1高精度磁控濺射鍍膜設備通用技術要求本文件規定了高精度磁控濺射鍍膜設備的術語和定義、組成、技術要求、試驗方法、包裝、標志、包裝、運輸和貯存。本文件適用于極限壓力在10-5Pa～10-3Pa范圍的高精度磁控濺射鍍膜設備（以下簡稱“設備”）。2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運圖示標志GB/T3103.2緊固件公差用于精密機械的螺栓，螺釘和螺母GB4824—2019工業、科學和醫療設備射頻騷擾特性限值和測量方法GB/T11164—2011真空鍍膜設備通用技術條件GB/T13306標牌GB/T13384機電產品包裝通用技術條件GB/T13547工作空間人體尺寸GB/T15314精密工程測量規范GB/T17626.3電磁兼容試驗和測量技術射頻電磁場輻射抗擾度試驗GB/T21067工業機械電氣設備電磁兼容通用抗擾度要求GB23313工業機械電氣設備電磁兼容發射限值GB/T24612.1電氣設備應用場所的安全要求第1部分：總則GB/T32292真空技術磁流體動密封件通用技術條件HB5350.2熔模鑄造膜料性能試驗方法第2部分：熱變形量和熱穩定性的測定JB/T8945—2010真空濺射鍍膜設備JB/T10463真空磁流體動密封件QJ2965氟橡膠密封超高真空法蘭規范T/GVSXXX真空鍍膜設備電磁兼容與輻射安全技術規范3術語和定義GB/T11164界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1高精度磁控濺射鍍膜設備highprecisionmagnetronsputteringcoatingplant以高精度的設計、加工工藝，實現高精度、高質量膜層控制，以磁控濺射為主要膜層沉積方式的真空鍍膜設備。3.22離子源ion-beamsource能使氣體分子或中性原子電離，形成等離子體（或離子束）的裝置。3.3射頻感應耦合離子源RF-inductivelycoupledplasmasource頻率為13.56MHz的射頻電源提供功率輸入，借助電感線圈（射頻天線）在真空腔內完成等離子體激發過程的裝置。3.4離子源輔助反應磁控濺射（PARMS）plasma-assistedreactivemagnetronsputtering（PARMS）一種利用離子源提供的等離子體，輔助完成化合物薄膜沉積的方式。3.5光學膜厚控制系統opticalfilmthicknesscontrolsystem由光源、光纖、探測器（光譜儀）、夾具盤構成，通過特定算法，可實時在線監精確測膜層厚度的系統。4組成4.1鍍膜室，包括腔體、腔門、觀察窗。4.2抽氣系統，包括各級真空泵、抽氣管道、閥門，以及輔助設施，如冷阱、低溫水氣泵。4.3氣壓測量系統，包括安裝于抽氣系統管道、鍍膜室、及其它腔體上用于氣壓測量的各類壓力計量儀（表）。4.4鍍膜系統，包括以下部件。a）鍍膜源，含：1）濺射源，指濺射陰極及靶材；2）離子源，起輔助沉積或激化反應作用的各類等離子體離子源。b）擋板。c）掩模。d）工藝氣體導入系統。e）光學膜厚控制系統。f）鍍膜工件架，含基片支架。g）偏壓系統。4.5電氣程序控制系統。4.6冷卻水網絡。4.7動力用壓縮空氣網絡。5技術要求5.1一般要求5.1.1設備在符合GB/T11164—2011中4.1所列條件下，應能正常工作。5.1.2鍍膜室極限壓力宜≤5.0×10-4Pa。對于設計有過渡腔的多腔室型設備，其過渡腔的極限壓力應≤7×10-1Pa。5.1.3鍍膜室的升壓率應≤5×10-1Pa。5.1.4鍍膜室從大氣壓開始排氣至5×10-3Pa的用時應≤30min。35.2技術指標5.2.1可同時裝載靶材種類應不少于4種。5.2.2鍍膜工件架轉速范圍不小于（0～125）rpm。5.2.3鍍膜工件架滿載基片后，轉架懸臂伸出端熱變形量應≤2mm。5.2.4工件架停止位精度應不低于±0.02°。5.2.5應具備鍍膜基板加熱功能，最高溫度應不低于120℃。5.2.6對于配置有射頻離子源部件的設備，該離子源正常工作時，其功率輸出應保持穩定。5.2.7對于具備自動上下基片功能的設備，其自動完成一批基片卸、裝動作，用時應≤20min。5.3結構要求5.3.1應符合GB/T11164—2011中4.3和4.4的規定。5.3.2對于主要用在光學膜制備、以及半導體芯片制程的設備，其主泵宜選用分子泵或低溫泵。5.3.3以低溫泵為主泵的設備，主抽氣口位置的設計應考慮泵組維護和定時再生工序作業的便利性。5.3.4設備中靜、動密封圈應符合JB/T8945—2010中4.2.1的要求。5.3.5可根據需求選配光學膜厚控制系統。5.3.6使用到的電子（電氣）設備及系統電磁兼容性均應符合GB/T21067和GB23313的規定。5.4加工要求5.4.1設備應選用放氣率低、無磁性、焊接性能好、抗腐蝕性好的不銹鋼材料作為設備主體結構材料。5.4.2不銹鋼材料表面應經過除油、酸洗、拋光、超聲清洗、鈍化、常溫去離子水沖洗等處理過程。5.4.3不銹鋼真空部件表面應無涂層、無起皮、麻點、磕碰等缺陷。5.4.4真空部件加工后外表面粗糙度應不大于Ra3.2，鍍膜室內表面粗糙度應優于Ra1.6。5.4.5使用的螺栓、螺釘和螺母等緊固件，其公差應符合GB/T3103.2的規定。5.4.6磁流體動密封部件應符合JB/T10463和GB/T32292的規定。5.4.7鍍膜室上所有法蘭的加工應符合QJ2965規定。5.4.8設備的外觀應做到沒有非功能性需要的尖角、棱角、凸起。金屬零件無變質和生銹現象。5.5安全防護要求5.5.1應符合GB/T11164—2011中4.5規定。5.5.2電氣設備應用場所安全應符合GB/T24612.1規定。5.5.3設備電磁兼容和電磁輻射安全應符合T/GVSXXX規定。所使用的電子（電氣）設備和系統向周圍環境電磁輻射水平應符合GB/T4824—2019中A類設備的規定。5.5.4設備外殼、閥門、管道、真空泵外殼、電控柜機箱均應可靠接地。5.5.5工件架與鍍膜室之間的絕緣電阻應不小于500MΩ。5.5.6與人體尺寸相關的安全防護設計應符合GB/T13547規定。5.5.7設備電極引線部位、高電壓部位、高溫部位、機械傳動部位應有明顯易見的警示標志。5.5.8抽氣系統的排氣口應配備尾氣處理裝置，并安裝排氣管道排放至室外。6試驗方法6.1一般要求6.1.1用感官檢驗和操作試驗。46.1.2極限壓力、升壓率和抽氣時間的測定按GB/T11164規定進行。6.2技術指標6.2.1靶材種類數量和鍍膜工件架轉速用感官檢驗和操作試驗。6.2.2熱變形量測定按HB5350.2規定進行。測量操作應符合GB/T15314規定。6.2.3工件架停止位精度用角度測量儀進行檢驗。測量操作應符合GB/T15314規定。6.2.4基板加熱溫度用測溫熱電偶檢驗。6.2.5功率輸出用目視檢驗。6.2.6自動上下基片時間用秒表計數測量。6.3結構要求6.3.1采用目視的方法，使用直尺、游標卡尺等工具檢驗。6.3.2電磁兼容抗擾度的測定按GB/T17626.3、GB/T21067規定進行。6.4加工要求6.4.1材料類型和表面處理工序通過技術文件、過程文件檢查。6.4.2不銹鋼部件表面通過目視檢查。6.4.3表面粗糙度使用比較法，借助標準樣板測定。6.4.4緊固件公差使用游標卡尺檢驗。6.4.5磁流體動密封部件按GB/T32292規定進行。6.4.6鍍膜室所有的密封面法蘭按QJ2965規定進行檢驗。6.4.7設備外觀質量通過目視檢查。6.5安全防護要求6.5.1設備電磁兼容和電磁輻射安全試驗按T/GVSXXX規定進行。6.5.2工件架與鍍膜室的絕緣電阻用兆歐表檢驗。6.5.3電氣設備占用空間尺寸選用滿足檢驗要求的量具（如鋼卷尺）測量。6.5.4用感官和操作檢驗接地、警示標志和尾氣處理裝置。7檢驗規則7.1每臺設備應經制造商質量檢驗部門檢驗合格，并附有合格證后方可出廠。7.2設備檢驗分為型式檢驗和出廠檢驗。7.3有下列情況之一時應進行型式檢驗：a)試制的新產品；b)產品在設計、材料選用、制造工藝有重大變更時；c)同類產品的評比定級時；d)產品批量生產時。7.4型式檢驗項目為本標準要求的全部項目。7.4.1出廠檢驗應逐臺進行，其檢驗項目為本標準5.1、5.2.1、5.2.2、5.2.4、5.2.5、5.3.1、5.4.2、5.4.3、5.4.4、5.4.6。8標志、包裝、運輸、貯存58.1標志8.1.1每臺設備及其附屬裝置應在其明顯部位裝設標牌，標牌應符合GB/T13306規定。標牌上應至少注明：a）制造廠名稱；b）設備型號及名稱；c）設備主要技術指標；d）制造日期及出廠編號。8.1.2每臺設備出廠應隨帶下列文件：a）產品合格證；b）裝箱單；c）產品使用說明書。8.2包裝8.2.1產品包裝內應采取防震、防潮、防雨、防塵措施，以避免設備在裝卸、運輸和貯存過程中發生損壞、銹蝕及污染等情況。8.2.2設備包裝應符合GB/T13384規定。8.2.3包裝箱上貯運標志應符合GB/T191規定。8.2.4設備裝箱前應將設備中的殘余廢屑、積水清除干凈，對未作表面防銹處理的金屬表面應涂防銹油脂。8.2.5整機包裝的設備應抽成真空狀態并關閉所有閥門