2025年半導體芯片制造中、高級工考

試題庫（完整版）

1.【單項選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分

別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？o

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個使用的時間長

【答案】A

2.【填空題】化學清洗中是利用硝酸的強（）和強（）將吸附在硅片

表面的雜質除去。

【答案】酸性；氧化性

3.【填空題】大容量可編程邏輯器件分為O和（）。

【答案】復雜可編程邏輯器件；現場可編程門陣列

4.1多項選擇題】下列材料屬于N型半導體是（）。

A.硅中摻有元素雜質磷（P）、碑（As）

B.硅中摻有元素雜質硼B.、鋁（A1）

C.碑化錢摻有元素雜質硅（Si）、硅（TE）

D.碑化錢中摻元素雜質鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

5.【填空題】在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊

集成電路切開時的切口叫（）。

【答案】劃片槽

6.【問答題】敘述H2還原SiC14外延的原理，寫出化學方程式。

【答案】在氣相外延生長過程中，首先是反應劑輸運到襯底表面；接

著是它在襯底便面發生反應釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核,

長大成為單晶層。化學方程式如下：

7.【單項選擇題】離子注入層的雜質濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】B

8.【多項選擇題】硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長溫度，生長壓力，生長速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

9.【填空題】腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學腐蝕方法。

【答案】各向異性

10.【單項選擇題】介質隔離是以絕緣性能良好的電介質作為〃隔離墻

〃來實現電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介

質是（）層。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

n.【單項選擇題】屬于絕緣體的正確答案是（）。

A.金屬、石墨、人體、大地

B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碑化錢、磷化錮

D.各種酸、堿、鹽的水溶液

【答案】B

12?【問答題】操作人員的質量職責是什么？

【答案】操作人員的質量職責是：（1）按規定接受培訓考核，以達到

所要求的技能、能力和知識；（2）嚴格按工藝規范和工藝文件進行操

作，對工藝質量負責；（3）按規定填寫質量記錄，對其準確性、完整

性負責；（4）做好所使用的儀器、設備、工具的日常維護保養工作;

（6）對違章作業造成的質量事故負直接責任。

13.【單項選擇題】位錯的形成原因是（）。

A.位錯就是由彈性形變造成的

B.位錯就是由重力造成的

C.位錯就是由范性形變造成的

D.以上答案都不對

【答案】C

14.【填空題】如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，

其長度小于L5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。

【答案】不合格

15.【單項選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金屬

【答案】B

16?【問答題】簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工

藝質量？

【答案】外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

17.【單項選擇題】反應離子腐蝕是（）。

A.化學刻蝕機理

B.物理刻蝕機理

C.物理的濺射刻蝕和化學的反應刻蝕相結合

【答案】C

18.【單項選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材

料常常是（）。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

19.【單項選擇題】雙極晶體管的高頻參數是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

20.【單項選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2%（質

量比）的硝化纖維素溶解于98%（質量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

A.80%?90%

B.10%?20%

C.40%-50%

【答案】A

21.【填空題】離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數是（）

和（）。

【答案】平均投影射程；平均投影標準差

22.【單項選擇題】pn結的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數，也是評價（）的重要標志。

A.擴散層質量

B.設計

C.光刻

【答案】A

23.【填空題】釬焊包括合金燒結、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

【答案】導電膠粘接；銀漿燒結

24?【問答題】簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?

【答案】

能很好的阻擋材料擴散；

高電導率，低歐姆接觸電阻；

在半導體和金屬之間有很好的附著能力；

抗電遷能力強；

在很薄和高溫下具有很好的穩定性；

抗侵蝕和抗氧化性好。

具有高的導電率和純度。

與下層存底(通常是二氧化硅或氮化硅)具有良好的粘附性。

與半導體材料連接時接觸電阻低。

能夠淀積出均勻而且沒有〃空洞〃的薄膜，易于填充通孔。

易于光刻和刻蝕，容易制備出精細圖形。

很好的耐腐蝕性。

在處理和應用過程中具有長期的穩定性。

25.【填空題】熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用O化合物，經過

熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

26.【填空題】外延層的遷移率低的因素有原材料純度()；反應室漏

氣；外延層的晶體()；系統沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷

多；生長工藝條件不適宜。

【答案】不夠；質量差1

27.【填空題】氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的()性、()率,

并影響其電學性能和O性，所以半導體芯片制造工藝需在超凈廠房

內進行。

【答案】完整；成品；可靠性

28.【填空題】禁帶寬度的大小決定著()的難易，一般半導體材料的

禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因

素，如高溫和輻射等的干擾而產生變化。

【答案】電子從價帶跳到導帶

29.【單項選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數有()、模具溫

度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時間。

A.準備工具

B.準備模塑料

C.模塑料預熱

【答案】C

30.【填空題】半導體材料可根據其性能、晶體結構、結晶程度、化學

組成分類。比較通用的則是根據其化學組成可分為O半導體、()半

導體、固溶半導體三大類。

【答案】元素；化合物

31.【單項選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質量，

必須確定的基本規范包括()

A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時間

【答案】B

32.【單項選擇題】濺射法是由O轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面

飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

33.【單項選擇題】器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來實現。

A.掩膜版

B.擴散

C.光刻

【答案】C

34.【填空題】雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可

分為()擴散和()擴散兩種。

【答案】替位；間隙

35.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內()控制。

【答案】濕度

36.【單項選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與()有關。

A.基區寬度

B.外延層厚度

C.表面界面狀態

【答案】C

37.【單項選擇題】恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為()分

布。

A.高斯

B.余誤差

C.指數

【答案】B

38?【問答題】潔凈區工作人員應注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個人清潔衛生.不能把潔凈服提

來提去，人員不能觸摸或翻動潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，

指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進行。

39.【填空題】硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。碎化錢片

用（）

系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

【答案】硫酸

40.【單項選擇題】厚膜元件燒結時，漿料中的固體顆粒由接觸到結

合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統的

自由能O,從而使系統轉變為熱力學中更穩定的狀態。

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

41.【填空題】二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

O

淀積、PECVD淀積。

【答案】氧化；氣相

42?【問答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大

類。

43?【問答題】有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學氣相淀積(APCVD.,低壓化學氣相淀積(LPCVD.,

等離子體輔助CVDO

44.【填空題】最常用的金屬膜制備方法有()加熱蒸發、()蒸發、

()。

【答案】電阻；電子束；濺射

45.【填空題】金絲球焊的優點是無方向性，鍵合強度一般()同類電

極系統的楔刀焊接。

【答案】大于

46.【填空題】外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計三

部分，而()設計也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

47.【填空題】半導體集成電路生產中，元件之間隔離有OOO隔

離等三種基本方法.

【答案】Pn結介質；Pn結隔離；Pn結介質混合

48.【填空題】延生長方法比較多，其中主要的有O外延、O外延、

金屬有機化學氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化學氣相；液相；分子束

49.【單項選擇題】平行縫焊的工藝參數有焊接電流、焊接速度、焊

輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環之間高阻點的O。

壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接

觸不良，不但形不成良好點。

A.電流值

B.電阻值

C.電壓值

【答案】B

50.【單項選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難

易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流

子O外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

51?【問答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格

缺陷。

52.【填空題】鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得

牢固的焊接，甚至根本無法實現焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易

生成一層O,它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間

引力范圍的間距。

【答案】氧化物

53?【問答題】單晶片切割的質量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

54.【單項選擇題】外殼設計包括（）設計、熱性能設計和結構設計三

部分，而可靠性設計也包含在這三部分中間。

A.電性能

B.電阻

C.電感

【答案】A

55.【填空題】芯片焊接質量通常進行鏡檢和()兩項試驗。

【答案】剪切強度

56?【問答題】引線焊接有哪些質量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學穩定性好。盡量少形成金

屬間化合物，鍵合引線和焊盤金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾

斜度，平行度焊接時間焊接界面的清潤。

57.【單項選擇題】超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接，焊接處依靠()封接，因而外殼零件的平整度和鍍

金層厚度是實現可靠性封接的關鍵因素。

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

58.【單項選擇題】非接觸式厚膜電路絲網印刷時，絲網與基片之間

有一定的距離，稱為間隙，通常為O。

A.小于0.1mm

B.0,5?2.0mm

C.大于2.Omm

【答案】B

59.【填空題】厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

【答案】氧化鍍陶瓷

60?【問答題】簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對應的幾何圖形，從而實現選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

61.【單項選擇題】半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之

一是：良好的熱性能。外殼應有小的O,使芯片的熱量有效地散逸

出去，保證器件在正常結溫下工作。

A.熱阻

B.阻抗

C.結構參數

【答案】A

62.【判斷題】沒有經濟收入或交納黨費有困難的黨員，由本人提出

申請，經黨支部委員會同意，可以少交或免交。

【答案】對

63.【單項選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型

膠粘劑3大類。半導體器件的粘封工藝一般選用O。

A.熱塑性樹脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

64.【單項選擇題】變容二極管的電容量隨()變化。

A.正偏電流

B.反偏電壓

C.結溫

【答案】B

65?【問答題】簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對應的幾何圖形，從而實現選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

66.【填空題】鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得

牢固的焊接，甚至根本無法實現焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易

生成一層()，它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間

引力范圍的間距。

【答案】氧化物

67.【單項選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材

料常常是()。

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

【答案】B

68.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內()控制。

【答案】濕度

69.【單項選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與()有關。

A.基區寬度

B.外延層厚度

C.表面界面狀態

【答案】C

70?【問答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機構中質點排列的某種不規則性或不完善性。又稱晶格

缺陷。

71.【填空題】離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數是()

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影標準差

72.【填空題】禁帶寬度的大小決定著O的難易，一般半導體材料的

禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因

素，如高溫和輻射等的干擾而產生變化。

【答案】電子從價帶跳到導帶

73.【單項選擇題】變容二極管的電容量隨（）變化。

A.正偏電流

B.反偏電壓

C.結溫

【答案】B

74?【問答題】潔凈區工作人員應注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個人清潔衛生.不能把潔凈服提

來提去，人員不能觸摸或翻動潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，

指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進行。

75.【單項選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數有（）、模具溫

度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時間。

A.準備工具

B.準備模塑料

C.模塑料預熱

【答案】C

76.【單項選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2%（質

量比）的硝化纖維素溶解于98%（質量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運載劑與()的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。

A.80%?90%

B.10%?20%

C.40%-50%

【答案】A

77.【判斷題】沒有經濟收入或交納黨費有困難的黨員，由本人提出

申請，經黨支部委員會同意，可以少交或免交。

【答案】對

78.【單項選擇題】濺射法是由O轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面

飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

79.【填空題】延生長方法比較多，其中主要的有O外延、O外延、

金屬有機化學氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

【答案】化學氣相；液相；分子束

80.【單項選擇題】恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為()分

布。

A.高斯

B.余誤差

C.指數

【答案】B

81.【單項選擇題】超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接，焊接處依靠()封接，因而外殼零件的平整度和鍍

金層厚度是實現可靠性封接的關鍵因素。

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

82.【填空題】最常用的金屬膜制備方法有()加熱蒸發、()蒸發、

()。

【答案】電阻；電子束；濺射

83.【單項選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤、管帽和引線，O做絕緣和密封。

A.塑料

B.玻璃

C.金屬

【答案】B

84.【單項選擇題】pn結的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數，也是評價()的重要標志。

A.擴散層質量

B.設計

C.光刻

【答案】A

85.【填空題】硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。碎化錢片

用（）

系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

【答案】硫酸

86.【單項選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型

膠粘劑3大類。半導體器件的粘封工藝一般選用O。

A.熱塑性樹脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

87.【單項選擇題】雙極晶體管的高頻參數是（）。

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

88.【填空題】二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

O

淀積、PECVD淀積。

【答案】氧化；氣相

89.【填空題】釬焊包括合金燒結、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

【答案】導電膠粘接；銀漿燒結

90.【填空題】如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，

其長度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。

【答案】不合格

91?【問答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大

類。

92.【填空題】厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

【答案】氧化鍍陶瓷

93.【填空題】芯片焊接質量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。

【答案】剪切強度

94?【問答題】引線焊接有哪些質量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學穩定性好。盡量少形成金

屬間化合物，鍵合引線和焊盤金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾

斜度，平行度焊接時間焊接界面的清潤。

95.【填空題】雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可

分為（）擴散和（）擴散兩種。

【答案】替位；間隙

96.【單項選擇題】厚膜元件燒結時，漿料中的固體顆粒由接觸到結

合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統的

自由能O,從而使系統轉變為熱力學中更穩定的狀態。

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

97.【單項選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難

易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流

子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

98?【問答題】簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工

藝質量？

【答案】外延要求：

L集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

99.【填空題】外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計三

部分，而（）設計也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

100.【單項選擇題】器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現。

A.掩膜版

B.擴散

C.光刻

【答案】C

101.【填空題】外延層的遷移率低的因素有原材料純度O；反應室

漏氣；外延層的晶體（）；系統沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺

陷多；生長工藝條件不適宜。

【答案】不夠；質量差

102.【填空題】熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經

過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。

【答案】含有硅的化合物

103.【問答題】單晶片切割的質量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

104.【問答題】有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學氣相淀積（APCVD.,低壓化學氣相淀積（LPCVD.,

等離子體輔助CVDo

105.【填空題】大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

【答案】復雜可編程邏輯器件；現場可編程門陣列

106.【單項選擇題】人們規定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

107.【問答題】對于大尺寸的MOS管版圖設計，適合采用什么樣的版

圖結構？簡述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯晶體管結構。

采用并聯晶體管結構后，可共用源區和漏區，使得在同樣寬長比的情

況下，漏區和源區的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結電容被減小，對提高電路的動態性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設計時還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因為器件的尺寸大，即叉指的個數較多，如果采用簡單并列的方式，

將由于叉指到信號引入點的距離不同引起信號強度的差異。同時，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導致最左端的叉指和最右端的叉

指所對應的并聯器件在參數和結構上產生失配。

108.【填空題】在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各

塊集成電路切開時的切口叫O。

【答案】劃片槽

109.【填空題】半導體材料可根據其性能、晶體結構、結晶程度、化

學組成分類。比較通用的則是根據其化學組成可分為元素（）、（）半

導體、固溶半導體三大類。

【答案】半導體；化合物

110?【問答題】敘述H2還原SiC14外延的原理，寫出化學方程式。

【答案】在氣相外延生長過程中，首先是反應劑輸運到襯底表面；接

著是它在襯底便面發生反應釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核,

長大成為單晶層?；瘜W方程式如下：

111.【填空題】化學清洗中是利用硝酸的強O和強()將吸附在硅

片表面的雜質除去。

【答案】酸性；氧化性

H2.【問答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】(1)機械支撐和機械保護作用。

(2)傳輸信號和分配電源的作用。

(3)熱耗散的作用。

(4)環境保護的作用。

H3.【填空題】外延生長方法比較多，其中主要的有()外延、()外

延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學氣相；液相；原子束外延

H4.【填空題】半導體材料有兩種載流子參加導電，具有兩種導電類

型。

一種是O,另一種是()。

【答案】電子；空穴

115.【填空題】對標準單元設計EDA系統而言，標準單元庫應包含以

下內容：()、和()、()、()0

【答案】邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓撲單元庫；版圖單元庫

116.【單項選擇題】屬于絕緣體的正確答案是()。

A.金屬、石墨、人體、大地

B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、楮、碎化錢、磷化錮

D.各種酸、堿、鹽的水溶液

【答案】B

H7.【填空題】腐蝕V形槽一般采用()的濕法化學腐蝕方法。

【答案】各向異性

H8.【問答題】什么叫光刻？光刻工藝質量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。

對光刻工藝質量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準

確；介質膜或金屬膜上無針孔；硅片表面清潔、不發花、無殘留的被

腐蝕物質。

H9.【填空題】離子注入是借其()強行進入靶材料中的一個()物

理過程。

【答案】動能；非平衡

120.【多項選擇題】硅外延生長工藝包括()。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長溫度，生長壓力，生長速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

121.【單項選擇題】二氧化硅在擴散時能對雜質起掩蔽作用進行（）

擴散。

A.預

B.再

C.選擇

【答案】C

122.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質量:顏色O、

結構（）；表面無（）、無（）、不發花；表面無裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點；白霧；無針孔

123.【單項選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層,

分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個使用的時間長

【答案】A

124.【單項選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】A

125.【填空題】光刻工藝一般都要經過涂膠、O、曝光、O、堅膜、

腐蝕、()等步驟。

【答案】前烘；顯影；去膠

126.1多項選擇題】下列材料屬于N型半導體是()。

A.硅中摻有元素雜質磷(P)、碑(As)

B.硅中摻有元素雜質硼

B.、鋁(A1)

C.碑化錢摻有元素雜質硅(Si)、牖(TE)

D.碑化錢中摻元素雜質鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

127.【單項選擇題】恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為什么分

布？O

A、高斯函數

B、余誤差函數

C、指數函數

D、線性函數

【答案】B

128.1多項選擇題】按蒸發源加熱方法的不同，真空蒸發工藝可分為：

O蒸發、()蒸發、離子束蒸發等。

A.電阻加熱

B.電子束

C.蒸氣原子

【答案】A,B

129.【填空題】在半導體工藝中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻膠；洗液

130.【單項選擇題】離子注入層的雜質濃度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】B

131.【問答題】為什么說潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一項重

要技術？

【答案】半導體芯片制造，尤其是隨著高度集成復雜電路和微波器件

的發展，要求獲得細線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴重影響半導體芯片成品率和可靠性。生產中的污染，除了由于

化學試劑不純、氣體純化不良、去離子質量不佳引入之外，環境中的

塵埃、雜質及有害氣體、工作人員、設備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來源。例如,

PN結表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導致晶體管

電流放大系數不穩定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫擴散過程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴散，使結特性變壞。所以潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一

項重要技術。

132.【問答題】襯底清洗過程包括哪幾個步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

133.【填空題】白光照射二氧化硅時，不同的厚度有不同的O。

【答案】干涉色

134.【單項選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

135.【單項選擇題】人們規定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

136.【多項選擇題】硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備

B.原位HC1腐蝕

C.生長溫度，生長壓力，生長速度

D.尾氣的處理

【答案】A,B,C,D

137.【填空題】半導體材料有兩種載流子參加導電，具有兩種導電類

型。一種是O,另一種是（）。

【答案】電子；空穴

138.【問答題】襯底清洗過程包括哪幾個步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

139.【問答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】（1）機械支撐和機械保護作用。

（2）傳輸信號和分配電源的作用。

（3）熱耗散的作用。

（4）環境保護的作用。

140.【問答題】對于大尺寸的MOS管版圖設計，適合采用什么樣的版

圖結構？簡述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯晶體管結構。

采用并聯晶體管結構后，可共用源區和漏區，使得在同樣寬長比的情

況下，漏區和源區的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結電容被減小，對提高電路的動態性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設計時還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因為器件的尺寸大，即叉指的個數較多，如果采用簡單并列的方式，

將由于叉指到信號引入點的距離不同引起信號強度的差異。同時，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導致最左端的叉指和最右端的叉

指所對應的并聯器件在參數和結構上產生失配。

141.【問答題】集成電容主要有哪幾種結構？

【答案】①金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構；

②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結構；

③金屬叉指結構；

④PN結電容；

⑤MOS電容。

142.【單項選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用()

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

143.【問答題】為什么說潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一項重

要技術？

【答案】半導體芯片制造，尤其是隨著高度集成復雜電路和微波器件

的發展，要求獲得細線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴重影響半導體芯片成品率和可靠性。生產中的污染，除了由于

化學試劑不純、氣體純化不良、去離子質量不佳引入之外，環境中的

塵埃、雜質及有害氣體、工作人員、設備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來源。例如,

PN結表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導致晶體管

電流放大系數不穩定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫擴散過程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴散，使結特性變壞。所以潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一

項重要技術。

144.【填空題】半導體中的離子注入摻雜是把摻雜劑O加速到的需

要的O,直接注入到半導體晶片中，并經適當溫度的O。

【答案】離子；能量；退火處理

145.【單項選擇題】介質隔離是以絕緣性能良好的電介質作為〃隔離

墻〃來實現電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電

介質是（）層。

A.多晶硅

B.氮化硅

C.二氧化硅

【答案】C

146.【填空題】工藝人員完成工藝操作后要認真、及時填寫工藝記錄，

做到記錄內容詳細、（）、（）、書寫工整、（）。

【答案】真實；完整；數據準確

147?【問答題】什么叫光刻？光刻工藝質量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。

對光刻工藝質量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準

確；介質膜或金屬膜上無針孔；硅片表面清潔、不發花、無殘留的被

腐蝕物質。

148.【填空題】在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各

塊集成電路切開時的切口叫O。

【答案】劃片槽

149.【填空題】拋光片的質量檢測項目包括：幾何參數，直徑、O、

主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；O,電阻率，載流子濃度，

遷移率等；晶體質量，晶向，位錯密度。

【答案】厚度；電學參數

150.1多項選擇題】下列材料屬于N型半導體是（）。

A.硅中摻有元素雜質磷（P）、碑（As）

B.硅中摻有元素雜質硼

B.、鋁（A1）

C.碑化錢摻有元素雜質硅（Si）、牖（TE）

D.碑化錢中摻元素雜質鋅、鎘、鎂

【答案】A,C

151.【填空題】全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符號圖；抽象圖；線路圖；版圖

152.【單項選擇題】二氧化硅在擴散時能對雜質起掩蔽作用進行()

擴散。

A.預

B.再

C.選擇

【答案】C

153.【單項選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的()。

A.能量

B.劑量

【答案】A

154.【單項選擇題】恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為什么分

布？O

A、高斯函數

B、余誤差函數

C、指數函數

D、線性函數

【答案】B

155.【問答題】簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工

藝質量？

【答案】外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

156.【問答題】有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法？

【答案】常壓化學氣相淀積（APCVD.,低壓化學氣相淀積（LPCVD.,

等離子體輔助CVDO

157.【填空題】雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可

分為（）擴散和（）擴散兩種。

【答案】替位；間隙

158.【單項選擇題】反應離子腐蝕是（）。

A.化學刻蝕機理

B.物理刻蝕機理

C.物理的濺射刻蝕和化學的反應刻蝕相結合

【答案】C

159.【填空題】外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計三

部分，而（）設計也包含在這三部分中間。

【答案】可靠性

160.【單項選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質量,

必須確定的基本規范包括()

A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時間

【答案】B

161.【填空題】離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數是O

和()。

【答案】平均投影射程；平均投影標準差

162.【判斷題】沒有經濟收入或交納黨費有困難的黨員，由本人提出

申請，經黨支部委員會同意，可以少交或免交。

【答案】對

163.【單項選擇題】濺射法是由()轟擊靶材表面，使靶原子從靶表

面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

164.【問答題】簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得

到所需圖形的工藝。

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對應的幾何圖形，從而實現選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準備。決定了芯片

的性能，成品率，可靠性。

165.【單項選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難

易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流

子O外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產生變化。

A.越不容易受

B.越容易受

C.基本不受

【答案】A

166.【填空題】釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控

制和密封腔體內()控制。

【答案】濕度

167.【問答題】簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？

【答案】

1.光刻是通過一系列生產步驟將晶圓外表薄膜的特定局部除

1.光刻是通過一系列生產步驟將晶圓外表薄膜的特定局部除去并得

到所需圖形的工藝.

2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全

對應的幾何圖形,從而實現選擇性擴散和金屬薄膜布線的目的，它是

晶圓加工過程的中央,為后面的刻蝕和離子注入做準備.決定了芯片

的性能,成品率,可靠性.

168.【填空題】題鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲

得牢固的焊接,甚至根本無法實現焊接的原因是鋁的外表在空氣中極

易生成一層0，它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間

引力范圍的間距.

【答案】氧化物

169.【單項選擇題】金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件

一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成.底盤、管帽和引線的材

料常常是0.

A.合金A-42

B.4J29可伐

C.4J34可伐

170.【填空題】題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛限制、溫度

限制和密封腔體內0控制.

【答案】濕度

171.【單項選擇題】雙極晶體管的lc7r噪聲與0有關.

A.基區寬度

B.外延層厚度

C.外表界面狀態

【答案】C

172.【問答題】什么叫晶體缺陷？

【答案】晶體機構中質點排列的某種不規那么性或不完善性.又稱晶

格缺

173.【填空題】題離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數是

()和。.

【答案】平均投影射程；平均投影標準差

174.【填空題】題禁帶寬度的大小決定著0的難易，一般半導體材

料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外

界因素,如高溫和輻射等的干擾而產生變化.

【答案】電子從價帶跳到導帶

175.【單項選擇題】變容二極管的電容量隨0變化.

A.正偏電流

B.反偏電壓C結溫

【答案】B

176.【填空題】題半導體集成電路生產中，元件之間隔離有000

隔離等三種基本方法.

【答案】Pn結介質；Pn結隔離；Pn結介質混合【答案】Pn結介質；

Pn結隔離；Pn結介質混合

177.【問答題】潔凈區工作人員應注意些什么？

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個人清潔衛生.不能把潔凈服提來

【答案】保持部件與工具潔凈，保持個人清潔衛生.不能把潔凈服提來

提去,人員不能觸摸或翻動潔凈服.禁止吃喝,禁止用手表,首飾,指甲

油，吸煙,化妝,工作只能在潔凈面上進行.

178.【單項選擇題】塑封中注塑成型工藝主要工藝參數有()、模具

溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時間.

A.準備工具

B.準備模塑料

C.模塑料預熱

【答案】C

179.【問答題】簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?

【答案】

1能很好的阻擋材料擴散；

2高電導率，低

1能很好的阻擋材料擴散；

2高電導率，低歐姆接觸電阻；

3在半導體和金屬之間有很好的附著水平；

4抗電遷水平強；

5在很薄和高溫下具有很好的穩定性；

6抗侵蝕和抗氧化性好.

7具有高的導電率和純度.

8與下層存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性.

9與半導體材料連接時接觸電阻低.

10能夠淀積出均勻而且沒有空洞的薄膜，易于填充通孔.

11易于光刻和刻蝕，容易制備出精細圖形.

12很好的耐腐蝕性.

13在處理和應用過程中具有長期的穩定性.

180.【單項選擇題】在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2%（質

量比〕的硝化纖維素溶解于98%（質量比）的醋酸異戊酯或松油醇中

制得，再將20%的運載劑與0的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料.

A.80婷90%

B.10%"20%

C.40%-50%

【答案】A

181?【判斷題】沒有經濟收入或交納黨費有困難的黨員，由本人提出

申請,經黨支部委員會同意,可以少交或免交.

【答案】對

182.【單項選擇題】濺射法是由0轟擊靶材外表，使靶原子從靶外

表飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜.

A.電子

B.中性粒子

C.帶能離子

【答案】C

183.【填空題】題延生長方法比擬多，其中主要的有0外延、0外

延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等.

【答案】化學氣相；液相；分子束

184.【單項選擇題】恒定外表源擴散的雜質分布在數學上稱為0分

布.

A.高斯

B.余誤差

C指數

【答案】B

185.【單項選擇題】超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與

鍍金管帽的焊接,焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金

層厚度是實現可靠性封接的關鍵因素.

A.管帽變形

B.鍍金層的變形

C.底座變形

【答案】B

186.【填空題】題最常用的金屬膜制備方法有0加熱蒸發、0蒸

發、（）.

【答案】電阻；電子束；濺射

187.【單項選擇題】金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作

封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封.

A.塑料

B.玻璃

C金屬

【答案】B

188.【單項選擇題】pn結的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要

直流參數，也是評價0的重要標志.

A.擴散層質量

B.設計

C.光刻

【答案】A

189.【填空題】題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液.碎化錢

片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液.

【答案】硫酸

190.【單項選擇題】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型

膠粘劑3大類.半導體器件的粘封工藝一般選用0.

A.熱塑性樹脂

B.熱固性或橡膠型膠粘劑

【答案】B

191.【單項選擇題】雙極晶體管的高頻參數是0.

A.hFEVces

B.BVce

C.ftfm

【答案】C

192.【填空題】題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、

（）淀積、PECVD淀積.

【答案】氧化；氣相

193.【填空題】題釬焊包括合金燒結、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、

0等.

【答案】導電膠粘接；銀漿燒結

194.【填空題】題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0

倍，其長度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合0.

【答案】不合格

195?【問答題】粘封工藝中，常用的材料有哪幾類？

【答案】常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大

類

196.【填空題】題厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：

氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷.

【答案】氧化鍍陶瓷

197.【填空題】題芯片焊接質量通常進行鏡檢和0兩項試驗.

【答案】剪切強度

198.【問答題】引線焊接有哪些質量要求？

【答案】可靠性好，易保持一定形狀，化學穩定性好.盡量少形成金屬

間化合物,鍵合引線和焊盤金屬間形成低電阻歐姆接觸.平整度傾斜

度,平行度焊接時間焊接界面的清潤.

199.【填空題】題雜質原子在半導體中的擴散機理比擬復雜，但主要

可分為0擴散和0擴散兩種.

【答案】替位；間隙

200.【單項選擇題】厚膜元件燒結時，漿料中的固體顆粒由接觸到結

合、自由外表的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統的

自由能（），從而使系統轉變為熱力學中更穩定的狀態.

A.降低

B.升高

C.保持不變

【答案】A

201.【單項選擇題】禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難

易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流

子0外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產生變化.

A.越不容易受

B.越容易受

C.根本不受

【答案】A

202.【填空題】題氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的（）性、（）

率,并影響其電學性能和（）性，所以半導體芯片制造工藝需在超凈廠

房內進行.

【答案】完整；成品；可靠性

203.【問答題】簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工

藝質量？

【答案】外延要求：

L集電極擊穿電壓要求

2.集電解析：外延要求：

1.集電極擊穿電壓要求

2.集電極串聯電阻要小.

3.高頻大功率小型化.刻蝕要求：

1.圖形轉換的保真度高

2.選擇比高.

3.刻蝕速率高.

4.刻蝕剖面.

5.刻蝕偏差.

6.刻蝕因子大.

7.均勻性.

204.【填空題】題外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計

三局部，而0設計也包含在這三局部中間.

【答案】可靠性

205.【單項選擇題】器件的橫向尺寸限制幾乎全由0來實現.

A.掩膜版

B擴散

C.光刻

【答案】C

206.【填空題】題外延層的遷移率低的因素有原材料純度0；反響

室漏氣；外延層的晶體（）；系統沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體

缺陷多；生長工藝條件不適宜.

【答案】不夠；質量差

207.【填空題】題熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用0化合物,

經過熱分解反響,在基片外表淀積二氧化硅.

【答案】含有硅的化合物

208.【問答題】單晶片切割的質量要求有哪些？

【答案】晶向偏離度總厚度誤差,平衡度，翹曲度等

209.【單項選擇題】平行縫焊的工藝參數有焊接電流、焊接速度、焊

輪壓力和焊輪椎頂角.焊輪壓力影響蓋板和焊環之間高阻點的（）.壓

力太大，電阻值下降,對形成焊點不利，焊輪壓力太小，那么造成接觸

不良,不但形不成良好點.

A.電流值

B.電阻值

C.電壓值

【答案】B

210.【單項選擇題】反響離子腐蝕是0.

A.化學刻蝕機理

B.物理刻蝕機理

C.物理的濺射刻蝕和化學的反響刻蝕相結合

【答案】C

2n.【單項選擇題】在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質量,必

須確定的根本標準包括0A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B.焊接電流、焊接時間和電極壓力

C.焊接電流、焊接電壓和焊接時間

【答案】B

212.【填空題】題金絲球1

【答案】A

213.【單項選擇題】半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之

一是：良好的熱性能.外殼應有小的0，使芯片的熱量有效地散逸出

去，保證器件在正常結溫下工作.A熱阻

B.阻抗

C.結構參數

【答案】A

214.【單項選擇題】說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集

成電路設計過程叫O：

A、邏輯設計

B、物理設計

C、電路設計

D、系統設計

【答案】A

215.【填空題】對標準單元設計EDA系統而言，標準單元庫應包含以

下內容:()、和()、()、()0

【答案】邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓撲單元庫；版圖單元庫

216.【單項選擇題】將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片

表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為()曝光。

A.接觸

B.接近式

C.投影

【答案】A

217.【單項選擇題】從離子源引出的是：（）

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、離子束

【答案】D

218.【單項選擇題】在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層,

分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）

A、干氧

B、濕氧

C、水汽氧化

D、不能確定哪個使用的時間長

【答案】A

219.【單項選擇題】位錯的形成原因是O。

A.位錯就是由彈性形變造成的

B.位錯就是由重力造成的

C.位錯就是由范性形變造成的

D.以上答案都不對

【答案】C

220.【填空題】在擴散之前在硅表面先沉積一層雜質，在整個過程中

這層雜質作為擴散的雜質源，不再有新的雜質補充，這種擴散方式稱

為：（）

【答案】恒定表面源擴散

221.【填空題】外延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外

延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學氣相；液相；原子束外延

222.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質量:顏色O、

結構（）；表面無（）、無（）、不發花；表面無裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點；白霧；無針孔

223.【單項選擇題】單相3線插座接線有嚴格規定（）

A.〃左零〃〃右火〃

B.〃左火〃〃右零〃

【答案】A

224.【問答題】襯底清洗過程包括哪幾個步驟？

【答案】（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學腐蝕；（4）

水清洗；（5）干燥。

225.【單項選擇題】恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為什么分

布？O

A、高斯函數

B、余誤差函數

C、指數函數

D、線性函數

【答案】B

226.【填空題】工藝人員完成工藝操作后要認真、及時填寫工藝記錄，

做到記錄內容詳細、（）、（）、書寫工整、（）。

【答案】真實；完整；數據準確

227.【單項選擇題】離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

A.能量

B.劑量

【答案】A

228.【填空題】白光照射二氧化硅時，不同的厚度有不同的（）。

【答案】干涉色

229.【單項選擇題】從離子源引出的是：O

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、離子束

【答案】D

230.【單項選擇題】人們規定：O電壓為安全電壓.

A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

【答案】A

231?【問答題】為什么說潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一項重

要技術？

【答案】半導體芯片制造，尤其是隨著高度集成復雜電路和微波器件

的發展，要求獲得細線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染

都將嚴重影響半導體芯片成品率和可靠性。生產中的污染，除了由于

化學試劑不純、氣體純化不良、去離子質量不佳引入之外，環境中的

塵埃、雜質及有害氣體、工作人員、設備、工具、日用雜品等引入的

塵埃、毛發、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來源。例如,

PN結表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手

汗引起的Na離子沾污會使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導致晶體管

電流放大系數不穩定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致

失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆

粒塵埃附著在光刻膠表面，會使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖

形模糊；高溫擴散過程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快

速擴散，使結特性變壞。所以潔凈技術是半導體芯片制造過程中的一

項重要技術。

232.【單項選擇題】二氧化硅在擴散時能對雜質起掩蔽作用進行()

擴散。

A.預

B.再

C.選擇

【答案】C

233.【填空題】拋光片的質量檢測項目包括：幾何參數，直徑、()、

主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；O,電阻率，載流子濃度，

遷移率等；晶體質量，晶向，位錯密度。

【答案】厚度；電學參數

234.【填空題】半導體材料的主要晶體結構有()型、閃鋅礦型、()

型。

【答案】金剛石；纖鋅礦

235.【單項選擇題】光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半

導體晶片表面的掩膜層上的工藝()

A.刻制圖形

B.繪制圖形

C.制作圖形

【答案】A

236.【單項選擇題】將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片

表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為()曝光。

A.接觸

B.接近式

C.投影

【答案】A

237.【填空題】對標準單元設計EDA系統而言，標準單元庫應包含以

下內容:()、和()、()、()。

【答案】邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓撲單元庫；版圖單元庫

238?【問答題】集成電容主要有哪幾種結構？

【答案】①金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構；

②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結構；

③金屬叉指結構；

④PN結電容；

⑤MOS電容。

239.【填空題】全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含O、

（）、（）和（）。

【答案】符號圖；抽象圖；線路圖；版圖

240.【填空題】半導體材料有兩種載流子參加導電，具有兩種導電類

型。

一種是O,另一種是（）。

【答案】電子；空穴

241.【填空題】離子注入是借其（）強行進入靶材料中的一個（）物

理過程。

【答案】動能；非平衡

242.【單項選擇題】下列晶體管結構中，在晶體管輸出電流很大時常

使用的是：O

A、單基極條圖形

B、雙基極條圖形

C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結構

D、梳狀結構

【答案】D

243.【填空題】光刻工藝一般都要經過涂膠、O、曝光、O、堅膜、

腐蝕、（）等步驟。

【答案】前烘；顯影；去膠

244.【填空題】外延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、O外

延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、O、固相外延等。

【答案】化學氣相；液相；原子束外延

245.【問答題】對于大尺寸的MOS管版圖設計，適合采用什么樣的版

圖結構？簡述原因。

【答案】（1）S管的版圖一般采用并聯晶體管結構。

采用并聯晶體管結構后，可共用源區和漏區，使得在同樣寬長比的情

況下，漏區和源區的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN

結電容被減小，對提高電路的動態性能很有好處。

（2）寸器件在版圖設計時還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。

因為器件的尺寸大，即叉指的個數較多，如果采用簡單并列的方式，

將由于叉指到信號引入點的距離不同引起信號強度的差異。同時，由

于在一維方向上的工藝離散性，也將導致最左端的叉指和最右端的叉

指所對應的并聯器件在參數和結構上產生失配。

246.【填空題】半導體中的離子注入摻雜是把摻雜劑O加速到的需

要的O,直接注入到半導體晶片中，并經適當溫度的O。

【答案】離子；能量；退火處理

247.【填空題】在半導體工藝中，硫酸常用于去除O和配制O等。

【答案】光刻膠；洗液

248.【填空題】用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質量:顏色O、

結構（）；表面無（）、無（）、不發花；表面無裂紋、（）。

【答案】是否均勻；是否致密；斑點；白霧；無針孔

249.【問答題】什么叫光刻？光刻工藝質量的基本要求是什么？

【答案】光刻是一種圖形復印和化學腐蝕相結合的精密表面加工技術。

對光刻工藝質量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準確、邊緣整

齊、線條陡直；圖片內無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準

確；介質膜或金屬膜上無針孔；硅片表面清潔、不發花、無殘留的被

腐蝕物質。

250.【單項選擇題】說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集

成電路設計過程叫O：

A、邏輯設計

B、物理設計

C、電路設計

D、系統設計

【答案】A

251.【問答題】集成電路封裝有哪些作用？

【答案】（1）機械支撐和機械保護作用。

（2）傳輸信號和分配電源的作用。

（3）熱耗散的作用。

（4）環境保護的作用。

252.【填空題】在擴散之前在硅表面先沉積一層雜質，在整個過程中

這層雜質作為擴散的雜質源，不再有新的雜質補充，這種擴散方式稱

為：（）

【答案】恒定表面源擴散

253.【單項選擇題】腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用O

A、鹽酸

B、硫酸

C、硝酸

D、氫氟酸

【答案】D

254.1多項選擇題】硅外延片的應用包括（）。

A.二極管和三極管

B.電力電子器件

C.大規模集成電路

D.超大規模集成電路

【答案】A,B,C,D

255.【填空題】半導體材料可根據其性能、晶體結構、結晶程度、化

學組成分類。比較通用的則是根據其化學組成可分為元素（）、O