1、    飛思卡爾面向下一代微控制器推出帶 FlexMemory的90納米薄膜存儲器閃存    90納米存儲技術在工業電子及消費電子應用中實現卓越的性能、靈活性、價值、可靠性及低功耗    飛思卡爾 時間:2010年03月03日     字 體: 大 中 小        關鍵詞:<"cblue" " target='

2、;_blank'>閃存<"cblue" " target='_blank'>微控制器<"cblue" " target='_blank'>低功耗<"cblue" " target='_blank'>消費電子<"cblue" " target='_blank'>MCU<"cblue" " target='_bl

3、ank'>Freescale       <"cblue" " target='_blank'>Freescale            <<"cblue" " title="">/a><"cblue" " title=&quo

4、t;微控制器">微控制器" title="微控制器">微控制器" title="微控制器">微控制器 (<"cblue" " title="MCU">MCU) 平臺提供 90納米(nm) 薄膜存儲器 (TFS) <"cblue" " title="閃存">閃存技術。該先進技術預定將在針對下列應用的飛思卡爾 MCU中部署，包括<"cblue" " ti

5、tle="消費電子">消費電子、家用電器、醫療器械及智能計量系統等。 飛思卡爾還同時推出 TFS 閃存的重要特性 FlexMemory。FlexMemory 提供簡單、經濟高效的片上增強型電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，提供業內領先的靈活性、性能及持久性等附加優勢。用戶可將FlexMemory 作為附加閃存存儲器進行單獨部署，或者作為 EEPROM 和閃存存儲器的組合進行部署。“我們的目標是為開發人員提供旨在減少成本及上市時間的整體即插即用解決方案，同時幫助他們顯示其最終產品與眾不同。”飛思卡爾高級副總裁兼微控制器解決方案集團總經理 Reza Ka

6、zerounian 表示，“我們日前宣布的技術改進將有助于解決上述問題，并證明我們有能力始終保持嵌入式 MCU 的領先地位。”飛思卡爾 90納米薄膜存儲器閃存的重要特性隨著 TFS 技術的推出，飛思卡爾能夠實現以下優勢：通過革命性的納米硅技術提供業內領先的比特級可靠性；快速、低電壓的晶體管提供<"cblue" " title="低功耗">低功耗讀取功能，整個閃存操作時電壓可低達 1.71 伏，達到功率敏感型應用日益提高的要求； 閃存接入時間不到 30 納秒；域效率出眾，在各種閃存密度上實現高度的存儲和外設集成。FlexMemoryF

7、lexMemory 在飛思卡爾 90納米薄膜存儲器閃存技術中新增 EEPROM 這一重要特性，并在傳統 EEPROM的基礎上完成多項改進，包括：在確保現有 EEPROM容量（高達 16KB）和持久性（在整個適用溫度和電壓范圍超過一百萬循環）的同時，提供客戶選項和應用優化；擦除和寫入僅需 1.5 微秒即可完成，這比傳統 EEPROM 解決方案快五倍。飛思卡爾 FlexMemory 的多功能性使其可用于多種用途，包括額外的應用程序編碼存儲，用于數據表或字節寫入/刪除系統數據的存儲。在所有模式中，FlexMemory可與主程序存儲器一同進行訪問。  簡單、強大的開發支持為了完善最

8、近的技術投資，飛思卡爾計劃繼續把重心放在技術支持解決方案上，包括：CodeWarrior Development Studio，包括 Processor Expert 代碼生成向導。這是一個綜合的集成開發環境 (IDE)，提供可視化、自動化的架構，以加快最復雜的嵌入式應用的開發。 最新發布的測試版 CodeWarrior 10.0 目前已經開始供貨，它采用了開放式架構 Eclipse 軟件架構。<"cblue" " title="Freescale">Freescale MQX 實時操作系統 (RTOS) 與飛思卡爾 32位 MCU

9、 一起供貨，為客戶提供簡化硬件管理及軟件開發的全功能、可擴展 RTOS。 飛思卡爾 MQX RTOS 已經提供 10 個平臺端口，今年計劃再增加 10 個平臺支持。飛思卡爾 Tower System 是一個模塊化開發平臺，通過快速原型設計和工具的重復使用，可減少現在及將來數月的開發時間。目前共提供六種 Tower System 模塊，計劃到 2010 年底，可將推出另外20 個模塊。欲與設計人員共同分享理念和樂趣，請登錄網站：TowerG 。飛思卡爾軟件和工具選項所具有的先進性，以及其基于最新90納米閃存技術的下一代 MCU，將為開發人員提供將產品快速、高效地推向市場所需的技術和支持。 供貨情況飛思卡爾計劃于 2010 年第三季度供應具有 90nm TFS 技術及 FlexMemory 特性的 MCU 產品樣本，并且計劃 20