1、2014-2015學(xué)年福建省莆田二十四中高二（下）期中化學(xué)試卷一.選擇題（每小題只有一個(gè)正確答案每小題3分，共48分）1（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）氫原子的電子云圖中的小黑點(diǎn)表示的意義是（）A一個(gè)小黑點(diǎn)表示一個(gè)電子B黑點(diǎn)的多少表示電子個(gè)數(shù)的多少C表示電子運(yùn)動(dòng)的軌跡D電子在核外空間出現(xiàn)機(jī)會(huì)的多少2（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列氧原子的軌道表示式中，能量最低的是（）ABCD3（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列事實(shí)與氫鍵無關(guān)的是（）A冰的密度比水小BH2O的分解溫度比H2S高得多C液態(tài)氟化氫中有三聚氟化氫（HF）DNH3的沸點(diǎn)比PH3高4（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列晶體中

2、不屬于原子晶體的是（）A干冰B金剛砂C金剛石D水晶5（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列說法不正確的是（）A同族元素，隨著電子層的增加，I1逐漸增大B通常情況下，電離能I1I2I3C同周期元素，隨著核電荷數(shù)的增加，I1呈增大趨勢(shì)D電離能越小，元素的金屬性越強(qiáng)6（3分）（2013春江都市校級(jí)期末）下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是（）A常溫下，金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在B金屬離子與自由電子之間的強(qiáng)烈作用，在一定外力作用下，不因變形而消失C鈣的熔沸點(diǎn)低于鉀D溫度越高，金屬的導(dǎo)電性越好7（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是（）A金剛石，晶體硅，碳化硅BCI4CBr4C

3、Cl4CH4CMgOCsClNaClDNaMgAl8（3分）（2013秋成都期中）某離子化合物的晶胞如右圖所示立體結(jié)構(gòu)，晶胞是整個(gè)晶體中最基本的重復(fù)單位陽離子位于此晶胞的中心，陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn)，該離子化合物中，陰、陽離子個(gè)數(shù)比是（）A1：8B1：4C1：2D1：19（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列原子或離子的基態(tài)電子排布式正確的是（）ANi2+：Ar3d8BCu：Ar3d94s2CS2：Ne2s23p6DSi：Ar3s23p210（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列各組元素按電負(fù)性大小排列正確的是（）AFNOBOClFCAsPHDClSAs11（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列敘

4、述正確的是（）A同周期元素的原子半徑以A族的為最大B在周期表中0族元素的電負(fù)性最大CA族元素的原子，其半徑越大第一電離能越小D所有主族元素的原子形成單原子離子時(shí)的最高價(jià)數(shù)都和它的族數(shù)相等12（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）在下列元素的基態(tài)原子中，其最外電子層未成對(duì)電子最多的是（）AClBPCAlDSi13（3分）（2013廣東模擬）下列說法不正確的是（）A鍵比鍵重疊程度大，形成的共價(jià)鍵強(qiáng)B兩個(gè)原子之間形成共價(jià)鍵時(shí)，最多有一個(gè)鍵C氣體單質(zhì)中，一定有鍵，可能有鍵DN2分子中有一個(gè)鍵，2個(gè)鍵14（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列生活中的問題，不能用金屬鍵理論知識(shí)解釋的是（）A用鐵制品做炊具B用

5、金屬鋁制成導(dǎo)線C用鉑金做首飾D鐵易生銹15（3分）（2014春楊浦區(qū)校級(jí)期末）在常溫常壓下呈氣態(tài)的化合物、降溫使其固化得到的晶體屬于（）A分子晶體B原子晶體C離子晶體D何種晶體無法判斷16（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）有下列兩組命題A組B組HF鍵鍵能小于HCl鍵鍵能HCl比HF穩(wěn)定HI鍵鍵能小于HCl鍵鍵能HCl比HI穩(wěn)定HCl分子間作用力大于HF分子間作用力HCl沸點(diǎn)比HF高HI分子間作用力小于HCl分子間作用力HI沸點(diǎn)比HCl低B組中命題正確，且能用A組命題加以正確解釋的是（）ABCD二、解答題（共4小題，滿分52分）17（8分）（2015春莆田校級(jí)期中）根據(jù)Al、NaCl、H2O、C

6、u、NaOH、SiO2、H2、金剛石、HF幾種物質(zhì)，請(qǐng)按要求填空：（1）屬于原子晶體的有（2）含金屬鍵的有（3）含離子鍵的有（4）存在氫鍵的有18（12分）（2015春莆田校級(jí)期中）請(qǐng)按要求填空：（1）請(qǐng)用電子式表示NaCl的形成（2）請(qǐng)用電子式表示HCl的形成（3）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的電子式：MgONaOHNH3N2（4）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式：HCNCCl4NH3H2S19（22分）（2015春莆田校級(jí)期中）針對(duì)下面幾種元素，完成以下各小題周期AAAAAAA02CNONe3NaMgAlSiSCl（1）C、N、O、Si四種元素電負(fù)性從小到大排列（填名稱）（2）Na、Mg、Al三種元素第一電離能從

7、大到小排列（填符號(hào)）（3）Al的電子排布式為N的外圍電子排布式（4）S和O的氫化物相比，沸點(diǎn)較高的是（填化學(xué)式），原因是（5）干冰的電子式為，結(jié)構(gòu)式為，其分子內(nèi)鍵與鍵的個(gè)數(shù)比為，其晶體類型為（6）工業(yè)上以N2和H2為原料，在高溫、高壓和催化劑存在的條件下制備NH3，請(qǐng)寫出其逆反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：（其中NN鍵、NH鍵、HH的鍵能分別為946kJmol1、391kJmol1、436kJmol1）（7）26號(hào)元素的外圍電子排布式為，其+3價(jià)陽離子的外圍電子的軌道表示式為20（10分）（2015春莆田校級(jí)期中）已知：CH4SiH4NH3PH3沸點(diǎn)（K）101.7161.2239.7185.4分解溫度（

8、K）8737731073713.2分析上表中四種物質(zhì)的相關(guān)數(shù)據(jù)，請(qǐng)回答：（1）CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，沸點(diǎn)高低的原因是（2）CH4和SiH4比較，NH3和PH3比較，分解溫度高低的原因是結(jié)合上述數(shù)據(jù)和規(guī)律判斷，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)先液化2014-2015學(xué)年福建省莆田二十四中高二（下）期中化學(xué)試卷參考答案與試題解析一.選擇題（每小題只有一個(gè)正確答案每小題3分，共48分）1（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）氫原子的電子云圖中的小黑點(diǎn)表示的意義是（）A一個(gè)小黑點(diǎn)表示一個(gè)電子B黑點(diǎn)的多少表示電子個(gè)數(shù)的多少C表示電子運(yùn)動(dòng)的軌跡D電子在核外空間出現(xiàn)機(jī)會(huì)的多少考點(diǎn)：原子

9、核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)版權(quán)所有分析：氫原子的電子云圖中的小黑點(diǎn)表示電子在核外空間出現(xiàn)機(jī)會(huì)的多少，以此來解答解答：解：氫原子的電子云圖中的小黑點(diǎn)表示電子在核外空間出現(xiàn)機(jī)會(huì)的多少，而不表示具體的原子、原子的個(gè)數(shù)及電子的運(yùn)動(dòng)軌跡，電子運(yùn)動(dòng)無軌跡，故選D點(diǎn)評(píng)：本題考查原子核外電子的運(yùn)動(dòng)和電子云的含義，注意電子運(yùn)動(dòng)無規(guī)律，只能利用出現(xiàn)的機(jī)會(huì)（或概率）來描述電子運(yùn)動(dòng)情況，題目難度不大2（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列氧原子的軌道表示式中，能量最低的是（）ABCD考點(diǎn)：原子核外電子的能級(jí)分布版權(quán)所有分析：根據(jù)原子核外電子排布原則：電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道，且自旋方向相同是，能量最低，根據(jù)此原則，O原子核外

10、有8個(gè)電子，能量最低是：；解答：解：由于簡并軌道（能級(jí)相同的軌道）中電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道，且自旋方向相同，原子的能量最低，O原子能量最低排布是，故選B點(diǎn)評(píng)：本題考查核外電子排布規(guī)律，難度不大，注意核外電子排布規(guī)律的理解與靈活運(yùn)用；3（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列事實(shí)與氫鍵無關(guān)的是（）A冰的密度比水小BH2O的分解溫度比H2S高得多C液態(tài)氟化氫中有三聚氟化氫（HF）DNH3的沸點(diǎn)比PH3高考點(diǎn)：氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響版權(quán)所有分析：A、冰中的氫鍵比水中的強(qiáng)，使得水分子排列得很規(guī)則，造成體積膨脹，密度變小；B、物質(zhì)的穩(wěn)定性取決于鍵能的大小，而與氫鍵無關(guān)；C、因?yàn)镠F的極性非常強(qiáng)，而且

11、F原子的半徑很小，因此在HF中會(huì)產(chǎn)生分子間氫鍵，通過氫鍵使得HF相互締合成三聚氟化氫（HF）3分子；D、氨分子間存在氫鍵；解答：解：A、冰中的氫鍵比水中的強(qiáng)，使得水分子排列得很規(guī)則，造成體積膨脹，密度變小，故A不選；B、物質(zhì)的穩(wěn)定性取決于鍵能的大小，而與氫鍵無關(guān)，故B選；C、因?yàn)镠F的極性非常強(qiáng)，而且F原子的半徑很小，因此在HF中會(huì)產(chǎn)生分子間氫鍵，通過氫鍵使得HF相互締合成三聚氟化氫（HF）3分子，故C不選；D、氨分子間存在氫鍵，所以NH3的沸點(diǎn)比PH3高，故D不選；故選B點(diǎn)評(píng)：本題考查氫鍵對(duì)物質(zhì)物理性質(zhì)的影響，難度不大要注意氫鍵是一種分子間作用力，影響物質(zhì)的物理性質(zhì)4（3分）（2015春莆田

12、校級(jí)期中）下列晶體中不屬于原子晶體的是（）A干冰B金剛砂C金剛石D水晶考點(diǎn)：原子晶體版權(quán)所有分析：相鄰原子之間通過強(qiáng)烈的共價(jià)鍵結(jié)合而成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體叫做原子晶體，常見的原子晶體是周期系第A族元素的一些單質(zhì)和某些化合物，例如金剛石、硅晶體、SiO2、SiC等解答：解：A、干冰屬于分子晶體，故A選；B、金剛砂是碳化硅屬于原子晶體，故B不選；C、金剛石屬于原子晶體，故C不選；D、水晶是二氧化硅晶體屬于原子晶體，故D不選故選A點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體類型的判斷，題目難度不大，注意晶體類型的分類和區(qū)別5（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列說法不正確的是（）A同族元素，隨著電子層的增加，I1逐漸增大B通

13、常情況下，電離能I1I2I3C同周期元素，隨著核電荷數(shù)的增加，I1呈增大趨勢(shì)D電離能越小，元素的金屬性越強(qiáng)考點(diǎn)：元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用版權(quán)所有分析：A、同主族元素自上而下，隨電子層增大，原子核等于最外層電子引力減弱，元素的第一電離能逐漸減小B、同一原子失去電子的能力越來越難C、同周期元素，隨著核電荷數(shù)的增加，最外層電子數(shù)越來越多，又第A和第A族處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以第一電離能呈增大的趨勢(shì)D、同周期從左到右第一電離能增大，但第IIA和第VA族反常解答：解：A、同主族元素自上而下，隨電子層增大，元素的第一電離能逐漸減小，故A錯(cuò)誤；B、因?yàn)橥辉邮ル娮拥哪芰υ絹碓诫y，所以其電離能的大小關(guān)系為

14、I1I2I3，故B正確；C、同周期元素的第一電離能呈增大的趨勢(shì)，但同周期第A和第A族出現(xiàn)反常，故C正確；D、同周期從左到右第一電離能增大，但第IIA和第VA族反常，如第一電離能：MgAl，Al的第一電離能越小，但Al的金屬活潑性弱，故D錯(cuò)誤；故選：AD點(diǎn)評(píng)：本題考查同周期、同主族元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與元素周期律實(shí)質(zhì)，比較基礎(chǔ)，注意基礎(chǔ)知識(shí)的掌握6（3分）（2013春江都市校級(jí)期末）下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是（）A常溫下，金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在B金屬離子與自由電子之間的強(qiáng)烈作用，在一定外力作用下，不因變形而消失C鈣的熔沸點(diǎn)低于鉀D溫度越高，金屬的導(dǎo)電性越好考點(diǎn)：金屬晶體版權(quán)所有專題：化學(xué)

15、鍵與晶體結(jié)構(gòu)分析：A常溫下，有些金屬單質(zhì)不是以金屬晶體的形式存在；B依據(jù)金屬鍵的定義進(jìn)行解答；C從金屬鍵的強(qiáng)弱和金屬熔沸點(diǎn)的關(guān)系解答；D從溫度對(duì)金屬的導(dǎo)電性的影響因素出發(fā)進(jìn)行解答；解答：解：A熔化時(shí)有固定的熔化溫度的物體，叫晶體常溫下，金屬單質(zhì)汞為液態(tài)，不是以金屬晶體的形式存在，故A錯(cuò)誤；B金屬原子的價(jià)電子比較少，容易失去電子變成金屬陽離子，釋出的價(jià)電子在整個(gè)晶體中可以自由移動(dòng)，成為自由電子，金屬離子與自由電子之間的強(qiáng)烈作用為金屬鍵，在一定外力作用下，不因變形而消失，故B正確；C鈣的原子半徑比鉀小，而自由電子比鉀多，所以鈣的金屬鍵比鉀強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，鈣的熔沸點(diǎn)比鉀高，故C錯(cuò)誤；D金屬

16、溫度越高，金屬離子運(yùn)動(dòng)加劇，阻礙自由電子的運(yùn)動(dòng)，所以金屬的導(dǎo)電性差，故D錯(cuò)誤；故選B點(diǎn)評(píng)：本題考查金屬晶體的組成以及微粒間作用力，題目難度不大，注意相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累7（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是（）A金剛石，晶體硅，碳化硅BCI4CBr4CCl4CH4CMgOCsClNaClDNaMgAl考點(diǎn)：晶體熔沸點(diǎn)的比較版權(quán)所有分析：A原子晶體中，熔沸點(diǎn)高低與鍵長成反比；B分子晶體中，熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比；C離子晶體中，熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比；D金屬晶體中，熔沸點(diǎn)與半徑成正比解答：解：A原子晶體中，熔沸點(diǎn)高低與鍵長成反比，這幾種物質(zhì)都是原子晶

17、體，鍵長CCCSiSiSi，所以熔沸點(diǎn)金剛石碳化硅晶體硅，故A錯(cuò)誤；B分子晶體中，熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比，相對(duì)分子質(zhì)量CI4CBr4CCl4CH4，所以熔沸點(diǎn)CI4CBr4CCl4CH4，故B正確；C離子晶體中，熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比，鎂離子和氧離子都兩個(gè)單位電荷，鈉離子、銫離子和氯離子都帶一個(gè)單位電荷，且銫離子半徑大于鈉離子，所以熔沸點(diǎn)MgONaClCsCl，故C錯(cuò)誤；D金屬晶體中，熔沸點(diǎn)與半徑成正比，半徑NaMgAl，所以熔沸點(diǎn)AlMgNa，故D錯(cuò)誤；故選B點(diǎn)評(píng)：本題考查離子晶體、原子晶體、金屬晶體、分子晶體熔沸點(diǎn)高低判斷，側(cè)重考查知識(shí)運(yùn)用，明確晶體類型及晶體熔沸點(diǎn)高低影

18、響因素即可解答，題目難度不大8（3分）（2013秋成都期中）某離子化合物的晶胞如右圖所示立體結(jié)構(gòu)，晶胞是整個(gè)晶體中最基本的重復(fù)單位陽離子位于此晶胞的中心，陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn)，該離子化合物中，陰、陽離子個(gè)數(shù)比是（）A1：8B1：4C1：2D1：1考點(diǎn)：晶胞的計(jì)算版權(quán)所有專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)分析：利用均攤法進(jìn)行計(jì)算，由圖可知陽離子位于此晶胞的中心，數(shù)目為1，陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn)，數(shù)目為=1，所以陰、陽離子個(gè)數(shù)比是1：1，據(jù)此答題解答：解：根據(jù)均攤法，由圖可知陽離子位于此晶胞的中心，數(shù)目為1，陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn)，數(shù)目為=1，所以陰、陽離子個(gè)數(shù)比是1：1，故選D點(diǎn)評(píng)：本題較為簡單，就考查了均攤法計(jì)算晶

19、胞中陰陽離子的數(shù)目9（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列原子或離子的基態(tài)電子排布式正確的是（）ANi2+：Ar3d8BCu：Ar3d94s2CS2：Ne2s23p6DSi：Ar3s23p2考點(diǎn)：原子核外電子排布版權(quán)所有分析：A、Ni含有28個(gè)核外電子，Ni2+離子核外有26個(gè)電子；B、3d能級(jí)處于全滿時(shí)具有較低能量；C、S2離子核外電子數(shù)為18，排滿3s再排3p；D、Si原子核外電子數(shù)為14，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2解答：解：A、Ni含有28個(gè)核外電子，Ni2+離子核外有26個(gè)電子，離子電子排布式為：Ar3d8，故A正確；B、3d能級(jí)處于全滿時(shí)具有較低能量，因此Cu基態(tài)

20、電子排布式為：Ar3d104s1，故B錯(cuò)誤；C、S2離子核外電子數(shù)為18，排滿3s再排3p，電子排布式為：Ne3s23p6，故C錯(cuò)誤；D、Si原子核外電子數(shù)為14，核外電子排布式為： Ne3s23p2，故D錯(cuò)誤；故選A點(diǎn)評(píng)：本題考查核外電子排布，比較基礎(chǔ)，需要學(xué)生理解掌握核外電子排布規(guī)律10（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列各組元素按電負(fù)性大小排列正確的是（）AFNOBOClFCAsPHDClSAs考點(diǎn)：元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用版權(quán)所有專題：元素周期律與元素周期表專題分析：一般來說，周期表從左到右，元素的電負(fù)性逐漸變大；周期表從上到下，元素的電負(fù)性逐漸變小電負(fù)性大的元素集中在元素周期

21、表的右上角，電負(fù)性小的元素集中在左下角，據(jù)此即可解答解答：解：元素周期表中同周期元素從左到右元素的電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，同主族元素從上到下元素的電負(fù)性逐漸減弱，A同周期主族元素從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，則電負(fù)性FON，故A錯(cuò)誤；B同周期主族元素從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，同主族元素從上到下，元素的電負(fù)性逐漸變小，則電負(fù)性FOCl，故B錯(cuò)誤；C同主族元素從上到下，元素的電負(fù)性逐漸變小，則電負(fù)性AsPH，故C錯(cuò)誤；D同周期主族元素從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，則ClSP，同主族元素從上到下，元素的電負(fù)性逐漸變小，則PAs，則電負(fù)性ClSAs，故D正確；故選：D點(diǎn)評(píng)：本題考查元素周期律知識(shí)，本

22、題注意把握元素周期律中電負(fù)性的遞變規(guī)律即可解答，題目難度不大11（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列敘述正確的是（）A同周期元素的原子半徑以A族的為最大B在周期表中0族元素的電負(fù)性最大CA族元素的原子，其半徑越大第一電離能越小D所有主族元素的原子形成單原子離子時(shí)的最高價(jià)數(shù)都和它的族數(shù)相等考點(diǎn)：元素周期表的結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用版權(quán)所有分析：A同周期自左而右原子半徑減小；B零族元素單質(zhì)最外層電子都達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；C同主族自上而下原子半徑增大，元素失去電子的能力越強(qiáng)；D陰離子化合價(jià)不都等于其族序數(shù)解答：解：A同周期自左而右原子半徑減小，故同周期中A族元素原子半徑最小，故A錯(cuò)誤；B零族元素單質(zhì)最外層電子都達(dá)穩(wěn)定

23、結(jié)構(gòu)，所以在周期表中0族元素的第一電離能最大，而不是電負(fù)性最大，故B錯(cuò)誤；C同主族原子半徑越大，原子核對(duì)核外電子吸引越弱，越容易失去電子，所以第一電離能越小，故C正確；D所有主族元素的原子形成單原子陽離子時(shí)的化合價(jià)等于其族序數(shù)，但形成陰離子時(shí)的化合價(jià)不一定等于其族序數(shù)，如氧離子、氯離子，故D錯(cuò)誤，故選C點(diǎn)評(píng)：本題考查元素周期表與元素周期律，比較基礎(chǔ)，側(cè)重元素周期律的考查，注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的理解掌握12（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）在下列元素的基態(tài)原子中，其最外電子層未成對(duì)電子最多的是（）AClBPCAlDSi考點(diǎn)：原子核外電子排布版權(quán)所有分析：根據(jù)能量最低原理書寫各元素的電子排布式，根據(jù)電子

24、排布式判斷未成對(duì)電子數(shù)，可解答該題解答：解：ACl的電子排布式為1s22s22p63s23p5，未成對(duì)電子數(shù)為1；BP的電子排布式為1s22s22p63s23p3，未成對(duì)電子數(shù)為3；CAl的電子排布式為1s22s22p63s23p1，未成對(duì)電子數(shù)為1；DSi的電子排布式為1s22s22p63s23p2，未成對(duì)電子數(shù)是2，比較可知P的未成對(duì)電子數(shù)為3，最多，故選：B點(diǎn)評(píng)：本題考查原子核外電子的排布，題目難度中等，注意根據(jù)電子排布式判斷未成對(duì)電子數(shù)13（3分）（2013廣東模擬）下列說法不正確的是（）A鍵比鍵重疊程度大，形成的共價(jià)鍵強(qiáng)B兩個(gè)原子之間形成共價(jià)鍵時(shí)，最多有一個(gè)鍵C氣體單質(zhì)中，一定有鍵，

25、可能有鍵DN2分子中有一個(gè)鍵，2個(gè)鍵考點(diǎn)：共價(jià)鍵的形成及共價(jià)鍵的主要類型版權(quán)所有專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)分析：A鍵是電子“頭對(duì)頭”重疊形成的，鍵是電子“肩并肩”重疊形成的；B鍵是電子“頭對(duì)頭”重疊形成的；C有些物質(zhì)不含化學(xué)鍵；D氮?dú)夥肿又械娱g存在共價(jià)三鍵解答：解：A鍵是電子“頭對(duì)頭”重疊形成的，鍵是電子“肩并肩”重疊形成的，所以鍵比鍵重疊程度大，故A正確；B鍵是頭碰頭形成的，兩個(gè)原子之間能形成一個(gè)，原子軌道雜化的對(duì)成性很高，一個(gè)方向上只可能有一個(gè)雜化軌道，所以最多有一個(gè)，故B正確；C氣體單質(zhì)分子中，可能只有鍵，如Cl2；也可能既有鍵又有鍵，如N2；但也可能沒有化學(xué)鍵，如稀有氣體，故C錯(cuò)誤；D

26、氮?dú)夥肿拥慕Y(jié)構(gòu)式為NN，所以一個(gè)氮?dú)夥肿又泻幸粋€(gè)鍵，2個(gè)鍵，故D正確；故選C點(diǎn)評(píng)：本題考查了鍵、鍵，明確鍵和鍵的形成是解本題關(guān)鍵，注意并不是所有的物質(zhì)中都含有化學(xué)鍵，單原子分子不含化學(xué)鍵，為易錯(cuò)點(diǎn)14（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）下列生活中的問題，不能用金屬鍵理論知識(shí)解釋的是（）A用鐵制品做炊具B用金屬鋁制成導(dǎo)線C用鉑金做首飾D鐵易生銹考點(diǎn)：金屬晶體版權(quán)所有專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)分析：金屬具有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性，具有金屬光澤，均有金屬鍵有關(guān)；鐵易生銹是因?yàn)殍F中含有碳，易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，據(jù)此分析解答：解：A、用鐵制品做炊具，是利用了金屬的導(dǎo)熱性，金屬容易導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉谶\(yùn)動(dòng)時(shí)經(jīng)常與金屬離子

27、碰撞而引起能量的交換，能用金屬鍵理論知識(shí)解釋，故A不選；B、用金屬鋁制成導(dǎo)線，是利用金屬的導(dǎo)電性，金屬中存在金屬陽離子和“自由電子”，當(dāng)給金屬通電時(shí)，“自由電子”定向移動(dòng)而導(dǎo)電，能用金屬鍵理論知識(shí)解釋，故B不選；C、用鉑金做首飾，是因?yàn)橛薪饘俟鉂桑饘倬哂泄鉂墒且驗(yàn)樽杂呻娮幽軌蛭湛梢姽猓苡媒饘冁I理論知識(shí)解釋，故C不選；D、鐵易生銹，是因?yàn)殍F中含有碳，易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，與金屬鍵無關(guān)，故D選；故選：D點(diǎn)評(píng)：本題考查金屬鍵與金屬的物理性質(zhì)的關(guān)系，難度不大，明確金屬鍵是存在于金屬陽離子和“自由電子”之間的強(qiáng)的相互作用是解答的關(guān)鍵15（3分）（2014春楊浦區(qū)校級(jí)期末）在常溫常壓下呈氣態(tài)的化合物、降

28、溫使其固化得到的晶體屬于（）A分子晶體B原子晶體C離子晶體D何種晶體無法判斷考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系版權(quán)所有專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)分析：常溫常壓下呈氣態(tài)的化合物，說明對(duì)應(yīng)晶體的沸點(diǎn)較低，應(yīng)為分子晶體解答：解：原子晶體、離子晶體的熔沸點(diǎn)較高，在常溫常壓下不可能呈氣態(tài)，常溫常壓下呈氣態(tài)的化合物，由分子構(gòu)成單位物質(zhì)，說明對(duì)應(yīng)晶體的沸點(diǎn)較低，應(yīng)為分子晶體，故選A點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體的性質(zhì)，題目難度不大，不同晶體的熔沸點(diǎn)：原子晶體離子晶體金屬晶體分子晶體16（3分）（2015春莆田校級(jí)期中）有下列兩組命題A組B組HF鍵鍵能小于HCl鍵鍵能HCl比HF穩(wěn)定HI鍵鍵能小于HCl鍵鍵能H

29、Cl比HI穩(wěn)定HCl分子間作用力大于HF分子間作用力HCl沸點(diǎn)比HF高HI分子間作用力小于HCl分子間作用力HI沸點(diǎn)比HCl低B組中命題正確，且能用A組命題加以正確解釋的是（）ABCD考點(diǎn)：化學(xué)鍵；不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別版權(quán)所有分析：一般來說，鍵能越大，物質(zhì)的熱穩(wěn)定性越強(qiáng)；組成和結(jié)構(gòu)相似的分子，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，含有氫鍵的分子之間作用力較強(qiáng)，沸點(diǎn)較高解答：解：原子半徑FClI，原子半徑越大，鍵長越長，鍵能越小，AHF鍵鍵能答于HCl鍵鍵能，HF較穩(wěn)定，故A錯(cuò)誤；BHCl比HI穩(wěn)定，是由于HCl鍵鍵能大于HI鍵鍵能，故B正確；CHF分子間存在氫

30、鍵，沸點(diǎn)較高，故C錯(cuò)誤；DHI相對(duì)分子之間較大，分子間作用力較強(qiáng)，沸點(diǎn)較高，故D錯(cuò)誤故選B點(diǎn)評(píng)：本題主要考查了鍵能與物質(zhì)的熱穩(wěn)定性、相對(duì)分子質(zhì)量與物質(zhì)的熔沸點(diǎn)之間的關(guān)系，掌握規(guī)律是解題的關(guān)鍵，題目難度不大二、解答題（共4小題，滿分52分）17（8分）（2015春莆田校級(jí)期中）根據(jù)Al、NaCl、H2O、Cu、NaOH、SiO2、H2、金剛石、HF幾種物質(zhì)，請(qǐng)按要求填空：（1）屬于原子晶體的有SiO2、金剛石（2）含金屬鍵的有Al、Cu（3）含離子鍵的有NaCl、NaOH（4）存在氫鍵的有H2O考點(diǎn)：化學(xué)鍵；原子晶體；金屬鍵的涵義；含有氫鍵的物質(zhì)版權(quán)所有分析：由陰陽離子構(gòu)成的晶體屬于離子晶體，由

31、分子構(gòu)成的晶體屬于分子晶體，由原子構(gòu)成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)晶體屬于原子晶體，根據(jù)晶體的構(gòu)成微粒判斷晶體類型；離子鍵是陰陽離子間的靜電作用，共價(jià)鍵是原子間通過共用電子對(duì)形成的相互作用；分子中含有HO、HN、HF鍵的一般含有氫鍵，據(jù)此分析解答：解：Al屬于金屬單質(zhì)，晶體中只含有金屬鍵；NaCl晶體是由鈉離子和氯離子構(gòu)成的，為離子晶體；H2O晶體是由分子構(gòu)成的，分子間存在氫鍵，為分子晶體；Cu屬于金屬單質(zhì)，晶體中只含有金屬鍵；NaOH中鈉離子與氫氧根離子間存在離子鍵，O與H之間形成共價(jià)鍵，屬于離子晶體；SiO2是由原子構(gòu)成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，為原子晶體；H2晶體是由分子構(gòu)成的，為分子晶體；金剛石是由原子構(gòu)成的

32、空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，為原子晶體；HF晶體是由分子構(gòu)成的，為分子晶體；（1）屬于原子晶體的有SiO2、金剛石，故答案為：SiO2、金剛石（2）含金屬鍵的有Al、Cu，故答案為：Al、Cu（3）含離子鍵的有NaCl、NaOH，故答案為：NaCl、NaOH（4）存在氫鍵的有H2O；故答案為：H2O點(diǎn)評(píng)：本題考查了晶體類型的判斷等知識(shí)點(diǎn)，根據(jù)晶體的構(gòu)成微粒確定晶體類型，題目難度不大18（12分）（2015春莆田校級(jí)期中）請(qǐng)按要求填空：（1）請(qǐng)用電子式表示NaCl的形成（2）請(qǐng)用電子式表示HCl的形成（3）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的電子式：MgONaOHNH3N2（4）請(qǐng)寫出下列物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式：HCNHCNCCl4NH3

33、H2SHSH考點(diǎn)：用電子式表示簡單的離子化合物和共價(jià)化合物的形成；電子式；結(jié)構(gòu)式版權(quán)所有分析：（1）氯化鈉為離子化合物，鈉離子與氯離子通過離子鍵結(jié)合而成；（2）氯化氫為共價(jià)化合物，氫原子和氯原子通過共用電子對(duì)達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，形成化合物；（3）首先判斷單質(zhì)或化合物的類型，離子化合物陰離子帶電荷且用“”，共價(jià)化合物不帶電荷，注意各原子或離子滿足穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（4）根據(jù)原子間形成的共價(jià)鍵數(shù)目分析，C形成4個(gè)共價(jià)鍵，N形成3個(gè)共價(jià)鍵，O形成2個(gè)共價(jià)鍵，H形成1個(gè)共價(jià)鍵解答：解：（1）氯化鈉為離子化合物，鈉離子與氯離子通過離子鍵結(jié)合而成，NaCl的形成過程為，故答案為：；（2）HCl屬于共價(jià)化合物，氫原子最外

34、層電子與Cl最外層電子形成一對(duì)共用電子對(duì)，其形成過程可寫為，故答案為：；（3）MgO屬于離子化合物，電子式中需要標(biāo)出陰陽離子所帶電荷，鎂離子直接用離子符號(hào)表示，氧離子需要標(biāo)出最外層電子，MgO的電子式為，故答案為：；氫氧化鈉屬于離子化合物，電子式中需要標(biāo)出陰陽離子所帶電荷，鈉離子直接用離子符號(hào)表示，氫氧根離子需要標(biāo)出最外層電子，氫氧化鈉的電子式為：，故答案為：；NH3屬于共價(jià)化合物，不存在離子鍵，分子中存在3對(duì)共用電子對(duì)，氮原子最外層為8個(gè)電子，氨氣的電子式為，故答案為：；氮?dú)庵写嬖诘I，氮原子最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，氮?dú)獾碾娮邮綖椋蚀鸢笧椋海唬?）C形成4個(gè)共價(jià)鍵，N形成3個(gè)共價(jià)鍵，

35、O形成2個(gè)共價(jià)鍵，H形成1個(gè)共價(jià)鍵，則HCN的結(jié)構(gòu)式為 HCN，CCl4的結(jié)構(gòu)式為 NH3的結(jié)構(gòu)式為H2S的結(jié)構(gòu)式為 HSH；故答案為：HCN；HSH點(diǎn)評(píng)：本題考查了化學(xué)鍵的判斷、用電子式表示物質(zhì)形成過程、電子式、結(jié)構(gòu)式等，明確物質(zhì)的構(gòu)成微粒及微粒間作用力即可判斷化學(xué)鍵，用電子式表示物質(zhì)形成構(gòu)成為學(xué)習(xí)難點(diǎn)19（22分）（2015春莆田校級(jí)期中）針對(duì)下面幾種元素，完成以下各小題周期AAAAAAA02CNONe3NaMgAlSiSCl（1）C、N、O、Si四種元素電負(fù)性從小到大排列硅碳氮氧（填名稱）（2）Na、Mg、Al三種元素第一電離能從大到小排列MgAlNa（填符號(hào)）（3）Al的電子排布式為1

36、s22s22p63s23p1N的外圍電子排布式2s22p3（4）S和O的氫化物相比，沸點(diǎn)較高的是H2O（填化學(xué)式），原因是水分子之間存在氫鍵（5）干冰的電子式為，結(jié)構(gòu)式為O=C=O，其分子內(nèi)鍵與鍵的個(gè)數(shù)比為1：1，其晶體類型為分子晶體（6）工業(yè)上以N2和H2為原料，在高溫、高壓和催化劑存在的條件下制備NH3，請(qǐng)寫出其逆反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：2NH3（g）N2（g）+3H2（g）H=+92kJmol1（其中NN鍵、NH鍵、HH的鍵能分別為946kJmol1、391kJmol1、436kJmol1）（7）26號(hào)元素的外圍電子排布式為3d64s2，其+3價(jià)陽離子的外圍電子的軌道表示式為考點(diǎn)：元素周期律

37、和元素周期表的綜合應(yīng)用版權(quán)所有分析：（1）同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大、同主族自上而下電負(fù)性減小；（2）同周期主族元素自左而右第一電離能呈增大趨勢(shì)，Mg元素原子3s能級(jí)容納2個(gè)電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素；（3）根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫；（4）水分子之間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于硫化氫；（5）二氧化碳分子中碳原子與氧原子之間形成2對(duì)共用電子對(duì)，雙鍵中含有1個(gè)鍵、1個(gè)鍵，干冰屬于分子晶體；（6）反應(yīng)熱=反應(yīng)物總鍵能生成總鍵能，據(jù)此計(jì)算反應(yīng)熱書寫熱化學(xué)方程式；（7）根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫外圍電子排布式，F(xiàn)e失去4s能級(jí)2個(gè)電子及3d能級(jí)1個(gè)電子形成+3價(jià)陽離子解答：解：（1）同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大、同主族自上而下電負(fù)性減小，故電負(fù)性：SiCNO，故答案為：硅碳氮氧；（2）同周期主族元素自左而右第一電離能呈增大趨勢(shì)，Mg元素原子3s能級(jí)容納2個(gè)電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能MgAlNa，故答案為：MgAlNa；（3）Al元素核外電子排布式為1s22s22p63s23p1，N的外圍電子排布式為2s22p3，故答案為：1s22s22p63s23p1；2s22p3；（4）水分子之間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于硫化氫，故答案為：H2O；水分子之間存在氫鍵；（5）二氧化碳分子中碳原子與氧原子之