1、-參考資料一頁眉頁腳可刪除一一、極限參數：ID :最大漏源電流。 是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效 應管的工作電流不應超過 ID。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。IDM :最大脈沖漏源電流。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。PD :最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額。VGS :最大柵源電壓。Tj :最大工作結溫。通常為150 C或175 C，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。TSTG :存儲溫度范圍.二、靜態參數：V(BR)

2、DSS :漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 VGS為0時，場效應管正常工作所能承 受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS。它具有正溫度特性，故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。 V(BR)DSS/ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數，一般為0.1V/ C。RDS(on):在特定的 VGS (一般為10V )、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下 的值作為損耗及壓降計算。VGS(th):開啟電壓(閥值

3、電壓)。當外加柵極控制電壓 VGS超過VGS(th)時，漏區 和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。IDSS :飽和漏源電流， 柵極電壓 VGS=0、VDS為一定值時的漏源電流。一般在微 安級.。IGSS :柵源驅動電流或反向電流 。由于 MOSFET輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安 級。三、動態參數：gfs :跨導。是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對漏極電 流控制能力大小的量度。gfs與VGS的轉移關系圖如圖 2所示。Qg :柵極總充電電量.。MOSFET是電壓型驅

4、動器件，驅動的過程就是柵極電壓的建 立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現的，下面將有此方面的詳細論 述.。Qgs :柵源充電電量。Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller效應)電量。Td(on):導通延遲時間.從有輸入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值 90%的時間(參考圖4)。Tr :上升時間.輸出電壓 VDS從90%下降到其幅值 10%的時間。Td(off):關斷延遲時間.輸入電壓下降到90%開始到 VDS上升到其關斷電壓時10%的時間。Tf :下降時間.輸出電壓 VDS從10%上升到其幅值 90%的時間(參考圖4)。 Ciss :輸入電容， Ciss= CGD + CG

5、S ( CDS 短路)。Coss :輸出電容，Coss = CDS +CGD 。Crss :反向傳輸電容，Crss = CGD 。圖2 MOSFET的極間電容MOSFET之感生電容被大多數制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容所引述的值是在漏源電壓為某固定值的情況下此些電容隨漏源電壓的變化而變化（見圖3的一典型關系曲線）電容數值的作用是有限的輸入電容值只給出一個大概的驅動電路 所需的充電說明而柵極充電信息更為有用它表明為達到一個特定的柵源電壓柵極所必須充的電量圖3結電容與漏源電壓之關系曲線 四、雪崩擊穿特性參數：這些參數是 MOSFET在關斷狀態能承受過壓能力的指標如果電壓超過漏源極限電壓

6、將導致器件處在雪崩狀態。EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量這是個極限參數，說明MOSFET所能承受的最大雪崩擊 穿能量IAR :雪崩電流EAR :重復雪崩擊穿能量 五、熱阻：1、 結點到外殼的熱阻。它表明當耗散一個給定的功率時，結溫與外殼溫度之間的差值 大小。公式表達t = PD* 。2、外殼到散熱器的熱阻，意義同上。3、結點到周圍環境的熱阻，意義同上。4、 Rth（j-c）與 PD 的關系，Tc（環境溫度）=Tj-Rth（j-c）*PD 反過來可以推出，環境每上升一度，PD下降數值。六：體內二極管參數：IS :連續最大續流電流（從源極）.ISM :脈沖最大續流電流（從源極）.VSD :正向導通壓

7、降Trr :反向恢復時間Qrr :反向恢復充電電量Ton :正向導通時間.（基本可以忽略不計）圖3 gfs-VGS 曲線圖圖4 MOSFET開通時間和關斷時間定義*在應用過程中，以下幾個特性是經常需要考慮的：1、V （ BR ） DSS的正溫度系數特性。這一有異于雙極型器件的特性使得其在正常工作溫度升高后變得更可靠但也需要留意其在低溫冷啟機時的可靠性。2、V ( GS ) th的負溫度系數特性。柵極門檻電位隨著結溫的升高會有一定的減小，一些輻射也會使得此門檻電位減小，甚至可能低于0電位這一特性需要工程師注意MOSFET在此些情況下的干擾誤觸發，尤其是低門檻電位的MOSFET應用。因這一特性，有

8、時需要將柵極驅動的關閉電位設計成負值(指N型，P型類推)以避免干擾誤觸發。3、 VDS on/RDS on的正溫度系數特性。VDSo n/RDSon隨著結溫的升高而略有增大的 特性使得MOSFET的直接并聯使用變得可能。雙極型器件在此方面恰好相反，故其 并聯使用變得相當復雜化。RDS on也會隨著ID的增大而略有增大， 這一特性以及結 和面RDS on正溫度特性使得 MOSFET避免了象雙極型器件那樣的二次擊穿。但要注意此特性效果相當有限，在并聯使用、推挽使用或其它應用時不可完全依賴此 特性的自我調節，仍需要一些根本措施。這一特性也說明了導通損耗會在高溫時變得更大。故在損耗計算時應特別留意參數的 選擇。4、ID的負溫度系數特性：ID會隨著結溫度升高而有相當大的減額。這一特性使得在設計時往往需要考慮的是 其在咼溫時的ID參數。5、 雪崩能力IER/EAS的負溫度系數特性。結溫度升高后，雖然會使得MOSFET具 有更大的 V ( BR ) DSS ，但是要注意 EAS會有相當大的減額。 也就是說高溫條件下 其承受雪崩的能力相對于常溫而言要弱很多。6、 MOSFET的體內寄生二極管導通能力及反向恢復表現并不比普通二極管好。在設 計中并不期望利用其作為回路主要的電流載體，往往會串接阻攔二極管使體內寄生二極管無效，并通過