識別與檢測常用電子元器件電子技術

電子元器件是電子技術中的基本元素。任何一種電子裝置，都由這些電子元器件合理、和諧、巧妙地組合而成。特別是近年來，傳統電子元器件的更新換代，新型元器件層出不窮，客觀地說，不了解這些元器件的性能和規格，就難以適應當代電子技術的發展。本項目主要研究半導體二極管和晶體管及其簡單測試、場效應晶體管的基本結構、工作原理、特征曲線以及主要參數。為后續課程的學習提供必要的基礎知識。剖析

1.知識目標（1）半導體的基本知識；（2）二極管、晶體管的結構及主要參數；（3）使用萬用表對二極管、晶體管進行檢測和質量判別的方法。2.技能目標（1）會使用萬用表檢測二極管的質量及判斷電極；（2）會使用萬用表檢測晶體管的質量及判斷電極。目標3.素養目標（1）在信息收集階段，能夠在教師引導下完成每個任務相關理論知識的學習，并能舉一反三；（2）在任務計劃階段，要總體考慮電路布局與連接規范，使電路美觀實用；（3）在任務實施階段，要首先具備健康管理能力，即注意安全用電和勞動保護，同時注重6S（整理、整頓、清掃、清潔、素養和安全）的養成和環境保護；（4）專心專注、精益求精貫穿任務完成始終，不懼失敗；（5）小組成員間要做好分工協作，注重溝通和能力訓練。目標識別與檢測常用電子元器件任務1.1識別與檢測二極管任務1.2識別與檢測晶體管目錄CONTENTS0102任務1.1識別與檢測二極管1思考與提升任務小結任務實施方案創新任務考核任務分析知識鏈接任務導入任務導入我們的生活離不開電子產品，如電視機、計算機、電冰箱、空調機、手機、音響設備等，這些電子產品都是由二極管、晶體管以及其他電子元器件構成的。本任務學習識別與檢測二極管。任務分析二極管是電子線路中最常用的半導體器件，它是由一個PN結加上管殼封裝而成，具有單向導電性：當外加正向電壓時，二極管導通；當外加反向電壓時，二極管截止。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管的好壞。查閱電子元器件手冊，正確選用二極管。任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接1.1.1半導體基本知識1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性1.1.3二極管的應用1.1.4特殊用途的二極管任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管1.1.1半導體基本知識任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接一、導體、絕緣體和半導體物質按其導電能力的強弱，可分為導體、絕緣體和半導體。1.導體：導電能力很強的物質。如低價元素銅、鐵、鋁等。2.絕緣體：導電能力很弱，基本上不導電的物質。如高價惰性氣體和橡膠、陶瓷、塑料等高分子材料等。3.半導體：導電能力介于導體和絕緣體之間的物質。如硅、鍺等四價元素。任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接

半導體的最外層電子數一般為4個，在常溫下存在的自由電子數介于導體和絕緣體之間，因而在常溫下半導體的導電能力也是介于導體和絕緣體之間。常用的半導體材料有硅、鍺、硒等。

++Si(硅原子)Ge(鍺原子)1.1.1半導體基本知識任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接

最常用的半導體為硅(Si)和鍺(Ge)。它們的共同特征是四價元素，即每個原子最外層電子數為4個。硅原子和鍺原子的簡化模型圖Si+4Ge+4因為原子呈電中性，所以簡化模型圖中的原子核只用帶圈的+4符號表示即可。1.1.1半導體基本知識任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接

本征半導體原子核最外層的價電子都是4個，稱為四價元素，它們排列成非常整齊的晶格結構。每一個原子均與相鄰的四個原子結合，即與相鄰四個原子的價電子兩兩組成電子對，構成共價鍵結構。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4實際上半導體的晶格結構是三維的。晶格結構共價鍵結構1.本征半導體純凈的不含任何雜質、晶體結構排列整齊的半導體稱為本征半導體。1.1.1半導體基本知識＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4從共價鍵晶格結構來看，每個原子外層都具有8個價電子。但價電子是相鄰原子共用，所以穩定性并不能象絕緣體那樣好。在游離走的價電子原位上留下一個不能移動的空位，叫空穴。

受光照或溫度上升影響，共價鍵中價電子的熱運動加劇，一些價電子會掙脫原子核的束縛游離到空間成為自由電子。

由于熱激發而在晶體中出現電子空穴對的現象稱為本征激發。

本征激發的結果，造成了半導體內部自由電子載流子運動的產生，由此本征半導體的電中性被破壞，使失掉電子的原子變成帶正電荷的離子。

由于共價鍵是定域的，這些帶正電的離子不會移動，即不能參與導電，成為晶體中固定不動的帶正電離子。＋＋＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4受光照或溫度上升影響，共價鍵中其它一些價電子直接跳進空穴，使失電子的原子重新恢復電中性。

價電子填補空穴的現象稱為復合。

參與復合的價電子又會留下一個新的空位，而這個新的空穴仍會被鄰近共價鍵中跳出來的價電子填補上，這種價電子填補空穴的復合運動使本征半導體中又形成一種不同于本征激發下的電荷遷移，為區別于本征激發下自由電子載流子的運動，我們把價電子填補空穴的復合運動稱為空穴載流子運動。

半導體與金屬導體導電機理本質上的區別：金屬導體中只有自由電子一種載流子參與導電；而半導體中則是由本征激發產生的自由電子和復合運動產生的空穴兩種載流子同時參與導電。兩種載流子電量相等、符號相反，電流的方向為空穴運動的方向即自由電子運動的反方向。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4

半導體內部，自由電子和空穴的運動總是共存的，且在一定溫度下達到動態平衡。半導體的導電機理任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接半導體具有光敏性、熱敏性和摻雜性的獨特性能，因此在電子技術中得到廣泛應用。光敏性——半導體受光照后，其導電能力大大增強；熱敏性——受溫度的影響，半導體導電能力變化很大；摻雜性——在半導體中摻入少量特殊雜質，其導電能力極大地增強；半導體材料的獨特性能是由其內部的導電機理所決定的。2.半導體的特性1.1.1半導體基本知識

在本征半導體摻入某種元素的微量雜質，將使摻雜后的雜質半導體的導電性能大大增強。+五價元素磷(P)＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4P摻入磷雜質的硅半導體晶格中，自由電子的數量大大增加。因此自由電子是這種半導體的導電主流。

在室溫情況下，本征硅中的磷雜質等于10-6數量級時，電子載流子的數目將增加幾十萬倍。摻入五價元素的雜質半導體由于自由電子多而稱為電子型半導體，也叫做N型半導體。3.雜質半導體＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4三價元素硼(B)B+摻入硼雜質的硅半導體晶格中，空穴載流子的數量大大增加。因此空穴是這種半導體的導電主流。

摻入三價元素的雜質半導體，由于空穴載流子的數量大大于自由電子載流子的數量而稱為空穴型半導體，也叫做P型半導體。在P型半導體中，多數載流子是空穴，少數載流子是自由電子，而不能移動的離子帶負電。－任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接

不論是N型半導體還是P型半導體，其中的多子和少子的移動都能形成電流。但是，由于多子的數量遠大于少子的數量，因此雜質半導體的導電性能主要取決于多子濃度。多子濃度主要取決于摻雜濃度。注意：摻入雜質后雖然形成了N型或P型半導體，但整個半導體晶體仍然呈電中性。1.1.1半導體基本知識任務1.1識別與檢測二極管任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接4.PN結及其單向導電性

PN結形成的過程中，多數載流子的擴散和少數載流子的漂移共存。開始時多子的擴散運動占優勢，擴散運動的結果使PN結加寬，內電場增強；另一方面，內電場又促使了少子的漂移運動：削弱了內電場，使PN結變窄。最后，擴散運動和漂移運動達到動態平衡，空間電荷區的寬度基本穩定，即PN結形成。1.1.1半導體基本知識P區N區空間電荷區變窄i外電場方向內電場方向PN結的正向偏置P區N區空間電荷區變寬外電場方向內電場方向PN結的反向偏置1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接箭頭指向為二極管正向導通電流方向，使用二極管時，必須注意極性不能接反，否則電路非但不能正常工作，還有毀壞管子和其他元件的可能。1.半導體二極管基本結構

二極管的類型點接觸型：結面積小，適用于高頻檢波、脈沖電路及計算機中的開關元件。外殼觸絲N型鍺片正極引線負極引線N型鍺面接觸型：結面積大，適用于低頻整流器件。負極引線底座金銻合金PN結鋁合金小球正極引線任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接負極引線P型硅二氧化硅層PN結正極引線平面型：PN結面積可大可小，用在高頻整流和開關電路中二極管的類型1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性2.二極管的伏安特性U(V)0.500.8-50-25I(mA)204060

(

A)4020

二極管的伏安特性是指流過二極管的電流與兩端所加電壓的函數關系。

二極管的伏安特性呈非線性，特性曲線上大致可分為四個區：2.外加正向電壓超過死區電壓(硅管0.5V，鍺管0.1V)時，內電場大大削弱，正向電流迅速增長，二極管進入正向導通區。硅二極管的正向導通電壓約為0.7V，鍺二極管的正向導通電壓約為0.3V。死區正向導通區反向截止區1.當外加正向電壓很低時，由于外電場還不能克服PN結內電場對多數載流子擴散運動的阻力，故正向電流很小，幾乎為零。這一區域稱之為死區。4.外加反向電壓超過反向擊穿電壓UBR時，反向電流突然增大，二極管失去單向導電性，進入反向擊穿區。反向擊穿區3.反向截止區內反向飽和電流很小，可近似視為零值。任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接3.二極管的主要參數1）最大整流電流IFM：指二極管長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。其大小由PN結的結面積和外界散熱條件決定。2）最高反向工作電壓URM：指二極管長期安全運行時所能承受的最大反向電壓值。一般取擊穿電壓的一半作為最高反向工作電壓值。3）反向電流IR：指二極管未擊穿時的反向電流。IR值越小，二極管的單向導電性越好。反向電流隨溫度芙蓉變化而變化較大。4）最大工作頻率fM：此值由PN結的結電容大小決定。若二極管的工作頻率超過該值，則二極管的單向導電性能將變得較差。1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接4.二極管的識別與檢測（1）二極管的型號命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用阿拉伯數字表示器件的電極數目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類型用阿拉伯數字表示序號用漢語拼音字母表示規格號1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接（2）萬用表檢測普通二極管的極性

萬用表測量二極管極性是根據二極管正向電阻小，反向電阻大的特點，用萬用表的R×100或R×1k檔測量二極管的正、反向電阻。若兩次阻值相差很大，說明該二極管性能良好。并根據測量電阻小的那次的表棒接法，判斷出與黑表棒連接的是二極管的正極，與紅表棒連接的是二極管的負極。1.1.2晶體二極管的結構及伏安特性1.1.3二極管的應用任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接當ui>US時，二極管導通，uo=USuitUSuoUSVD導通VD導通VD截止t當ui<US時，二極管截止，uo=uiuo=USuo=uiVD截止VD截止（1）限幅電路任務1.1識別與檢測二極管知識鏈接1.當輸入端A點電位VA<V＋，二極管VD正偏導通，若忽略二極管的管壓降，VF=VA。2.當輸入端A點電位VA>V＋，二極管VD反偏截止，電阻R上無電流通過，VF=V＋。VA<V＋VF=VAVA>V＋VF=V＋將電路中某點電位值鉗制在一個固定數值上，而不受負荷變動影響的電路稱為鉗位電路。（2）鉗位電路1.1.3二極管的應用【例1-1】已知二極管限幅電路中輸入電壓，圖1-13（a）中VD1、VD2為硅管，其正向導通壓降均為0.7V。試畫出輸出電壓的波形。（a）電路圖（b）波形圖圖1-13二極管雙向限幅電路由上述分析結果可畫出輸出電壓波形，如圖1-13（b）所示。顯然該電路中的二極管起到了將輸出電壓限幅在-0.7～+0.7V的作用。1.1.4特殊用途的二極管任務1.1識別與檢測二極管I(mA)403020100-5-10-15-20(μA)0.40.8－12－8－4U(V)

穩壓二極管的反向電壓幾乎不隨反向電流的變化而變化，這就是穩壓二極管的顯著特性。D

穩壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，其反向擊穿可逆。正向特性與普通二極管相似反向擊穿特性ΔIZΔUZ1.

穩壓二極管實物圖圖符號及文字符號

顯然穩壓管的伏安特性曲線比普通二極管的更加陡峭。知識鏈接任務1.1識別與檢測二極管

為了發揮穩壓管的穩壓作用，在使用時要注意以下幾點：1）穩壓管使用時必須加反向電壓即正極接低電位，負極接高電位。2）穩壓管在電路中應與被穩壓的負載并聯連接。3）為防止穩壓管反向工作電流超過最大值而過熱損壞，使用時必須串聯限流電阻。汽車儀表穩壓電路

1.1.4

特殊用途的二極管知識鏈接

發光二極管是一種能把電能直接轉換成光能的固體發光元件。發光二極管和普通二極管一樣，管芯由PN結構成，具有單向導電性。實物圖圖符號和

文字符號D

發光管正常工作時應正向偏置，因發光管屬于功率型器件，因此死區電壓較普通二極管高，其正偏工作電壓至少要在1.3V以上。2.發光二極管任務1.1識別與檢測二極管1.1.4

特殊用途的二極管知識鏈接3.光電二極管

PN結頂部由玻璃窗口的金屬材料封裝或用透明樹脂封裝，以便于接受光的照射。在PN結受到光線照射時，可以激發產生電子空穴對，從而提高了少數載流子的濃度。無光照時，反向電流很小；有光照時，反向電流急劇增加，且光照越強，反向電流越大。任務1.1識別與檢測二極管1.1.4

特殊用途的二極管知識鏈接任務1.1識別與檢測二極管任務實施1.辨別二極管極性2.檢測二極管指針式萬用表測量結果記錄表1-2中；數字式萬用表測試結果記錄表1-3中。

二極管型號萬用表檔位正向電阻反向電阻1N4007R×100

R×1k

2AP9R×100

R×1k

表1-2

指針式萬用表測試二極管的測試結果二極管型號二極管的狀態數字式萬用表的顯示結果1N4007正偏

反偏

2AP9正偏

反偏

表1-3

數字式萬用表測試二極管的測試結果任務1.1識別與檢測二極管任務實施由教師準備不同型號的二極管5只，其中有一部分是性能不正常的二極管（如短路、斷路或者性能變壞），由學生運用指針式萬用表進行測量，判斷二極管的工作情況，并將測量結果和判斷結果填入表1-4中。序號正向電阻反向電阻質量好壞檔位電阻值檔位電阻值好短路斷路1

2

3

4

5

表1-4

二極管檢測表任務1.1識別與檢測二極管任務實施3.收獲與總結序號掌握的技能學會的知識出現的問題處理方法1

2

3

心得體會：表1-5

收獲與總結任務1.1識別與檢測二極管創新方案任務1.1識別與檢測二極管任務考核任務名稱

姓名

組號

考核內容考核標準扣分標準自評得分組間互評得分職業素養（20分）工具擺放、著裝等符合規范（2分）操作工位衛生良好，保持整潔（2分）嚴格遵守操作規程，不浪費原材料（4分）無元器件損壞（6分）無用電事故、無儀器損壞（6分）工具擺放不規范扣1分；著裝等不符合規范扣1分；操作工位衛生等不符合要求扣2分；未按操作規程操作扣2分；浪費原材料扣2分；元器件損壞每個扣1分，扣完為止；因用電事故或操作不當而造成儀器損壞扣6分。人為故意造成用電事故、損壞元器件、損壞儀器或其他事故，本次任務計0分。

元器件識別與檢測（60分）正確識別二極管和辨別極性（10分）正確填寫表1-2、表1-3、表1-4檢測數據（40分）正確判斷二極管質量好壞（10分）不會使用儀器扣2分；元器件檢測方法錯誤，每次扣1分；數據填寫錯誤，每個扣1分。

團隊合作（10分）主動參與，積極配合小組成員，能完成自己的任務。（5分）參與完成自己的任務，得5分；參與未完成自己的任務，得2分；未參與未完成自己的任務，得0分。

能與他人共同交流和探討，積極思考，能提出問題，能正確評價自己和他人。（5分）交流能提出問題，正確評價自己和他人，得5分；交流未能正確評價自己和他人，得2分；未交流未評價，得0分。

創新能力（10分）能進行合理的創新。（10分）有合理創新方案或方法，得10分；在老師的幫助下有創新方案或方法，得6分；無創新方案或方法，得0分。

最終成績

教師評分

表1-6

任務綜合評價任務1.1識別與檢測二極管思考與提升1．同型號的整流二極管用不同的檔位測出來的電阻值

（相同/不同），說明二極管是

（線性/非線性）器件。2．觀察表1-2的測試數據，無論是整流二極管還是檢波二極管，在R×100或者R×1k檔位，測量結果都是一次測得的電阻值

，一次測得的電阻值

。電阻小的那次二極管處于

（導通/截止）；電阻大的那次二極管處于

（導通/截止）狀態。3．用數字式萬用表測量整流二極管，當所測的結果為“1”時，說明二極管處于

狀態，此時紅表筆接二極管的

極，黑表筆接二極管的

極。任務1.1識別與檢測二極管任務小結指針式萬用表的紅表筆接萬用表內部負電源，黑表筆接萬用表內部正電源。而數字萬用表的紅表筆接萬用表內部正電源，黑表筆接萬用表內部負電源。用數字萬用表測量二極管時，實測的是二極管的正向電壓值，而指針式萬用表則測的是二極管正、反向電阻的值。二極管的極性識別半導體二極管的質量判別半導體二極管的材料判別穩壓二極管的判別發光二極管的質量判別任務1.2識別與檢測晶體管2思考與提升任務小結任務實施方案創新任務考核任務分析知識鏈接任務導入任務導入晶體管是由兩個PN結所構成的三端器件，是電子線路中最常用的半導體器件之一，它是一種控制器件，具有電流放大作用，還可以作為一種無觸點開關使用。是組成各種電子電路的核心器件，廣泛用于電子產品中。任務分析通過對晶體管的識別與測試，了解晶體管的結構，掌握晶體管的電流分配關系及放大原理；能查閱電子元器件手冊并合理選用晶體管；掌握晶體管的輸入、輸出特性及應用。任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接1.2.1晶體管的結構1.2.2晶體管的電流放大作用1.2.3晶體管的特性曲線1.2.4晶體管的主要參數任務1.2識別與檢測晶體管任務1.1識別與檢測二極管1.2.1晶體管的結構任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接

半導體晶體管是由兩個PN結所構成的三端器件，是一種控制器件，具有電流放大作用，應用很廣泛，還可以作為一種無觸點開關使用。

NNP

雙極型晶體管分有NPN型和PNP型，雖然它們外形各異，品種繁多，但它們的共同特征相同：都有三個分區、兩個PN結和三個向外引出的電極：發射極e發射結集電結基區發射區集電區集電極c基極bNPN型PNP型PPN任務1.1識別與檢測二極管1.2.1晶體管的結構任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接NPN型三極管圖符號大功率低頻三極管小功率高頻三極管中功率低頻三極管

目前國內生產的雙極型硅晶體管多為NPN型(3D系列)，鍺晶體管多為PNP型(3A系列)，按頻率高低有高頻管、低頻管之別；根據功率大小可分為大、中、小功率管。

ecbPNP型三極管圖符號ecb注意：圖中箭頭方向為發射極電流的方向。1.2.2晶體管的電流放大作用任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接三極管芯結構剖面圖e發射極集電區N基區P發射區Nb基極c集電極三極管實現電流放大作用的內部結構條件1.發射區摻雜濃度很高，以便有足夠的載流子供“發射”。2.為減少載流子在基區的復合機會，基區做得很薄，一般為幾個微米，且摻雜濃度極低。3.集電區體積較大，且為了順利收集邊緣載流子，摻雜濃度介于發射極和基極之間。

雙極型三極管并非是兩個PN結的簡單組合，而是利用一定的摻雜工藝制作而成。因此，絕不能用兩個二極管來代替，使用時也決不允許把發射極和集電極接反。becNNPUBBRBUCCRC*外部條件：發射結正偏、集電結反偏從電位的角度看：

NPN

發射結正偏

UB>UE集電結反偏

UC>UB

UC>UB

>UE

晶體管實現電流放大作用的外部條件becPPNUBBRBUCCRCPNP發射結正偏UB<UE集電結反偏

UC<UB從電位的角度看：UC<UB<UE晶體管實現電流放大作用的外部條件*外部條件：發射結正偏、集電結反偏任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接1.2.3晶體管的特性曲線

所謂特性曲線是指各極電壓與電流之間的關系曲線，是三極管內部載流子運動的外部表現。共射極放大電路

發射極是輸入回路、輸出回路的公共端1.輸入特性曲線

它是指一定集電極和發射極電壓UCE下，三極管的基極電流IB與發射結電壓UBE之間的關系曲線。正常工作時發射結電壓UBE：NPN型硅管0.7V，鍺管0.3V.

2.輸出特性曲線

它是指一定基極電流IB下，三極管的集電極電流IC與集電結電壓UCE之間的關系曲線。輸出特性曲線通常分三個工作區。【例1-2】一個接在電路中，正常工作于放大狀態的晶體管，用萬用表的直流電壓檔測得A、B、C3個電極對參考點的電位分別是9V、8.8V、3.6V，判斷這只晶體管是什么類型（PNP、NPN）？是硅管還是鍺管？三個電極各是什么電極？解：根據晶體管的工作特點，兩個電壓差小的電極應該是基極和發射極，當電壓差為0.6V左右時為硅管，而電壓差為0.2V左右時為鍺管。該晶體管基極和發射極之間電壓差為（9-8.8）V=0.2V，所以該晶體管應該是鍺管。PNP管正常工作時發射極電位最高、基極次之、集電極最低，NPN管與其相反，集電極最高、基極次之、發射極最低。所以B電極為基極，A電極為發射極，C電極為集電極。而發射極電位最高，集電極電位最低，所以該管是PNP型。1.2.4晶體管的主要參數任務1.2識別與檢測晶體管知識鏈接任務1.2識別與檢測晶體管任務實施1.識讀晶體管的型號及常見晶體管的引腳分布規律2.指針式萬用表檢測三極管的基極和管型：

先將萬用表置于R×lk

歐姆檔，將紅表棒接假定的基極B，黑表棒分別與另兩個極相接觸，觀測到指針不動(或近滿偏)時，則假定的基極是正確的;且晶體管類型為NPN型（或PNP型）。PN結的單向導電性如果把紅黑兩表棒對調后，指針仍不動(或仍偏轉)，則說明管子已經老化(或已被擊穿)損壞。指針不動，說明管子反偏截止，因此為NPN型。指針偏轉，說明管子正向導通，因此為PNP型。

若被測管為NPN三極管，讓黑表棒接假定的集電極C，紅表棒接假定的發射極E。兩手分別捏住B、C兩極充當基極電阻RB(兩手不能相接觸)。注意觀察電表指針偏轉的大小；

之后，再將兩檢測極反過來假定，仍然注意觀察電表指針偏轉的大小。cb

e人體電阻cbe人體電阻假定極正確假定極錯誤

萬用表R×1k歐姆檔判別發射極E和集電極C

偏轉較大的假定極是正確的！偏轉小的反映其放大能力下降，即集電極和發射極接反了。

如果兩次檢測時電阻相差不大，則說明管子的性能較差。3.數字萬用表的檢測型號b、e間阻值b、c間阻值c、e間阻值判斷晶體管的管型、材料及好壞正向反向正向反向正向反向3DG6A

3AX31

9012

9013

由教師準備不同管型、不同封裝的晶體管若干，其中有一部分是性能不正常的晶體管（如短路、斷路或者性能變壞），由學生運用指針式萬用表進行測量極間阻值，并將測試結果和判斷結果填入表1-7中。表1-7

晶體管的識別與檢測4.晶體管各極電流關系的驗證表1-8晶體管各極電流測量表任務1.2識別與檢測晶體管任務實施5.收獲與總結序號掌握的技能學會的知識出現的問題處理方法1

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心得體會：表1-9

收獲與總結任務1.2識別與檢測晶體管創新方案任務1.2識別與檢測晶體管任務考核

根據表1-10所列評價內容和評分標準對本次任務的完成情況開展自我評價與小組評價，將評價結果填入表中。表1-10

任務綜合評價任務名稱

姓名

組號

考核內容考核標準扣分標準自評得分組間互評得分職業素養（20分）工具擺放、著裝等符合規范（2分）操作工位衛生良好，保持整潔（2分）嚴格遵守操作規程，不浪費原材料（4分）無元器件損壞（6分）無用電事故無儀器損壞（6分）工具擺放不規范，扣1分；著裝等不符合規范，扣1分；操作工位衛生等不符合要求，扣2分；未按操作