1、如有你有幫助，請購買下載，謝謝！第三章 手機基本電子線路本章精要介紹了手機常用的一些基本概念和基本電子線路，掌握這些知識，是分析手機各功能電路和整機電路的基礎，因此，本章是一名合格手機維修人員必備的基礎知識。第一節 三極管放大和開關電路在手機中，較多地采用了三極管放大和開關電路，下面作一簡要分析。一、三極管放大電路1. 放大電路的基本形式放大器是一種三端電路，其中必有一個端是輸入和輸出的共同“地” 端， 如果這個共“地” 端接于發射極的，稱為共射電路，接于集電極的，稱為共集電路，接于基極的，稱為共基電路。三種放大電路的基本電路見圖3-1 、 3-2 、 3-3 所示。這三種放大器主要性能見下表

2、所示。2. 三極管放大電路的偏置電路（1） 分壓式偏置電路圖 3-4 分壓式偏置電路。電源通過電阻R丑、R2分壓，給三極管V1的發射極提供合適的正向偏置，又給基極提供一個合適的基極電流?；鶚O回路電阻既和電源配合，使電路有合適的基極電流，又保證在輸入信號作用下，基極電流能作相應的變化。若基極分壓電阻R1=0，則基極電壓恒定等于電源電壓，基極電流就不會發生變化，電路就沒有放大作用。R丑與R2構成一個固定的分壓電路，達到穩定放大器工作點的作用。在電路中，Rl 被稱為上偏置電阻，R2 被稱為下偏置電阻。電源通過集電極電阻R3 給集電極加上反向偏壓，使三極管工作在放大區（ 只有當三極管的集電極處于反向偏

3、置，發射極處于正向偏置，三極管才能工作在放大區），同時電源也給輸出信號提供能量。集電極電阻R3的作用是把放大了的集電極電流的變化轉化為集電極電壓的變化，然后輸出（ 實際上就是把三極管的電流放大轉化為電壓放大，從而使三極管放大電路具有電壓放大能力）。若集電極電阻 R3=0,則輸出電壓恒定等于電源電壓，電路失去電壓放大作用。電容C1和C3分別為輸入與輸出隔直電容，又稱耦合電容。C1、C3使放大器與前后級電路互不影響，同時又起交流耦合作用，讓交流信號順利通過。為避免交流信號電壓在發射極電阻R4 上產生壓降，造成放大電路電壓放大倍數下降，常在R4的兩端并聯一個電容（C2）。只要C2的容量足夠大，對交流

4、分量就可視作短路。C2稱為發射極交流旁路電容。（2） 固定式偏置電路圖 3-5 固定式偏置電路。圖中，R1為偏置電阻，為V1管基極提供基極電流，R3為集電極負載電阻，R4為發射極負反饋電阻。C3為發射極旁路電容。3. 三極管放大電路的分析當沒有信號輸入到放大電路時，放大電路中各處的電壓、電流是不變的直流，這時稱電路的狀態為直流狀態或靜止工作狀態，簡稱靜態。靜態時，三極管具有固定的基極電流、偏壓、集電極電流和集電極電壓，稱為直流工作點或靜態工作點。當輸入交流信號后（ 注意： 控制信號通常是直流控制電壓） ，電路中各處的電壓、電流是變動的，這時電路處于交流狀態或動態工作狀態，放大電路中各處的電壓、

5、電流是隨輸入信號的變化而變化的。對于共發射極放大電路，當放大電路無信號輸入時，三極管電路各處的電壓電流不變，當有輸入信號進入，且在信號的正半周時，信號電壓疊加在基極電壓上，基極電壓上升，基極電流上升，使三極管的集電極電流以一定的倍數增長。集電極電流的增大使集電極電阻上的電壓降增大，導致集電極電壓下降。當信號處于負半周時，信號電壓使基極電壓下降，基極電流下降， 使三極管的集電極電流也急劇下降。集電極電流的減小使集電極電阻上的電壓降減小，導致集電極電壓增大。由于集電極電流的變化量比基極電流的變化量大，所以集電極電壓的變化量也比基極電壓的變化量大，從而使基極信號被放大輸出。對于共集電極和共基極電路的

6、分析，這里不再介紹。在進行三極管放大電路分析時，要注意三極管的偏壓（ 硅材料的三極管的基極偏壓在0.65V 左右，鍺材料的三極管的基極偏壓在 0.2V 左右 ） 。 而集電極電壓通常接近相應的電源電壓。通過測量這些電壓，就基本上可以判斷三極管是否能比較正常地工作。二、三極管開關電路在手機電路中，除了使用三極管的放大電路，還經常用到三極管的開關電路。三極管開關電路在手機電路中通常用作某一個單元電路的電源電子開關。工作在開關狀態下的三極管處于兩種狀態，即飽和狀態和截止狀態。以NPN型三極管來說，當三極管的基極有一個高電平時（ 一個遠遠大于三極管偏置電壓的電壓） ， 則三極管飽和導通，這時的三極管集

7、電極與發射極之間的電阻很小，發射極電壓基本上等于集電極電壓，就像開關閉合一樣：當三極管的基極有一個低電平時（一個遠遠低于三極管偏置電壓的電壓） ，三極管截止，這時的三極管集電極與發射極之間的電阻很大，集電極電壓近似等于電源電壓，發射極電壓近似等于0V。例如，在圖3-6所示的電路中，當三極管基極加一個2V的脈沖信號時，其集電極將輸出一個5V的反相脈沖。第二節 振蕩電路在手機電路中，用以產生一本振、二本振和基準頻率的振蕩電路有多種，應用較多的是LC電容三點式的振蕩電路和石英振蕩電路，下面簡要分析。一、電容三點式振蕩電路電容三點式的振蕩電路由于高頻性能好，在手機的頻率合成器電路中得到了廣泛的應用，振

8、蕩電路與變容二極管一起構成一個壓控振蕩電路（VCO電路），用以產生穩定的一本振或二本振信號。1. 電容三點式基本電路電容三點式振蕩器基本電路如圖3-7 所示。該電路實質上是一個放大器，只不過它沒有輸入而產生輸出，在滿足振蕩條件的情況下，即電路具備正反饋條件的情況下可以產生振蕩。2. 考畢茲振蕩電路以上電路是一種性能優良的振蕩屯路，但是， 它有兩個缺點：一是不能作為頻率可調的振蕩器；二是振蕩器的頻率穩定性較差。為了克服這兩個缺點，提出了改進型的電容三點式振蕩電路，如圖3-8 所示。這種電路又叫考畢茲振蕩電路。從圖可以看出，改進的方法很簡單，只是在振蕩回路的電感支路上串聯了一支小電容C3, C1、

9、C2對振蕩頻率的影響大大減小，振蕩頻率主要由 C3決定，可以通過調整 C3來改變振蕩頻率而不影響反饋。3. 壓控振蕩電路(VCO)在上圖中，若將C3換成一個變容二極管，就變成了圖3 9所示的電路。這種電路是通過改變變容二極管的反偏壓VD來使變容二極管的結電容發生變化，從而改變了振蕩頻率。由手是用電壓來控制頻率的變化，從這個意義上說，這樣的電路稱為壓控振蕩電路。壓控振蕩電路在手機一本振、二本振等振蕩電路中得到了廣泛的應用，如摩托羅拉 V998手機的一本振和二本振電路就采用了這種形式的壓控振蕩電路，不過，對于大多數手機，本振電路則是將整個壓控振蕩電路全部給合在一起封裝起來，組成一個VCC組件，只有

10、幾引腳(一般有供電腳、接地腳、輸出腳和控制腳) 和外電路相連，但不管如何組合，內部工作原理卻是不變的，仍是一個壓控振蕩電路。二、石英晶體振蕩電路1. 石英晶體的特性石英晶體是一種天然結晶體，具有穩定的物理化學性能，石英晶體之所以能成為電的諧振器，是利用了它特有，的壓電效應，當機械力作用于晶片時，晶片的兩面將產生電荷，呈現出電壓，這稱為正壓電效應，當晶片兩面加上電壓時，晶片又會發生形變，這稱為反壓電效應。因此，若在晶片兩端加上交變電壓時，晶片將隨交流信號的變化而產生機械振動，晶片本身有一固有的振動頻率，頻率的高低取決于晶片的幾何尺寸和結構。當外加交流信號的頻率與晶片固有的機械振蕩頻率相等時，就會

11、發生諧振現象。它既表現為晶片的機械共振，又表現為電諧振，這時有很大的電流流過晶片，產生電能和機械能的轉換。2. 石英晶體的等效電路石英晶片的諧振特性可以用一個串并聯諧振回路來等效，等效電路和電路符號如圖3-10 所示。石英晶體的諧振曲線如圖3-11 所示。當 ffq 時，等效回路又呈容性。石英晶體的諧振頻率fq、fq非常穩定，因為Lq、Cq、C0由晶片尺寸決定，它們受外界因素影響極小，且石英晶體有很高的品質因素。石英晶體作回路元件時，應工作在感性區，等效為一個電感元件，從諧振曲線可以看出，石英晶體在一個很窄的范圍內(fq-fq) 才呈現感性，且在這個狹窄的頻率范圍內感性曲線非常陡峭，因此，對頻

12、率的補償能力極強。需要說明的是：石英晶體不應工作在容性區，這是因為即使晶體的壓電效應失效，晶體仍有靜電容, 它仍呈容性狀態，因此，晶體如果作為電容元件接在回路中，一旦壓電效應失效，晶體仍能工作，振蕩器仍可維持振蕩，但石英晶體已完全失去了穩頻作用，這就違背了使用石英晶體的本意。3. 石英晶體振蕩電路石英晶體振蕩電路形式有很多種，常用的有兩類：一類是石英晶體接在振蕩回路中，作為電感元件使用，這類振蕩器稱為并聯晶體振蕩器；另一類是把晶體作為串聯短路元件使用，使其工作于串聯諧振頻率上，稱為串聯晶體振蕩器。(1) 并聯晶體振蕩器這類晶體振蕩器的原理和一般LC振蕩器相同，只是把晶體接在振蕩回路中作為電感元

13、件使用，并與其它回路元件一起，按照三點式電路的組成原則與晶體管相連。圖 3-12(a) 是一種用晶體構成的考畢茲電容三點式振蕩電路。圖 3 12(b) 為交流等效電路。石英晶體的振蕩頻率由石英諧振器和負載電容CL共同決定。所謂“負載電容”是指從晶振的插腳兩端向振蕩電路的方向看進去的等效電容，晶振在振蕩電路中起振時等效為感性，負載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。對于上圖所示電路，負載電容 cI由c、c2、c3共同組成，由于 C3遠遠小于C1和C2,可見石英晶體確定后，Lq、CO Cq也就 確定了，振蕩頻率主要由C3決定，實際電路中，C3一般用一個變容二極管代替，通過改變變容二

14、極管的反偏壓皿來使變容二極管的結電容發生變化，從而改變了振蕩頻率。使振蕩頻率符合要求。(2) 串聯晶體振蕩電路串聯晶體振蕩電路是把晶體接在正反饋支路中，當晶體工作在串聯諧振頻率上時，其總電抗為零，等效為短路元件，這時反饋作用最強，滿足振幅起振條件。圖3-13(a) 給出了一種串聯晶體振蕩電路的實際電路，圖3-13(b) 為其交流等效電路。由圖可知，該電路與電容三點式振蕩電路十分相似，所不同的只是反饋信號不是直接接到晶體管的輸入端，而是經過石英晶體接到振蕩的發射極，從而實現正反饋。當石英晶體工作在串聯諧振頻率時，石英晶體呈現極低的阻抗，可以近似地認為是短路的，則在這個頻率上，該電路與三點式振蕩器

15、沒有什么區別?；谶@種原理，我們可以調諧振蕩回路，使振蕩頻率正好等于晶體的諧振頻率，這時，正反饋最強，正好滿足起振條件。對于其它頻率，石英諧振器不可能發生串聯諧振，它在反饋支路中呈現一個較大的電阻，使振蕩電路不能滿足起振；條件，故不能振蕩。可見，串聯石英晶體振蕩器的振蕩頻率及頻率穩定度都是由石英諧振器的串聯振蕩頻率決定的，而不是由振蕩回路決定的。顯然， 由振蕩回路元件決定的固有頻率，必須與石英諧振器的串聯諧振頻率相一致。由于串聯晶振電路中振蕩頻率等于晶體串聯諧振頻率，因此它不需要外加負載電容CL,通常這種晶體標明其負載電容為無窮大。在實際應用中，若有小的誤差，則可以通過回路電容C3 來微調頻率

16、。實際電路中，C3一般用一個變容二極管代替，通過改變變容二極管的反偏壓皿來使變容二極管的結電容發生變化，使串聯晶振電路中振蕩頻率等于晶體串聯諧振頻率。4. 使用石英晶體時應注意的事項為了正確地使用石英諧振器，充分利用其優點，有必要指出使用石英諧振器時應注意的事項。(1) 石英晶體諧振器成品上標有一個標稱頻率，當電路工作在這個標稱頻率時，頻率穩定度最高。這個標稱頻率通常是在成品出廠前，在石英晶體上并接一定的負載電容條件下測定的。在實際組成石英晶體振蕩器時必須在石英晶體兩端并接負載電容， 且負載電容必須符合石英晶體技術條件中所規定的數值，這個電容大都采用微調電容，以便調整。規定的負載電容值載于廠家

17、的產品說明書中，通常為30pF(高頻晶體)，或為100pF (低頻晶體)，或標示為田(這是指無需外接負載電容，通常用在串聯晶體振蕩器中) 。(2) 石英晶體諧振器的激勵電平應在規定范圍內。石英晶體諧振器在振蕩器中被激勵時，要通過激勵電流，要消耗一定的激勵功率。 在實際應用時，應使輸入石英晶體的激勵功率不超過額定值。過高的激勵功率會使石英諧振器內部溫度升高，使石英晶片的老化效應和頻率漂移增大；極強的激勵功率會使石英晶片的機械振動過于劇烈而損壞。(3) 在并聯石英晶體振蕩器中，石英晶體只能工作在感性區，而不能工作在容性區。因為若把晶體當作容性元件使用，一旦壓電效應失效，它仍呈容性，此時振蕩器仍可能

18、維持振蕩，但石英晶體已失去穩頻作用。(4) 由于石英諧振器在一定的溫度范圍內才具有很高的頻率穩定度，當對頻率穩定度要求很高時，可以考慮采用恒溫設備或溫度補償措施。(5) 晶振在振蕩電路中起振時等效為感性，負載電容與晶振的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。負載電容值不同，振蕩器的振蕩頻率也不一樣，改變負載電容的大小，就可以改變振蕩頻率。因此，通過適度調整負載電容，一般可以將振蕩器的振蕩頻率精確地調整到標準值。在晶振資料主要參數中提供的負載電容是一個測試條件，也是一個不容忽視的使用條件，忽略這個負載電容參數，會使振蕩頻率偏離標準值，偏離過大時會使振蕩器起振困難造成停振。(6)晶振的負載電容有

19、高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF,而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振蕩頻率偏離。兩類不同負載電容的晶振使用方式絕然不同。低負載電容晶振都串聯幾十pF 容量的電容器；而高負載電容晶振不但不能串聯電容器，還須并聯數pF 小容量電容器( 外電路的分布電容有時也能取代這個并聯小電容) 。第三RC和LC電路在手機電路中，由電阻、電容和電感網絡構成的電路應用十分廣泛，RC LC電路可以構成許多用途的電路，理解和領會RCLC 電路對分析手機電路圖十分重要。下面簡要介紹o一、RC電路1 .RC 串聯電路圖3-14是RC串聯電路及該網絡的阻抗特性曲線。圖 （a）中，R1、C1串聯，

20、由于C1對各種頻率信號的容抗是不同的，這樣整個RC網絡的阻抗特性便如圖（b）所示。這一 RC網絡對各頻率信號呈現不同的阻抗。當信號頻率大于轉折頻率f01后，整個網絡的阻抗 Z=R1。這是因為當信號頻率大到一定程度后，Rc 串聯網絡的總阻抗便有R1 大小來決定。當信號頻率低于f01時，由于信號頻率已較低了，C1的容抗已較大而不能忽視，此時RC串聯網絡的總阻抗為 R1和cl容抗之和。又因為c1 的容抗隨頻率降低而增大，所以特性曲線中頻率f 小于 f01 的一段是上升的，這樣，頻率愈低，阻抗愈大。當 R 重不變時，C1 大，轉折頻率??；反之，C1 小，轉折頻率大。同樣，通過改變R1 的大小也可以改變

21、f01 。2 .RC 并聯電路圖3-15所示是RC并聯電路及該網絡的阻抗特性曲線。這一網絡的阻抗特性曲線也有一個轉折頻率f01 ， f01 由下式決定：當信號頻率低于轉折頻率 f01時，頻率愈低，C1容抗愈大于R10此時C1相當于開路，RC并聯網絡阻抗由R1決定，小于f01 部分為平直線，大小為R1 阻值。當信號頻率大于轉折頻率f01 時， c1 的容抗可以與R1 阻值比較，此時總的阻抗是R1 和 C1 容抗的并聯值由于頻率升高后c1容抗下降，所以 RC并聯網絡總的阻抗斜率下降，且頻率愈高，網絡的阻抗愈小。改變 C1或R1大小時，轉折頻率也要作相應改變。3.RC 串并聯電路RC串并聯電路及阻抗

22、特性曲線如圖3-16所示。這里不再分析。二、 LC 電路1 .LC 串聯諧振網絡圖 3-17 為 LC 串聯諧振網絡。LC 串聯諧振網絡有一個固有諧振頻率f0.從上式可以看出，仍只與 11、C1大小有關，而與R1的大小無關。L1、C1大，諧振頻率反而低。當送人LC串聯諧振網絡的信號頻率等于該網絡固有諧振頻率扔時，網絡便發生串聯諧振現象。串聯諧振具有如下特性：（1）諧振時網絡的阻抗為最小，且為純阻性，在仍處的阻抗達最小，為回路中的直流電阻R1o當信號頻率大于或小于 f0時，該網絡的阻抗均大于f0 時的阻抗。信號頻率愈是偏離仍，網絡的阻抗愈大。（2）諧振時L1上的電壓等于C1上的電壓，并且等于信號

23、電壓的Q彳t（Q為品質因素），所以，串聯諧振又稱電壓諧振。2 .LC 并聯詣振網絡圖 3-18 是 LC 并聯諧振網絡及阻抗特性曲線。R1 是 L1 的直流電阻。LC 并聯諧振網絡的諧振頻率f0 由下式決定：從上式中可以看出，LC 并聯諧振網絡的諧振頻率與R1 無關，只與11、 C1 有關。當信號頻率等于該網絡的固有諧振頻率時，該 LC 網絡發生并聯諧振現象。LC 并聯諧振具有如下特性：(1) 并聯諧振時網絡的阻抗達到最大，并為純阻性，阻抗大小為Q2R1。(2) 回路電壓達到最大值，即L1、 Cl 上的信號電壓達到最大值。(3)回路總電流很小，而電容、電感支路的電流達到最大值，為回路總電流的Q

24、倍。但電容、電感支路的電流方向相反、大小相差不多，其差值為回路的總電流。由于并聯諧振時電容、電感支路中的電流達到最大值，所以并聯諧振又稱電流諧振。(4) 不同的 Q 值有不同的曲線，Q 值大的曲線尖銳。在諧振頻率扔處，網絡阻抗為最大。當信號頻率f 高于或低于扔時，網絡的阻值均下降，且信號頻率f 偏差 f0 愈多，網絡阻抗愈小。三、濾波器濾波器是一種讓某一頻帶內信號通過，同時又阻止這一頻帶外信號通過的電路，濾波器分為無源濾波器和有源濾波器。無源濾波器又分為：RC濾波器和LC濾波器，RC濾波器又分為：低通 RC濾波器、高通 RC濾波器和帶通RC濾波器。LC濾波器又分為低通LC濾波器、高通LC濾波器

25、和帶通LC濾波器。有源濾波器分為有源高通濾波器、有源低通濾波器和有源帶通濾波器等。下面簡要分析RC和LC無源濾波器。1. RC 無源濾波器2. (1) 低通濾波器圖3 19是一種RC無源低通濾波器。圖(a)是低通濾波器電路，圖(b)是它的幅頻特性曲線。可以看出，低通濾波器的作用是讓低于轉折頻率f0 的低頻段信號通過，而將高于轉折頻率f0 的信號去掉。這二低通濾波器的工作原理是，當輸入信號VI中頻率低于轉折頻率f0的信號加到電路中時，由于C1的容抗很大而無分流作用， 所以這一低頻信號經Rl 輸出。 當 Vi 中頻率高于轉折頻率f0 時， 因 C1 的容抗已很小，故通過 R1 的高頻信號由C1 分

26、流到地而無輸出，達到低通的目的。這一RC低通濾波器的轉折頻率仍由下式決定：3. ) 高通濾波器圖3-20是RC元件構成的高通濾波器。圖(a)是電路，圖(b)是這一高通濾波器的幅頻特性曲線。從這一曲線可以看出，當輸入信號VI中頻率低于轉折頻率仍時，輸出受到明顯的衰減。高于轉折頻率f0的信號輸出大。這一電路的工作原理是，當頻率低于f0 的信號輸入這一濾波器時，由于 C1 的容抗很大而受到阻止，輸出減小，且頻率愈低輸出愈小。當頻率高于f0 的信號輸入這一濾波器時，由于 C1 的容抗很小，故對信號無衰減作用，這樣該濾波器具有讓高頻信號通過，阻止低頻信號的作用，這一電路的轉折頻率扔由下式決定：4. ）

27、帶迪濾汲器帶通濾波器可以讓一定頻帶的信號通過，而阻止頻帶以外的信號。將高通濾波器和低通濾器組合在一起，適當設計電路參數，就可以構成所需要的帶通濾波器。2.LC 無源濾波器LC 濾波器適用于高頻信號的濾波，它由電感L 和電容 C 所組成，由于感抗隨頻率增加而增加，而容抗隨頻率增加而減小，因此，LC低通濾波器的串臂接電感，并臂接電容，高通濾波器的L、C位置，則與它相反。帶通濾波器則是二者的組合。需要說明的是，手機中的很多濾波器，如射頻濾波器、一中頻濾波器、二中頻濾波器、發射濾波器等均已模塊化。而不再是由簡單的分立元件組成。RC、 LC 還可以組合成許多電路，如選頻放大電路、低頻補償電路、高頻補償電

28、路、積分電路、微分電路、移相電路、陷波器等，這里不再一一分析。第四節場效應管電路手機電路中較多地采用了場效應管，場效應管與晶體管不同，它是一種電壓控制器件（ 晶體管是電流控制器件） ， 其特性更象電子管，它具有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。一、場效應管的分類根據電場對導電溝道控制方式的不同，場效應管可分為結型和絕緣柵型兩種。結型場效應管是利用加在 PN結上的反向電壓的大小控制PN結的厚度，從而改變導電溝道的寬窄，實現對漏極電流的控制作用。絕緣柵場效應管是利用絕緣柵在外電壓的作用下，產生的感應電荷控制導電溝道的寬窄，絕緣柵場效應管又稱為金金屬氧化物場效應管簡稱MO

29、潸。絕緣柵型場效應管又分為增強型和耗盡型兩種，我們稱在正常情況下導通的為耗盡型場效應管，在正常情況下斷開的稱增強型效應管。增強型場效應管特點是：當 Vgs=0時，Id（漏極電流）=0,只有當Vgs增加到某一個值時才開始導通，有漏極電流產生。 并稱開始出現漏極電流時的柵源電壓Vgs 為開啟電壓。耗盡型場效應管的特點是：漏、源極間一開始就有一個原始導通溝道，即使Vgs=0,在漏極電壓的作用下也有較大的漏極電流。根據半導體材料的不同，每一種又可分為N溝道和P溝道兩類。這樣，總共有六種場效應管。即：N 溝道結型場效應管、P 溝道結型場效應管、N 溝道增強型場效應管、N 溝道耗盡型場效應管、P 溝道增強

30、型場效應管和P 溝道耗盡型場效應管。場效應管分為三個極，分別是控制柵極G（相當于三極管的基極 B）、源極S（相當于三極管的發射極 E）和漏極D（相當于三極管的集電極C）。場效應管的分類、符號及特性曲線見上圖3-21 所示。二、場效應管的偏置電路與三極管一樣，場效應管必須加上適當的偏置，才能正常工作，這里介紹常用的幾種偏置電路。1.N 溝道結型場效應管的偏置電路(1) 自偏置電路如圖 3-22 所示。它是利用漏極電路流過源極電阻RS,使得源極被提高了一個小的正電位。而柵極則保持零電位，柵極相對于源極呈現負電壓，即：Vgs=-IsRs=-IDRDo ,滿足了它的反向偏置要求。RD是漏極電阻，起負載

31、作用。(2) 分壓式偏置電路，如圖 3-23 所示。分壓器式偏置電路類似三極管的分壓式偏置電路。柵極電壓VG由電阻R1和R2構成的分壓器提供。這偏置穩定性比自偏置電路好。由于N溝道結型場效應管的 Vgs<0,因此，2.MOS場效應管的偏置電路(1)耗盡型MO骸效應管的偏置電路耗盡型MO骸效應管可采用自偏置和分壓器式偏置。對于N溝道耗盡型 MO場效應管來說，柵源為負、零或。正偏置，漏源為正。對于P溝道耗盡型MO骸效應管來說，柵源為正、零或負偏置，漏源為負。(2)增強型MO骸效應管的偏置電路增強型MO骸效應管要求柵極保持為正向偏置，而不能采用自偏置電路。N溝道MO場效應管柵源為正偏置， 漏源

32、為正偏置，P溝道MO凝效應管柵源為負偏置，漏源為負偏置。第五節 手機常用電路圖介紹電路圖就是為了人們方便，使用約定的電路符號在紙上繪制的一種圖形，是一種用來表示相應的實際電路的一種圖紙。人們根據圖紙來進行工程分析或進行其他技術作業，大大地提高了工作效率。手機電路圖主要有方框圖( 包括集成電路內部方框圖) 、單元電路圖、等效電路圖、整機電路圖、印刷線路圖等多種。手機圖紙的雖然種類很多，但對于維修人員來說，通常了解方框圖、電路原理圖、元件分布圖就可以了。一、手機方框圖手機方框圖是一種用各種方框和連線來表示手機電路工作原理和構成概況的電路圖。在這種圖紙中，除了方框和連線，幾乎就沒有別的符號了。它與手機原理圖的區別，就在于手機原理圖詳細地繪制了手機電路的全部元器件與它們的連接方式，而手機方框圖只是簡單地將電路按照