物理學：半導體材料考試答案三1、問答題

X射線衍射與光反射的區別？正確答案：光反射光在兩種物質分界面上改變傳播方向又返回原來物質中的現象，叫做光的反射。X射線的衍射X射線是一種波長很短（約為20～0.06埃）的（江南博哥）電磁波，能穿透一定厚度的物質，并能使熒光物質發光、照相乳膠感光、氣體電離。在用高能電子束轟擊金屬“靶”材產生X射線，它具有與靶中元素相對應的特定波長，稱為特征（或標識）X射線。2、問答題

砷化鎵相對于硅的優點是什么？正確答案：砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數載流子也移動得比硅中的更快。砷化鎵也有減小寄生電容和信號損耗的特性。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。GaAs器件增進的信號速度允許它們在通信系統中響應高頻微波信號并精確地把它們轉換成電信號。硅基半導體速度太慢以至于不能響應微波頻率。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導體器件之間很容易實現隔離，不會產生電學性能的損失。3、問答題

X射線的衍射和可見光的反射有什莫不同？正確答案：1x射線的衍射僅有一定數量的入射角能引起衍射，而可見光可在任意的入射角反射2x射線被晶體的原子平面衍射時，晶體表面，晶體內原子平面都參與衍射作用，而可見光僅在物體表面產生反射。4、單選

參雜硼元素的半導體是（）.A.p型半導體B.本征半導體C.N型半導體D.pn結正確答案：A5、問答題

描述熱氧化過程。正確答案：①干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復性好，與光刻膠的粘附性好②水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2（氣）氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差③濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應，又有與水汽反應氧化速度、氧化質量介于以上兩種方法之間6、填空題

半導體材料的電阻率與（），以及載流子遷移率有關。正確答案：載流子的濃度7、問答題

例舉并描述6種不同的塑料封裝形式。陶瓷封裝的兩種主要封裝方法是什么？正確答案：6種不同的塑料封裝形式：（1）雙列直插封裝（DIP）：典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過電路板上的孔。（2）單列直插封裝（SIP）：是DIP的替代品，用以減小集成電路組件本體所占據電路板的空間。（3）薄小型封裝（TSOP）：廣泛用于存儲器和智能卡具有鷗翼型表面貼裝技術的管腳沿兩邊粘貼在電路板上相應的壓點。（4）西邊形扁平封裝（QFP）：是一種在外殼四邊都有高密度分布的管腳表面貼裝組件。（5）具有J性管腳的塑封電極芯片載體（PLCC.（6）無引線芯片載體（LCC.：是一種電極被管殼周圍包起來以保持低刨面的封裝形式8、問答題

缺陷顯示的意義？正確答案：顯示漩渦缺陷，檢測體層錯，位錯，晶體原有的滑移，摻雜劑或雜志濃度周期性變化形成的電阻率條紋等。9、問答題

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？正確答案：光刻膠顯影是指用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域，其主要目的是把掩膜版圖形準確復制到光刻膠中。10、問答題

哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。正確答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。刻蝕多晶硅的三步工藝：1.預刻蝕，用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物來獲得均勻的刻蝕。2.接下來的是刻至終點的主刻蝕。這一步用來刻蝕掉大部分的多晶硅膜，并不損傷柵氧化層和獲得理想的各向異性的側壁剖面。3.最后一步是過刻蝕，用于去除刻蝕殘留和剩余多晶硅，并保證對柵氧化層的高選擇比。這一步應避免在多晶硅周圍的柵氧化層形成微槽。11、單選

在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.A.上部和邊緣部分B.中部和邊緣部分C.上部和底部D.底部和邊緣部分正確答案：B12、填空題

目前測定硅單晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。正確答案：紅外吸13、名詞解釋

互連正確答案：由導電材料，如鋁、多晶硅和銅制成的連線將電信號傳輸到芯片的不同部分。互連也被用于芯片上器件和器件整個封裝之間的金屬連接。14、問答題

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。正確答案：汞燈，高壓汞燈，電流通過裝有氙汞氣體的管子產生電弧放電，這個電弧發射出一個特征光譜，包括240納米到500納米之間有用的紫外輻射準分子激光，準分子是不穩定分子是有惰性氣體原子和鹵素構成只存在與準穩定激發態。15、問答題

金相顯微鏡的構成？正確答案：由光字系統，照明系統，機械系統三部分組成。16、問答題

說明水汽氧化的化學反應，水汽氧化與干氧氧化相比速度是快還是慢？為什么？正確答案：化學反應：Si+2H2O->SiO2+2H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣在二氧化硅中擴散更快、溶解度更高。17、單選

下列不屬于非晶硅優點的是（）.A.制備方法簡單B.工藝成本低C.制備溫度高D.可大面積制備正確答案：C18、問答題

冷熱探筆法測試硅單晶的原理是什么？正確答案：溫差電動勢法，溫差電流法.19、問答題

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？正確答案：整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評估，包裝。20、單選

通過（）改變驅動力場，借以控制生長系統中的成核率，這是晶體生長工藝中經常使用的方法。A、溫度場B、磁場C、重力場D、電場正確答案：A21、問答題

簡述光圖定向的基本原理。正確答案：當平行光入射到處理后的硅單晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶體的光像。根據晶體反射光像的對稱性以及光圖中心的偏離角，可以確定晶體的生長方向和晶體的晶向偏離角度。22、問答題

什么是無源元件？例舉出兩個無源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個有源元件的例子。正確答案：無源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容。有源元件：內部有電源存在，不需要能量的來源而實行它特定的功能，而且可以控制電流方向，可放大信號。如二極管，晶體管。23、單選

下列不屬于三氯氫硅性質的是（）。A、無色透明B、易燃易爆C、不易揮發和水解D、有刺激性氣味本題答案：C24、問答題

簡述懸浮區熔法檢驗硅多晶中硼、磷含量的原理.正確答案：利用硅熔體中雜質的分凝效應和蒸發效應，在真空條件下，在硅棒上建立一個熔區，熔區溫度為1410℃，并使之從一端移至另一端，以達到提純和控制雜質的目的。25、問答題

從微觀上看，漩渦缺陷與錯位缺陷有什么區別？正確答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。位錯缺陷：它屬于線缺陷，一般稱為位錯線。位錯線有一定的長度，它的兩端必須終止與晶體的表面上，也可以頭尾自己相接構成位錯環。26、問答題

硅片關鍵尺寸測量的主要工具是什么？正確答案：硅片關鍵尺寸測量的主要工具是掃描電子顯微鏡（SEM），它能放大10萬到30萬倍，這明顯高于光學顯微鏡，用掃描電子顯微鏡觀測硅片的橫截面部分能提供缺陷的信息，常與其他分析技術結合使用，如EDX或FIB。27、問答題

例舉得到半導體級硅的三個步驟。半導體級硅的純度能達到多少？正確答案：第一步：用碳加熱硅石來制備冶金級硅第二步：通過化學反應將冶金級硅提純以生成三氯硅烷第三步：利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應來生產半導體級硅純度能達到99.99999999%28、單選

光圖定向法結果直觀，操作（），誤差（）。A．簡單較大B．復雜較大C．簡單較小D．復雜較小正確答案：A29、問答題

什么是外延層？為什么硅片上要使用外延層？正確答案：外延層是指在硅的外延中以硅基片為籽晶生長一薄膜層，新的外延層會復制硅片的晶體結構，并且結構比原硅片更加規則。外延為器件設計者在優化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廓，而這些因素與硅片襯底無關的，這種控制可以通過外延生長過程中的摻雜來實現。外延層還可以減少CMOS器件中的閂鎖效應。30、問答題

二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應用？正確答案：①器件保護（避免劃傷和污染），因sio2致密；②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態；需一定厚度，降低漏電流等）；③用作絕緣介質和隔離（LOCOS，STI）如：隔離（如場氧，需要一定的厚度）、④絕緣柵（膜厚均勻，無電荷和雜質，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質等；⑤選擇性擴散摻雜的掩膜31、單選

列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護氣的是（）.A.加熱B.化料C.晶體生長D.冷卻正確答案：B32、單選

如果半導體中存在多種雜質，在通常情況下，可以認為基本上屬于雜質飽和電離范圍，其電阻率與雜質濃度的關系可近似表示為（）.A.1/（NA-ND.eｕpB.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.eD.1/（NA+ND.eｕp正確答案：A33、單選

當晶體生長的較快，內坩堝中雜質量變少，晶體的電阻率（）.A.上升B.下降C.不變D.不確定正確答案：A34、問答題

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？正確答案：掃描投影光刻機的概念是利用反射鏡系統把有1：1圖像的整個掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過一個狹縫聚焦在硅片上，能夠獲得均勻的光源，掩膜版和帶膠硅片被放置在掃描架上，并且一致的通過窄紫外光束對硅片上的光刻膠曝光由于發生掃描運動，掩膜版圖像最終被光刻在硅片表面。掃描光刻機主要挑戰是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。35、單選

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液正確答案：A36、問答題

x射線性質都有哪些？正確答案：感光作用，熒光作用，電離作用，穿透能力強。x射線的折射率近視于1，衍射作用。37、問答題

什么是印刷電路板？正確答案：印刷電路板（PCB.又稱為底板或載體，用焊料將載有芯片的集成電路塊粘貼在板上的電路互連，同時使用連接作為其余產品的電子子系統的接口。38、問答題

例舉在線參數測試的4個主要子系統。正確答案：在線參數測試的4個主要子系統為：（1）探針卡接口：是自動測試儀與待測器件之間的接口。（2）硅片定位：為測試硅片，首先要確與探針接觸的硅片的探針儀位置。（3）測試儀器：高級集成電路需要能夠在測試結構上快速、準確、重復地測量亞微安級電流和微法級電容的自動測試設備，它控制測試過程（4）作為網絡主機或客戶機的計算機：指導測試系統操作的計算機包括測試軟件算法、自動測試設備、用于硅片定位的探查控制軟件、測試數據的保存和控制、系統校準和故障診斷。39、問答題

解釋投射電子能顯微鏡。正確答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產生立體角散射，散射角的大小與樣品的密度、厚度有關，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量測量硅片上一些非常小特征尺寸的測量工具。40、問答題

晶半導體中的缺陷都有哪些？正確答案：微觀缺陷：點缺陷，殘缺陷，雜志缺陷。宏觀缺陷：小角度晶界和系屬結構，位錯排與星形結構，雜質析出與夾雜物。41、填空題

當任何一種高速運動的（）與一塊金屬物質相撞時，都會產生X射線。正確答案：帶電粒子42、單選

下列不屬于工業吸附要求的是（）。A.具有較大的內表面，吸附容量大B.具有一定的機械強度，耐熱沖擊，耐腐蝕C.不易得，昂貴D.容易再生正確答案：C43、問答題

例舉硅片制造廠房中的7種玷污源。正確答案：硅片制造廠房中的七中沾污源：（1）空氣：凈化級別標定了凈化間的空氣質量級別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的；（2）人：人是顆粒的產生者，人員持續不斷的進出凈化間，是凈化間沾污的最大來源；（3）廠房：為了是半導體制造在一個超潔凈的環境中進行，有必要采用系統方法來控制凈化間區域的輸入和輸出；（4）水：需要大量高質量、超純去離子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生產。去離子水是硅片生產中用得最多的化學品（5）工藝用化學品：為了保證成功的器件成品率和性能，半導體工藝所用的液態化學品必須不含沾污；（6）工藝氣體：氣體流經提純器和氣體過濾器以去除雜質和顆粒；（7）生產設備：用來制造半導體硅片的生產設備是硅片生產中最大的顆粒來源。44、問答題

伸縮振動與彎曲振動的頻率哪個高？正確答案：從振動頻率和能量看，伸縮振動高。45、問答題

例舉出硅片廠中使用的五種通用氣體。正確答案：氧氣（O2）、氬氣（Ar）、氮氣（N2）、氫氣（H2）和氦氣（HE.46、問答題

解釋什么是暗場掩模板。正確答案：暗場掩膜版是指一個掩膜版，它的石英版上大部分被鉻覆蓋，并且不透光。47、問答題

為什么電化學腐蝕會產生電位差？它的原因是什么？正確答案：電化學腐蝕是指金屬或半導體材料在電解質水溶液中所受到的腐蝕，被腐蝕的半導體各個部分或區域之間存在電位差，構成正極和負極。電極電位低是負極，電極電位高是正極，負極被腐蝕溶解。48、問答題

解釋水的去離子化。在什么電阻率級別下水被認為已經去離子化？正確答案：用以制造去離子水的去離子化過程是指，用特制的離子交換樹脂去除電活性鹽類的離子。18MΩ-cm電阻率級別下水被認為已經去離子化。49、問答題

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問題是什么？正確答案：自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長始于潮濕，當硅片表面暴露在空氣中時，一秒鐘內就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發生氧化。自然氧化層引起的問題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長和超薄氧化層的生長。②另一個問題在于金屬導體的接觸區，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過。③對半導體性能和可靠性有很大的影響50、問答題

描述凈化間的舞廳式布局。正確答案：凈化間的舞廳式布局為大的制造間具有10000級的級別，層流工作臺則提供一個100級的生產環境。51、問答題

光電導衰退法分為哪幾種?都有什么優點?正確答案：可分為高頻光電導和直流光電導；高頻光電導的優點，無須切割成一定的幾何形狀，樣品較少受到污染，測試方法簡單，得到廣泛應用。直流光電帶衰退法的優點，測量精度高。測量下限比高頻光電衰退法低。52、問答題

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？正確答案：目的：使待注入的物質以帶電粒子束的形式存在最常用的源：Freeman離子源和Bernas離子源53、單選

測量硅中氧濃度常用的方法是（）.A.帶電粒子活化法B.熔化分析法C.離子質譜法D.紅外光譜分析法正確答案：D54、問答題

解釋鋁已經被選擇作為微芯片互連金屬的原因。正確答案：（1）鋁與P型硅及高濃度N型硅均能形成低歐姆接觸；（2）電阻率低（3）與SiO2粘附性強，無需粘附層-----鋁很容易和二氧化硅反應，加熱形成氧化鋁；（4）能單獨作為金屬化布線，工藝簡單；（5）能用電阻絲加熱蒸發，工藝簡單；（6）鋁互連線與內引線鍵合容易；（7）能輕易淀積在硅片上，可用濕法刻蝕而不影響下層薄膜。綜上所述，在硅IC制造業中，鋁和它的主要過程是兼容的，電阻低，可不加接觸層、粘附層和阻擋層等，工藝簡單，產品價格低廉。55、問答題

從微觀上看，漩渦缺陷與位錯蝕坑有什么區別？正確答案：漩渦缺陷是淺的平底坑，顯微鏡下呈白亮的芯，而位錯蝕坑是深的尖底坑，顯微鏡下呈黑三角形。56、單選

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內，準確度高。（）A.±10＇B.±15＇C.±20＇D.±30＇正確答案：B57、填空題

四探針法測試，C的大小取決于四探針的（）和針距。正確答案：排列方式58、問答題

例舉并解釋硅中固態雜質擴散的三個步驟。正確答案：硅中固態雜質擴散的三個步驟：（1）預淀積：表面的雜質濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種梯度使雜質剖面得以建立（2）推進：這是個高溫過程，用以使淀積的雜質穿過硅晶體，在硅片中形成期望的結深（3）激活：這時的溫度要稍微提升一點，使雜質原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質。這個過程激活了雜質原子，改變了硅的電導率。59、問答題

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。正確答案：去除氮化硅使用熱磷酸進行濕法化學剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。用熱磷酸去除氮化硅是難以控制的，通過使用檢控樣片來進行定時操作。在曝露的氮化硅上常常會形成一層氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中進行短時間處理。如果這一層氮氧化硅沒有去掉，或許就不能均勻地去除氮化硅。60、問答題

為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？正確答案：溝道長度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態。大質量材料和表面非晶態的結合有助于維持淺結，從而減少源漏間的溝道漏電流效應。61、問答題

產生紅外吸收的條件是什么？正確答案：（1）振動頻率與紅外光譜段的某段頻率相等。（2）偶極距的變化。62、問答題

立式爐系統的五部分是什么？例舉并簡單描述？正確答案：工藝腔、硅片傳輸系統、氣體分配系統、尾氣系統、溫控系統工藝腔是對硅片加熱的場所，由垂直的石英罩鐘、多區加熱電阻絲和加熱管套組成硅片傳輸系統在工藝腔中裝卸硅片，自動機械在片架臺、爐臺、裝片臺、冷卻臺之間移動氣體分配系統通過將正確的氣體通到爐管中來維持爐中氣氛控制系統控制爐子所有操作，如工藝時間和溫度控制、工藝步驟的順序、氣體種類、氣流速率、升降溫速率、裝卸硅片。63、問答題

什么是色相色譜法？正確答案：以氣體為流動相的柱色譜分離技術。64、填空題

測出的就是點接觸外表面的導電類型。要求（），無氧化層，清潔無油污。正確答案：表面無反型層65、單選

半導體工業所用的硅單晶（）是用CZ法生長的。A.70%B.80%C.90%D.60%正確答案：C66、問答題

定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？正確答案：刻蝕速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蝕所用的時間高的刻蝕速率，可以通過精確控制刻蝕時間來控制刻蝕的厚度。67、問答題

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。正確答案：減少曝光光源的波長對提高分辨率非常重要，波長的越小圖像的分辨率就越高圖像就越精確。68、填空題

非平衡載流子的壽命ζ，就是反映（）的參數。正確答案：復合強弱69、單選

下列與硼氧復合體缺陷無關的是（）。A、氧B、硼C、溫度D、濕度正確答案：D70、問答題

影響樹脂再生的因素有哪些？正確答案：1）再生劑的類型、強度、濃度、用量、流速、酸堿液與離子交換樹脂接觸的時間等；2）終點PH值得大小；3）離子交換樹脂的分離、反洗結果、混合程度、清潔衛生等。71、填空題

氧和碳在硅晶體中都呈（）分布。正確答案：螺旋紋狀72、單選

硅的晶格結構和能帶結構分別是（）.A.金剛石型和直接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.閃鋅礦型和間接禁帶型正確答案：C73、填空題

晶體中最鄰近的兩個平行晶面間的距離稱為晶面間距，晶面指數最低的晶面總是具有（）的晶面間距。正確答案：最大74、問答題

光刻和刻蝕的目的是什么？正確答案：光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護的地方留下永久的圖形。即將圖形轉移到硅片表面。75、問答題

解釋空氣質量凈化級別。正確答案：凈化級別標定了凈化間的空氣質量級別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。這一數字描繪了要怎樣控制顆粒以減少顆粒玷污。凈化級別起源于美國聯邦標準2009.如果凈化間級別僅用顆粒數來說明，例如1級凈化間，則只接受1個0.5um的顆粒。這意味著每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的顆粒最多允許一個。76、問答題

半導體單晶中的點缺陷包括什么？正確答案：空位、填隙原子、絡合體、外來原子。77、問答題

對凈化間做一般性描述。正確答案：凈化間是硅片制造設備與外部環境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機分子和靜電釋放（ESD.的玷污。一般來講，那意味著這些玷污在最先進測試儀器的檢測水平范圍內都檢測不到。凈化間還意味著遵循廣泛的規程和實踐，以確保用于半導體制造的硅片生產設施免受玷污。78、單選

（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩定性和可靠性的重要因素。A.點缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.微缺陷正確答案：D79、填空題

（）是半導體單晶重要電學參數之一，它反映了補償后的雜質濃度，與半導體中的載流子濃度有直接關系。正確答案：電阻率80、問答題

例舉出傳統裝配的4個步驟。正確答案：傳統裝配的4個步驟：1.背面減薄；2.分片；3.裝架；4.引線鍵合81、問答題

最通常的半導體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？正確答案：最通常的半導體材料是硅。原因：1.硅的豐裕度；2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；3.更寬的工作溫度范圍；4.氧化硅的自然生成.82、問答題

影響硅單晶電化學腐蝕速度的因素有哪些？正確答案：腐蝕液的成分、電極電位、緩沖劑的影響、腐蝕處理的溫度和攪拌的影響、光照的影響。83、問答題

離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？正確答案：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。84、單選

正常凝固是最寬熔區的區域提純，在進行第一次熔化過后，能不能進入第二次提純這個階段（）.A、能B、不能C、不確定D、有時可以，有時不可以正確答案：A85、問答題

例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。正確答案：兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。86、問答題

什么是結深？正確答案：硅片中p型雜質和n型雜質相遇的深度被稱為結深。87、問答題

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？正確答案：一，將掩膜版圖案轉移到硅片表面頂層的光刻膠中二，在后續工藝中，保護下面的材料88、問答題

為什么晶體管柵結構的形成是非常關鍵的工藝？更小的柵長會引發什么問題？正確答案：因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結構。多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少，柵結構（源漏間的硅區域）下的溝道長度也不斷減少。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。89、填空題

硅單晶的（）是一個重要的基本電學參數。根據單晶制備時所參雜的元素，它們是三價的還是五價的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類。正確答案：導電類型90、填空題

快速腐蝕時一般不受光照影響，而慢速腐蝕時（）影響比較大。正確答案：光照91、問答題

解釋離子束擴展和空間電荷中和。正確答案：由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包括正電荷的離子束本身是不穩定的，容易造成離子束的膨脹即離子束的直徑在行進過程中不