1、2.1產品1 SMT實習（fm收音機）（訓練6）（訓練7）電子系統的微型化和集成化是當代技術革命的重要標志，也是未來發展的重要方向。 日新月異的各種高性能、高可靠、高集成、微型化、輕型化的電子產品，正在改變我們的 世界，影響人類文明的進程。安裝技術是實現電子系統微型化和集成化的關鍵。20世紀70年代問世，80年代成熟的表面安裝技術（Surface Mou nting Techn ology簡稱SMT）,從元器件到安裝方式，從PCB設計到連接方法都以全新面貌出現，它使電子產品體積縮小，重量變輕，功能增強，可靠 性提高，推動信息產業高速發展。SMT已經在很多領域取代了傳統的通孔安裝（ Throug

2、hHole Tech no logy簡稱THT ）,并且這種趨勢還在發展，預計未來9 0%以上產品將采用SMT。通過SMT實習，了解SMT的特點，熟悉他的基本工藝過程，掌握最起碼的操作技藝 是跨進電子科技大廈的第一步。2.1.1 SMT 簡介、THT 與 SMT圖2.1.1是THT與 SMT的安裝尺寸比較，表 2.1.1是THT與SMT的區別表2.1.1 THT與 SMT的區別年代技術縮寫代表元器件r安裝基板安裝方法焊接技術通孔 安裝20世紀6070年代THT晶體管，軸向引 線元件單、雙面PCB手工/半自動插裝手工焊浸 焊7080 年代單、雙列直插IC, 軸向引線元器 件編帶單面及多層PCB自

3、動插裝波峰焊，浸焊， 手工焊表面 安裝20世紀80年代開始SMTSMC、 SMD 片式封裝VSI、VLSI高質量SMB自動貼片 機波峰焊， 再流焊圖2.1.1 THT與 SMT的安裝尺寸比較SMT主要特點1. 高密集 SMC、SMD的體積只有傳統元器件的 1/31/10左右，可以裝在 PCB的 兩面，有效利用了印制板的面積，減輕了電路板的重量。一般采用了SMT后可使電子產品的體積縮小 40%60%，重量減輕60%80%。2 高可靠 SMC和SMD無引線或引線很短，重量輕，因而抗振能力強，焊點失效率 可比THT至少降低一個數量級，大大提高產品可靠性。3.高性能 SMT密集安裝減小了電磁干擾和射頻

4、干擾，尤其高頻電路中減小了分布參數的影響，提高了信號傳輸速度，改善了高頻特性，使整個產品性能提高。4 .高效率SMT更適合自動化大規模生產。采用計算機集成制造系統（CIMS）可使整個生產過程高度自動化，將生產效率提高到新的水平。5 .低成本 SMT使PCB面積減小，成本降低；無引線和短引線使SMD, SMC成本降低，安裝中省去引線成型、打彎，剪線的工序；頻率特性提高，減少調試費用；焊 點可靠性提高，減小調試和維修成本。一般情況下采用SMT后可使產品總成本下降3 0%以上。三、SMT工藝及設備簡介SMT有兩種基本方式，主要取決于焊接方式。3、固化用加熱使貼片固化波峰焊機4、焊接用波峰焊機焊接銅箔

5、 膠 SMB1、點膠用手動/自動點膠機1 .采用波峰焊：見圖2.1.22、貼片手動/自動 貼片機圖 2.1.2 SMT 工藝（1）此種方式適合大批量生產。對貼片精度要求高，生產過程自動化程度要求也很高。2 .采用再流焊(見圖2.1.3)在PCB上用印刷機 印制焊錫膏貼片(c)焊接用手動/半自動/自動貼片機貼片用再流焊機焊接圖 2.1.3 SMT 工藝(2)這種方法較為靈活，視配置設備的自動化程度，既可用于中小批量生產，又可用 于大批量生產。混合安裝方法，則需根據產品實際將上述兩種方法交替使用2.1.2 SMT元器件及設備一、表面貼裝元器件 SMD(surface mounting device

6、s)SMT元器件由于安裝方式的不同，與THT元器件主要區別在外形封裝。另一方面由于SMT重點在減小體積，故 SMT元器件以小功率元器件為主。又因為大部分SMT元器件為片式，故通常又稱片狀元器件或表貼元器件，一般簡稱SMD1. 片狀元件表貼元件包括表貼電阻、電位器、電容、電感、開關、連接器等。使用最廣泛的是 片狀電阻和電容。片狀電阻電容的類型、尺寸、溫度特性、電阻電容值、允差等，目前還沒有統 一標準，各生產廠商表示的方法也不同。目前我國市場上片狀電阻電容以公制代碼表示外型尺寸。(1 )片狀電阻。表2.1.2是常用片狀電阻尺寸等主要參數 表2.1.2常用片狀電阻主要參數、代碼16082012321

7、6322550256332參數*0603*0805*1206*1210*2010*2512外型長X寬1.6 X 0.82.0 X 1.253.2 X 1.63.2 X 2.55.0 X 2.56.3 X 3.2功率(W)1/161/101/81/41/21電壓(V)100200200200200注：1. *英制代號2. 片狀電阻厚度為 0.4-0.6mm3. 最新片狀元件為 1005（ 0402）, 0603（ 0201）, 0402（01005）目前應用較少。4. 電阻值采用數碼法直接標在元件上（參見教材P60），阻值小于10Q用R代替小數點，例如8R2表示8.2 Q , 0R為跨接片，電流

8、容量不超過2A。（2 ）片狀電容片狀電容主要是陶瓷疊片獨石結構，其外型代碼與片狀電阻含義相同，主要有：1005/*0402 , 1608/ *0603 , 2012/ *0805 , 3216/ *1206 , 3225/ *1210 , 4532/ *1812 , 5664/*2225 等。片狀電容元件厚度為 0.94.0片狀陶瓷電容依所用陶瓷不同分為三種，其代號及特性分別為：NPO :1類陶瓷，性能穩定，損耗小，用于高頻高穩定場合X7R : n類陶瓷，性能較穩定，用于要求較高的中低頻的場合。Y5V:川類低頻陶瓷，比容大，穩定性差，用于容量、損耗要求不高的場合。表2.1.3常用表面貼分立器件

9、封裝S0T-23SOT-89TO-252引1.發射極腳 2.基極功3.集電極能1. 發射極2. 基極3. 集電極1. 基極2. 集電極3. 發射極 0.1卩）除可測短路和漏電外，還可估測電容量，電解電容須注意極性。 方法是：a.先將電容器兩端短接放電。b. 用表筆接觸兩端正常情況下表針將發生擺動，容量越大擺動角度越大；且回擺越接近出發點，電容器質量越好（漏電越小），見圖2.2.3。c. 利用己知容量電容對比可估測電容量。圖2.2.3用指針表檢測電容器四、電感器檢測（用萬用表可測量線圈短路和斷路）方法是測線圈電阻及線圈間絕緣電阻。一般線圈電阻值較小， 約幾十Q到零點幾Q，宜用數字表測。線圈之間絕

10、緣電阻應為無窮大。五、二極管檢測（用數字表和指針表均可）1.普通二極管用指針表：采用測量二極管正反向電阻法，正常二極管正向電阻幾 kQ以下，反 向幾百kQ以上。!特別提示：指針表中，黑表筆為內部電池正極，紅表筆為內部電池負極。用數字表：用二極管檔，測量的是二極管的電壓降， 正常二極管正向壓降約0.1V（鍺管）到0.7V（硅管）,反向顯示“ 1”2 .發光二極管LED-用指針表 MF368 Q X1檔，表筆 紅負黒正,LED亮,從LI刻度讀正向電流，LV 刻度讀正向電壓。-用數字表 DT9236 HFE檔丄ED正負極分別插入 NPN的C、E孔（或PNP的E,C）,LED 發光（注意！由于電流較大

11、，點亮時間不要太長）。3 .變容二極管采用測量普通二極管方法可測好壞。進一步測試需借助輔助電路。六、開關及連接器檢測用測量小電阻的方法可檢測開關及連接器好壞和性能，接觸電阻越小越好（常 用開關及連接器 Rc1Q）,用數字表較方便。-用高阻檔可檢測開關及連接器的絕緣性能。七、三級管的檢測1.判定基極和管型（NPN型或PNP型）:（b）所示，其中半導體三極管是具有兩個PN結的半導體器件，如圖2.2.4（a）為PNP型三極管，（b）為NPN型三極管。(a) PNP型 (b)NPN型slitn芳1 !1IM如正向耳誦基極判斷(0圖2.2.4三極管管型、內部PN結及基極判斷用指針表：用電阻檔的 Q X

12、100或Q X 1k擋，以黑表筆（接表內電池正極）接三極管的 某一個管腳，再用紅表筆（接表內電池負極）分別去接另外兩個管腳，直到出現測 得的兩個電阻值都很小（或者很大），那么黑表筆所接的那一管腳就應是基極為了 進一步確定基極，可再將紅黑表筆對調，這時測得的兩個電阻值應當與上面的情況 剛好相反，即都是很大（或都是很小），這樣三極管的基極就確認無誤了，參見圖2.2.4（c）.當黑表筆接基極時，如果紅表筆分別接其它兩腳，所測得的電阻值都很小說 明這是NPN型三極管。如果電阻都很大，說明這是PNP型三極管。用數字表：要用二極管檔用電阻檔時各管腳電阻均為無窮大（顯示1），方法同上，只是要注意數字表筆接表

13、內電池極性與指針表相反，顯示的是PN結的正反向壓降。2 判定發射極和集電極及放大倍數：判定三極管的發射極 E和集電極C,通常用放大性能比較法。圖2.2.5 發射極和集電極及放大倍數檢測 （NPN型三極管）（1）一般方法：用指針表找到基極 B并確定為NPN（或PNP型三極管后，在剩下的兩個管腳 中可以假定一個為集電極，另一個為發射極；觀察放大性能，方法如圖225所示：將黑表筆接假設的集電極，紅表筆接假設的發射極，并在集電極極與基極之間加一個100kQ左右的電阻（通常測量時可用人體電阻代替，即用手指捏住兩管腳，下同）,觀察測得的電阻值。然后對調表筆，并在假設的發射極與基極之間加一個100k Q的電阻，觀察測得電阻值。將兩次測得的電阻值作一個比較，電阻值較小的那一次測量，黑表筆所接的是NPN型三極管的集電極 C,紅表筆所接的是三極管的發射極E,假設正確。若是PNP型三極管，測量方法同上，只是測得的電阻較大的一次為