匯報人：林旭芷2024-08-012024-2025MOSFET(MOS管)行業發展報告contents目錄定義或者分類特點產業鏈發展歷程政治環境商業模式政治環境contents目錄經濟環境社會環境技術環境發展驅動因素行業壁壘行業風險行業現狀行業痛點問題及解決方案行業發展趨勢前景機遇與挑戰競爭格局代表性企業01MOSFET(MOS管)定義定義MOSFET，又稱MOS、MOS管，全稱為MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管，即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。根據工作載流子的極性不同，功率MOSFET可進一步分為N溝道型（NMOS）與P溝道型（PMOS），兩者極性不同但工作原理類似，在實際電路中采用導通電阻小、制造較容易的N溝道型MOSFET。MOSFET具有三個電極，分為源極（Source）、漏極（Drain）以及柵極（Gate），通過控制柵極所加電壓可控制源極與漏極之間的導通與關閉。以N溝道MOSFET為例，當G、S極之間的電壓為零時，D、S之間不導通，相當于開路，而當G、S極之間的電壓為正且超過一定界限時，D、S極之間則可通過電流，因此功率MOSFET在電路中起到的作用近似于開關。MOSFET(MOS管)定義02產業鏈晶圓、封裝材料等原材料供應商、生產設備供應商上游中游產業鏈010203中國MOSFET產業鏈上游市場參與者有晶圓、封裝材料等原材料供應商及生產設備供應商，產業鏈中游為中國MOSFET制造企業，產業鏈下游應用領域涵蓋消費電子、通訊、汽車電子、CPU/GPU、工業及電子照明等多領域晶圓、封裝材料等原材料供應商、生產設備供應商MOSFET制造企業消費電子、通訊、汽車電子、CPU/GPU、工業、電子照明MOSFET制造企業消費電子、通訊、汽車電子、CPU/GPU、工業、電子照明下游行業產業鏈產業鏈上游概述中國MOSFET產業鏈上游市場參與者有晶圓、封裝材料等原材料供應商及生產設備供應商。晶圓采購成本約占MOSFET成本的30%-40%，當前全球晶圓供給緊張局面促使晶圓價格持續上漲。12英寸晶圓在2017年起逐季上漲，全年價格漲幅約為20%-30%，受晶圓產能不足的影響，8英寸晶圓價格隨之跟漲。當前中國MOSFET芯片良率已達95%以上，已基本追平98%-99%的國際水平，在中低端領域憑借性價比已基本實現進口替代，但制程多集中6英寸，落后于國際市場中功率器件商普遍使用的8英寸晶圓制造技術。在12英寸晶圓片領域，當前國際功率器件廠商僅有英飛凌具備相關制造技術。自2000年以來，全球領先晶圓廠產能逐漸從6英寸晶圓產線遷移到更高階的12英寸晶圓產線，8英寸晶圓生產線數量停滯不前，甚至在2015年生產線數量處于逐漸下滑的狀態，2016-2017年市場隨之出現供應緊張狀態。相對于剛剛起步的12英寸產線，8英寸制程可推動中國半導體產業推動設備及材料的聯動。目前中國有中芯國際、華虹宏力、上海先進、華潤微電子等多家集成電路制造廠商已建成多條8英寸生產線。在功率器件12英寸的技術節點上，政府高度重視晶圓廠的技術發展，近兩年來投入巨額資金支持12英寸及8英寸先進晶圓產線發展，隨著新晶圓產線逐漸建成投產，將為中國半導體產業提供堅實的發展基礎。行業產業鏈產業鏈中游概述按生產模式來分，MOSFET廠商可分為IDM（IntegratedDesignandManufacture，垂直整合制造）模式、Fabless（無工廠芯片供應商）模式及Foundry（代工廠）模式。IDM模式:集MOSFET設計、制造、封測，甚至是下游電子終端產品生產于一體的模式。中國MOSFETIDM廠商主要有新潔能、揚杰、深愛半導體等，企業可在設計、制造等環節協同優化，充分發掘技術潛力，可率先實現領先技術的實驗并推行新的半導體技術。但IDM模式資金壁壘較高，通常IDM廠商規模龐大，管理成本高，資本回報率較低。Fabless模式:指僅負責MOSFET芯片設計，將生產、測試、封裝等環節外包的模式。Fabless模式下，廠商直接面對用戶，根據用戶需求進行個性化定制，企業資產輕，初始投資規模小，創業難度低，運營費用低，轉型靈活。中國華南地區以及江浙滬地區有眾多中小型MOSFET廠商，其地理位置多貼近下游消費電子整機廠廠址。這些中小型MOSFET廠商多使用Fabless模式，從晶圓廠購買芯片直接售賣，或者將封裝、測試環節外包，出售MOSFET成品。部分小廠商的主要客戶為中低端消費電子整機廠，產品利潤水平低，客戶對產品質量要求低，廠商為壓縮成本甚至不進行測試環節。Foundry模式:只負責代工制造、封裝或測試的其中一環，不負責MOSFET產品設計的模式，如蘇州固锝，其不僅生產自身產品，還為其他設計公司提供芯片代工服務。一般代工廠模式下，廠商可同時為多家設計公司提供服務。代工廠不存在因市場調研不準與產品設計缺陷等問題帶來的決策風險，但是批量化的生產需要較大投資規模，高昂的生產線運維費用導致該行業資金壁壘遠高于Fabless模式廠商。由于半導體生產工藝水平直接影響產品質量與產品良率，高工藝水平的芯片代工廠在產業鏈中具有較高話語權。在行業內出現周期性產能緊張的時候，知名芯片代工廠，如華虹電子訂單交付周期將從淡季的1-2個月延長至6個月以上。大部分設計公司為了囤貨應對市場需求，會采用競價的方式高價購買代工廠提前交付的產品。行業產業鏈產業鏈下游概述產業鏈直接下游企業涵蓋消費電子、工業、通訊、汽車電子、CPU/GPU及電子照明等多領域，并通過直接客戶與汽車、計算機、家用電器等眾多最終消費品配套。據在MOSFET行業從業超過十年的專家表示，中國MOSFET應用分布中，汽車電子及充電樁占比達20-30%，消費電子占比在20%以上，工業領域應用約占20%，通訊設備占比自2019年3月份起呈持續上升態勢。近三年來，受益于國家經濟刺激政策的實施以及新能源、新技術的應用，下游最終產品的市場需求保持著良好的增長態勢，從而為MOSFET行業的發展提供了廣闊的市場空間。汽車電氣化為MOSFET帶來巨大的增量空間。2017年2月，發布的《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》中提出，到2020年中國新能源汽車年產銷200萬輛以上，累計產銷超過500萬輛，整體技術水平保持與國際同步，形成一批具有國際競爭力的新能源汽車整車和關鍵零部件企業。2015年11月，國家發改委印發的《電動汽車充電基礎設施發展指南（2015-2020）》提出，到2020年中國充換電站數量達到2萬個，分散式充電樁超過480萬個。傳統汽車中，MOSFET主要用于輔助驅動各種電動馬達，包括通風系統、雨刮器、電動車窗等。電動汽車中大量電氣控制裝置將促使MOSFET的用量大幅上升。根據英飛凌測算，電動汽車中半導體價值量接近傳統汽車的兩倍，MOSFET與IGBT等功率器件是電動車電機控制器實現功率變換的核心部件，高端電動汽車中，MOSFET器件用量可達250只。同時新能源汽車的普及也將進一步帶動充電樁的需求，MOSFET作為充電樁的核心功率器件，其銷量將隨著充電樁分布密度的提高不斷上升。在低壓MOSFET市場中，PC占據了40%以上的市場份額，每一代CPU（又稱“主板”）、GPU（又稱“顯卡”）的更迭都會帶動一波MOSFET的市場需求。隨著CPU、GPU運算能力的上升，所需供電電流愈高，當電流超過電子元件的承受能力后，多相供電就成為了必要。多相供電電路中每一項供電都至少需要上下橋兩個MOSFET。電競的蓬勃發展促使PC硬件最高配置逐年升級，當前英偉達領先產品NVIDIATITANRTX中搭載的iMOSDrMOS電源高達13相，遠高于五年前主流的4-6相供電，CPU與GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。03發展歷程萌芽期（1959-1969年）發展歷程關于柵極氧化物的厚度，當時業界普遍認為3nm是極限，低于該數值時則出現隧穿現象。2016年，IBM利用強度更大的背光注入技術成功地制造出了厚度4nm、柵長6nm的MOSFET，是目前世界上能夠實際運行的“最小”的MOSFET。為實現器件進一步的縮小與集成，MOSFET在納米級別還在現基礎上進一步向更小尺寸發展。為突破物理極限，當前國際各科研團隊在新材料特殊屬性基礎上研發，試圖制造出更高性能更低功率更小尺寸的MOSFET。隨著技術的進步，MOSFET的特征尺寸不斷減小。為解決短通道效應，業界提出了輕摻雜漏極結構。自6μm代MOSFET以來，電源電壓二十多年保持在5V，最終在0.5μm代技術產生時，電源電壓下降至3V，電源電壓的下降有效緩解了漏極附近橫向電場的壓力。20世紀80年代中期，雙柵COMS工藝出現，CMOSLSI逐漸替代NMOSLSI。COMS集成電路被廣泛應用于數字電路與模擬電路中，MOSFET成為現代電子信息產業的重要基礎器件之一。20世紀60年代后期，MOSFET開始采用多晶硅柵極電極。70年代初，多晶硅柵極在高溫摻雜擴散時形成源-漏極區域的標志，從而讓源極/漏極和柵極電極自行對齊，使MOSFET尺寸不斷縮小成為了可能。在此背景下，MOSFET開始被用于LSI電路的制造，如內存和微處理器，但高性能大型計算機主要還是使用雙極結晶體管。1959年，全球首款功能性MOSFET問世，這款產品使用了硅低襯、二氧化硅柵極電介質和AI柵極電極。此后，通過引入雜質吸附的方法以及提高對環境清潔度的控制，MOSFET柵極不穩定的問題得到了解決。這一時期，功率器件領域內成功建立起MOSFET的漏極電流Id和漏極電壓Vd以及柵極電壓之間的關系模型，但由于MOSFET驅動電流低于雙極結晶體管，且閾值電壓不穩定，尚未成為主流雙極技術的競爭者。成長期（1970-1980年）快速發展期（1981-2013年）高速發展期（2014年至今）04政治環境描述中央辦公廳、辦公廳:《國家信息化發展戰略綱要》:強調制定國家信息領域核心技術設備發展戰略綱要的重要性，以體系化思維彌補單點弱勢，打造國際先進、安全可控的核心技術體系，帶動集成電路、基礎軟件、核心元器件等薄弱環節實現根本性突破。:《“十三五”國家戰略性新型發展產業發展規劃》:指出加快制定寬禁帶半導體標準，推動電子器件變革性升級換代。在科研領域加強低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領域前沿技術和器件研發，形成一批專用關鍵制造設備，提升光網絡通信元器件支撐能力。發改委:《戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄》:重點支持電力電子功率器件核心產業，其中包括金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊、快恢復二極管（FRD）、垂直雙擴散金屬-氧化物場效應晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成門極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。政治環境1政治環境1中央辦公廳、辦公廳《國家信息化發展戰略綱要》:強調制定國家信息領域核心技術設備發展戰略綱要的重要性，以體系化思維彌補單點弱勢，打造國際先進、安全可控的核心技術體系，帶動集成電路、基礎軟件、核心元器件等薄弱環節實現根本性突破。《“十三五”國家戰略性新型發展產業發展規劃》:指出加快制定寬禁帶半導體標準，推動電子器件變革性升級換代。在科研領域加強低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領域前沿技術和器件研發，形成一批專用關鍵制造設備，提升光網絡通信元器件支撐能力。發改委《戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄》:重點支持電力電子功率器件核心產業，其中包括金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊、快恢復二極管（FRD）、垂直雙擴散金屬-氧化物場效應晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成門極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》明確指出做強信息技術核心產業，提升核心基礎硬件供給能力。推動電子器件變革性升級換代，加強低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領域前沿技術和器件研發，功率半導體分立器件產業將迎來新的一輪高速發展期。政治環境2《“十三五”國家信息化規劃》制定國家信息領域核心技術設備發展戰略綱要，以體系化思維彌補單點弱勢，打造國際先進、安全可控的核心技術體系，帶動集成電路、基礎軟件、核心元器件等薄弱環節實現根本性突破。《中國制造2025》把核心基礎零部件（元器件）、先進基礎工藝、關鍵基礎材料和產業技術基礎（統稱“四基”）作為著力破解的發展瓶頸；并把集成電路及專用裝備作為重點發展對象，要求著力提升集成電路設計水平，不斷豐富知識產權（IP）核和設計工具，突破關系國家信息與網絡安全及電子整機產業發展的核心通用芯片，提升國產芯片的應用適配能力。《國家集成電路產業發展推進綱要》設立國家產業投資基金，重點支持集成電路制造領域，兼顧設計、封裝測試、裝備、材料環節，推動企業提升產能水平和實行兼并重組、規范企業治理，形成良性自我發展能力。05商業模式06經濟環境我國經濟不斷發展，幾度趕超世界各國，一躍而上，成為GDP總量僅次于美國的唯一一個發展中國家。我國經濟趕超我國人口基數大，改革開放后人才競爭激烈，大學生就業情況一直困擾著我國發展過程中。就業問題挑戰促進社會就業公平問題需持續關注并及時解決，個人需提前做好職業規劃、人生規劃。公平就業關注經濟環境經濟環境22014-2015年積累的大批產能在2016年電子產品市場結構調整中爆發，疊加下游端的需求壓縮，行業內產能過剩的情況大量存在。但受物聯網、云計算、大數據、智能制造、智能交通、醫療電子等新興應用領域市場拓展的影響，自2016年起，中國MOSFET行業市場規模再次恢復了逐年增長的發展趨勢。經濟發展環境07社會環境關注就業公平與提前規劃促進社會就業公平問題需持續關注并及時解決，對于個人來說提前做好職業規劃、人生規劃也是人生發展的重中之重。政治體系與法治化進程自改革開放以來，政治體系日趨完善，法治化進程也逐步趨近完美，市場經濟體系也在不斷蓬勃發展。總體發展穩中向好我國總體發展穩中向好，宏觀環境穩定繁榮，對于青年人來說，也是機遇無限的時代。就業問題與人才競爭我國人口基數大，就業問題一直是發展過程中面臨的挑戰，人才競爭激烈，大學生畢業后就業情況、失業人士困擾國家發展。當前的環境下我國經濟不斷發展趕超世界各國，成為第二大經濟體我國經濟不斷發展，幾度趕超世界各國，一躍而上，成為GDP總量僅次于美國的唯一一個發展中國家。就業問題與人才競爭我國人口基數大，就業問題一直是發展過程中面臨的挑戰，人才競爭激烈，大學生畢業后就業情況、失業人士困擾國家發展。關注就業公平與提前規劃促進社會就業公平問題需持續關注并及時解決，對于個人來說提前做好職業規劃、人生規劃也是人生發展的重中之重。08技術環境技術驅動技術環境的發展為行業帶來了新的機遇，是行業發展的重要驅動力。創新動力技術環境的不斷創新和進步，為行業的創新發展提供了有力支持。人才需求技術環境的發展促進了人才的需求和流動，為行業的人才隊伍建設提供了機遇。團隊建設技術環境的發展要求企業加強團隊建設，提高員工的技能和素質，以適應快速變化的市場需求。合作與交流技術環境的發展促進了企業間的合作與交流，推動了行業的整體發展。技術環境010203040509發展驅動因素發展驅動因素近五年來，國家對半導體產業支持力度持續加碼，在產業政策支持和國民經濟發展的推動作用下，中國功率MOSFET行業整體的技術水平、生產工藝、自主創新能力和技術成果轉化率有了較大的提升。政策支持早在2010年，國家發改委《關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》中，確立了功率器件產業化專項重點，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRO等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的研發與產業化。近五年來，國家出臺了一系列政策扶持民族半導體制造行業，培養了一批專業人才，行業內整體科研水平迅速提升，大批分立器件制造企業在短時間內迅速壯大。地緣政治因素也為內資產品提供了更大的市場空間。中國是世界上最大的MOSFET市場，對MOSFET有巨大的市場需求，受制于國產產品性能，大部分高端應用領域在原材料采購進程中不會將國產MOSFET納入選擇范圍。2018年的“中興事件”加速了國內各行業對于半導體器件的國產化進程，部分下游企業開始嘗試使用國產分立器件產品替代進口產品，為中國功率器件廠商提供了難得的市場機遇。宏觀環境助推國產品牌崛起隨著電子整機、消費類電子產品等產業鏈下游行業市場份額的擴張，MOSFET市場規模仍有可觀的發展空間。汽車電氣化刺激MOSFET帶來巨大的增量，下游電子整機對節能環保的需求在拉動分立器件產品需求量增長的同時，同時帶動產品結構的快速升級。隨著5G商用化進程的開始以及TypeC在移動端的進一步覆蓋，寬禁帶MOSFET的需求量將成倍增長。同時有關SiC基、GsN基及封裝等新技術新工藝的發展使新型MOSFET產品展現出良好的性能，工作溫度、電阻、功率、電壓、頻率等屬性的優化促使MOSFET可適用于更多應用場景。寬禁帶MOSFET芯片的售價與利潤率遠高于硅基MOSFET芯片，隨著新材料分立器件的應用普及，未來MOSFET的整體市場規模將在現有基礎上進一步擴大。下游市場需求不斷擴張MOSFET升級之路包括制程縮小、技術變化、工藝進步。MOSFET在工藝線寬、器件結構、生產工藝know-how三個層面的技術發化放緩，隨著國內企業在產線建設、產品開發方面速度加快，國內外差距將明顯縮窄。另一方面國外廠商逐步退出中低端市場，國內企業有機會承接市場份額。MOSFET國內外差距縮小，國產廠商有望承接市場份額10行業壁壘11行業風險12行業現狀市場情況描述行業現狀MOSFET缺貨跡象已現。消費/工控/汽車產品對MOSFET需求持續提升，而新一代CPU、GPU平臺，都需要加裝MOSFET芯片出貨，疊加國內兩輪電動車產量攀升趨勢不改，MOSFET產品需求極其旺盛。但是由于芯片設計廠商MOSFET產品在搶占產能時的優先級略低于電源管理IC產品，因此造成缺貨跡象尤為明顯。供需緊張的態勢將使得部分產品價格有望出現調漲。終端需求強勁及8寸代工費漲價趨勢較為確定，雙重因素將反應至產品價格，功率MOSFET價格有望進一步調漲，而兼具產能優勢和成本優勢的國內功率IDM企業將最大程度受益。而功率IDM企業不僅擁有豐富產能，可以最大限度吸收豐富訂單，同時在制造端擁有極強的成本優勢，將充分受益。行業現狀01市場份額變化中國MOSFET行業整體不斷發展，市場規模（以銷量計）從2014年的8億只增長至2018的年938億只，年復合增長率高達325%。2016年，中國MOSFET行業結束了自2012年起市場份額逐年增長的態勢，其主要原因如下:（1）宏觀上，由于全球經濟整體復蘇乏力，且PC市場衰退，移動通信終端市場增速減緩及平板等主要電子產品市場發展放緩；（2）2014-2015年積累的大批產能在2016年電子產品市場結構調整中爆發，疊加下游端的需求壓縮，行業內產能過剩的情況大量存在。但受物聯網、云計算、大數據、智能制造、智能交通、醫療電子等新興應用領域市場拓展的影響，自2016年起，中國MOSFET行業市場規模再次恢復了逐年增長的發展趨勢。行業現狀02市場情況2019年3月起，MOSFET的價格從高點下跌，消費電子整機出口量的下降直接壓縮了中小廠商的生存空間。雖然上游晶圓供應情況逐漸緩解，價格出現了10%左右的降幅，但中國中小MOSFET下游市場需求主要集中于消費電子領域，隨著下游需求的銳減，競爭加劇，利率空間直接被壓縮。而華南等地小廠將面臨供應鏈不全的壓力，中小型MOSFET廠商難以低價獲得晶圓，低端客戶又難以承受MOSFET整體價格上漲帶來的成本壓力，部分中小廠商開始接低于10%利潤率的訂單。在中國長三角及華南地區有大量中小MOSFET廠商，這些廠商多為Fabless模式，芯片制造與封裝環節外包，甚至不進行測試直接售賣。在產能調整時期，MOSFET市場集中度將逐漸提升，落后產能將被市場逐漸淘汰，整體產品質量逐漸提高。行業現狀汽車電氣化為MOSFET帶來巨大的增量空間2017年2月，發布的《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》中提出，到2020年中國新能源汽車年產銷200萬輛以上，累計產銷超過500萬輛，整體技術水平保持與國際同步，形成一批具有國際競爭力的新能源汽車整車和關鍵零部件企業。2015年11月，國家發改委印發的《電動汽車充電基礎設施發展指南（2015-2020）》提出，到2020年中國充換電站數量達到2萬個，分散式充電樁超過480萬個。傳統汽車中，MOSFET主要用于輔助驅動各種電動馬達，包括通風系統、雨刮器、電動車窗等。電動汽車中大量電氣控制裝置將促使MOSFET的用量大幅上升。根據英飛凌測算，電動汽車中半導體價值量接近傳統汽車的兩倍，MOSFET與IGBT等功率器件是電動車電機控制器實現功率變換的核心部件，高端電動汽車中，MOSFET器件用量可達250只。同時新能源汽車的普及也將進一步帶動充電樁的需求，MOSFET作為充電樁的核心功率器件，其銷量將隨著充電樁分布密度的提高不斷上升。01在低壓MOSFET市場中PC占據了40%以上的市場份額，每一代CPU（又稱“主板”）、GPU（又稱“顯卡”）的更迭都會帶動一波MOSFET的市場需求。隨著CPU、GPU運算能力的上升，所需供電電流愈高，當電流超過電子元件的承受能力后，多相供電就成為了必要。多相供電電路中每一項供電都至少需要上下橋兩個MOSFET。電競的蓬勃發展促使PC硬件最高配置逐年升級，當前英偉達領先產品NVIDIATITANRTX中搭載的iMOSDrMOS電源高達13相，遠高于五年前主流的4-6相供電，CPU與GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。0213行業痛點14問題及解決方案15行業發展趨勢前景行業發展趨勢前景描述需求占比調整:隨著汽車電子化以及工業系統智能化程度的不斷加深，到2022年MOSFET下游應用中，汽車占比為22%，計算機及存儲占比為19%，工業占比為14%。中低壓市場國外大廠退出，國內廠商有望承接市場份額:瑞薩電子是全球最大的中低壓MOSFET廠商，公司在該領域市場占比為40%，2013年瑞薩率先退出中低壓MOSFET領域，其他廠商也紛紛開始向毛利率較高的高壓MOSFET領域轉型。中國是全球最大的消費電子生產國，對中低壓MOSFET需求巨大，目前士蘭微的產品已經覆蓋了白色家電領域，國內廠商有望承接中低壓MOSFET領域的市場份額，實現國產化。行業洗牌，集中度不斷提高:在上游晶圓廠產能持續緊張的情況下，以英飛凌為代表的國際功率器件大廠轉向新能源領域高級產品市場，中低端功率器件的市場空白是長期存在的，這為當前在中低端領域實現進口替代的中國MOSFET廠商帶來了機會，另一方面也加速了行業洗牌。大尺寸晶圓片將成為主要原材料:半導體材料成本占MOSFET的30%-40%，寬禁帶材料MOSFET甚至在60%以上，是至關重要的一環。在國際市場中，MOSFET多使用8英寸基片制造半導體二極管，加工技術成熟，產品性能穩定。在12英寸晶圓片領域，當前國際功率器件廠商只有英飛凌有相關技術，日本東芝、三菱以及臺灣地區的功率半導體廠商主要產品集中于8英寸領域。近三年來，中國大陸不斷有8寸、12寸先進制程的晶圓廠建成并投產，未來8英寸、12英寸大尺寸晶圓片將成為MOSFET的主要原材料。行業發展趨勢前景需求占比調整隨著汽車電子化以及工業系統智能化程度的不斷加深，到2022年MOSFET下游應用中，汽車占比為22%，計算機及存儲占比為19%，工業占比為14%。中低壓市場國外大廠退出，國內廠商有望承接市場份額瑞薩電子是全球最大的中低壓MOSFET廠商，公司在該領域市場占比為40%，2013年瑞薩率先退出中低壓MOSFET領域，其他廠商也紛紛開始向毛利率較高的高壓MOSFET領域轉型。中國是全球最大的消費電子生產國，對中低壓MOSFET需求巨大，目前士蘭微的產品已經覆蓋了白色家電領域，國內廠商有望承接中低壓MOSFET領域的市場份額，實現國產化。行業洗牌，集中度不斷提高在上游晶圓廠產能持續緊張的情況下，以英飛凌為代表的國際功率器件大廠轉向新能源領域高級產品市場，中低端功率器件的市場空白是長期存在的，這為當前在中低端領域實現進口替代的中國MOSFET廠商帶來了機會，另一方面也加速了行業洗牌。大尺寸晶圓片將成為主要原材料半導體材料成本占MOSFET的30%-40%，寬禁帶材料MOSFET甚至在60%以上，是至關重要的一環。在國際市場中，MOSFET多使用8英寸基片制造半導體二極管，加工技術成熟，產品性能穩定。在12英寸晶圓片領域，當前國際功率器件廠商只有英飛凌有相關技術，日本東芝、三菱以及臺灣地區的功率半導體廠商主要產品集中于8英寸領域。近三年來，中國大陸不斷有8寸、12寸先進制程的晶圓廠建成并投產，未來8英寸、12英寸大尺寸晶圓片將成為MOSFET的主要原材料。16機遇與挑戰17競爭格局競爭格局