 謾程中，常需要用一E具作晶片健 送、清洗及加工，道程承載晶片的工 具，我伸號耦之懸Boat。一 Boat有雨梗材55,，是石英、另 一是i8氟熊。石英 Boat用在溫度敕局(大於300C)的埸合。而1®氟熊Boat JW用在停送或酸慮理的埸合。21B.O.E街做刻液BOE是HF典NG4F依不同比例混合 而成。6:1 BOE食蟲刻即表示 H

40、F : NH4F=1 : 6的成分混合而成。HF蔚 主要的食蟲刻液,NH4F JW作懸彳#WI使 用。利用NH4F固定H+的濾度， 使之保持一定的食蟲刻率。HF曾浸食蟲玻璃及任何含矽石的物 ®,封皮唐肩強烈的腐做性，不小心被 8!到、鷹用大量水沖洗。22BONDINGPAD金星塾金旱塾一品利用以逋接金或金呂的金H/W 0在晶粒封裝(Assembly )的裂 程中，有一他步驟是作“金旱”，即是 用金 (塑月蓼包裝H)或金呂(陶瓷包裝H）符晶粒的路典包裝H之各他接 照J依金星（Bonding Diagram ）逋接 在一起，如此一來，晶粒的功能才有 效地用。由於晶粒上的金路的SE度即隙

41、都非常窄小，（目前SIMC所致的品 余勺是微米左右的31或隙）,而用來 逋接用的金或金呂其彳至目前由於 受到材料的延展性即封金JB接強度 要求的限制，祇能做到1.01.3mil（25.433j微米）左右，在此情沈下， 要把二、三十微米的金直接逋接到 金路距只有3微米的晶粒上,一 定曾造成多修金呂的接槁，故晶粒上的 金目路，在其末端皆段言十成一他1系勺4mil 見方的金JB/W ,此即懸金星塾，以E接使用。金旱塾通常分佛冉晶粒之四他1遇遏上（以 粒封裝畤的金星作ft）,其形狀多懸正 方形，亦肩人招第一焊黑占作成圄形, 以瓷辨SL金星塾因懸要作接其上得 攫唇必須食蟲刻掉，故可在金旱塾上清楚地 看到

42、窗”。而晶粒上有疇亦可看 到大度的金JB/W ,位於晶粒內部而非四 周，其上也看/、到K窗,是卷容。23BORON硼自然元素之一。由五他M子及六他1中子 所黜成。所以原子量是11。另外有同 位素，是由五他M子及五他1中子所黜成 原子量是10 （Bi。自然界中道雨槿同 位素之比例是4： 1,可由磁埸101分 析中看出，是,S P-type的高隹子（B11 + ）,用來作埸K、井K、 VT及S/D 植入。24BPSG含硼及磷的矽化 物BPSG乃介於Poly之上、Metal之下， 可做懸上卜雨屑系自之用，加硼、磷主 要目的在使回流彳爰的Step敕平以 防止Metal line度上去彳爰，造成新 jW

43、-025BREAKDOW N VOLTAGE崩潰冏壁反向P-N接面兀件所加之P接 H而N接正，如懸此槿接法JW常所加 H屋通在某（0特定值以下畤反向18流 很小，而常所加H屋值大於此特定值 彳爰，反向重流曾急遽增加，此特定值也 就是吾人所滑的崩潰重屋（BREAKDOWN VOLTAGE ） f 吾 人所定我反向P+ - N接面之反向電 流卷1UA畤之霜花崩潰霜屋，在 P + - N或N+-P之接回元件中崩？TB M,隨著N （或者P）之濾度之增加而 減小。26BURN IN50（Burn in）懸可靠性的一 槿，旨在橫瞬出哪些在使用初期即揖壤 的品，而在出1T前予以剔除。58燎的作法，乃是符元

44、件品） 至於高溫的琪5,加上指定的正向或 反向的直流重屋，如此殘留在晶粒上氧 化唇典金腐屑之外來親隹U高隹子或腐食蟲 性高隹子符容易避高隹而使故障模式（Failure Mode ）提早IB說出來,連到 育制！、剔除早期夭折品之目的。 55燎就瞬分懸靜熊53燎（Static Burn 的）典勤熊55煤!（Dynamic Burn in ） ffiS,前者在1就瞬畤，只在元件上加上 «（定的工作重屋即消耗定的功率，而 彳爰者除此外加肩模SHf除工作情況的 制序俞入，故敕接近除狀況，也敕殿 格。基本上，每一批品在出it前，皆i（作 百分之百的58燎，耽由於成本及交 it其等因素，有些崖品管

45、祇作抽檬（部 分）的58燎通謾彳爰才出另外 封於一些我伸yg懸它品n別?#定且別 水型附生品，亦可以抽檬的萬式暹行， 常然，具有高信賴度的品，皆i（通謾 百分之百的58燎27CAD軸助IS言十CAD : Computer Aided Designfas軸助IS言十，此名春司所包含的輪闡很 M,可泛切18月簡懸工具，所迤行之 言十；因此不僮在ICiS言十上用得到，建篥上之段言十，來械、船H之段言十，都 可能用到。在以往H膈尚未廉泛鷹用畤，段言 1者必 i（以有限之汜tt、來迤行IS言十，可 是后r所滑CAD彳爰，我伸號把一些常用 之祝刖、存入n月簡彳爰，彳爰面的is言十 者，建可省不少S（摸索的

46、工作，如 此不僮大幅地提高了言十的型碓度，使 ts#的領域迤入另一地。28CD MEASUREMENT微距測ISCD: Critical Dimension 之 HHW。通常於某一（WW次中，懸了控制其最小 距，我伸號曾裂作一些代表性之量測圄 形於晶方中，通常置於晶方之 曾言之，微距測量H常作一（0重要之裂 程指襟，可代表黃光裂程之控制好壤。 量測CD之屑次通常是封距控制敕 重要之唇次，如氮化矽、POLY、 CONT、MET等，而目前敕常用於 測量之研形有品字型，L-BAR等。29CH3COOH醋酸ACETIC ACID 醋酸澄清、瓢色液 H、肩刺激性氟味、熔黑占16.63C、沸 黑占118C

47、o典水、酒精、乙醴互溶。可 燃。冰醋酸是99.8%以上之化物，有 別於水容易的醋酸食入或吸入醋酸 有中等的毒性，封皮唐及黜肩刺激 性，危害性不大，被煤到用水沖洗。30CHAMBER真空室，反J#室密朗的空，常有特殊的用途： 制口抽真空、氟醴反或金度等。 金性寸此特殊空之槿槿外在或內在碟 坊：例如外在粒子數（particle）、混度 及內在溫度、力、IfflS流量、粒子數 等加以控制。連到晶片最佳反鷹僚件。31CHANNEL通道常在MOS雷晶醴的W趣上加上重屋（PMOS 懸負，NMOS 懸正），下的18子或11洞曾被其H埸所吸引或 排斥而使神擷卜之K域形成一反樽唇（Inversion Layer

48、 ）, 也就是具 卜之半 醇H P-type 建成 N-type Si, N-type ft成P-type Si,而典源趣和汲趣，我 伸號管耦此反樽E “通道”。通道的 II 度 “ Channel Length ” ® MOS元件的參數有著趣重要的影簪， 故我伸號封POLY CD的控制需要非常 慎。32CHIP ,DIE晶粒一片晶片（OR晶BI,即Wafer）上有 if多相同的方形小罩位，造些小罩位及 晶粒。同一晶片上每（0晶粒都是相同的情造，具肩相同的功能，每（0晶粒包裝 彳爰，可裂成一我伸號日常生活中常見 的IC,故每一晶片所能裂造出的IC數 量是很可覲的，優黑百他到襄千他不

49、等。同檬地，如果因裂造的疏忽而反生的缺黑占，往往就曾波及成百成千的 品。33CLT(CARRIER LIFE TIME )截子生命遇期一、定莪少數戴子再溫度平均畤電子被束 在原子格內，常外加能量畤， 子攫得能量，脫離隹原子格束形 成自由狀熊而參典ft流島通的的 工作，但能量消失彳爰，造些甯子/ ft洞符因在結合因素回彳復至平衡 狀!18,因數常造些戴子由被激彝彳爰 回覆平衡期耦之懸少數載子“LIFE TIME ”二、用輪闡1.IW施管和清洗槽的乾浮度2.金性寸晶片之清澈度及揖像程度封 CLT值后影簪懸A.晶片中高隹子污染濾度及污染之B.晶片中結晶缺陷浸度34CMOS互禱式金氧半蹲金Ji氧化膜半

50、醇H （ MOS , METAL-OXIDESEMICONDUCTOR ）具裝程程式及 先在覃晶矽上形成余色氧化膜，再沈稹 一屑褪晶矽（或金腐）作懸W趣，利用 家到fW趣的由怵控制MOS元件的H（醇甯或不醇ft）。按照厚重戴子的 », MOS,又可分成前初型： NMOS （由甯,于醇霜）和 PMOS （由 18洞醇H）。而互禱式金氧半醇H（CMOSCOMPLEMENTARY MOS ） U是由NMOS及PMOS黜合而成，具 有省雷、抗親儲ft能力弓金、a-PARTICLE 免疫力好等if多僵黑占，是超大型稹 路（VLSI ）的主流。35COATING光阻覆蓋符光阻剜以浸泡、刷怖、或滾

51、屋 等方法加於晶片上，耦加t阻覆蓋。 目前效果最佳的方馬旋樽法；旋樽法 乃是符晶片以真空吸附於一他可旋樽 的晶片支援器上，逾量的光阻剜加在晶 片中央，然彳爰晶片K始樽勤，晶片上的 光阻剜向外流很均勻的散在晶片 上。要得到均勻的光阻膜，旋樽速度必 須逾中？i定。而旋樽速度和光阻剜黏滯 性條OftW光阻剜的厚度。光阻剜加上彳爰，必軟烤的步驟， 以除去光阻剜中謾多的溶剜,迤而使光 阻膜檢箋硬,同畤增加光阻膜典晶片 的接合能力的主要方法就是在於逾常 湖整軟烤溫度典畤IW。余圣謾了以上的光阻膜即軟烤謾程，也 就是完成了整他1光阻覆蓋的步驟。36CROSSSECTION橫截卸IC的裂造基本上是由一屑一屑的

52、圄案 堆稹上去，而卷了瞭解堆詢案的情 造，以改善裂程或解決裂程的題，常 曾利用破壤性切割方式以甯子St微 （SEM）梆（察，而切割橫截面、a 察橫截面的方式是其中E 普遍之一 槿。37C-V PLOT重容,重屋圄群思懸,形容、SMM：也就是茨:常元件 在不同狀沈下,在W趣上施以某一重屋 畤，曾生不同之重谷值（此重屋可懸 正或H）,如此元件懸理想的元件；也 就是fW趣和汲趣IW襄乎沒有就11在未里 面（COMTAMINATION ）。常外界琪 境改建畤（溫度或屋力）,或不太曾影 簪它的重容值，利用此可 MONITOR MOS 兀件之好壤，一般 V<0.2懸正 常。38CWQC全公司品H管制以往有些管者或老, 一直都fg懸品 H管制是品管部因或品管主管的責 任，遇到品H管制做不好畤，即立即指 責品不管，道是不封的。品H管制不是品J1部因或某一覃位就 可以做好的，而是全公司每一部因全H 人H都參典才方旨做好。固品H管制懸連 到管的目的,必i（結合公司內所有部 因全醴人11曲力合作,橫成一（0能共同亦於If施的醴系，或使工作襟舉 化，且使所定的各槿事叫行，使 自市埸洲查、研究、H彝、言十、探H、 裂造、檢查、制S氤出金肖售、服矜 懸止的每一 P皆段的品11都能肩效的管 理，道就是所滑的全公司品H管制（ CompanyWideQuali