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文檔簡介

目錄1．光刻與刻蝕的作用3.3光刻與刻蝕工藝2．光刻與刻蝕工藝過程3．表征光刻水平的參數4．光刻工藝面臨的挑戰與技術進步(1)特征尺寸與工藝節點3．表征光刻水平的參數集成電路早期，將能夠刻蝕的最細線條作為表征光刻水平的表征參數，稱之為特征參數CD（CriticalDimension）。(1)特征尺寸與工藝節點但是，進入2000s年代，工藝技術水平發展到深亞微米階段，最窄間距明顯大于最細線條。為了綜合表征最細線條和最小間距情況，借用齒輪中“節距(pitch)”一詞，將一組均勻排列的線條中，相鄰兩根線條中心線之間的間距稱為節距。并且將刻蝕的最細“節距”的一半作為代表工藝水平的工藝節點標志。3．表征光刻水平的參數(1)特征尺寸與工藝節點3．表征光刻水平的參數顯然，一組均勻排列的線條中，節距也是一根線條與一條間距之和。由于深亞微米階段最窄間距明顯大于最細線條，特征尺寸明顯小于半節距。例如，2007年工藝節點發展到45nm階段，最短溝道長度可以短到32nm。目前以工藝節點作為表征工藝水平的標志。描述器件結構時，例如說明最小溝道長度時，將要采用特征尺寸。3．表征光刻水平的參數表征工藝水平發展變化的“工藝節點”(2)套刻精度3．表征光刻水平的參數套刻精度高低描述了不同層次圖形之間的對準誤差情況。集成電路制造過程包括多次與光刻相關的工序，由各次光刻采用的版圖圖形共同確定了器件結構，因此要求每次光刻圖形必須與前面已刻蝕的圖形對準。但是每次光刻之間的對準必然存在誤差，因此版圖設計中必須預留套刻間距。必須預留的套刻間距取決于光刻機的對準精度，也就成為表征光刻水平高低的一個參數。(3)光刻缺陷3．表征光刻水平的參數生產中常見的光刻缺陷包括：窗口未刻蝕干凈，存在“小島”保留的氧化層上出現“針孔”互連線條不平整，局部變窄……光刻工藝過程以及光刻采用的光刻版存在缺陷都可能導致光刻缺陷。(3)光刻缺陷3．表征光刻水平的參數集成電路管芯成品率與多種因素有關，但光刻后圖形的成品率是決定產品總成品率的重要因素。例如，若每次光刻產生的圖形成品率為99%，如果一共進行20次光刻，則管芯圖形總成品率只為(99%)25

≈74%當然

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