1、ga摻雜納米tio2薄膜的光電特性研究作者何學敏指導教師劉貴昂教授摘要:利用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上制備了 ga摻雜的tio?薄膜，并在真空中于550°c下進 行了 2h的退火處理，采用uv-vis透過譜和pl光譜對薄膜進行了表征。uv-vis透過譜表明，摻 ga后的t©薄膜吸收邊發生了明顯紅移，且退火后進一步紅移了 1050nmo pl光譜說明薄膜具 有一定的光致發光性。通過測量薄膜表面水滴直徑計算接觸角的方法，發現550°c退火2h后的薄膜 具有良好的親水性。光催化降解實驗得出樣品具有較強的光催化能力，低功率（15w）紫外燈照射 8h后，ga摻雜的tich薄

2、膜樣品對亞甲基藍溶液的降解率最高達到63.9%。關鍵詞:ga摻雜；納米tich薄膜；退火；紅移；親水性；光催化research on optical and electrical properties of gallium-dopednanometer tio2 thin filmsauthor xuemin he tutor prof. guiang liuabstract:thc gallium-doped t© thin films were deposited on glass substrate by rf magnetron sputtering, and anneali

3、ng treated in vacuum for 2 hours at 550°c the films were characterized using uv-vis transmission spectra and pl spectroscopy. uv-vis transmission spectra show that the absoiption edge of the ga-doped thin films occurs obviously red-shifted, and even a red-shift of 10 50nm is found after anneali

4、ng. pl spectroscopy reveal that the films cxsit photolumincsccncc ability. the films have good hydrophilicity as evidenced by contact angle measurement and calculation. the samples exibit good photocatalytic activity as shown by the degradation rate of 63.9% for methylene blue solution after 8 hours

5、 irradiation under low power uv lamp(15w).keywords:ga doping; nano-tioi thin films; annealing; red-shift; hydrophilicity; photocatalytic1引言半導體光催化技術在太陽能轉化和環境治理等許多方面有著廣闊的應用而景。在諸 多光催化材料中，tio2曲于化學性質穩定、無毒、成本低和抗光腐蝕等優點而倍受青睞。 但對純的tio2而言，只有太陽光屮的紫外光波段對其光催化起作用，太陽光的利用效 率不足5%,且光生電子與空穴容易復合，光催化效率不高。近年來，人們一直努力探索各種改

6、性手段來提高tio2光催化效率，其中摻雜是制備高效tio2光催化材料的有效 手段之一z。研究表明，利用陰離子n、s、c等79】取代tich中的0,可以使材料具 有很好的可見光活性，拓展光催化劑的響應范圍，使其具有更好的實用價值，其中以n 摻雜的tich可見光活性效果最佳而引起了廣泛的關注。此外，許多研究學者通過向ti02 晶格中引入金屬陽離子fc、cu、al、zn、ni、pt等取代ti原子位，以降低禁帶寬 度，將光響應波長拓展到叮見光區。1.1 tio2薄膜及其應用tic)2有三種晶體結構：金紅石(rutile) 銳鈦礦(anatase)和板鈦礦(brookite), 有人對其結構進行了理論分

7、析卩譏 而在ti02薄膜中一般只有兩種結構：金紅石和銳鈦 礦。金紅石在高溫穩定，銳鈦礦則易在低溫生長。這兩種結構的區別如表1所示。表1 to兩種結構的區別晶體結構晶系晶格參數相變溫度折射率金紅石四方晶系a=0.4593nmb=0.2959nm1855 °c2.7銳鈦礦四方晶系a=0.3785nmb=0.9514nm642 °c2.5由于tich粉末在懸浮體系中易于凝聚，分離回收比較困難且易中毒，不利于催化 劑的再生，這是以ti02為基礎的光催化方法難以走向應用的主要原因之一，而將tich 制成薄膜則可以克服納米粉體的這些缺點。因此納米tich薄膜是現在光催化材料的發 展方向

8、，有著很高的理論研究和實際應用的價值。tich薄膜具冇良好的電學性能，優異的光學性能，化學穩定性高，機械強度高，長期以來受到人們的關注，已經廣泛應用在電了、光學、醫學等方面。近年來，隨著tio2 材料的光催化性及親水性的發現，在環保領域的應用前景眾所矚目，納米光催化ti02 可用于降解有機物、殺菌消毒、污水處理、空氣凈化，述可用作防霧材料及自清潔玻璃 等16。1.2磁控濺射法制備tkh薄膜概述濺射是指荷能離了轟擊固體表面(靶)，使固體原了或分了從表面射出的現象。整個 濺射過程是建立在輝光放屯的基礎之上，即濺射離子都來源于氣體放電，濺射鍍膜就是 將濺射出來的物質沉積到基片或工件表面形成薄膜。如高

9、密度tich陰極靶材，受到高速陽離子氣體的動能、動量撞擊傳輸，濺射高能的ti02分子或分子團，這種獲能粒子在電場作用下飛奔并沉積在陽極基板(被鍍工件)上，從而形成tio2薄膜。有時為了需要,還通入反應氣體如氧氣（02）等。濺射用的惰性氣體一般選擇氮氣（ar）, w為它的濺射率 最高。磁控濺射是通過施加磁場改變電了的運動方向，并束縛和延長電了的運動軌跡，進 而提高電子對工作氣休的電離效率和濺射沉積率。磁控濺射法是物理氣相沉積的一種方 法，它有濺射速率高、基片溫度低、鍍膜均勻、膜與基片的結合力好、膜厚可控和重復 性好、裝置性能穩定等優點。該法容易控制工藝條件，因而易于控制薄膜的結構與性能, 而冃能

10、夠人面積沉積均勻、高質量的納xtio2薄膜，有利丁納xtio2光催化薄膜走向 產業化。因此，采用磁控濺射技術制備銳 鈦礦相的tich納米薄膜成為近年來ti02 薄膜研究領域的熱點么一"岡。通常的射 頻磁控濺射沉積裝置如圖1所示。在濺射過程中，靶材、靶基距離、壓 強、濺射氣體組分及濺射功率等工藝條件 對濺射產率和薄膜的表面形貌及結構有很 大影響。1.3 tich光催化原理tich是一種n型半導體，它的帶隙能即禁帶寬度是3.03.2ev,相當丁波長為 387.5nm的光了能量，也就是說價帶電子只有在吸收了能量大于3.2ev （波長小于 387.5nm）的光子后才能受激發躍過禁帶進入導帶，

11、并在原來的價帶位置留下空穴，從 而形成具有高活性的強還原性電子和強氧化性的空穴對（j） （h+）,并遷移到tio2 表面不同位置。吸附在tio2表面的溶解氧俘獲電子形成02一（原子氧），而空穴則將吸附 在tich表面的olt和出0氧化成oh（氫氧自rtl基），如圖2所示。其中，oh的氧化能 力被認為是水體中存在最強的氧化劑，其反應能為402.9mj/mol,可以破壞有機物中的 cc、c h、cn、c0、nh等鍵，能氧化大多數有機污染物，將其最終降解為 co2 和 h20o加熱器襯底旋轉手柄ar+02混合氣j至射頻電源濺射靶截止閥亠、真空規管至真空泵組圖1射頻磁控濺射沉積裝置導帶(e-)uv*

12、3.2ev圖2 tio2光催化原理帶隙能越大，光催化活性越高，純tio?的帶隙能決定了它只能把波長小于387.5nm 的紫外光作為激發光源，而輻射到地面上的太陽光的紫外光部分僅占太陽光輻射總量的 4%左右，照射到室內的部分就更少了，其中高達45%的可見光能量無法加以利用，這 大大限制了它的實際應用。因此，從半導體光催化特性被發現起，就開始了對半導體光 催化劑進行改性研究5o一些金屬摻雜可以提高tio2的光催化效率，分析其原i大i有以下幾個方面：摻朵可以形成捕獲中心，價態高于ti4+的金屬離子捕獲電子，低t ti4+的金屬離 了捕獲空穴，抑制e和h+復合。摻雜可以形成摻雜能級，使能量較小的光子能

13、激發摻雜能級上捕獲的電子和空 穴，提高光子的利用率。摻雜可以導致載流子的擴散長度增大，延長了電子和空穴的壽命，抑制了復合。摻朵可以造成品格缺陷，有利于形成更多的t產氧化中心。1.4本文研究目的及內容射頻磁控濺射法制備薄膜，有槊控制薄膜的結構與性能，可得到高質量的納米tio2 薄膜。利用金展ga摻雜，以期摻雜后的tio2薄膜吸收邊紅移，禁帶寬度明顯降低，光 催化活性范圍拓展到可見光區域，從而提高其光催化性能，這將有利于納米tio2薄膜 的光催化走向產業化。木文研究的主要內容如一 f:濺射制備ga摻雜的tich薄膜，并對薄膜樣品進行退火處理，運用uv-vis透過 譜和pl譜等手段進行表征。通過測量

14、薄膜表面水滴直徑計算接觸角的方法，研究tio2薄膜的親水性能。以紫外燈為光源對樣品進行亞甲基藍溶液的光催化降解實驗，研究tich薄膜的 光催化特性。2實驗2.1 ga摻雜納米tich薄膜的制備2.1.1襯底的選擇與清洗木實驗選用厚度為1.1mm的超薄soda-lime玻璃為襯底，采用化學清洗與超聲波清 洗相結合的方法去除基片表面的灰塵、纖維、油脂、蛋白質等污染物。步驟如2在洗滌劑溶液屮將基片浸泡并用超聲波清洗10分鐘，隨后用蒸憾水沖洗；在丙酮溶劑中浸泡并用超聲波清洗10分鐘，隨后用電吹風烘干；在酒精溶劑中浸泡并用超聲波清洗10分鐘，用電吹風快速烘干送人真空室。2.1.2摻ga納米tio2薄膜的

15、制備實驗中利用fjl560ii型磁控濺射鍍膜機，采用射頻磁控技術制備ga摻雜的納米tich薄膜，其制備流程如圖3所示。圖3 ga摻雜t1o薄膜制備流程i制備的工藝條件如下：靶材：純 tich（99.99%）,直徑=6.50cm,厚度 d=9.50mm；基片：超薄 soda-lime 玻璃,尺寸為 2.0cmx2.0cmxl .1mm； 靶基距離：6.50cm；襯底溫度：室溫（25°c）；本底真空度:6.5xlo-4pa；工作氣體：ar (99.999%),流量為 24.0sccm；工作氣壓：2.5pa；濺射時間：30min；濺射功率：150w, 200w；射頻電源頻率：600h乙實驗

16、屮需嚴格控制參量的變化，使其保持一個穩定值，因為不同的濺射時間、濺射 功率、歳氣流量、工作氣壓和靶基距離等都會對薄膜的沉積速率和形貌產生很大的影響。 木實驗控制多個變量，于室溫下在濺射功率為200w時制備了純tio2薄膜樣品a；在濺 射功率為200w時分別制備了摻ga量和對為1、1/2、1/4的tio?薄膜樣品b、c、d； 在濺射功率為150w時制備了摻ga量相對為1/4的tich薄膜樣品e。2.1.3薄膜樣品的退火處理為了研究退火對薄膜結構及性能的影響，實驗中把磁控濺射制備出的5個樣品放進otf/gsl序列真空管式高溫燒結爐中進行退火處理。具體裝置如圖4所示。熱電偶保溫材料- 碳硅電極樣品（

17、溫度為550*0片/ t/r圖4薄膜樣品的退火裝置實驗時，薄膜樣品在真空屮于550°c下退火2h,然后讓其自然冷卻至室溫。所得薄 膜樣品分別標記為al、bl、cl、di、ee2.2 ga摻雜納米tio2薄膜的表征室溫下，利用uv2300型紫外可見分光光度計測試薄膜樣品的透過吸收光譜（測試 波長范圍為300800nm,采樣間隔lnm）o用ls-55熒光分光光度計測試其薄膜樣品的 光致發光譜（pl的激發波長為325nm,測試波長范圍為320500nm）o2.3薄膜的親水性能測試研究親水性能簡單易行的方法是研究水在tio2薄膜表面的接觸角9力。在薄膜表 面滴落一定體積的水滴，理想狀況下（不

18、考慮重力的影響），可假設水滴在tich薄膜 表面為一個球冠，測量直徑可算岀水滴的接觸角。當接觸角很小時（即水滴直徑較大,a«d）,將球冠體積公式作以下近似計算（球冠的體積為v, 為水滴面與膜面的接觸 角，水滴與膜接觸面的直徑為d,半徑為廠，水滴的高為力）:(2-1)v = 7ih(3r + /?2)/6 « 7ihr1 /2則/? = 2v/(r2)由0 / 2) = h / r得0 = 2h/r = 4v/(ttp)(2-2)木實驗每次將5“厶的水滴輕放在樣品上，測量水滴的直徑估算接觸角。水滴的直 徑采用游標卡尺測量，接觸角均是利用多次實驗測得的直徑的平均值來進行估算的。

19、用 紫外燈照射薄膜，隨著輻照時間的增加，水在薄膜表面的接觸角發生變化。2.4薄膜的光催化性能測試通過uv2300型紫外可見分光光度計測試溶液經光催化降解后的透過率， 采用的光催化降解裝置如圖5所示。在實驗中，指示劑采用濃度為lmg/l 的亞甲基藍(methylene blue)溶液，光 源采用功率為15w的mw1-y13型紫外紫夕卜燈5 cmn亞甲基藍溶液薄膜樣品聲 i 匯 ji |: : :8.1-0.50cr磁力加熱攪拌器燈。實驗時，測得樣品表面紫外光強為圖5薄膜樣品光催化降解裝置23.5mw/m2,紫外燈距離亞甲基藍溶液液面8.35cm,薄膜樣品距離液面0.50cm。通過用紫外光照射亞甲

20、基藍溶液液面附近的 tich薄膜樣品，可以降低亞甲基藍溶液的濃度。紫外光每照射2h取一次樣，測試光催 化降解后的亞甲基藍溶液在紫外可見光區域的透過譜。由于亞甲基藍溶液的濃度與分光光度計所測得的吸光度成線性關系，所以其光催化 降解率可以用下式計算:n=(aia2)/a1x100%，其屮n為薄膜樣品對亞甲基藍溶液的光 催化降解率，ai為溶液的初始吸光度，a2為溶液的末態吸光度。3結果與分析3.1薄膜的pl譜分析104604w)s004404004?0wavelength«>4»n>)377 nm的兩個發射峰，這些近紫外發射相對比較強。而對薄膜樣品d1,325nm。由

21、圖可見，薄膜樣品c1得到位于348nm和圖6是退火后各薄膜68 樣品的光致發光譜，pl 600_ 光譜的激發波長為 co.也有一個344nm近紫外強圖6薄膜樣品al、bl、cl、di、e1的光致發光譜發射峰，半峰全寬小于20nm, 一般認為這個發光峰主要是由于自由激子的帶間躍遷產生的。此外，薄膜樣品al、e1有非常相似的發光光譜。據文獻報道，在相同的激發波長卜，pl光譜強 度越低，其光催化活性越高。由此可以判斷，在摻ga的四個薄膜樣品（be）中， 退火處理后的樣品e1的光催化能力較強，這止與后面光催化降解實驗的效杲相吻合。3.2薄膜的uv-vis透過譜分析為了研究摻ga后tio2薄膜 100

22、在紫外可見光波段內的吸收變 化，實驗中用uv2300型紫外. 可見分光光度計對所制備的 tio?薄膜進行透過率測試，結 果如圖7所示。從圖上可以看出，不摻雜ga的純tio2薄膜樣品a對于波400500600700wavelength.a (nm)- - - - 806040(a>ous=ujsuel長大于378.0nm的光具有良好o300800的透過性，平均透過率為 圖7不同條件下制備的薄膜樣品ae的uvvis透過譜79.4%；而在37&0nm處冇一個強烈的吸收，相對tio2薄膜的本征吸收（387.5nm）發生了很小的藍移，這是因為制備 的樣品為納米薄膜，顆粒尺寸較小，由于量子尺

23、寸效應，tio2的禁帶變寬，因而薄膜吸 收邊藍移，這與文獻報道的一-致。摻入ga后，tio2薄膜樣品b、c、d的吸收邊分別 為417.0nm 469.onm和388.onm,相應紅移了 39nm 91nm和10nm,其中薄膜樣品c 發生了明顯紅移。樣品e是在濺射功率為15ow下制備的摻ga量最少的一個樣品，發 現其在紫外光區的透過率比其他四個樣品均要高。0080604010-30055ocfi 火 art700800806040 (q>oue 一一一 esuejl500600wavelength.a (nm)700800wavelength.a (nm)對于摻ga的四個薄膜樣品be,在5

24、50°c下退火2h后，再次測出它們的紫外可 見透過譜，與退火前（rt）進行對比，如圖8所示。(a)薄膜樣品b退火刖后的uvvis透過譜(b)薄膜樣品c退火刖-后的uv-vis透過譜806040 gaouesujsuel20.rt(*)a3u£=ulsuajl10020-火工rt300400500600700800wavelength.a (nm)(c)薄膜樣吊d退火前后的uv-vis透過譜300400500600wavelength.a (nm)700800(d)薄膜樣品e退火前后的uv-vis透過譜圖8薄膜樣晶b、c、d、e退火前后的uvvis透過譜由上圖可見，退火后的薄

25、膜在可見光區的透過率總體都上升了 10%左右，而且樣品 b、c、d經退火處理后的吸收邊進一步紅移了 1050nmo樣品e退火后在整個紫外. 可見光區的透過率明顯提高。曲于tich薄膜為直接躍遷的半導體，而h各薄膜樣品的厚度大致相同，禁帶寬度 eg可以±(hrlnl/t)1/2hi/曲線得到。由各薄膜樣品的紫外可見光透過譜，結合公 式(hvlnl/t)1/2= b(hv-eg)可以繪制出該莒線，如圖9所示。45n40-rt550c 退火2h45-40-rt-550fc 退火 2h5 0 5 0 53 3 2 21.0 二(mu>£5 0 5 0 53 3 2 2 1cm

26、二tc_>£10- /0 5 -/3.1 32 3 3 34 35 3 6 3 7 38 39 40 4 1hv(ev)10-05-29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39hv(ev)/(a) 樣品a的(hvlnl/t)1/2»曲線(b) 樣品c的(hvlnl/t),/2hv曲線(c) 樣甜 d 的(hvlnl/t)1/2線(d)樣品 e 的(hvlnl/t),/22 曲線圖9薄膜樣品a、c、d、e退火前后的(hvlnl/t)1/2hv曲線由上圖可以看出，薄膜樣品a退火前后的禁帶寬度分別為3.32ev、3.36ev,相 對于銳鈦礦型tich的e

27、g (3.2 ev)產生了藍移；而對于摻ga的薄膜樣品c,其退火 前后的禁帶寬度分別為37ev、2.98ev,相對于樣品a的比產生了明顯的紅移，這 些都與透過譜分析的結呆保持一致。薄膜樣品d退火前后的禁帶寬度分別為3.32ev、 3.37ev,與樣品a相比基本無變化，i大i為上面的透過譜分析給出薄膜樣品d的吸收邊為388.onm,這對應于tic)2薄膜的本征吸收(387.5nm),相對a而言只紅移了 10nm,這種極小的變化受其他因素的影響使得兩種結果的分析基木一致。所以，摻入ga后，tich薄膜的吸收邊紅移，禁帶寬度 明顯變窄，而且退火處理對其也有 很大的影響。3.3光致親水性圖10薄膜樣品

28、上水滴的接觸角隨時間的變化曲線考慮到薄膜上放過水滴的地方 親水性能會減弱，所以預先把薄膜 分成幾個區域，不同時間在不同的 位置測量，然后求取小水滴直徑的 平均值，再代入公式(2-2)即可 得到接觸角。圖10是在紫外光照 射下tio2薄膜表面水滴的接觸角 隨時間的變化曲線。所測樣品分別是550°c退火2h后的薄膜cl、di、e1和空白玻璃。rtl圖可見，隨光 照吋間的增加，水滴的接觸角變小，薄膜的親水性逐漸增強。經紫外燈照射80min后， 樣品cl、dk el上的tio2薄膜與水的接觸角均小于3。紫外燈照射60min后，樣品 c1上的tich薄膜與水的接觸角由輻照前的9.29。減小到1

29、.46°,表現岀良好的親水性。 顯然，在濺射功率200w下制備的摻ga量相對較多的樣品c1,其薄膜的親水性比在濺 射功率分別為200w、150w下制備的摻ga量相對較少的樣品di、e1明顯。結合前面 xrd的檢測結果可知，樣品c1親水性能較好的原因可能是薄膜內有部分晶化。因為結 晶不完善的tich薄膜所產生的光生電子空穴對的復合兒率高于晶化完善的薄膜，所以 在紫外光照射的時間內，親水效杲不如品化程度好的tio2薄膜?？梢哉J為隨著光照時 間的增加，tio2產生的氧空位越多，導致親水性增強，同時生成的ti”越多?？瞻撞Ａг谧贤鉄粽丈?0min后接觸角變化不人，經紫外線長時間照射后，曲于

30、受熱也具有較高的比表面能，所以水與玻璃表面的接觸角在長時間照射后也會減小。 3.4光催化特性將退火后的tio2薄膜樣品cl、di、e1浸在亞甲基藍溶液中進行光催化降解實驗, 測量紫外光輻照卜溶液的透過率隨時間的變化曲線，其中薄膜樣品cl、e1的光催化效 果如圖11所示。圖11薄膜樣品cl、e1光催化下亞叩基藍溶液透過譜隨光照時間的變化曲線原溶液(oh時)是濃度為1 mg/l的亞甲基藍溶液，在664nm處的透過率為17.4%。 出圖可見，隨著紫外光照射時間的壇長，經薄膜樣品光催化降解后的溶液在664nm處的 透過率也不斷增大。紫外光照射8h后，經樣品cl、di、e1光催化降解后的亞甲基藍 溶液在

31、664nm處的透過率分別為47.1%、42.4%、53.2%,比原溶液的透過率相應高出了 29.7%、25.0%、35.8%,由此說明制備的摻ga納米tio?薄膜對亞甲基藍溶液進行了有 效的光催化降解。根據透過譜隨光照吋 間的變化曲線，可以得到 tio2薄膜樣品cl、d1、 e1對亞卬基藍溶液的降解 率隨光催化時間的變化曲 線，如圖12所示。為了對 比，也用紫外燈照射了未70-60-40-30.20-1a 1a ix 口 c d e羊 品品品加 樣樣樣未 - 加樣品的純亞甲基藍溶液，其降解率隨時間的變0 化也反映在下圖中。0由上圖可知，04h之圖2間tich薄膜的光催化降解效果最為明顯。紫外光

32、照射8h后，純亞甲基藍溶液h身的降解率為29.4%,10-2468光催化時間(h)薄膜樣品cl、di、el對亞甲基藍溶液的降解率隨光催化時間的變化曲線而經550°c退火2h后的薄膜樣品cl、di、el對亞甲基藍溶液的光催化降解率分別達到56.9%、50.9%、63.9%o從透過譜和降解率曲線可以看出，樣品e1的光催化性能最強，主耍原因是，樣品e1趨近于銳鈦礦型結構，且薄膜的比表面積較大，這與sem預言的相符合。摻ga量 相對較多的樣品c1的光催化性能要優于摻ga量相對較少的樣品d1,這些都與前面pl 譜分析的結果一致。我們認為適量ga摻雜除了對tio2光吸收能力有一定增強外，述可 以

33、降低電了和空穴的復合幾率，從而提高光催化性能。但當ga摻朵量過高時，g/+在 tio2中濃度增人，成為電子和空穴復合的中心，反而造成光催化能力的下降。4結論采用射頻磁控濺射法成功制備了含ga的納米tich薄膜，并對薄膜樣品進行了退 火處理。從pl光譜可以看出薄膜具有一定的光致發光性。(2) uv-vis透過譜表明，ga摻雜的tich薄膜樣品b、c、d的吸收邊相對于不摻雜 tic>2薄膜樣品a分別紅移了 39nm> 91nm和10nm,且退火后進一步紅移了 1050nmo 其屮薄膜樣品c經550°c退火2h后的禁帶寬度eg為2.98ev,明顯變窄，薄膜的吸收 邊發生了明顯紅

34、移。通過測量薄膜表面水滴直徑計算接觸角的方法，發現550°c退火2h后的薄膜具有 良好的親水性，紫外燈照射60min后，接觸角由輻照前的9.29。減小到1.46。光催化降解實驗反映樣品具有較強的光催化能力，紫外燈照射8h后，純亞甲基 藍溶液自身的降解率為29.4%,而經550°c退火2h后的薄膜樣品對亞甲基藍溶液的降解 率最高達到63.9%o致謝木課題是在導師劉貴昂教授悉心指導下完成的。研究期間，劉老師以淵博的知識， 嚴謹的治學態度引導著我，他一絲不茍的工作作風，謙恭為人的生活態度，深深地影響 和感染著我。張軍老師在實驗的設計、操作和論文的撰寫等方面均給予我很大的指導和 幫

35、助。在樣品的測試與分析過程中，梅芳老師、蘭州大學謝毅柱師兄和暨南大學楊貴進 師姐為我提供了方便。在搭檔彭偉源同學的支持與配合下，使得本實驗能夠順利進行。 在此向他們表示最衷心的感謝！參考文獻1 y.ma,s.manolache5f.denes,j.cho.and r.timmons. surface modification of rutile tio? by submerged arc discharge for improved photoreactivity j. journal of materials engineering and performance,2006,15: 370-

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