1、場效應管參數符號意義T a-環境溫度C du-漏-襯底電容T c-管殼溫度C gd-柵-源電容T j-結溫C ds-漏-源電容T jm-最大允許結溫C iss-柵短路共源輸入電容T stg-貯成溫度C oss-柵短路共源輸出電容V DSS-漏源擊穿電壓C rss-柵短路共源反向傳輸電容I D(I D25-漏極電流(T c=25,直流di/dt-電流上升率(外電路參數R DS(on-通態漏源電阻dv/dt-電壓上升率(外電路參數P D-漏極耗散功率I DQ-靜態漏極電流(射頻功率管t rr-反向恢復時間I DSM-最大漏源電流V(BRGSS-漏源短路時柵源擊穿電壓I DSS-柵-源短路時,漏極電

2、流V GSF-正向柵源電壓(直流I DS(sat-溝道飽和電流(漏源飽和電流V GSR-反向柵源電壓(直流I G-柵極電流(直流V GS(th-開啟電壓或閥電壓I GDO-源極開路時,截止柵電流C gs-漏-源電容I GSO-漏極開路時,截止柵電流I DM-漏極脈沖電流I GSS-漏極短路時截止柵電流V DS-漏源電壓(直流I DSS1-對管第一管漏源飽和電流V GS-柵源電壓(直流I DSS2-對管第二管漏源飽和電流P DM-漏極最大允許耗散功率I u-襯底電流I D(on-通態漏極電流I pr-電流脈沖峰值(外電路參數t on-開通時間,T on=T d(on+T r g fs-正向跨導t

3、 d(on-開通延遲時間G p-功率增益t r-上升時間G ps-共源極中和高頻功率增益t off-關斷時間,T off=T d(off+T f G pG-共柵極中和高頻功率增益t d(off-關斷延遲時間G PD-共漏極中和高頻功率增益t f-下降時間g gd-柵漏電導I GM-柵極脈沖電流g ds-漏源電導I GP-柵極峰值電流K-失調電壓溫度系數I F-二極管正向電流K u-傳輸系數R DS(on-漏源通態電阻L-負載電感(外電路參數 R DS(of-漏源斷態電阻L D-漏極電感R(thjc-結殼熱阻L s-源極電感R(thja-結環熱阻R GD-柵漏電阻V DD-漏極(直流電

4、源電壓(外電路參數R GS-柵源電阻V GG-柵極(直流電源電壓(外電路參數R g-柵極外接電阻(外電路參數V ss-源極(直流電源電壓(外電路參數R L-負載電阻(外電路參數V DS(on-漏源通態電壓P IN-輸入功率V GD-柵漏電壓(直流P OUT-輸出功率D-占空比(占空系數,外電路參數V su-源襯底電壓(直流P PK-脈沖功率峰值(外電路參數V Du-漏襯底電壓(直流I DS-漏源電流V Gu-柵襯底電壓(直流I GF-正向柵電流Z o-驅動源內阻I GR-反向柵電流-漏極效率(射頻功率管V DS(sat-漏源飽和電壓V n-噪聲電壓T L-晶格溫度(Lattice temp/或

5、指下限溫度與T H相對a ID-漏極電流溫度系數T e-電子溫度(Electron tempT e=T L a rds-漏源電阻溫度系數I AR(I A-雪崩電流(Avalanche CurrentE AR-重復雪崩電壓(Repetitive Avalanche Energy半導體二極管參數符號及其意義T a-環境溫度T c-殼溫T j(T VJ-結溫T jM(T VJM-最高結溫T stg-溫度補償二極管的貯成溫度V RRM-反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓I F(AV-正向平均電流I F-正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定 的

6、使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流(平均值,硅開關二極管在額定功率下允許通過的最 大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流 t rr-反向恢復時間P d(P tot-總耗散功率V F-正向壓降(正向直流電壓I RM-反向峰值電流I FRM-正向重復峰值電流P M-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率I FM(IM-正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。I F(ov-正向過載電流 I FMP-正向脈沖電流I FSM-正向不重復峰值電流(浪涌電流I RRM-反向重復峰值電流V(

7、BR-擊穿電壓V F(AV-正向平均電壓V RM-反向峰值電壓(最高測試電壓V RWM-反向工作峰值電壓V R-反向工作電壓(反向直流電壓V s-通向電壓(信號電壓或穩流管穩定電流電壓V z-穩定電壓f-頻率I i- 發光二極管起輝電流I P-峰點電流I R(AV-反向平均電流I R(In-反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩壓二極管在反 向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。P K-最大開關功率P MP-最大漏過脈

8、沖功率P MS-最大承受脈沖功率P omax-最大輸出功率P o-輸出功率R(thja-結到環境的熱阻R(thjc-結到殼的熱阻r(th-瞬態電阻R th-熱阻t d-延遲時間t fr-正向恢復時間t f-下降時間t gt-門極控制極開通時間t g-電路換向關斷時間t off-關斷時間t on-開通時間t r-上升時間V c-整流輸入電壓V-斷態重復峰值電壓DRMa v-電壓溫度系數a-溫度系數I GD-晶閘管控制極不觸發電流I GT-晶閘管控制極觸發電流i-反向恢復電流ri R-反向總瞬時電流I s-穩流二極管穩定電流P FT(AV-正向導通平均耗散功率P FTM-正向峰值耗散功率P FT-

9、正向導通總瞬時耗散功率P R-反向浪涌功率R s(rs-串聯電阻t s-存儲時間V op-工作電壓V p-峰點電壓I H-恒定電流、維持電流。V th-閥電壓(門限電壓C s-管殼電容或封裝電容C TV-電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比C T-勢壘電容C t-總電容I o-整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流 -光譜半寬度V F-正向壓降差V z-穩壓范圍電壓增量C jo/C jn-結電容變化C jo-零偏壓結電容C jv-偏壓結電容C j-結(極間電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容C

10、o-零偏壓電容C TC-電容溫度系數C vn-標稱電容di/dt-通態電流臨界上升率dv/dt-通態電壓臨界上升率I B2-單結晶體管中的基極調制電流I CM-最大輸出平均電流I DR-晶閘管斷態平均重復電流I D-暗電流I EB10-雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流I EB20-雙基極單結晶體管中發射極向電流I EM-發射極峰值電流i F-正向總瞬時電流I GFM-控制極正向峰值電流I L-光電流或穩流二極管極限電流I OM-最大正向(整流電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許 連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流I op-工作電流I r

11、p-反向恢復電流I RR-晶閘管反向重復平均電流I RSM-反向不重復峰值電流(反向浪涌電流I V-谷點電流I zk-穩壓管膝點電流I ZM-最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流I-穩壓二極管浪涌電流ZSMI z-穩定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數時,給定的反向電流n-電容變化指數;電容比P B-承受脈沖燒毀功率P C-控制極平均功率或集電極耗散功率P GM-門極峰值功率P G-門極平均功率P i-輸入功率P sc-連續輸出功率P SM-不重復浪涌功率P ZM-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的最大功率Q-優值(品質因素r -衰減電阻R B

12、B-雙基極晶體管的基極間電阻R E-射頻電阻R F(r-正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增 加微小量V,正向電流相應增加I,則V/I稱微分電阻R L-負載電阻R z(ru-動態電阻V v-谷點電壓V B2B1-基極間電壓V BE10-發射極與第一基極反向電壓V B-反向峰值擊穿電壓V EB-飽和壓降V FM-最大正向壓降(正向峰值電壓V GD-門極不觸發電壓V GFM-門極正向峰值電壓V GRM-門極反向峰值電壓V GT-門極觸發電壓V k-膝點電壓(穩流二極管VL -極限電壓V n-中心電壓V OM-最大輸出平

13、均電壓V o-交流輸入電壓vz-穩壓管電壓漂移-單結晶體管分壓比或效率p-發光峰值波長雙極型晶體管參數符號及其意義T a-環境溫度T-管殼溫度cT j-結溫t stg-溫度補償二極管的貯成溫度V CEO-發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓I CM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。P(P tot-總耗散功率dt rr-反向恢復時間h FE-共發射極靜態電流放大系數t s-存貯時間f T-特征頻率I CMP-集電極最大允許脈沖電流P CM-集電極最大允許耗散功率P c-集電極耗散功率P o-輸出功率t d-延遲時間t fr-正向恢復時間t f-下降時間t

14、gt-門極控制極開通時間t off-關斷時間t on-開通時間t r-上升時間T s-結溫V cc-集電極(直流電源電壓(外電路參數V EE-發射極(直流電源電壓(外電路參數av-電壓溫度系數a-溫度系數B V cer-基極與發射極串接一電阻,CE結擊穿電壓BV cbo-發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BV ceo-基極開路,CE結擊穿電壓BV ces-基極與發射極短路CE結擊穿電壓BV ebo- 集電極開路EB結擊穿電壓C cb-集電極與基極間電容C ce-發射極接地輸出電容C c-集電極電容C ib-共基極輸入電容C ic-集電結勢壘電容C ieo-共發射極開路輸入電

15、容C ies-共發射極短路輸入電容C ie-共發射極輸入電容C i-輸入電容C jo/C jn-結電容變化Cjo-零偏壓結電容Cjv-偏壓結電容Cj-結(極間電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容CL-負載電容(外電路參數Cn-中和電容（外電路參數） Cob-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coeo-共發射極開路輸出電容 Coe-共發射極輸出電容 Co-零偏壓電容 Co-輸出電容 Cp-并聯電容（外電路參數） Cre-共發射極反饋電容 Cs-管殼電容或封裝電容 CTC-電容溫度系數 CTV-電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境

16、溫度的絕對變化之比 Ct-總電容 Cvn-標稱電容 di/dt-通態電流臨界上升率 dv/dt-通態電壓臨界上升率 D-占空比 ESB-二次擊穿能量 fmax-最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率 f-頻率 h RE-共發射極靜態電壓反饋系數 hfe-共發射極小信號短路電壓放大系數 hIE-共發射極靜態輸入阻抗 hie-共發射極小信號短路輸入阻抗  hOE-共發射極靜態輸出電導 hoe-共發射極小信號開路輸出導納 hre-共發射極小信號開路電壓反饋系數 IAGC-正向自動控制電流 IB2-單結晶體管中的基極調制電流 IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地

17、通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 IB-基極直流電流或交流電流的平均值 Icbo-基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流 Iceo-發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流 Icer-基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流 Ices-發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流 Icex-發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流 ICM-最