1、精品文檔附件：中國科學院部分LED技術成果明細表【編號：01】制造LED芯片專用光刻機技術來源單位：成都光電所技術簡介：中國科學院光電技術研究所研發光刻機已經近30年的歷史，近年來研發成功的URE-2000系列光刻機在集成電路等領域已經獲得廣泛應用，相對于國內外同類產品具有極高的性價比，已經銷售200多臺，稍加改進即可滿足LED芯片制作和封裝要求。技術特點及優勢：(1)技術指標曝光面積：150mm<150mm;分辨力：0.81m(膠厚2m正膠)；對準精度：±0.6Rm；照明均勻性：±3.5%a100mm);±5.5%d150mm)掩模尺寸：3inch、4in

2、ch、5inch、7inch;樣片尺寸：直徑415mm-M50mm、厚度0.1mm-6mm；(2)技術優勢URE-2000系列光刻機已經銷售200多臺套（其中由口美國、新加坡、越南、朝鮮等10多臺），目前占據國內最大市場份額，產品深受國內外用戶歡迎，產品2007年獲全國創新技術與產品稱號，2008年獲四川省科技進步獎，產品無論技術指標、性價比、外觀、模塊化、售后服務相對于國內外同行優勢明顯。我們光刻機共有八種型號，其中單面有五種：URE-2000A、URE-2000B、URE-2000/35、URE-2000/25、URE-2000/17,雙面有三種：URE-2000S/A、URE-2000S

3、/B、URE-2000S/25。相關圖片：圖1不同型號的光刻機【編號：02】半導體深紫外LED光源技術來源單位：中國科學院半導體研究所技術簡介：半導體深紫外光源的研究在印刷、水凈化、醫療、環境保護、高密度的信息儲存和保密通訊等領域都有重大應用價值。而以AlGaN合金為有源區的LED的發光波長能夠覆蓋210-400nm的紫外波段，是實現該波段深紫外LED器件產品的唯一理想材料。同時紫外LED具有其它紫外光源無法比擬的優勢。本項目為“863計劃支持項目，已完成小試。獲得兩項發明專利和國家科技進步二等獎。技術特點及優勢：通過詳細研究鋁錢氮材料生長的預反應問題，解決了外延晶體質量差、容易在表面形成由于

4、應力而產生的裂紋等問題。獲得了無裂紋的高結晶質量鋁錢氮材料，大幅度改善了鋁錢氮材料的晶體質量，其（0002）面的X射線雙晶衍射半高寬小于200弧秒，表面AFM測試表明其粗糙度小于1nm,并獲得了Al組分高達85%的AlGaN材料；鋁錢氮材料的CL發光波長為260nm。實現了深紫外UVLED器件的300nm以下室溫熒光發光，并在國內首次制備成功了300nm以下的深紫外LED器件，波長為280nm的深紫外器件在20mA連續驅動電流下輸生功率大于0.6mWo相關圖片:圖2半導體深紫外LED光源應用于所區路燈進行示范驗證【編號：03】大功率白光LED器件技術來源單位：中國科學院半導體研究所技術簡介：L

5、ED作為照明光源與現有的照明光源相比具有節約能源、壽命長、體積小、發光效率高、無污染以及色彩豐富等優點。雖然GaN基功率型LED的發光效率迅速提高，但量子效率、電流分布均勻性和器件散熱能力仍是制約功率型LED性能提高的技術瓶頸。本課題重點研究了不同正裝LED結構對散熱與光提取效率的影響以及光學增透膜、高反膜與N電極對提取效率的影響，通過優化正裝芯片結構設計和光學膜系設計，研制由高性能大功率藍光和白光LEDo本項目為“863計劃支持項目，已完成小試。獲得兩項發明專利和國家科技進步二等獎。技術特點及優勢：采用新型外延結構及條形結構有利于提高器件提取效率，降低熱阻。研制生的白光LED在350mA工作

6、電流下，工作電壓3.2V,突破了130lm/W技術，實現光效產業化100lm/W以上，封裝后熱阻小于7K/W。相關圖片:圖4白光LED發光照片圖3在20mA電流下，室溫連續輸出功率大于0.65mW(281nm)【編號：04】第三代寬禁帶半導體材料一氮化錢襯底晶片及相關產品技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：氮化錢（GaN）是第三代半導體材料，產品可廣泛應用于氮化錢高亮度發光二極管、藍綠光激光器二極管、射頻器件、電力電子器件等。蘇州納米所在GaN晶片中具有雄厚實力和豐富成果。技術特點及優勢：（1）小尺寸氮化錢自支撐晶片產品圖片（Photo）:性能參數(Specification)精品文檔導電類型C

7、onductionTypeN-typeSemi-insulating電阻率 Resistivity(300K)拋光 Polishing有效面積 UsableSurface Area<10>105mQcmQ,cmStandard:DoubleSidePolishedOption:SingleSidePolished>90%(2)氮化錢厚膜晶片產品圖片(Photo)厚度GaNthicknessTypical30m以位錯密度DislocationDensityLessthan3x108cm-2導電類型ConductionType電阻率Resistivity(300K)襯底Subst

8、rateN-type<10mQ,cmSemi-insulating>105Q2''sapphire(0001)(3)2英寸直徑自支撐氮化錢晶片產品圖片(Photo)性能參數(Specification)尺寸 Dimensions晶體取向Orientation2”C-axis (0001) 1段精品文檔厚度 Thickness位錯密度Dislocation Density電阻率 Resistivity(300K)載流子濃度CarrierConcentrationLess than 5 x 107cm-213 x 1018 cm-3拋光 PolishingStandar

9、d: Double SidePolishedOption: Single SidePolished有效面積 UsableSurface Area>90%【編號：05】基于同質外延技術的超大功率單芯片LED產業化技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：該項目是中科院創新項目，擁有獨立自主知識產權，技術已達國際先進水平。應用于高端半導體照明領域。技術成熟度：目前處于小批量生產階段。投資規模：6000萬可建成相應生產線。合作方式：技術合作、技術服務等。已獲得相關發明專利近10項。技術特點及優勢：技術指標：1w白光LED光通量100120lm，光效100120lm/w;3w白光LED光通量180200

10、1m,光效6070lm/w。創新內容：采用自主研發的同質氮化鎵襯底，實現垂直結構LED，提高了材料質量，減小了器件發熱；自主開發的同質外延在位監控系統及納米圖形化設計，大大提高了產品質量。【編號：06】平板顯示關鍵技術及產業化開發技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：該項目是蘇州市人才孵化項目，研發并進行產業化大尺寸液晶顯示所需的LED背光模組，可應用于平板顯示器領域，擁有中外專利23項。已完成42寸樣機研制。可通過專利許可等方式開展產業化合作，投資規模約7000萬元。技術特點：本項目技術指標：亮度提升300%、成本降低30%；動態對比度達到10000：1；使用壽命大于5萬小時；功耗低于同尺寸、同

11、亮度CCFL背光模組30%;制造成本控制在CCFL背光模組的1.3倍以內。創新內容（A）LED光源極化及保極化導光板；（B）LED光源COB封裝；（C）雙通道圖像動態驅動；（D）LED差異老化控制。相關圖片：圖6CCFL背光液晶電視的顯示效果（左），LED背光液晶電視的顯示效果（右）精品文檔精品文檔tmageContmt: H鋁e - BLU * LCDPower: fl,J2 =黑 tQ,73,0.55, 030：圖7LED背光模組時空調制實現高對比度和低功耗【編號：07】高效率高光通量LED關鍵技術及3W級LED芯片開發技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：本項目主要研究高效率、高光通量LED

12、的一些關鍵技術，針對3W級LED芯片產品進行開發研究。研究高效率、高光通量LED芯片制作的關鍵技術問題，采用自支撐同質GaN襯底實現垂直結構的條形高效率、大通量LED芯片，解決LED倒裝焊接散熱技術難題，開發由3W級100lm/W的高效率大功率LED芯片產品。在3W級的LED芯片產品方面，國際上還處于開發階段，只有少數幾家剛剛開發生產品，推向市場的就只有Osram公司，其技術瓶頸就是散熱問題，熱量如不能有效地散發由去，導致器件無法在大電流條件下工作，就無法實現高光通量LED照明。因此，解決3W級LED芯片的散熱問題，就相當于打開了半導體照明的一扇門，里面就是無限的市場。所以，各國LED大企業都

13、全力開發3W或以上級別的芯片，以獲得高額的利潤及廣闊的市場空間。【編號：08】OLED有機太陽能電池產業的關鍵材料技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：本項目主要是設計合成并提供各種有機發光二極管（OLED）材料，有機光伏材料。OLED可廣泛用于平板顯示、白光照明、有機太陽能電池等。據產業分析公司NanoMarkets報告顯示，OLED產業在過去10年總計獲得了數以10億美元計的投資，OLED材料市場到2015年將達到27億美元。該公司還預測，在實驗室測試中OLED照明的效率已經超過熒光燈，有望開創節能固體照明新時代。全球范圍內的節能趨勢將推動OLED照明產業迅速發展，并刺激市場對OLED材料的需

14、求，到2015年將有90%的OLED材料被用于照明應用。DisplaySearch公司預測OLED面板市場在2015年將突破60億美元。有機光電子產業（OLED顯示、OLED白光照明、柔性有機太陽能電池）的興起，為有機光電材料的研究開發提供了新的機遇。相關圖片：圖8單個相素的OLED發光樣品圖9各種發光金屬配合物光致熒光圖【編號：09】新型LED光源-量子點的制備及量產放大技術技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：量子點作為一種新型的半導體納米材料，具有低啟亮電壓、高色純度、發光顏色可通過控制量子點大小進行調節等優點，是理想的LED光源。量子點-LED作為一種新型綠色環保新能源，具有節能、安全、長

15、壽命等優點，將有利于緩解我國的能源和環境壓力。本項目負責人在最近幾年成功研發了一種溫和條件下制備高質量量子點的技術，所制備得到的量子點熒光發射光譜窄、量子產率高、穩定性好。擬結合納米所在LED上的優勢，通過技術成果轉化，系統研究量產放大過程中，不同工藝參數的影響規律，成功開發出高質量量子點的量產技術路線并在LED光源和顯示上進行應用。可廣泛應用于LED光源、顯示屏、太陽能、生物成像和標記。擁有1項美國專利。【編號：10】紫外LED-納米光催化空氣凈化技術與產品開發技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：紫外LED納米光催化空氣凈化技術是將新型納米功能材料與紫外LED相結合的低溫深度催化反應技術，能夠

16、將有機物分解為CO2、H2O及無機物小分子，達到徹底清除有機污染物和細菌的目的。與傳統空氣凈化器相比，LED光催化產品具有小型、節能、長效、環保、殺菌除污效率高、集成度高、應用廣泛等優點。可廣泛應用于LED光催化集成裝置的體積可按照客戶需求設計，也可單獨作為空氣凈化產品使用或者與目前家電、辦公、醫療、保健等產品配套使用，如空調、生物安全實驗室、車載凈化器、冰箱等等。已申請專利4項相關圖片：電子空穴射圖10光催化空氣凈化原理【編號：11紫外LED納米光催化污水深度處理技術與裝備開發技術來源單位：蘇州納米所技術簡介：面向國家環境保護、節能減排需求，針對目前現有有機廢水處理裝置的COD指標處理能力不

17、足，殘留或衍生有機物致使由水COD指標很難實現達標。本項目針對原有污水處理工藝設施末端，開發高效LED紫外催化氧化深度處理技術和專用設備，技術特點主要側重于難降解有機物和抑制生物反應的有毒有害物質的去除，進一步將COD污染指標控制在50mg/L以下，實現水體有機污染物的提標排放，從而確保生態環境的安全。半導體紫外納米光催化污水深度處理裝備結構緊湊，體積可隨意設計，使用安全，既可作為目前水處理過程中的前端預處理裝備，也可作為后端的深化處理裝備，可廣泛用于有機化工、石油化工、醫藥、農藥等重點行業。已申請發明專利(200810242870.4)一項，LED納米光催化有機廢水深度處理裝置技術特點及優勢

18、：本項目在已有工藝基礎上開發高效深度處理技術與裝備，深入開發與已有的水質凈化產品相配套，能實現廢水深度處理的核心技術及專用設備，解決日益迫切的污水提標排放問題。研發的重點不僅體現技術的先進性，更要強調產品的實效性、操作性、靈活性、節能，能被絕大多數中小企業所接受。【編號：12】LED圖形化襯底刻蝕系統技術來源單位：中國科學院微電子研究所技術簡介：圖形化藍寶石襯底技術(PSS)可有效減少氮化鎵外延層的外延缺陷，使外延層晶體質量明顯提高，有效提高氮化鎵基LED的光功率。本項目開發出的高亮度/超高亮度LED圖形化襯底刻蝕系統具有操作界面友好、刻蝕均勻性出色、適合大規模生產、維護費用低、性能安全可靠等

19、特點，完全滿足藍寶石襯底圖形化刻蝕、Si襯底刻蝕以及GaN基外延層刻蝕等LED領域所有刻蝕應用的需求。本項目已到產業化階段，適合于LED設備制造商、LED芯片生產企業開展合作。計劃募集資金2000萬元，主要用于支撐新開發設備的后期技術改進和測試，團隊建設以及為產業化生產提供基礎設施保障。同時，以吸收投資為契機，加快引進先進的管理體系，推動公司在營運能力上提升層次。技術特點及優勢：(1)刻蝕系統創造性的采用平面式感應線圈結構，有效提高刻蝕均勻性。(2)刻蝕系統的關鍵部件全部采用進口的國際主流產品，可實現7天24小時不間斷生產。(3)刻蝕系統采用觸摸屏控制，工藝過程全自動，動畫實時顯示工藝過程的狀

20、況和提示。(4)單次刻蝕2寸藍寶石襯底23片，GaN外延片27片。(5)藍寶石襯底刻蝕速率達到70nm/min。相關圖片:圖11【編號：13】高熱導LTCC復合陶瓷基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主開發了高導熱率LTCC復合陶瓷基板。采用該陶瓷基板及優化的封裝結構，并與共晶焊技術結合，可取代傳統氧化鋁陶瓷封裝基板，具有廣闊的市場。技術特點及優勢：（1）高導熱率：導熱率>20W/m.K,是傳統LTCC陶瓷的10倍以上。（2）低燒結溫度：燒結溫度950oC以下。（ 3） 金屬層附著力強：采用共燒金屬化工藝，結合牢固。（ 4） 電路集

21、成：可內埋或表面貼裝元件，實現封裝小型化、模塊化和一體化。（5）技術成熟度：正在進行產品小試。【編號：14】LED高效封裝光學設計技術來源單位：福建物質結構研究所技術簡介：為提高室內照明用LED燈具的光效和光學均勻性問題，福建物質結構研究所自主研發了LED高效封裝光學設計技術，研制出可用于各種室內照明用LED燈具的高效低炫光的高技術產品。項目重點解決室內照明LED的技術瓶頸，掌握高光效、精品文檔精品文檔低炫光、低成本LED封裝關鍵材料與技術，突破國內外專利壁壘。該項目為福建省科技重大專項。已實現產業化，與福建萬邦光電有限公司合作。已申請中國專利4件（201020282167.9，2010202

22、82170.0，201010245525.3，201010245552.0）。適合與對LED產業感興趣的有雄厚資金實力和銷售渠道的上市公司或大型公司合作，或者風投。項目需要投資3000萬元。技術特點及優勢：（ 1） 所研發的LED燈成本與熒光節能燈相當，是市面LED燈的1/3-1/10，整燈光效達到100lm/w,是日本進口LED燈的1.5-2倍，壽命3萬小時，光衰低于5%，低炫光。（ 2） 利用復合光學薄膜技術，使得LED基板的光學反射率提高5%，結合芯片三維光學位置設計技術，從而將LED燈具光效提高15%。（ 3） 成本低、環保：產品成本遠低于普通LED燈具，工作環境友好，量少無消耗，產品

23、生產過程無毒零排放。【編號：15】新型LED用紅色熒光粉的制備技術來源單位：長春應用化學研究所技術簡介：本項目涉及一種新型LED用紅色熒光粉的制備。該項目以磷酸鹽為基質，以銪為激活劑制備了一種紅光LED熒光粉，該熒光粉的激發帶和氮化鎵光源的發射峰重疊較好,能夠有效被氮化鎵光源激發產生紅光發射。該項目為“973”資助項目，項目目前處于小試階段，2007年申請專利，2009年授權，專利名稱：一種發光二極管用紅光熒光粉制備方法，專利號：ZL200710055669.0。適合與從事熒光粉生產開發的企業開展合作。技術特點及優勢該發明以磷酸鹽為基質，以銪為激活劑制備了一種紅光熒光粉。（ 1） 該熒光粉的激

24、發帶和氮化鎵光源的發射峰重疊較好,能夠有效被藍光氮化鎵光源激發產生紅光發射。（ 2） 與目前使用的硫化物和氮化物相比，這種紅色熒光粉的制備方法簡單，原料便宜易得,生產成本低廉。（ 3） 產品化學性質穩定，易研磨，不會對環境造成危害。【編號：16】白光LED光固化封裝樹脂技術來源單位：上海有機化學研究所技術簡介：本項目擬研制新型光固化封裝工藝，采用新型光固化膠水在常溫下幾秒鐘快速固化的新工藝，特別實現熒光粉涂層濃度、厚度及均勻度的可控制性，克服傳統工藝存在的不足。研制三種光固化膠，分別用于固晶、調粉和灌封。光固化導電膠：以環氧丙烯酸樹脂和聚丙烯酸樹脂為基體、微米級片狀鍍銀銅粉為導電填料制備紫外光

25、固化導電膠,體積電阻率可達1x10-4Qcm光固化調粉膠：以有機膠體（PVA）為外相，以憎水性粘合劑（硅膠）為內相，此種內外相結構既保持了硅膠的優良特性，又能通過外相曝光顯影使硅膠具有平面保形涂層，得到的白光LED的光通量大幅度提高。光固化灌封膠：以環氧樹脂，硅樹脂為基體制得的光固化灌封膠，耐溫可達220；相對于傳統環氧樹脂，脂環族環氧樹脂粘度低，耐熱性高，固化收縮率小，電性能好，耐紫外線和耐候性好等優點，特別適合高性能電子封裝，是一種在電子封裝領域具有很好應用前景的功能材料。技術特點及優勢：與傳統熱固化工藝相比光固化還具有如下優勢：（ 1） 生產速度快，效率高，有利于自動化大規模的現代化工業

26、生產，封裝產能預計可達傳統封裝工藝的2倍；（ 2） 低溫固化，節能環保，無溶劑揮發；（ 3） 降低成本，設備投資低。（ 4） 因自動化程度提高，封裝產品的一致性將會提高。【編號：17】燃燒合成氮化物陶瓷熒光粉技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：該成果為國家自然科學基金中俄國際合作項目成精品文檔精品文檔果，主要為高壓燃燒合成氮化物熒光粉的設備、以之合成的粉體和燒結得到的熒光透明陶瓷樣品，高壓燃燒合成設備適于放大規模，單臺合成工藝參數可直接移植到放大合成。長期以來，我們開展了大量的高效稀土發光材料的合成、特性及應用研究，已經積累了豐富制備發光材料的經驗。并與企業合作，開展白光LED用發光材料的應

27、用特性研究。在氮化物與氮氧化物的制備方面，已經初步獲得了相關制備技術。Eu-SiAlON氮化物陶瓷熒光粉已完成小試。技術特點及優勢：Eu-SiAlON氮化物陶瓷熒光粉的優勢是采用燃燒合成技術。相關圖片:圖12【編號：18】非晶晶化法制備YAG:Ce3+微球熒光粉技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：該成果為國家自然科學基金中俄國際合作項目成果，采用非晶晶化法制備了納米結構YAG:Ce3+微球熒光粉。與傳統的制備方法不同，非晶晶化法通過高溫火焰熔融流態粉末，然后淬水激冷制備由非晶球形粉末，對非晶球形粉末進行晶化處理后，可獲納米結構的YAG:Ce3+微球熒光粉。非晶晶化法制備的YAG:Ce3+熒光

28、粉可通過熱處理獲得納米晶結構獲逐步提升發射強度。該方法制備的熒光粉的微觀形貌為正球形，粒徑約為10Rm,無需通過球磨減小粒徑即可滿足制作LED器件的涂敷要求。該產品的制備新技術已經申報兩項國家發明專利：一種納米結構球形熒光粉的制備方法（申請號：201010570314.7）;稀土鋁酸鹽單相或復相納米晶透明陶瓷材料及其制備方法（申請號：201010248057.5）。Ce:YAG球形氧化物黃色熒光粉已完成中試，需和LED燈具制造商合作，完成燈具的性能測試，獲得對比評價數據，從而推向應用，項目需要投入300萬元，主要用于兩臺關鍵設備的購置。技術特點及優勢：Ce:YAG球形氧化物黃色熒光粉的優勢在于

29、其完美的球形度，以及很窄的粒度分布；這是國內其他技術難以實現的。相關圖片：精品文檔圖13YAG:Ce3+熒光粉的SEM圖精品文檔【編號：19】異型微熱管散熱技術技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，中國科學院理化技術研究所提出異形微熱管散熱技術并開發出LED燈具散熱用異形微熱管，具有散熱能力強、散熱件體積重量小、易與LED燈結合等技術優勢。目前該項技術正處于小試階段，為下一步的規模化生產積累經驗。相關技術已經申報國家發明專利（專利名稱：一種LED燈具用散熱裝置，申請號:201010583815.9）。該項目適合與大功率LED燈具廠家開展合作。前期需要投入經費1

30、50萬左右，以建立起完善的散熱裝置產品生產線和性能檢測平臺。技術特點及優勢（1）散熱溫差25：（現有熱管散熱技術溫差需要30c以上）。（ 2） 產品體積為現有產品的70%。（ 3） 產品重量降低為現有產品平均重量的75%。相關圖片：圖14熱管工作原理圖圖15異形微熱管【編號：20】大功率LED液態金屬散熱技術技術來源單位：理化技術研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，理化技術研究所自主研發了液態金屬散熱技術，研制由可用于各種大功率LED燈的液態金屬散熱裝置樣機。該技術利用在室溫下呈液態的低熔點合金，實現快速高效的熱量輸運，從而很好的解決了高密度能流的散熱難題。技術特點及優勢(1)冷

31、卻能力強：散熱熱流密度已達600W/cm2,其能力比水冷高10倍，比熱管高約5倍。(2)LED芯片溫度低：可以把大功率LED燈具(200W左右)的芯片溫度穩定控制在65oC以下，適用于超高功率密度或大功率LED。(3)重量輕、體積小：重量不到現有散熱器的40%,體積可小到30%以下。(4)噪音低甚至可完全消除，無運動部件。相關圖片：圖16用于大功率高集成度LED燈具的液態金屬散熱裝置原型【編號：211大功率LED燈具體式熱管散熱技術精品文檔精品文檔技術來源單位：廣州能源研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，中科院廣州能源研究所自主研發了體式熱管散熱技術，研制出可用于各種大功率LED

32、燈高效散熱的高技術產品。該研究成果已申請發明專利“LED丁具體式熱管散熱系統”（申請號：201010113499.9）。目前項目成熟度處于小試狀態，希望能與大功率LED燈具公司開展合作，將該項技術推向產業化。技術特點及優勢：（ 1） 體式熱管可制成任意大小，能夠為燈具布置足夠的散熱面積，體式熱管還具有使整個燈具迅速均溫的作用，散熱能力強。（ 2） 可在豎直方向布置翅片起到強化自然對流的散熱效果，而且雨水可以保證其清潔性，不會出現積塵現象。（ 3） 無需過于復雜的吸液芯結構，成本相對較低。（ 4） LED芯片溫度低：LED芯片工作溫度可低于50oC以下。（ 5） 重量輕：重量不到現有散熱器的30

33、%【編號：22】蒸發冷卻散熱技術技術來源單位：電工研究所技術簡介：蒸發冷卻技術由電工研究所自主研發，理論研究和工業應用的技術水平在國內外處于領先地位、該技術曾獲得兩項國家科技進步二等獎，并擁有完全自主知識產權。電工所自1958年開創蒸發冷卻技術的研究和應用，已與多家單位合作，相繼將該技術應用到了各種發電機、電力驅動裝備、低壓電器和磁選設備等領域。蒸發冷卻技術曾成功應用于特種裝備和電廠用變頻器的IGBT和整流二極管等功率器件，很好的解決了其散熱冷卻問題，減小體積，提高效率。大功率LED燈是多個發光二極管的組合陣列，其發熱機理與IGBT和整流二極管相似，熱流密度不存在數量級差別，蒸發冷卻技術在大功

34、率LED燈的冷卻散熱方面應該是可行的。蒸發冷卻技術應用在大功率LED燈具上可采用貼壁式結構，冷卻介質間接與LED芯片接觸，LED芯片平置或斜置均可。通過蒸發冷卻介質汽化帶走LED芯片產生的熱量，然后依靠自然對流冷凝把熱量傳遞給環境。蒸發冷卻介質的沸點一般在40-50oC，散熱器基本可工作在常壓或微負壓。預計散熱強度在20W/cm2，經過表明強化后可達50-100W/cm2，足以滿足要求。目前蒸發冷卻散熱器模型已經完成，正準備進行試驗考核，處于小試階段。該技術適宜于燈具總裝企業，在燈具設計時考慮散熱及整體結構。投資很低，加工難度小。技術優勢：采用基于蒸發冷卻技術的主動式散熱方式，具有系統簡單，布

35、置靈活，能實現自循環，無能量消耗，成本低廉的優點。【編號：23】大功率LED驅動技術技術來源單位：微電子研究所技術簡介：大功率LED產品在應用過程中常常因為電流不穩定而產生亮度的變化、溫度過高而引起壽命的縮短等問題，尤其在市電供電的照明應用中，安全可靠、高效長壽尤為重要。為解決以上問題，微電子研究所自主研發了大功率LED驅動技術，研制出可用于家庭照明、道路照明、汽車輔助照明等場合的大功率LED驅動芯片。該項LED驅動技術主要包括DC/DC恒流源驅動方案和隔離型AC-DC恒流源驅動方案。其中隔離型AC-DC恒流源驅動方案可直接由市電供電。大功率DC/DC直流型驅動芯片已經過兩次流片驗證；AC/D

36、C交流直驅型芯片已經通過工程批驗證，可以量產。該項目希望與LED照明企業或LED驅動電源模塊企業展開合作。為LED照明企業提供電源芯片及系統解決方案，為LED驅動電源模塊企業提供電源芯片。技術特點及優勢：（ 1） DC-DC恒流源驅動LED芯片a. 節能環保：LED燈芯比高壓鈉燈節電80%以上。不含鉛、汞等污染元素，對環境沒有任何污染。b. LED驅動芯片溫度范圍寬：LED芯片可在-40oC85oC的溫度范圍內工作。c. 輸入電壓范圍寬：支持6V-42V的輸入電壓，最大輸出功率高達40W。d. 效率高：最大效率可達95%。e. 恒流驅動：LED的直流電流可調。具有模擬和數字調光。f.應用靈活：

37、支持boost,buck等拓撲結構。g. 使用更安全：具有LED開路、短路檢測與保護，過壓，過溫等保護功能，有效保護LED管芯。h. 內置溫度補償電路，有效抑制LED的光衰。i. 2）隔離型AC-DC恒流源LED驅動芯片a. 節能環保：LED燈芯比高壓鈉燈節電80%以上。不含鉛、汞等污染元素，對環境沒有任何污染。b. LED驅動芯片溫度范圍寬：LED芯片可在-40oC85oC的溫度范圍內工作。c. 支持市電：隔離型AC-DC恒流源驅動芯片輸入電壓范圍為AC90V-265V；驅動芯片為恒流源驅動，能驅動多顆串聯的1-3W功率LED。d.應用范圍廣：具有PFC及可控硅調光功能，LED電流可以在規定

38、范圍內靈活調節，可直接取代傳統白熾燈。e. 具有多種保護：欠壓、過壓、過流及過功率補償。f. 使用更安全：該驅動方案為隔離型設計，通過隔離線圈及光耦合器把LED燈芯與交流市電隔離，為LED應用提供了更可靠的安全保障。【編號：24】高亮度、低功耗LED平板燈技術技術來源單位：深圳先進技術研究院技術簡介：為解決LED平板燈室內照明的光利用率低、能耗高、光線不均勻、成本較高、體積笨重、適用性差的問題。深圳先進技術研究院自主研發高亮度、低功耗、體積輕、可拼接的LED平板照明燈，可用于辦公室、地鐵、賓館等各種場合。該項目采用背光式原理，將LED點光源轉換成面光源，利用計算機仿真模擬技術，通過網點設計，提

39、升二次光的利用率，通過散熱分析優化，使LED燈在滿足照明亮度時，同時滿足散熱要求。在第一代平板燈的基礎上，目前正在設計第二代可拼接的（制作樣品階段）LED平板燈，同第一代相比，光利用率提高，功耗更低，同時無縫拼接可實現不同大小要求。技術特點及優勢：精品文檔精品文檔(1)功耗：28W。(2)照度：200lux(1.8m),滿足照明要求。(3)均勻性：達到90%以上。(4)發光角度120度。(5)LED燈芯片溫度不超過75度，系統穩定(6)平板燈厚度僅10MMo相關圖片：圖17第一代LED室內平板照明燈樣品圖【編號：251LED照明產品的設計技術集成技術來源單位：深圳先進技術研究院技術簡介：為解決

40、大功率LED產品的散熱以及光學設計問題，深圳先進技術研究院CAE實驗室自主研發了LED照明設計過程中散熱和光學模擬的關鍵算法，研制由可用于各種大功率LED燈光學和散熱設計的方法。本項目針對LED照明及燈具設計行業特有的亮度不均、暗紋、光源利用效率不高、散熱問題等現象，研發針對LED照明產品的專業設計技術，主要包括：(1)模型設計。可以快速完成LED燈具中光源、透鏡、導光板，散熱片等幾何模型的創建。(2)光學模擬。可以完成燈具的照度、亮度或光強度等仿真分析。(3)傳熱分析。可以完成LED燈具溫升、溫度場分布、散熱特性等仿真分析。(4)電磁兼容和電磁屏蔽仿真和優化。(5)評估優化。結合LED燈具行

41、業標準，綜合考慮光熱性能對其進行評估，為設計人員提供優化和改進的參考數據。該方法為LED行業的產品設計提供快速的指導依據和優化，提升LED產品的性能，降低研發設計成本。該項目適宜與LED照明和顯示等應用類企業合作，目前已經與多家企業進行過合作，成果顯著。【編號：26】高熱導氮化鋁陶瓷散熱基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主研發了高熱導氮化鋁陶瓷散熱基板技術，研制出可用于各種大功率LED燈封裝的高技術產品。技術特點及優勢(1)高導熱能力：熱導率達到180W/m.K,比氧化鋁陶瓷基板高近十倍。(2)熱匹配性好：熱膨脹系數(V4.5X0-6/

42、oC)與LED芯片材料接近，具有很好的熱匹配性能。(3)高集成度、小型化：可以封裝更高功率的LED芯片，實現器件小型化。(4)技術成熟度高：小試技術成熟，可用于各種大功率LED燈封裝。相關圖片：圖18氮化鋁散熱基板【編號：27】高熱導LTCC復合陶瓷基板技術來源單位：上海硅酸鹽研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱問題，上海硅酸鹽所自主開發了高導熱率LTCC復合陶瓷基板。采用該陶瓷基板及優化的封裝結構，并與共晶焊技術結合，可取代傳統氧化鋁陶瓷封裝基板，具有廣闊的市場。技術特點及優勢（ 1） 高導熱率：導熱率>20W/m.K,是傳統LTCC陶瓷的10倍以上。（2）低燒結溫度：燒結溫度950oC以下。（ 3） 金屬層附著力強：采用共燒金屬化工藝，結合牢固。（ 4） 電路集成：可內埋或表面貼裝元件，實現封裝小型化、模塊化和一體化。（ 5） 技術成熟度：正在進行產品小試。【編號：28】LED陶瓷散熱技術技術來源單位：福建物質結構研究所技術簡介：為解決大功率LED產品的散熱和可靠性問題，福建物質結構研究所自主研發了