ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失Nand-Flash/eMMC（帶有Flash控制器的Nand-Flash）作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域。

圖1Nand-Flash與eMMC芯片

1.1存儲器件使用壽命使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的事故。眼看著程序用著用著就消失了，只能干著急也無法下手。有經(jīng)驗的工程師手起刀落換上一顆新物料，熬夜補代碼繼續(xù)撐過半個項目周期。回頭無處發(fā)泄還要大刀闊斧換廠商、換品牌。與其換幾片Nand-Flash還能負擔得起，但畢竟這是一個無底洞，不如去深入探明問題原因，不然散盡家財也無法彌補虧空。

器件數(shù)據(jù)手冊中通常描述Nand-Flash的塊擦寫壽命達10萬次，EMMC的塊擦寫最高也會有1萬次；同理，EEPROM、SD卡、CF卡、U盤、Flash硬盤等存儲介質(zhì)在都存在寫壽命的問題。在文件系統(tǒng)向?qū)憯?shù)據(jù)的底層存儲器塊寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)會先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲器里面去，如果文件系統(tǒng)寫平衡沒有處理好，特別是要求1分鐘以內(nèi)要記錄一次數(shù)據(jù)這樣頻繁的擦寫塊操作，就有可能將Nand-Flash或EMMC的塊寫壞。

1.2存儲器件掉電丟數(shù)據(jù)文件系統(tǒng)向存儲器寫數(shù)據(jù)時，常規(guī)是先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲器里面去。如果設備在擦除塊過程中或者在回寫數(shù)據(jù)過程中意外發(fā)生斷電甚至電壓不穩(wěn)定，均會造出數(shù)據(jù)丟失或者損壞。如果丟失的數(shù)據(jù)是文件系統(tǒng)的FAT表，則會造成文件系統(tǒng)崩潰。這就是引起系統(tǒng)程序無法啟動災難性后果的原因。

1.3系統(tǒng)數(shù)據(jù)保護方案很多時候，產(chǎn)品在未出廠前燒錄程序、反復測試，無論怎樣折騰也不會出現(xiàn)丟程序的情況。這可能的因素是測試設備保證了穩(wěn)定的運行中電源輸出，因此系統(tǒng)運行中正常的Flash保護機制是可靠執(zhí)行的。

相對于用戶實際使用而言，想避免Flash損壞的情況。需要嚴格遵守產(chǎn)品說明使用，尤其注意避免在Flash擦除或?qū)懭脒^程中人為地突然掉電。這是存儲器件用法的一個大忌，即使完好的器件，如此不規(guī)范的使用也會大大縮短其壽命。而且不同環(huán)境下的電源系統(tǒng)五花八門，在電源不滿足功率要求情況下程序?qū)τ陔娫吹碗娏康臋z測閾值較低，此時強制啟動系統(tǒng)或執(zhí)行寫操作更會加劇系統(tǒng)耗電波動，巨大的紋波也會引起CPU對存儲的誤操作。

解決此問題對于軟件方面而言：l調(diào)試系統(tǒng)或現(xiàn)場使用時，建議使用軟件復位，避免人為頻繁的通過斷電實現(xiàn)復位操作；有斷電必要時，將打印信息添加如“系統(tǒng)加載完成”、“數(shù)據(jù)保存完畢”等指示說明后操作；

l軟件采取Flash均衡保存算法，高效地調(diào)整更改數(shù)據(jù)時擦除的Flash區(qū)域大小；

l可將數(shù)據(jù)先寫入內(nèi)存或者鐵電存儲器，然后定期的再將數(shù)據(jù)搬移到大的存儲器里面，減少直接斷Nand-Flash、EMMC擦寫次數(shù)；

l在程序中加入或者提高電源電量檢測的閾值，程序上保證所有電源系統(tǒng)下的芯片在此閾值上均可以正常工作。

l讀寫過程中仔細對壞塊表進行維護更新，避免程序?qū)懭雺膲K。讀取數(shù)據(jù)時對ECC校驗，確保讀取數(shù)據(jù)無誤。

從硬件角度考慮需要注意：l用法上避免在Flash擦除或?qū)懭脒^程中人為突然掉電；

l設計好處理控制核心的電源系統(tǒng)，防止CPU等在啟動、運行中，電源系統(tǒng)因瞬時變化引起的紋波等情況；

l搭配掉電檢測電路，在檢測到外部電源掉電的同時，及時迅速關閉文件系統(tǒng)，停止向文件系統(tǒng)內(nèi)寫數(shù)據(jù)的操作；

l添加文件系統(tǒng)電源域UPS電源，乃至整機掉電續(xù)航工作電源；

l對于使用EEPROM等小容量存儲的用戶而言，可以考慮使用高可靠性的鐵電材料加工制成的鐵電非易失性存儲器FRAM來替換。FRAM可以像RAM一樣快速讀寫。數(shù)據(jù)在掉電后可以保存10年，且其讀寫壽命高達100億次，比EEPROM和其他非易失性記憶體系統(tǒng)可靠性更高，結構更簡單，功耗低等優(yōu)點。

圖2

鐵電材料非易失性存儲器

下面簡介一款基于法拉電容的UPS電路設計思路，要點如下：

l由于電容存在個體差異，電容存儲電荷的速率不一樣，存