1、電子電路分析與制作試題庫第一部份 應知部分一、單項選擇題：1. 差分放大電路是為了_而設置的。 ( )A、穩定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移2. 共集電極放大電路的負反饋組態是_。 ( )A、壓串負 B、流串負 C、壓并負3. 差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ_倍。( )A、1 B、2 C、34. 為了使放大器帶負載能力強，一般引入_負反饋。 ( i. A、電壓 B、電流 C、串聯1、 三端集成穩壓器CW7812的輸出電壓是_。b) A、12V B、5V C、9VA、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率5. 共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放

2、大電路_能力。A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低6. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在_之間變化。 A、020 B、20200 C、20010007. 單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=_Uz A、0.45 B、0.9 C、1.28. 單相橋式整流電容 波電路輸出電壓平均在Uo=( )U2。()A 0.45 B 0.9 C 1.2 9. 三端集成穩壓器CW7906的輸出電壓是_(A -6V B -9v C -12v10. 差分放大電路是為了_而設置的。A穩定Au B放大信號 C抑制零點漂移11. KMCR是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大

3、電路_能力。)A放大差模抑制共模 B 輸入電阻高 C輸出電阻低12. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在_變化。A 0-20 B 20 -200 C 200-100013. 共集電極放大電路的負反饋組態是_。(A、壓串負 B、流串負 C、壓并負14. 差分放大電路RE上的直流電流IEQ近似等于單管集電極電流ICQ_倍。(A、1 B、2 C、315. 為了使放大器帶負載能力強，一般引入_負反饋。(A、電壓 B、電流 C、串聯16. 差分放大電路是為了_而設置的。A、穩定Au B、放大信號 C、抑制零點漂移17. 共模抑制比是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路_能力。(

4、A、放大差模抑制共模 B、輸入電阻高 C、輸出電阻低18. LM386是集成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在_之間變化。()A、020 B、20200 C、200100019. 單相橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值Uo=_Uz ()A、0.45 B、0.9 C、1.220. 振蕩器的輸出信號最初由_而來的。(C)A、基本放大器 B、選頻網絡 C、干擾或噪聲信號 21. 三端集成穩壓器CW7906的輸出電壓是_ (A -6V B -9v C -12v22. KMCR是差分放大電路的一個主要技術指標，它反映放大電路_能力。(A放大差模抑制共模 B 輸入電阻高 C輸出電阻低23. LM386是集

5、成功率放大器，它可以使電壓放大倍數在_變化。()A 0-20 B 20 -200 C 200-100024. 單相橋式整流電容 波電路輸出電壓平均在Uo=( )U2。A 0.45 B 0.9 C 1.2 25. （2）RC串并聯網絡在時呈 。()A感性 B阻性 C 容性26. 通用型集成運放的輸入級多采用 。)A.共基接法 B.共集接法 C.共射接法 D.差分接法27. 兩個相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數約為 。()A. B.2 C.2 D.1+28. 硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管的 。(A. 大 B. 小 C. 相等29. 在橋式（文氏橋）RC正弦波振蕩電路中， 。()A.A=

6、-1800，F=+1800 B. A=+1800，F=+1800 C.A=00，F=0030. 集成運放的互補輸出級采用 。()A.共基接法 B.共集接法 C.共射接法 D.差分接法31. 兩個相同的晶體管組成復合管后，其電流放大系數約為 。()A. B.2 C.2 D.1+32. 硅二極管的正向導通壓降比鍺二極管的 。()A. 大 B. 小 C. 相等33. 放大器的輸入電阻高，表明其放大微弱信號能力 。（）、強、弱、一般34. 射極跟隨器具有 特點。（）、電流放大倍數高、電壓放大倍數高、電壓放大倍數近似于且小于輸入電阻高，輸出電阻低35. 引入并聯負反饋，可使放大器的 。（）、輸出電壓穩定

7、、反饋環內輸入電阻增加、反饋環內輸入電阻減小36. 直接耦合放大器的低頻特性比阻容耦合放大器的 。（）、好、差、相同37. 工作在線性區的運算放大器應置于 狀態。（）、深度反饋 、開環 、閉環38. 產生正弦波自激震蕩的穩定條件是 。（） A、引入正反饋 B、|AF|1 C、AF=139. 測量脈沖電壓（例如尖脈沖）的峰值應使用 。（）、交流毫伏表、直流電壓表 、示波器、40. 整流的目的是 。( A )A. 將交流變為直流 B. 將高頻變為低頻 C. 將正弦波變為方波41. 在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則 。(A. 輸出電壓約為2UD B. 變為半波直流 C. 整流管將因電流過

8、大而燒壞42. 直流穩壓電源中濾波電路的目的是 。( )A. 將交流變為直流 B. 將高頻變為低頻 C. 將交、直流混合量中的交流成分濾掉43. 濾波電路應選用 。( )A.高通濾波電路 B. 低通濾波電路 C. 帶通濾波電路44. 串聯型穩壓電路中的放大環節所放大的對象是 。( )A. 基準電壓 B. 采樣電壓 C. 基準電壓與采樣電壓之差45. 開關型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 。( )A. 調整管工作在開關狀態 B. 輸出端有LC濾波電路 C. 可以不用電源變壓器46.下列邏輯代數運算錯誤的是。)A.  A·0=0   

9、0;  B.  A+1=A  C.  A·1=A      D.  A+0=A  47.在何種輸入情況下，“或非”運算的結果是邏輯1。（ ）A.  全部輸入為0B.  全部輸入為1C.  任一輸入是0，其它輸入為1D.  任一輸入是1 48.當某種門的輸入全部為高電平，而使輸出也為高電平者，則這種門將是（   ）。A與非門及或非門    B與門C或門及異或門 

10、0;    D與門及或非門     49.TTL與非門的扇出系數是（ ）。A 輸出端允許驅動各類型門電路的平均數目B 輸出端允許驅動同類型門電路的最小數目C 輸出端允許驅動同類型門電路的最大數目  D 以上各項都不是 50.一個16選1的數據選擇器（十六路數據選擇器），其地址輸入（選擇控制輸入）端有（  ）。A1個   B2個   C4個   D8個 51.對于JK觸發器，輸入J0，K1，CP脈沖作用后，觸發器的狀態應為（ 

11、）。A1        B0    C不定     D 以上各項都不是 52.異步時序電路和同步時序電路比較，其差異在于（  ）。A沒有觸發器    B沒有統一的時鐘脈沖控制C沒有穩定狀態  D輸出只與內部狀態有關   53.隨機存取存儲器（   ）。（）A 只讀存儲器      B揮發性存儲器C 不揮發性存

12、儲器  DA、B、C三項都不是 54.晶閘管內部有（ ）PN結。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個55.單結晶體管內部有（）個PN結。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個56.晶閘管可控整流電路中的控制角減小，則輸出的電壓平均值會（。A 不變， B 增大， C 減小。 57.單相半波可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（ ）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.58.單相橋式可控整流電路輸出直流電壓的平均值等于整流前交流電壓的（ ）倍。A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9.59.為了讓晶閘管可控整流電感性負載電路正常工

13、作，應在電路中接入（）。A 三極管， B 續流二極管， C 保險絲。60.晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機應該屬于）負載。A 電阻性， B 電感性， C 反電動勢。61.直流電動機由晶閘管供電與由直流發電機供電相比較，其機械特性（。A 一樣， B 要硬一些， C 要軟一些。62.帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路適用于（）負載。A 大電流， B 高電壓， C 電動機。63.晶閘管在電路中的門極正向偏壓（）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不變64.晶閘管兩端并聯一個RC電路的作用是（ ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。65.壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要

14、是用來（ ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。66.變壓器一次側接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對晶閘管的損壞。A 關斷過電壓， B 交流側操作過電壓， C 交流側浪涌。67.晶閘管變流裝置的功率因數比較（ ）。A 高， B 低， C 好。68.晶閘管變流器接直流電動機的拖動系統中，當電動機在輕載狀況下，電樞電流較小時，變流器輸出電流是（）的。A 連續， B 斷續， C 不變。69.普通晶閘管的通態電流（額定電流）是用電流的（）來表示的。A 有效值 B 最大賽值 C 平均值70.普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D

15、四只。71在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管72某場效應管的轉移特性如圖所示，該管為（ ）。AP溝道增強型MOS管 B、P溝道結型場效應管 C、N溝道增強型MOS管 D、N溝道耗盡型MOS管73通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（ ）。A輸入電阻高 B.輸出電阻低 C.共模抑制比大 D.電壓放大倍數大74.在圖示電路中,Ri 為其輸入電阻，RS 為常數，為使下限頻率fL 降低，應 ）。A 減小C，減小Ri B. 減小C，增大Ri

16、C. 增大C，減小 Ri 75.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯選頻網絡和（ ）。A. 基本共射放大電路 B.基本共集放大電路 C.反相比例運算電路 D.同相比例運算電路76.已知某電路輸入電壓和輸出電壓的波形如圖所示,該電路可能是（ ）。A.積分運算電路 B.微分運算電路 C.過零比較器 D.滯回比較器77正弦電壓u(t)=(V),則正弦電壓的有效值等于（）ABCD78為使放大電路的輸出電壓穩定、輸入電阻增大，需引入的交流負反饋是（）A電壓串聯B電壓并聯C電流串聯D電流并聯79（）ABCD80集成運放作為線性應用時，電路形式一般是（）A開環B正反饋C開環或正反饋D深度負反

17、饋81單相橋式整流電路，為變壓器副邊電壓有效值，則二極管承受的最高反壓為）ABCD82開關型集成穩壓器與普通線性集成穩壓器相比較，前者的突出特點是（）A穩壓效果好B效率高C濾波電容大D輸出紋波小83卡諾圖中，把8個相鄰項合并，能夠消除的變量數為（）A1個B2個C3個D4個84在下列各圖中，使輸出F=1的電路是（）85兩個一位二進制數A和B的數據比較器，表示A>B的輸出G表達式為（）ABCD86在下列各圖中,能實行的電路是（）87三極管值是反映（   ）能力的參數。A電壓控制電壓 B電流控制電流C電壓控制電流 D電流控制電壓88N溝道絕緣柵增強型場效

18、應管的電路符號是（    ）89互補對稱功率放大器是（     ）A共發射極電路 B共基極電路C共集電極電路 D差動電路90振蕩頻率較低，一般在1MHz以內的電路是（     ）A變壓器耦合振蕩器 B文氏橋振蕩器C電感三點式振蕩器 D電容三點式振蕩器91橋式整流電容濾波電路輸出電壓平均值U0(AV)= （     ）A0.45U2 B0.9U2C1.1U2 D1.2U292用三端穩壓器組

19、成穩壓電路，要求U0=5V  I0=0.5A應選用的穩壓器是（      ）ACW7805  BCW7905CCW78M05  DCW78L0593三位二進制代碼可以編出的代碼有（     ）A3種 B4種C6種 D8種94發光二極管的工作電流為（     ）A幾幾十(微安) B幾十幾百(微安)C幾十幾(毫安) D幾安培95在CP有效的情況下，當輸入端J=l、K=0時，則J-K觸發器的輸出Qn+1

20、=（     ）A1 B0CQn D 96已知邏輯函數則根據邏輯關系可等效為（     ）97用555定時器構成的施密特觸發器當5腳經電容接地時，兩個閾值電壓是（      ）98通常情況下，ADC和DAC從速度上比較（     ）ADAC比ADC快 BDAC比ADC慢C一樣快 D無法確定99.PN結在外加正向電壓的作用下，擴散電流（ ）漂移電流。a.大于 b. 小于 c. 等于100、

21、當環境溫度降低時，二極管的反向電流（ ）a.不變 b. 增大 c.減小101、測得BJT各極對地電壓為VB=4V，VC=36V，VE=34V，則該BJT工作在（ ）狀態。a.截止 b.飽和 c.放大102、NPN管工作在放大區時，三個極的電位特征是（ ）。a.VCVBVE b.VCVBVE c.VEVBVC d.VEVBVC103、為了減小輸出電阻，集成運放的輸出級多采用（ ）電路。a.共射或共源 b.差分放大 c.互補對稱104、運放的共模抑制比越大越好，因為它越大，表明運放的（ ）a.放大倍數越穩定 b.交流放大倍數越大 c.抑制溫漂能力越強105、希望接上負載RL后，VO基本不變，應引入

22、 ）負反饋。a.電壓 b.電流 c.串聯 d.并聯106、要求得到一個由電流控制的電壓源，應引入（ ）負反饋。a.電壓串聯 b.電壓并聯 c.電流串聯 d.電流并聯107、某放大電路，當輸入電壓為10mV時，輸出電壓為7V，輸入電壓為15mV時，輸出電壓為6.5V，則AV=（ ）a.700 b.100 c.-100108、某BJT的IE=1mA，IB=20A，則IC=（ ）mA109.PN結外加反向電壓時，其內電場（ C ）。a.減弱 b.不變 c.增強110.鍺二極管的死區電壓為（ ）V。a.0.5 b.0.2 c.0.3111.測得BJT各極對地電壓為VB =1.8V，VE =0V，VC=

23、12V，則該管工作在（ ）狀態。a.截止 b.飽和 c.放大 d.已損壞112.測得BJT三個管腳1、2、3對地電位分別為0V，0.2V，3V，則1、2、3腳對應的三個極是（ ）。 a、ebc b、ecb c、cbe d、bec113.OTL功放電路的輸出端通過耦合電容與負載相聯。靜態時，該電容上的電壓為（ ）。a.VCC b.VCC c.2VCC114.FET用于放大時，應工作在（ ）區。a.可變電阻 b.飽和 c.擊穿115.為了提高輸入電阻，減小溫漂，集成運放的輸入級大多采用（ ）電路。a.共射或共源 b.共集或共漏 c.差放電路116.希望靜態時，元件參數改變時對放大器靜態工作點的影響

24、較小，應引入（ ）負反饋。117.要求得到一個由電流控制的電流源，應引入（ ）負反饋。a.電壓串聯 b.電壓并聯 c.電流串聯 d.電流并聯 118.測得BJT的IB=30A時，IC=2.4mA；IB=40A時，IC=3mA，則它的值為（ ）。a、80 b、60 c、75 d、100119.PN結外加正向電壓時，其空間電荷區（ ）。a.不變 b.變寬 c.變窄120.測得BJT各電極對地電壓為：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，則該BJT工作在（ ）狀態。 a.截止 b.飽和 c.放大121. 測得放大電路中的BJT各電極對地電壓為：VB=2.7V，VE=2V，VC=6V，則該BJT

25、為（ ）。a.NPN硅管 b.NPN鍺管 c.PNP鍺管 d.PNP硅管122.OCL功放電路的輸出端直接與負載相聯 ，靜態時，其直流電位為（ ）。 a.VCC b.(1/2)VCC c. 0 d. 2VCC123.FET是（ ）控制器件。（ ） a. 電流 b.電壓 c.電場124.通常要求運算放大器帶負載能力強，在這里，負載的大小是指負載（ ）。 a.電阻大 b. 功率大 c. 電壓高125.希望放大器輸入端向信號源索取的電流比較小，應引入（ ）負反饋。a.電壓 b. 電流 c. 串聯 d.并聯126.要求輸入電阻Ri大，輸出電流穩定，應引入（ ）負反饋。 a.電壓串聯 b. 電壓并聯 c

26、.電流串聯 d. 電流并聯127.工作在放大區的BJT，IB從20A增大到40A時，IC從1mA變為2mA則它的值為（ ）。 a.10 b. 50 c.100128.若差分電路兩輸入電壓分別為Vi1=10 mV，Vi2=6mV，則Vid和Vic分別為（ ）mV。a.4 8 b.2 8 c. 4 2 d.2 4129在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態電位分別為0 V，-10 V，-9.3 V，則這只三極管是（    ）。ANPN 型硅管    B.NPN 型鍺管 C.PNP 型硅管    D.PNP 型鍺管130某場效應管的轉移特

27、性如圖所示，該管為（   ）。AP溝道增強型MOS管    B、P溝道結型場效應管 C、N溝道增強型MOS管    D、N溝道耗盡型MOS管131通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（   ）。A輸入電阻高    B.輸出電阻低    C.共模抑制比大    D.電壓放大倍數大132.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯選頻網絡和（    ）。A. 基本共射放大電路        B.

28、基本共集放大電路  C.反相比例運算電路        D.同相比例運算電路133與甲類功率放大方式相比，乙類互補對稱功放的主要優點是(    )。a不用輸出變壓器      b不用輸出端大電容      c效率高      d無交越失真134穩壓二極管穩壓時，其工作在(   )，發光二極管發光時，其工作在(    )。a正向導通區      b反向截止區 

29、 c反向擊穿區135為使PN結正向偏置，就使P區接電源（ ），N區接電源（ ）A正極、負極 B。負極、正極C正極、正極 D。負極、負極136在下圖所示電路中，穩壓管Dw1和Dw2的穩壓值分別為6V和7V，且工作在穩壓狀態，由此可知輸出電壓UO為（ ）。A6V B。7V C。0V D。1V137若分別測得放大電路中的NPN型硅管各極電位如下圖所示，則管腳分別為電極（ ）Ac、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c138如下圖所示各電路中，處于放大狀態的三極管是（ ）139為了消除基本共射放大電路的飽和失真，應（ ） A減小基極偏置電阻 B。增大基極偏置電阻 C減小集電極偏置電阻

30、D。增大集電極偏置電阻140溫度升高時，三極管的部分參數的變化規律是（ ）A、ICEO、UBE B。、ICEO、UBEC、ICEO、UBE D。、ICEO、UBE141. 以下哪些不屬于引入負反饋后對電路的影響（ ）A 使放大電路的放大倍數減小B 使放大電路通頻帶展寬C 改變放大電路的輸入輸出電阻D 使放大電路放大倍數增大142. 由NPN管組成的基本共射放大電路，輸入信號為正弦波，輸出電壓出現頂部被削平的失真這種失真是（ ） A 飽和失真 B。頻率失真 C。截止失真 D。以上均不定143表征場效應管放大能力的重要參數是（ ） A夾斷電壓Up B。低頻互導（跨導）gm C飽和漏極電流IDSS

31、D。最大柵源電壓BUGS144源極輸出器類似于（ ） A共發射極放大電路 B。共基極放大電路 C共集電極放大電路 D。共漏極放大電路145N溝道結型場效應管處于放大狀態要求（ ） AUGS>0 B。UGS=0 C。UGS<0 D。UDS=0146LC正弦波振蕩電路起振的振幅條件是（ ） AAF=0 B.AF=1 C.AF<1 D. AF>1147采用石英晶體振蕩電路的主要目的是（ ） A提高輸出信號幅度 B。抽調輸出信號的頻率 C提高輸出信號的穩定性 D。增大輸出信號的頻率范圍148雙端輸入雙端輸出差動放大器用成倍的元件來換取（ ） A對零點漂移的抑制 B. 較大的電壓

32、放大倍數 C. 較高的頻率穩定度 D. 較大的輸出信號幅度149. 與乙類功放器比較,甲乙類功放器的主要優點是( ) A. 放大倍數大 B. 頻率高 C. 無交越失真 D. 輸出信號幅度大150. 與甲類功放器比較,乙類功放器的主要優點是( ) A. 放大倍數大 D. 頻率高 C. 無交越失真 D. 輸出信號幅度大二、多選題1. 穩壓二極管是一個可逆擊穿二極管，穩壓時工作在_狀態，但其兩端電壓必須_，它的穩壓值Uz才有導通電流，否則處于_狀態。 （ ）A、 正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、導通 F、截止2. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電

33、極分別是_，該管是_型。 ( )A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）3. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_，此時應該_偏置電阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小 ( )4. 分析運放的兩個依據是_、_。 ( )i. A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=15. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是_，該管是_型。( )A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN）6. 共射極放大電路的交流

34、輸出波形上半周失真時為_失真，下半周失真時為_失真。( )A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率7. 當集成運放線性工作時，有兩條分析依據_。 ( )A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=18. 測某電路中三極管各極電位分別是0V、-6V、0.2V則三極管的三個電極分別是_，該管是_。( )A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)9. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。( )A 飽和 B 截止 C交越 D頻率10. 對功率放大器的主要要求有_ _ _( )A Uo高 B

35、 Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真11. 當集成運放線性工作時，在兩條分析依據_。( )A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=112. 測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是_，該管是_型。A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)13. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。A 飽和 B 截止 C交越 D頻率14. 當集成運放線性工作時，在兩條分析依據_。()A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D A

36、u=115. 用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是_，該管是_型。A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）16. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_，此時應該_偏置電阻。A、飽和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、減小17. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真，下半周失真時為_失真。 A、飽和 B、截止 C、交越 D、頻率 18. 測得某電路中三極管各極電位分別是3V、2.3V、12V則三極管的三個電極分別是_，該管是_型。A (E、B、C) B(B、C、E)

37、 C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)19. 共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為_失真。共射極放大電路的交流輸出波形下半周失真時為_失真。A 飽和 B 截止 C交越 D頻率20. 為了減小輸出電阻，應在放大電路中引入 ；A、 為了穩定靜態工作點，應在放大電路中引入 。（A） 電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋（D）交流負反饋21. 在（A）、（B）、（C）三種電路中輸出電阻最小的電路是 ；（A） 既能放大電流，又能放大電壓的電路是 。（B） （A）共基放大電路 （B）共集放大電路 （C）共射放大電路 22. 當NPN型晶體管工作在放大區時，各極電位關系為uC uB uE

38、 。（A） （A） > （B） < （C） = （D）23. 為了增大輸出電阻，應在放大電路中引入 ；為了展寬頻帶，應在放大電路中引入 。（A） 電流負反饋（B）電壓負反饋（C）直流負反饋 （D）交流負反饋24. 在（A）、（B）、（C）三種電路中輸入電阻最大的電路是 ；既能放大電流，又能放大電壓的電路是 。（A）共基放大電路 （B）共集放大電路 （C）共射放大電路 25. （6）當PNP型晶體管工作在放大區時，各極電位關系為uC uB uE 。（A） > （B） < （C） = （D）三、判斷題1. 在運算電路中，同相輸入端和反相輸入端均為“虛地”。 ()2. 電壓負

39、反饋穩定輸出電壓，電流負反饋穩定輸出電流。 ()3. 使輸入量減小的反饋是負反饋，否則為正反饋。 ()4. 產生零點漂移的原因主要是晶體管參數受溫度的影響。 ()5. 利用兩只NPN型管構成的復合管只能等效為NPN型管。 (6. 本征半導體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。 )7. 未加外部電壓時，PN結中電流從P區流向N區。 ()8. 集成運放在開環情況下一定工作在非線性區。 ()9. 只要引入正反饋，電路就會產生正弦波振蕩。 ()10. 直流穩壓電源中的濾波電路是低通濾波電路。 ()11. 只要滿足相位平衡條件，電路就會產生正弦波振蕩。 ()12. 引入直流負反饋可以穩定靜態工作點。 13

40、. 負反饋越深，電路的性能越穩定。 ()14. 零點漂移就是靜態工作點的漂移。 ()15. 放大電路采用復合管是為了增大放大倍數和輸入電阻。 () 16. 鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應完全相同。 ()17. 半導體中的空穴帶正電。 ()18. P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。 ()19. 實現運算電路不一定非引入負反饋。 ()20. 凡是引入正反饋的集成運放，一定工作在非線性區。 ()21. yD/A轉換器的位數越多，轉換精度越高。（ ） 22. A/D轉換器的二進制數的位數越多，量化單位越小。（） 23. A/D轉換過程中，必然會出現量化誤差。（ ） 24. 同步時序電路由組合電路

41、和存儲器兩部分組成。（ ） 25. 組合電路不含有記憶功能的器件。（ ） 26. 時序電路不含有記憶功能的器件。（ ） 27. 同步時序電路具有統一的時鐘CP控制。（ ） 28. 異步時序電路的各級觸發器類型不同。（ ） 29. 環形計數器在每個時鐘脈沖CP作用時，僅有一位觸發器發生狀態更新。（ ） 30. 邏輯變量的取值，比大。（ ）。 31. 異或函數與同或函數在邏輯上互為反函數。（ ）32. 若兩個函數具有相同的真值表，則兩個邏輯函數必然相等。（ ） 33. 因為邏輯表達式 A+B+AB=A+B 成立，所以 AB=0 成立。（ ） 34. 若兩個函數具有不同的邏輯函數式，則兩個邏輯函數必

42、然不相等。（ ） 35. 邏輯函數兩次求反則還原，邏輯函數的對偶式再作對偶變換也還原為它本身。（ ）36. 方波的占空比為 0 . 5 。（ ） 37. 數字電路中用“ 1 ”和“ 0 ”分別表示兩種狀態 , 二者無大小之分。（ ） 38. 在時間和幅度上都斷續變化的信號是數字信號，語音信號不是數字信號。（ ） 39. 運算電路中一般均引入負反饋。（ ）40. 在運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地。（ ）41. 凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關系。 （ ）42. 各種濾波電路的通帶放大倍數的數值均大于1。（ ）43. 若放大電路的放大倍數為負，則引入的反饋一定是負反

43、饋。（ ）44. 負反饋放大電路的放大倍數與組成它的基本放大電路的放大倍數量綱相同。（ ）45. 若放大電路引入負反饋，則負載電阻變化時，輸出電壓基本不變。（ ）46. 阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多，引入負反饋后，越容易產生低頻振蕩。（ ）47. 只要在放大電路中引入反饋，就一定能使其性能得到改善。（ ）48. 放大電路的級數越多，引入的負反饋越強，電路的放大倍數也就越穩定。（ ）49. 反饋量僅僅決定于輸出量。（ ）50. 既然電流負反饋穩定輸出電流，那么必然穩定輸出電壓。（ ）51. 現測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數均為100，將它們連成兩級放大電路，其電壓放大倍數應

44、為10000。( )52. 阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立,它只能放大交流信號。( )53. 直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響，它只能放大直流信號。( )54. 只有直接耦合放大電路中晶休管的參數才隨溫度而變化。( )55. 互補輸出級應采用共集或共漏接法。( )56. 在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。( )57. 功率放大電路的最大輸出功率是指在基本不失真情況下，負載上可能獲得的最大交流功率。( )58. 當OCL電路的最大輸出功率為1W時，功放管的集電極最大耗散功率應大于1W。( )59. 在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）

45、60. 因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（ ）61. PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。（ ）62. 處于放大狀態的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（ ）64.普通晶閘管內部有兩個PN結。 （）65.普通晶閘管外部有三個電極，分別是基極、發射極和集電極。 （）66.型號為KP507的半導體器件，是一個額定電流為50A的普通晶閘管。（）67.只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關斷。 （）68.只要給門極加上觸發電壓，晶閘管就導通。 （）69.晶閘管加上陽極電壓后，不給門極加觸發電壓，晶閘管也會導通。（）70.加在晶閘管門極上的觸發電壓，最高不得超過100

46、V。 ）71.單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。（）72.晶閘管采用“共陰”接法或“共陽”接法都一樣。 （）73.增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會增大。（）74.在觸發電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設備的安全。 （）75.為防止“關斷過電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（）76.雷擊過電壓可以用RC吸收回路來抑制。 （）77.硒堆發生過電壓擊穿后就不能再使用了。 （）78.晶閘管串聯使用須采取“均壓措施”。 （）79.為防止過電流，只須在晶閘管電路中接入快速熔斷器即可。 （）80.快速熔斷器必須與其它過電流保護措施同時使用。 （）81.晶閘

47、管并聯使用須采取“均壓措施”。 （）82.在電路中接入單結晶體管時，若把b1、b2接反了，就會燒壞管子。（）83.單結晶體管組成的觸發電路也可以用在雙向晶閘管電路中。 （）84.單結晶體管組成的觸發電路輸出的脈沖比較窄。 （）85.單結晶體管組成的觸發電路不能很好地滿足電感性或反電動勢負載的要求。 （）86、PN結中的空間電荷區是由帶電的正負離子形成的，因而它的電阻率很高。（ ）87、集電結處于正偏的BJT，它一定工作在飽和區。（ ）88.BJT的值越大，放大能力越強，但在選用BJT時，并不是值越大越好。（ ）89.集電極電阻RC的作用是將集電極電流的變化轉換成電壓的變化，實現電壓放大。因此，RC的值越大，輸出電壓越高。（ ）90只要將晶體管的靜態工作點設