1、第一章第一章 作業(yè)作業(yè) 1. 什么是晶格周期性？如何描述它？什么是晶格周期性？如何描述它？2. 簡單格子和復式格子的區(qū)別？簡單格子和復式格子的區(qū)別？3. 什么是空間點陣？布拉菲格子的選取原則是什么？什么是空間點陣？布拉菲格子的選取原則是什么？有哪幾種基本類型？種類多少？有哪幾種基本類型？種類多少？4. 描述晶體結構周期性和對稱性的單元叫什么？如何描述晶體結構周期性和對稱性的單元叫什么？如何定義的？如何描述的？定義的？如何描述的？5. 根據(jù)晶體對稱性，晶體可以分為哪七類？根據(jù)晶體對稱性，晶體可以分為哪七類？作業(yè)作業(yè)1 1答：答：1.1.用平行的直線將代表構成晶體的所有原子的格點連接用平行的直線將

2、代表構成晶體的所有原子的格點連接起來構成的網(wǎng)格稱為晶格起來構成的網(wǎng)格稱為晶格. . 對于簡單晶格，由一個格點沿著各個方向按一定的平移對于簡單晶格，由一個格點沿著各個方向按一定的平移周期進行平移就可以得到整個晶格。對于復式晶格，周期進行平移就可以得到整個晶格。對于復式晶格，由一個由一個格點沿著各個方向按一定的平移周期進行平移就可以得到子格點沿著各個方向按一定的平移周期進行平移就可以得到子晶格，多個子晶格套構得到整個晶格。晶格，多個子晶格套構得到整個晶格。這就是晶格的周期性。這就是晶格的周期性。空間點陣可以描述其周期性。空間點陣可以描述其周期性。2.2.簡單格子是由同一類等同原子構成的晶格，其物理

3、學原胞簡單格子是由同一類等同原子構成的晶格，其物理學原胞僅包含一個原子；復式格子是由兩類或兩類以上的等同原子僅包含一個原子；復式格子是由兩類或兩類以上的等同原子構成的晶格，其物理學原胞包含兩個或兩個以上的原子。等構成的晶格，其物理學原胞包含兩個或兩個以上的原子。等同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都相同的同一種原子。同原子：所處的物質(zhì)環(huán)境和幾何環(huán)境都相同的同一種原子。 3. 3. 是一個從晶體結構中由等同原子抽象出的幾是一個從晶體結構中由等同原子抽象出的幾何點在空間周期性分布形成的無限陣列或何點在空間周期性分布形成的無限陣列或。BravaisBravais格子的選取原則格子的選取原則 布拉菲格子

4、的選取原則：布拉菲格子的選取原則：1 1）所選單位格子應能夠反）所選單位格子應能夠反映整個晶體對稱性（點陣固有的點群對稱性）；映整個晶體對稱性（點陣固有的點群對稱性）； 2 2）所選）所選單位格子的平面角盡可能為直角，基矢（單位格子的棱邊）單位格子的平面角盡可能為直角，基矢（單位格子的棱邊）長度盡可能相等；長度盡可能相等；3 3）單位格子的體積盡可能小。）單位格子的體積盡可能小。 有四種基本類型：簡單、體心、面心和底心。有四種基本類型：簡單、體心、面心和底心。 共有共有1414種種布拉菲格子。布拉菲格子。 4. 4. 描述晶體結構周期性和對稱性的單元叫晶體學原胞或描述晶體結構周期性和對稱性的單

5、元叫晶體學原胞或晶胞。晶胞。 晶體結構被它所具有的平行六面體形狀的晶體結構被它所具有的平行六面體形狀的BravaisBravais單單位格子所劃出來的那一部分晶體結構稱為晶胞位格子所劃出來的那一部分晶體結構稱為晶胞 。 用晶格常數(shù)用晶格常數(shù)（a,b,c, ,a,b,c, ,) )來描述其形狀和大來描述其形狀和大小。小。 5. 5. 根據(jù)晶體對稱性，晶體可以分為三斜、單斜、正交、根據(jù)晶體對稱性，晶體可以分為三斜、單斜、正交、三方、四方、六方和立方。三方、四方、六方和立方。）所以晶面指數(shù)為（得到分別代入晶面方程）；（將晶面上三個點的坐標111) 1( :1:1:2121tlzkyhx01/22/1

6、111100lkhtkhtlkhth6. 已知晶面上三點已知晶面上三點1 0 0;1 1 1;1/2 1/2 0,求所在晶面的求所在晶面的晶面指數(shù)（晶面指數(shù)（hkl）和該晶面族中最靠近原點的晶面在三）和該晶面族中最靠近原點的晶面在三個晶軸上的分數(shù)截距。個晶軸上的分數(shù)截距。該晶面族中最靠近原點的該晶面族中最靠近原點的晶面在三個晶軸上的分數(shù)晶面在三個晶軸上的分數(shù)截距分別為截距分別為1，1，-1。作業(yè)作業(yè)2 2HKLHKLHKLgdcLbKaHg1,*解：1. 利用倒易矢量定義和基本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。利用倒易矢量定義和基本性質(zhì)求四方晶系晶面間距公式。作業(yè)作業(yè)3 3222222*22*22*

7、22*2/ )(1/ 1,/ 1;)()(1cLaKHcLbKaHdccabacbacLbKaHcLbKaHggdHKLHKLHKLHKL2.2.已知兩個倒易矢量已知兩個倒易矢量g g111111、g g120120，均在過原點的倒易，均在過原點的倒易面上，求該倒易面對應晶帶軸面上，求該倒易面對應晶帶軸r r的指數(shù)的指數(shù)uvwuvw 3.3.求兩晶帶求兩晶帶r111r111和和r110r110構成的交面。構成的交面。4.4.畫出簡立方晶格倒易面畫出簡立方晶格倒易面 (110)(110)* * 上的五個點。上的五個點。(1-10),(001)(1-10),(001)112)101(第二章第二章

8、作業(yè)作業(yè)4 1 x射線穿過物質(zhì)時可發(fā)生哪三種基本過程？射線穿過物質(zhì)時可發(fā)生哪三種基本過程？2 散射分為哪兩種？用于散射分為哪兩種？用于x射線衍射分析的是哪種散射？射線衍射分析的是哪種散射？3 x射線吸收常伴隨效應有哪些？在這些效應中產(chǎn)生的反應射線吸收常伴隨效應有哪些？在這些效應中產(chǎn)生的反應被照物質(zhì)化學成分的訊號有哪些？被照物質(zhì)化學成分的訊號有哪些？4 質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關？質(zhì)量吸收系數(shù)的定義，與哪些因素有關？5 吸收限的定義及應用。吸收限的定義及應用。答：答：1.散射、吸收和透射。散射、吸收和透射。2. 相干散射和非相干散射；相干散射。相干散射和非相干散射；相干散射。3. 光電效

9、應和俄歇效應；光電子、俄歇電子和熒光光電效應和俄歇效應；光電子、俄歇電子和熒光x射線。射線。4. m 為質(zhì)量吸收系數(shù)，為質(zhì)量吸收系數(shù)，t為為x射線穿透物質(zhì)的厚度。射線穿透物質(zhì)的厚度。 質(zhì)量吸收系數(shù)質(zhì)量吸收系數(shù)表示單位重量物質(zhì)對表示單位重量物質(zhì)對X射線強度的衰減程度。射線強度的衰減程度。5. m隨隨的變化是不連續(xù)的，其間被尖銳的突變分開。的變化是不連續(xù)的，其間被尖銳的突變分開。 m突變對應的波長為突變對應的波長為吸收限吸收限。吸收限吸收限與原子能級的精細結與原子能級的精細結構對應。如構對應。如L系有三個亞層，有三個吸收限。系有三個亞層，有三個吸收限。 應用：應用：1）濾波片的選擇，）濾波片的選擇

10、，2）陽極靶的選擇，）陽極靶的選擇，3）激發(fā)電壓）激發(fā)電壓的計算，的計算，4）利用吸收限作原子內(nèi)層能級圖）利用吸收限作原子內(nèi)層能級圖ttTmeIeII0/033ZKm第三章第三章 作業(yè)作業(yè) 5-61.1.寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶寫出衍射矢量方程，并根據(jù)厄瓦爾德圖解原理說明多晶試樣衍射花樣形成的原因。試樣衍射花樣形成的原因。2.2.計算計算CuCu（面心立方晶體結構）的結構因子，并討論消光（面心立方晶體結構）的結構因子，并討論消光條件。條件。3.3.計算計算NaClNaCl（面心立方點陣）的結構因子。并討論消光條（面心立方點陣）的結構因子。并討論消光條件。件。 (NaCl

11、(NaCl的晶體結構可以看成兩個面心立方晶格沿晶軸平的晶體結構可以看成兩個面心立方晶格沿晶軸平移移1/21/2基矢（基矢（a a或或b b或或c c）大小套構而成的。晶胞中包含兩）大小套構而成的。晶胞中包含兩類原子類原子NaNa和和ClCl。) )解：解：1.HKLgss0布拉格方程的矢量式布拉格方程的矢量式-衍射矢量方程：衍射矢量方程：根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，根據(jù)厄瓦爾德圖解原理，的厄瓦爾德圖的厄瓦爾德圖解應如圖所示。由于粉末多晶晶粒空間取向的隨機分布，解應如圖所示。由于粉末多晶晶粒空間取向的隨機分布，倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反射球倒易空間由一系列的同心倒易球組成。倒易球與反

12、射球的交線是一個圓，從這個交線圓向反射球心連線形成的交線是一個圓，從這個交線圓向反射球心連線形成錐頂角為錐頂角為44。2. 面心點陣的每個晶胞中有面心點陣的每個晶胞中有4個同類原子，其坐標為個同類原子，其坐標為000，1/2 1/2 0， 1/2 0 1/2， 0 1/2 1/221212sin2cos2njjjjjnjjjjjHKLLZKYHXfLZKYHXfF當當H、K、L全為奇數(shù)或偶數(shù)時，則（全為奇數(shù)或偶數(shù)時，則（H+K）、（）、（H+K）、）、（K+L）均為偶數(shù)，這時：）均為偶數(shù)，這時：當當H H、K K、L L中有中有2 2個奇數(shù)一個偶數(shù)或個奇數(shù)一個偶數(shù)或2 2個偶數(shù)個偶數(shù)1 1個奇

13、個奇數(shù)時，則（數(shù)時，則（H+KH+K）、（）、（H+LH+L）、（）、（K+LK+L）中總有兩）中總有兩項為奇數(shù)一項為偶數(shù)，此時：項為奇數(shù)一項為偶數(shù)，此時：)(hsin)cos(heeF2Cl22ClhiClh21i2ClNaCl2FFFFFFFFNaNaClNaNa面心面心面心面心3.當當H、K、L全為偶數(shù)或奇數(shù)時，全為偶數(shù)或奇數(shù)時，ClNa2ClNa2Cl4f4f4f4f)cos(h2NaClNaNaClFFFF消光 當當H、K、L奇偶混合時，奇偶混合時，0)cos(h02Cl2FFFFNaNaCl面心消光1. 已知有膜和無膜時已知有膜和無膜時Si襯底峰位分別是襯底峰位分別是28.350

14、和和28.440 ，R185mm，求薄膜的厚度（，求薄膜的厚度（0.150mm）。）。2. A和和B兩組元組成的固溶體中，含量為兩組元組成的固溶體中，含量為x的的B原子的原子的固溶體固溶體A1-xBx的點陣參數(shù)為的點陣參數(shù)為0.5195nm，A和和B組元的組元的的點陣常數(shù)分別為的點陣常數(shù)分別為0.5206nm和和0.5096nm。用。用Vegard定律求固溶體的組分（定律求固溶體的組分（x=0.10）。）。)2(cos2Rt%100ABAxaaaax第四章第四章 作業(yè)作業(yè)6-9 3.用點陣參數(shù)法測定相圖相界的主要原理是什么？用點陣參數(shù)法測定相圖相界的主要原理是什么？ 答：用點陣參數(shù)法測定相圖的

15、相界的答：用點陣參數(shù)法測定相圖的相界的主要原理主要原理是是: 隨合金成分的變化，物相的點陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。隨合金成分的變化，物相的點陣參數(shù)在相界處的不連續(xù)性。具體說是兩點：第一，具體說是兩點：第一，在單相區(qū)點陣參數(shù)隨成分變化顯著在單相區(qū)點陣參數(shù)隨成分變化顯著，而同一成分該物相的點陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，而同一成分該物相的點陣參數(shù)隨溫度的變化甚微；第二，在在雙相區(qū)某相的點陣參數(shù)隨溫度而變化雙相區(qū)某相的點陣參數(shù)隨溫度而變化而而不隨合金的成分變化。不隨合金的成分變化。 4.點陣常數(shù)精確測定時為什么選用高角度衍射線條？點陣常數(shù)精確測定時為什么選用高角度衍射線條？答：答：因為因為 ，所以在

16、測量誤，所以在測量誤差差一定的條件下，一定的條件下，越大越大 ，點陣常數(shù)的相對，點陣常數(shù)的相對誤差越小。因此進行點陣常數(shù)的精確測定時要選誤差越小。因此進行點陣常數(shù)的精確測定時要選擇高角度的衍射線條。擇高角度的衍射線條。 ),(立方晶系aactgdd 5.點陣常數(shù)精確測定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？點陣常數(shù)精確測定的途徑和數(shù)據(jù)處理方法？ 1）儀器設計和實驗方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶然）儀器設計和實驗方面盡量做到理想，消除系統(tǒng)的偶然誤差和系統(tǒng)誤差。誤差和系統(tǒng)誤差。 2）探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或計）探討系統(tǒng)誤差所遵循的規(guī)律，從而用圖解外推法或計算法消除系統(tǒng)誤差求得精確值。算法消除系

17、統(tǒng)誤差求得精確值。6.某次實驗測得數(shù)據(jù)如下，請標出是什么晶體結構，并計算出某次實驗測得數(shù)據(jù)如下，請標出是什么晶體結構，并計算出對應的晶面指數(shù)。對應的晶面指數(shù)。面心面心立方立方結構結構7. 定性相分析的依據(jù)：任何一種結晶物質(zhì)都具有特定的晶體結定性相分析的依據(jù)：任何一種結晶物質(zhì)都具有特定的晶體結構，在一定波長的構，在一定波長的X射線照射下，射線照射下，每一種晶體物質(zhì)和它的衍射花樣都是一一每一種晶體物質(zhì)和它的衍射花樣都是一一對應的。對應的。 通常用通常用d（晶面間距表征衍射線位置）和（晶面間距表征衍射線位置）和I（衍射線相對強度）（衍射線相對強度）的數(shù)據(jù)代表衍射花樣。的數(shù)據(jù)代表衍射花樣。8. 定量分

18、析的基本原理：定量分析的基本原理： 。在多相物質(zhì)定量。在多相物質(zhì)定量相分析方法中，要想從衍射強度求得各相的含量，相分析方法中，要想從衍射強度求得各相的含量，2jjjVCKI niijiAjAAKIKI1/9.9.試樣：由剛玉（試樣：由剛玉（A A）、莫萊石（）、莫萊石（M M）、石英（）、石英（Q Q）和方）和方解石（解石（C C）四個相組成，各待測相的參比強度）四個相組成，各待測相的參比強度 復合樣中各峰的強度，復合樣中各峰的強度，I IM M（120+210120+210）=922=922， I IC C（101101）=6660=6660， I IA A（113113）=4829=482

19、9求各相的百分含量。求各相的百分含量。 16. 9,08. 8,47. 2CAQAMAKKK8604)1110(QI69941 .72710653 .373482916.9666008.8860447.2922148291niijiKI%0.6969941/4829/1niijiAAAAKIKI%3.5699447.2/922/1niijiMAMMKIKI%2.15699408.8/8604/1niijiQAQQKIKI%5 .10699416. 9/6660/1niijiCACCKIKI解：解：10. 10. 用柯西分布法計算晶粒大小和晶格畸變，原始數(shù)用柯西分布法計算晶粒大小和晶格畸變，原始

20、數(shù)據(jù)如下（據(jù)如下（=0.154056nm=0.154056nm ）：）：nmDDD21)10318. 7/(154056. 0)sin4cos/(100 . 4468. 15927. 0sinsin4cos-cossin41cossin41cos31114212211222111）（02322201311191.46,10986. 830.21,10225. 7bBbB解：將已知數(shù)據(jù)代入公式1. Al, 1. Al, 面心立方結構（面心立方結構（FCCFCC）,a=0.44049nm,a=0.44049nm,R RA A=R=RB B=16.2mm,R=16.2mm,Rc c=26.5mm,=

21、26.5mm,( R( RA A R RB B)=70.5)=70.50 0, ( R, ( RA A R RC C)=35.5)=35.50 0, ,求求A A、B B、C C等的指數(shù)和等的指數(shù)和L L。第五章第五章 作業(yè)作業(yè)11 8:3:3:)( : )( : )(:321232323222222212121232221NNNLKHLKHLKHRRR)220() 111 ()111(nm12mm. 4344049/. 0*2 .16N/RaRdL2. 2. 什么是襯度？透射電子襯度像的形成機制有哪些？什么是襯度？透射電子襯度像的形成機制有哪些？3. 3. 什么是明場像和暗場像？它們之間有何

22、關系？什么是明場像和暗場像？它們之間有何關系？4. 4. 等厚條紋和等傾條紋的特點及其襯度來源？等厚條紋和等傾條紋的特點及其襯度來源？5. 5. 晶體的不完整性包括哪幾個方面？不完整晶體的襯晶體的不完整性包括哪幾個方面？不完整晶體的襯度來源是什么度來源是什么? ?位錯、層錯像的特點？位錯、層錯像的特點？ 3. 明場像明場像上述采用上述采用物鏡光欄將衍射束擋掉物鏡光欄將衍射束擋掉，只讓透，只讓透射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場成像，所得射束通過而得到圖象襯度的方法稱為明場成像，所得的圖象稱為明場像。的圖象稱為明場像。 暗場像暗場像用用物鏡光欄擋住透射束及其余衍射束物鏡光欄擋住透射束及其余衍射

23、束，而，而只讓一束強衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗只讓一束強衍射束通過光欄參與成像的方法，稱為暗場成像，所得圖象為暗場像。場成像，所得圖象為暗場像。 只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場像與暗場像之分，只有晶體試樣形成的衍襯像才存明場像與暗場像之分，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，其亮度是明暗反轉(zhuǎn)的，即在明場下是亮線，在暗場下即在明場下是亮線，在暗場下則為暗線，則為暗線，其條件是，此暗線確實是所用的操作反射其條件是，此暗線確實是所用的操作反射斑引起的。斑引起的。強度的不均勻分布現(xiàn)象就稱為強度的不均勻分布現(xiàn)象就稱為，所獲得的電子象，所獲得的電子象稱為透射電子襯度象。稱為透射電子襯度象。) 分為相位襯度和振

24、幅襯度（又分為分為相位襯度和振幅襯度（又分為質(zhì)厚襯度和衍射襯度）質(zhì)厚襯度和衍射襯度）衍射襯度衍射襯度是由于存在布拉格衍射造成的。是由于存在布拉格衍射造成的。（明場象和暗場象）（明場象和暗場象） 衍襯成像反映的是晶體內(nèi)部的組織結構特征，而質(zhì)量厚度襯衍襯成像反映的是晶體內(nèi)部的組織結構特征，而質(zhì)量厚度襯度反映的基本上是樣品的形貌特征。度反映的基本上是樣品的形貌特征。4.4.電子衍射襯度的強度隨厚度電子衍射襯度的強度隨厚度t t周期變化，這就是周期變化，這就是等厚條件等厚條件產(chǎn)生產(chǎn)生的理論依據(jù)。在襯度像上觀察到的的理論依據(jù)。在襯度像上觀察到的明暗相間的條紋明暗相間的條紋，同一條，同一條紋對應的厚度是相

25、同的，條紋的深度周期為紋對應的厚度是相同的，條紋的深度周期為1/s 1/s 。電子衍襯。電子衍襯像中的等厚條紋則是單束、無干涉成像，其襯度來自于衍射像中的等厚條紋則是單束、無干涉成像，其襯度來自于衍射波的振幅波的振幅. . 電子衍射襯度的表達式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量電子衍射襯度的表達式是偏離矢量的函數(shù)，隨著偏離矢量的改變，襯度改變，這是的改變，襯度改變，這是等傾條紋等傾條紋產(chǎn)生的原因。強度將隨產(chǎn)生的原因。強度將隨偏離參量偏離參量s s變化而變化而呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，呈單縫衍射函數(shù)的形式變化，衍射強度衍射強度在在s=0s=0處有強度的主極大處有強度的主極大, ,主極大的半寬高為主極

26、大的半寬高為1/t1/t 。5. 5. 由于晶體的由于晶體的不完整性不完整性，附加位相因子，附加位相因子e eii的引入將使缺陷的引入將使缺陷附近點陣發(fā)生畸變的區(qū)域（應變場）內(nèi)的衍射強度不同于附近點陣發(fā)生畸變的區(qū)域（應變場）內(nèi)的衍射強度不同于無缺陷的區(qū)域（相當于理想晶體）從而在衍射圖象中獲得無缺陷的區(qū)域（相當于理想晶體）從而在衍射圖象中獲得相應的襯度相應的襯度。（不完整包括。（不完整包括由于晶體取向關系的改變而引由于晶體取向關系的改變而引起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起的晶起的不完整性；晶體缺陷引起的不完整；相轉(zhuǎn)變引起的晶體不完整性。）體不完整性。） 位錯線像位錯線像總是出現(xiàn)在它

27、的實際位置的某一側(cè)總是出現(xiàn)在它的實際位置的某一側(cè), 衍射強度隨衍射強度隨層錯層錯所在位置的深度所在位置的深度t1周期變化，周期為周期變化，周期為1/s ，與層錯的類型無關，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余與層錯的類型無關，其周期函數(shù)與等厚條紋一樣，都是余弦函數(shù)。弦函數(shù)。層錯的衍襯象層錯的衍襯象表現(xiàn)為一組平行于樣品表面和層錯表現(xiàn)為一組平行于樣品表面和層錯交線的明暗相間的條紋；交線的明暗相間的條紋；層錯條紋的強度總是中心對稱的，層錯條紋的強度總是中心對稱的，（這一點是層錯條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點）；當（這一點是層錯條紋區(qū)別于等厚條紋的最本質(zhì)特點）；當層錯面平行樣品表面時將不顯示襯度。層錯面平

28、行樣品表面時將不顯示襯度。1.1.什么是化學位移？它與哪些因素有關？什么是化學位移？它與哪些因素有關？2.XPS2.XPS譜上的光電子主線的特點及光電子線的伴線有哪些？譜上的光電子主線的特點及光電子線的伴線有哪些？3.XPS3.XPS定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？定性和定量分析的依據(jù)分別是什么？化學位移化學位移:同種原子由于處于不同的化學環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結合能的變同種原子由于處于不同的化學環(huán)境，引起內(nèi)殼層電子結合能的變化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。（與研究原子結合的化，在譜圖上表現(xiàn)為譜線的位移現(xiàn)象。（與研究原子結合的原子的電負性原子的電負性對對化學位移的影響較大；當某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時，它的結合能將化學位移的影響較大；當某元素的原子處于不同的氧化態(tài)時，它的結合能將發(fā)生變化。）發(fā)生變化。）B. C. D.E.F. G.鬼線鬼線XPS定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強度（比對附錄中的結合能數(shù)據(jù)；定性和定量分析的依據(jù)是峰位和峰強度（比對附錄中的結合能數(shù)據(jù)；） 1 1. .熱分析的主要方法及其區(qū)別熱分析的主要方法及其區(qū)別 2.2.根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？根據(jù)差熱曲線方程分析，如何提高儀器的靈敏度？ 3.3.升溫速率如何影響差熱分析曲線中