1、利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。 利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。多用于半導體器件與集成電路的制作。光刻：原理：光刻膠：也稱為光致抗蝕劑，它是由感光樹脂、增感劑和溶劑三部分組成的對光敏感的混合液體。 光刻膠主要用來將光刻掩模板上的圖形轉移到元件上。根據光刻膠的化學反應機理和顯影原理，可將其分為正性膠和負性膠。負膠在光刻工藝上應用最早，其工藝成本低，產量高，但由于它吸收顯影液后會膨脹，導致其分辨率不如正膠，因此對于亞微米甚至更小尺寸加工技術，主要使用正膠作為光刻膠。1

2、底膜處理2 涂膠 3 前烘 4 曝光5 顯影6 堅模7 刻蝕8 去膠 底膜處理是光刻工藝的第一步，其主要目的是對底膜表面進行處理，以增強其與光刻膠之間的粘附性。步驟：1 清洗2 烘干3 增粘處理增粘層光刻膠膜底膜涂膠涂膠進行底模處理后，便可進行涂膠，即在底模上涂一層粘附良好厚度適當，均勻的光刻膠。一般采用旋轉法進行涂膠，其原理是利用底模轉動時產生的離心力，將滴于模上的膠液甩開。在光刻膠表面張力和旋轉離心力的共同作用下，最終形成光刻膠膜。前烘，又稱軟烘，就是在一定的溫度下，使光刻膠膜里面的溶劑緩慢的、充分的逸出來，使光刻膠膜干燥。掩模板光刻膠膜增粘層底膜曝光曝光光源曝光就是對涂有光刻膠的基片進行

3、選擇性的光化學反應，使接受到光照的光刻膠的光學特性發生改變。光源的波長對光刻膠的感光性有很大影響，每種光刻膠都有自己的吸收峰和吸收范圍，它只對波長在吸收范圍內的光才比較敏感，因此選擇的曝光光源必須要滿足光刻膠的感光特性。顯影就是用顯影液溶解掉不需要的光刻膠，將光刻掩模板上的圖形轉移到光刻膠上。顯影液的選擇原則是：對需要去除的那部分光刻膠膜溶解的快，溶解度大；對需要保留的那部分光刻膠膜溶解度極小。堅膜也是一個熱處理步驟。堅膜的目的就是使殘留的光刻膠溶劑全部揮發，提高光刻膠與襯底之間的粘附性以及光刻膠的抗腐蝕能力。刻蝕就是將涂膠前所沉積的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分去除掉，達到將光刻膠上的

4、圖形轉移到其下層材料上的目的。刻蝕刻蝕濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。特點： 1：具有優良的選擇性。 2：各向同性腐蝕干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。特點：分辨率高，各向異性強。干法刻蝕又分為物理性刻蝕（濺射刻蝕）、化學性刻蝕和物理化學性刻蝕。例如：反應離子刻蝕-rie。去膠去膠當刻蝕完成后，光刻膠膜已經不再有用，需要將其徹底去除，完成這一過程的工序就是去膠。此外刻蝕過程中殘留的各種試劑也要清除掉。去膠結束，整個光刻流程也就結束了。聚偏二氟乙烯（pvdf）是一種高結晶度的含氟聚合物 ,屬于一種堅韌的熱塑性工程材料。pvdf 壓電薄膜是經過高壓電場極化從而具有壓電效應的

5、薄膜 。 pvdf壓電薄膜的優點：壓電電壓常數高、聲阻抗小、頻率響應寬、介電常數小、耐沖擊性強、可以加工成任意形狀等。 1：pvdf壓電薄膜兩側的電極層的尺寸大小和形狀與薄膜不匹配。2：未經過處理的壓電薄膜在電極兩側加上電壓時，會產生放電現象。傳統方法制作電極的缺陷：pvdf壓電薄膜被廣泛的應用于超聲領域。本例中選擇了厚度為9微米的pvdf壓電薄膜作為超聲敏感元件。設計要制作的電極的形狀與尺寸第一步：對pvdf壓電薄膜進行清洗處理。采用有機溶劑丙酮。第二步：第三步：涂膠。選用正性光刻膠，采用手工操作涂到需要保護的電極層上。第三步： 前烘與曝光。第四步：腐蝕。采用濕法刻蝕方法。選取碘和碘化鉀的水溶液（質量比為1:4:40）作為金的腐蝕溶劑，體積分數為40%的氫氟酸作為鉻層的腐蝕溶劑。第五步：去膠。需要將起保護作用的正性