1、現在越來越多的手機使用了快速充電技術Quick Charge 3. 0,可以達到9V/2A (18W), 隨著IPHONE新產品的發布，充電也提髙為快充技術，由于體積小而電流大，這樣一來對充 電線元件器要求也越來越髙：iPhone數據線Lightning接頭為BGA封裝技術，這塊區域由 四顆主要芯片組成,分別是NXP20P3、STUSB2A、TI BQ2025等；蘋果悄然升級Lightning 接頭一方而是為了改進供電，而另一方面則是有可能會加入最新的加密協議。如此一來，將 會給破解增加更大難度，從而保證自家配件能夠賺取更多的利潤。IPHONE原裝線測試過程中功率有浮動不大，差不多保持在17W

2、左右;然而市而上IPHONE原裝線太貴，充電數據線山寨版本很多，我來說說MOSFET的問題oMOSFET 做為一個開關，實現的功能是導通和關斷，理論上導通的電阻為0歐姆，但實際器件是不可能做到0歐姆。MOSFET的垠大 導通電阻仿品A仿品B仿品c蘋果原裝lightninglllmQ150mQ69m Q22m Q（下圖為劣質充電線）從上圖可以看到，山寨基本就是一個解密芯片、一個MOSFET：這種普通的MOSFET電流小, 容易發熱，充IPHONE老款產品勉強夠用，對于快充時代的來臨（9V/2A）,只能而臨淘汰。（下圖優質充電線方案）我司專業于H0SFET器件領域，擁有全球最小封裝MOSFET（3

3、0系列），體枳在667um*743um, 實際過流達到3A,且低溫：20系列MOSFET （貼片0805封裝）可以達到15A,對于小體 枳且需要大電流的設備有很大優勢，產品的相關測試數據標準等同歐美同類產品，為客 戶提高產品的轉換效率。QQ: 1170989036電話從上而的表中，可看到原裝lightning頭導通的電阻比仿品的要小很多。電阻的大小會對充 我們可以從公式：U=I X R計算岀I二1A和2A時MOS管上的電壓降以及MOSFET上的功率消 耗。MOSFET的最大 導通電阻仿品A仿品B仿品c蘋果原裝lightninglllmQ150mQ69m Q22m Q電

4、流1=1 A時的圧降0.111V0.150V0.069V0.022V電流I=2A時的斥 降0.222V0.3V0.138V0.044V電流I=2A時MOSFET的損耗0.444W0.6W0.276W0.088W從上而的表中，我們可以看出，任充電電流為1A時，比如充I PHONE,仿品線的MOSFET壓 降/功耗還是可以接受的，最大壓降為0.15V,對于總電壓5V來說，影響不是太大。但在充 電電流為2A （或者2A）時，比如充IPAD,仿品線上MOSFET的壓降就會明顯增加，最大的 為0. 3V,如果加上線材上的壓降，實際壓降必然會0. 5V,即到達IPAD 口的電壓不足4. 5V, 且MOSFET的功耗有0.6W之多，接口處溫度會慢慢升高，達到發燙的程度。實際使用時，也 可能會因為壓降太多，IPAD自動減少充電電流，造成充電時間過長。總結一下仿品線的弊端：通訊方而，可能會被蘋果設備識別出來，顯示不兼容。（也有些破解比較徹底的，可以 騙過設備。）充電方面.如果是充IPHONE老款手機、IPOD設備，充電電流在1A左右的，問題不大。3,如果是充IPHONE新產品帶快充設備，充電電流為2A時，可能會有3種情況：a）IPHONE維持2A的充電電lightning頭的溫度會逐步上升，達到發燙的程度，甚至有可能燒壞li