模擬集成電路設計知到智慧樹章節測試課后答案2024年秋廣東工業大學第一章單元測試

現代集成電路的生產可以使用各種工藝包括硅工藝和GaNGaAsSiGe等化合物工藝。（）

A:錯B:對

答案:對集成電路設計可以包含模擬集成電路設計、數字集成電路設計、數模混合集成電路設計等很多方面。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章單元測試

NMOS和PMOS器件的小信號模型一致。（）

A:錯B:對

答案:對MOS管器件流控電壓源。（）

A:對B:錯

答案:錯MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的體效應產生的。（）

A:對B:錯

答案:錯MOS器件中，保持VDS不變，隨著VGS的增加，MOS器件將從截止區到線性區最后到飽和區。（）

A:對B:錯

答案:錯在CMOS模擬集成電路設計中，我們一般讓MOS管工作在（）區。

A:飽和區B:亞閾值區C:三極管區D:深三極管區

答案:飽和區MOS管一旦出現()現象，此時的MOS管將進入飽和區。（）

A:夾斷B:耗盡C:反型D:導電

答案:夾斷(

)表征了MOS器件的靈敏度。

A:roB:uncoxC:gmbD:gm

答案:gm模擬集成電路設計中可使用大信號分析方法的是（）

A:輸入電阻B:增益C:輸出電阻D:輸出擺幅

答案:輸出擺幅

第三章單元測試

共源共柵放大器結構的一個重要特性就是輸出阻抗很高。（）

A:對B:錯

答案:對對于共源放大器，與二極管連接的PMOS做負載相比較，用工作在飽和區的PMOS作負載可以得到更高的輸出電阻。（）

A:對B:錯

答案:對對于源極跟隨器，與電阻負載相比，電流源負載能夠提高它的線性度。（）

A:對B:錯

答案:對共源共柵放大器的輸出擺幅變大，增益變大（）

A:錯B:對

答案:錯源極跟隨器能實現電平轉換（）

A:對B:錯

答案:對共柵級既是電壓放大器，也是電流放大器（）

A:錯B:對

答案:對有限電阻負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是。（）

A:增大器件寬長比B:增大負載電阻C:增加過驅動電壓D:增大器件的溝道長度L

答案:增大器件的溝道長度L電流源負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是。（）

A:增大器件的溝道長度LB:增大器件的溝道長度WC:降低輸入管的過驅動電壓D:增大漏極電流

答案:增大漏極電流

第四章單元測試

差分放大器比單端放大器的線性度好。（）

A:對B:錯

答案:對提高差分放大器輸入管的W/L可以提高輸入范圍。（）

A:錯B:對

答案:錯當差分放大器的差分輸入為0時，放大器的跨導Gm最大。（）

A:對B:錯

答案:對差分放大器的輸入信號可以拆分為差分輸入信號和共模輸入信號。（）

A:錯B:對

答案:對差動放大器的輸入共模變化會影響輸出偏置點和輸出擺幅。（）

A:錯B:對

答案:對當電路不對稱時，差分放大器的輸入共模變化會導致輸出差模信號變化。（）

A:對B:錯

答案:對對于一個差分放大器，可以通過改變它的偏置電流改變增益。（）

A:對B:錯

答案:對

第五章單元測試

溝道長度調制效應會影響基本電流鏡的電流復制精度。（）

A:對B:錯

答案:對提高電流鏡輸出電阻不會影響電流鏡的電流復制精度。（）

A:錯B:對

答案:錯共源共柵電流鏡具有較大的輸出擺幅。（）

A:對B:錯

答案:錯共源共柵電流鏡具有較高的輸出阻抗。（）

A:錯B:對

答案:對低壓共源共柵電流鏡的最低輸出電壓為2Vdsat。（）

A:對B:錯

答案:對五管OTA是差分輸入單端輸出的。（）

A:錯B:對

答案:對提高五管OTA的輸入共模電壓可以提高輸出動態范圍。（）

A:錯B:對

答案:錯提高五管OTA的輸入跨導可以提高共模抑制比。（）。

A:對B:錯

答案:對

第六章單元測試

在阻抗Z與信號主通路并聯的許多情況下，密勒定理被證明是有用的。（）

A:對B:錯

答案:對采用密勒近似分析共源級電路的頻率特性會忽略零點的存在。（）

A:對B:錯

答案:對共源級電路中，當共源MOS管的CDB增加時，不能采用低頻增益計算密勒效應的乘積項。（）

A:錯B:對

答案:對一般情況下，和共源級電路相比，共柵級電路可以設計成具有更大的帶寬。（）

A:錯B:對

答案:對差動放大器的CMRR中零點頻率大于極點頻率。（）

A:對B:錯

答案:對當RS>1/gm時，源級跟隨器的輸出阻抗包含電容的元件。（）

A:對B:錯

答案:錯和共源級相比，共源共柵電路抑制了密勒效應。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章單元測試

相位裕度越小，系統越穩定。（）

A:對B:錯

答案:錯折疊式共源共柵運放與套筒式共源共柵運放相比更適合做單位增益緩沖器。（）

A:錯B:對

答案:對一個二級運放，不能同時實現高增益和大擺幅。（）

A:錯B:對

答案:錯輸出級的高阻抗和偏置電流鏡引入的電流偏差使運放的共模電壓存在不確定性。（）

A:對B:錯

答案:對電源抑制比（PSRR）定義為從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。（）

A:對B:錯

答案:對在兩級運放中采用密勒補償技術可以（）

A:將次極點頻率升高B:降低增益C:提升相位裕度D:將主極點頻率降低

答案:將次極點頻率升高；提升相位裕度；將主極點頻率降低下圖所示的電路被設計成額定增益為20，即1+R1/R2=20。要求增益誤差為1%，則A1的最小值為（）

A:400B:200C:2000D:100

答案:2000

第八章單元測試

雙極晶體管的基極-發射極電壓，或者PN結二極管的正向電壓，具有負溫度系數。（）

A:錯B:對

答案:對兩個雙極晶體管工作在不相等的電流密度下，它們的基極-發射極電壓的差值就與絕對溫度成正比。（）

A:錯B:對

答案:對在帶隙基準中，為了減小運放失調電壓的影響，運放采用大尺寸器件，并仔細選擇版圖的布局。（）

A:錯B:對

答案:對在帶隙基準中，由運放產生的信號回到了兩個輸入端，正反饋系數必須小于負反饋系數，以確保總的是負反饋。（）

A:錯B:對

答案:對基準電壓的溫度系數越小表示：（）

A:基準電壓越高B:基準電壓越低C:基準電壓隨溫度的變化小D:基準電壓功耗越小

答案:基準電壓隨溫度的變化小下面哪個量具有負溫度系數：（）

A:MOS管柵源電壓差ΔVGSB:三極管基極-發射極電壓VBEC:三極管基極-發射極電壓差ΔVBED:電阻分壓

答案:三極管基極-發射極電壓VBE在帶隙電壓基準電路中，考慮集電極電流隨溫度變化的影響后，通常VBE的溫度系數會變：（）

A:不變B:變小C:無法判斷D:變大

答案:變小

第九章單元測試

三級CMOS反相器環形振蕩器，反相器延時TD，產生的振蕩周期為6TD。（）

A:錯B:對

答案:對交叉耦合振蕩器的尾電流源是用來降低電源電壓敏感性。（）

A:錯B:對

答案:對電阻是增量，負電阻表示：如果施加的電壓增大，那么流過電路的電流減小。（）

A:錯B:對

答案:對調節環振延時的“插值法”，產生最小頻率時，只有慢路徑導通。（）

A:對B:錯

答案:對CMOS振蕩器通常使用哪種類型的反饋？（）

A:正反饋B:負反饋C:無反饋

答案:正反饋對于圖中環形振蕩器，每個結點的振幅為多少？（）

A:1/2ISSR1B:4ISSR1C:2ISSR1D:ISSR1

答案:ISSR1LC振蕩器的諧振頻率主要由什么決定？（）

A:電感值L和電容值C的比值B:電感值L和電容值C的乘積C:電感值L和電容值C的平方根

答案:電感值L和電容值C的平方根

第十章單元測試

異或門作為鑒相器的增益與頻率無關。（）

A:錯B:對

答案:對PFD/CP/LPF組合是一個線性系統。（）

A:對B:錯

答案:錯PLL可以產生可變的輸出頻率。（）

A:錯B:對

答案:對對于I型鎖相環，ωLPF越小，穩定時間越短。（）

A:錯B:對

答案:錯需要對II型鎖相環進行頻率補償以保持系統穩定