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1、N型半導體型半導體多余電子多余電子磷原子磷原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多數載流子多數載流子自由電子自由電子少數載流子少數載流子空穴空穴+N型半導體型半導體自由電子自由電子電子空穴對電子空穴對 P型半導體型半導體空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多數載流子多數載流子 空穴空穴少數載流子少數載流子自由電子自由電子P P型半導體型半導體空穴空穴電子空穴對電子空穴對P型半導體型半導體N型半導體型半導體+擴散運動擴散運動內電場內電場E漂移運動漂移運動擴散的結果是使空間電擴散的結果是使空間電荷區逐漸加寬。荷區逐漸加寬。內電場越強，就使漂移內電場越強

2、，就使漂移運動越強，而漂移使空運動越強，而漂移使空間電荷區變薄。間電荷區變薄。空間電荷區，空間電荷區，也稱耗盡層。也稱耗盡層。+REPN 結正向偏置結正向偏置內電場內電場外電場外電場變薄變薄PN+_內電場被削弱，多子內電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。較大的擴散電流。單向導電性單向導電性 二極管的伏安特性二極管的伏安特性UI死區電壓死區電壓 硅管硅管0.5V,鍺管鍺管0.2V。導通壓降導通壓降: : 硅硅管管0.7V,鍺管鍺管0.20.3V。反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR0ADBBECNNPEBRBECIE基區空穴基區空穴向發射區向發射區的擴散可的擴散可忽略。忽略。IB進入進入P區的電子區的電子少部分與基區的少部分與基區的空穴復合，形成空穴復合，形成電流電流IB ，多數擴多數擴散到集電結。散到集電結。發射結正發射結正偏，發射偏，發射區電子不區電子不斷向基區斷向基區擴散，形擴散，形成發射極成發射極電流電流IE。晶體三極管內部載流子的運動規律晶體三極管內部載流子的運動規律BECNNPEBRBECIE集電結反偏，集電結反偏，有少子形成的有少子形成的反向電流反向電流ICBO，可忽略。可忽略。ICBOIBIC從基區擴從基區擴散來的電散來的電子作為集子作為集電結的少電結的少子，漂移子，

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