專業術語1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，摻入Si中需要接受電子3.ACCESS：一種EDA（EngineeringDataAnalysis）系統4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，能夠對信號放大）6.Alignmark(key)：對位標記7.Alloy：合金8.Aluminum：鋁9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模擬的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質量原則，在一定采樣下，能夠95%置信度通過質量原則（不同于可靠性，可靠性規定一定時間后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18.Antimony(Sb)銻19.Argon(Ar)氬20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去膠機24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25.Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，造成有雜質蒸發到環境中后，又回摻到外延層）26.Backend：后段（CONTACT后來、PCM測試前）27.Baseline：原則流程28.Benchmark：基準29.Bipolar：雙極30.Boat：擴散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）臨界（核心）尺寸。在工藝上普通指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。32.Characterwindow：特性窗口。用文字或數字描述的包含工藝全部特性的一種方形區域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質的辦法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化學汽相淀積。一種通過化學反映生成一層薄膜的工藝。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計算機控制和監控制造工藝的一種綜合方式。37.Circuitdesign：電路設計。一種將多種元器件連接起來實現一定功效的技術。38.Cleanroom：一種在溫度，濕度和干凈度方面都需要滿足某些特殊規定的特定區域。39.Compensationdoping：賠償摻雜。向P型半導體摻入施主雜質或向N型摻入受主雜質。40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一種硅襯底上混合制造的工藝。41.Computer-aideddesign（CAD）：計算機輔助設計。42.Conductivitytype：傳導類型，由多數載流子決定。在N型材料中多數載流子是電子，在P型材料中多數載流子是空穴。43.Contact：孔。在工藝中普通指孔1，即連接鋁和硅的孔。44.Controlchart：控制圖。一種用統計數據描述的能夠代表工藝某種性質的曲線圖表。45.Correlation：有關性。46.Cp：工藝能力，詳見processcapability。47.Cpk：工藝能力指數，詳見processcapabilityindex。48.Cycletime：圓片做完某段工藝或設定工藝段所需要的時間。普通用來衡量流通速度的快慢。49.Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺點在表面解決后形成無法修復的變形也能夠叫做損傷。50.Defectdensity：缺點密度。單位面積內的缺點數。51.Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的狀況下有電流流過的晶體管。）52.Depletionlayer：耗盡層。可動載流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區域。53.Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區域的寬度。54.Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發生化學反映的薄膜的一種辦法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexperiments(DOE)：為了達成費用最小化、減少實驗錯誤、以及確保數據成果的統計合理性等目的，所設計的初始工程批實驗計劃。57.develop：顯影（通過化學解決除去曝光區域的光刻膠，形成所需圖形的過程）58.developer：Ⅰ）顯影設備；Ⅱ）顯影液59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發、有毒的可燃氣體，慣用來作為半導體生產中的硼源60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環境下易水解的物質，慣用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氛圍中。62.die：硅片中一種很小的單位，涉及了設計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區域。63.dielectric：Ⅰ）介質，一種絕緣材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，能夠提供電絕緣功效。64.diffusedlayer：擴散層，即雜質離子通過固態擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區域形成與襯底材料反型的雜質離子層。65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產光電單元時，乙硅烷慣用于沉積多晶硅薄膜。66.drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質在硅片中分布擴散。67.dryetch：干刻，指采用反映氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區域的混合了物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。68.effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規定范疇內的硅錠前端的深度。69.EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流造成電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。70.epitaxiallayer：外延層。半導體技術中，在決定晶向的基質襯底上生長一層單晶半導體材料，這一單晶半導體層即為外延層。71.equipmentdowntime：設備狀態異常以及不能完畢預定功效的時間。72.etch：腐蝕，運用物理或化學辦法有選擇的去除不需的區域。73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其它輻射材料照射的過程。74.fab：常指半導體生產的制造工廠。75.featuresize：特性尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。76.field-effecttransistor（FET）：場效應管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經柵到漏的多子流驅動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。77.film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質。78.flat：平邊79.flatbandcapacitanse：平帶電容80.flatbandvoltage：平帶電壓81.flowcoefficicent：流動系數82.flowvelocity：流速計83.flowvolume：流量計84.flux：單位時間內流過給定面積的顆粒數85.forbiddenenergygap：禁帶86.four-pointprobe：四點探針臺87.functionalarea：功效區88.gateoxide：柵氧89.glasstransitiontemperature：玻璃態轉換溫度90.gowning：凈化服91.grayarea：灰區92.grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀93.hardbake：后烘94.heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延辦法95.high-currentimplanter：束電流不小于3ma的注入方式，用于批量生產96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的不小于0.3um的顆粒97.host：主機98.hotcarriers：熱載流子99.hydrophilic：親水性100.hydrophobic：疏水性101.impurity：雜質102.inductivecoupledplasma(ICP)：感應等離子體103.inertgas：惰性氣體104.initialoxide：一氧105.insulator：絕緣106.isolatedline：隔離線107.implant:注入108.impurityn:摻雜109.junction:結110.junctionspikingn:鋁穿刺111.kerf:劃片槽112.landingpadnAD113.lithographyn制版114.maintainability,equipment:設備產能115.maintenancen:保養116.majoritycarriern:多數載流子117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118.materialn:原料119.matrixn1:矩陣120.meann:平均值121.measuredleakraten:測得漏率122.mediann:中間值123.memoryn:記憶體124.metaln:金屬125.nanometer(nm)n：納米126.nanosecond(ns)n：納秒127.nitrideetchn：氮化物刻蝕128.nitrogen(N2)n：氮氣，一種雙原子氣體129.n-typeadj：n型130.ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻131.orientationn：晶向，一組晶列所指的方向132.overlapn：交迭區133.oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學反映134.phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版136.photomask,negativen：反刻137.images：去掉圖形區域的版138.photomask,positiven：正刻139.pilotn：先行批，用以驗證該工藝與否符合規格的片子140.plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143.pnjunctionn：pn結144.pockedbeadn：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術語146.polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復合柵構造147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導電。148.polymorphismn：多態現象，多晶形成一種化合物以最少兩種不同的形態結晶的現象149.probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設備，用以連接圓片和檢測設備。150.processcontroln:過程控制。半導體制造過程中，對設備或產品規范的控制能力。151.proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應的光刻膠暴光。152.purewatern:純水。半導體生產中所用之水。153.quantumdevicen:量子設備。一種電子設備構造，其特性源于電子的波動性。154.quartzcarriern:石英舟。155.randomaccessmemory(RAM)n:隨機存儲器。156.randomlogicdevicen:隨機邏輯器件。157.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱解決(RTP)。158.reactiveionetch(RIE)n:反映離子刻蝕(RIE)。159.reactorn:反映腔。反映進行的密封隔離腔。160.recipen:菜單。生產過程中對圓片所做的每一步解決規范。161.resistn:光刻膠。162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。163.scheduleddowntimen:(設備)預定停工時間。164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。165.scribelinen:劃片槽。166.sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。167.semiconductorn:半導體。電導性介于導體和絕緣體之間的元素。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。普通用以衡量半導體表面雜質摻雜水平。169.sideload:邊沿載荷，被彎曲后產生的應力。170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍寶石襯底硅的原片171.smallscaleintegration(SSI):小規模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。172.sourcecode:原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設計語言里或編碼器的代碼。173.spectralline:光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕獲到的狹長狀的圖形。174.spinwebbing:旋轉帶，在旋轉過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。175.sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛層錯，原子普通堆積規律的背離產生的2次空間錯誤。177.steambath:蒸汽浴，一種大氣壓下，流動蒸汽或其它溫度熱源的暴光。178.stepresponsetime:瞬態特性時間，大多數流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛達成特定地帶的那個時刻之間的時間。179.stepper:步進光刻機（按BLOCK來曝光）180.stresstest:應力測試，涉及特定的電壓、溫度、濕度條件。181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的狀況下）。182.symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產生變化的弊病的主觀認識。183.tackweld:間斷焊，普通在角落上尋找預先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。184.Taylortray:泰勒盤，褐拈土構成的高膨脹物質。185.temperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復出現相類似的高低溫循環。186.testability:易測性，對于一種已給電路來說，哪些測試是合用它的。187.thermaldeposition:熱沉積，在超出950度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。188.thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導或絕緣的一層特殊薄膜。189.titanium(Ti):鈦。190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192.tungsten(W):鎢。193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。194.tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。196.watt(W):瓦。能量單位。197.waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶向，也可用于在解決和雕合過程中的排列晶片。198.waferprocesschamber(WPC):對晶片進行工藝的腔體。199.well:阱。200.wetchemicaletch:濕法化學腐蝕。201.trench:深腐蝕區域，用于從另一區域隔離出一種區域或者在硅晶片上形成存儲電容器。202.via:通孔。使隔著電介質的上下兩層金屬實現電連接。203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實現電連接的絕緣的通道。204.torr:托。壓力的單位。205.vaporpressure:當固體或液體處在平衡態時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質和溫度有關的函數。206.vacuum:真空。207.transitionmetals:過渡金屬Yield良率Parameter參數PAC感光化合物ASIC特殊應用集成電路Solvent溶劑Carbide碳Refractive折射Expansion膨脹Strip濕式刻蝕法的一種TM:topmental頂層金屬層WEE周邊曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Runcard運作卡POD裝晶舟和晶片的盒子Scratch刮傷Reticle光罩Sputter濺射Spin旋轉Merge合并A/D[軍]Analog.Digital,模擬/數字ACMagnitude交流幅度ACPhase交流相位Accuracy精度"ActivityModelActivityModel"活動模型AdditiveProcess加成工藝Adhesion附著力Aggressor干擾源AnalogSource模擬源AOI,AutomatedOpticalInspection自動光學檢查AssemblyVariant不同的裝配版本輸出Attributes屬性AXI,AutomatedX-rayInspection自動X光檢查BIST,Built-inSelfTest內建的自測試BusRoute總線布線Circuit電路基準circuitdiagram電路圖Clementine專用共形開線設計ClusterPlacement簇布局CM合約制造商CommonImpedance共模阻抗Concurrent并行設計ConstantSource恒壓源CooperPour智能覆銅Crosstalk串擾CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認與跟蹤DCMagnitude直流幅度Delay延時Delays延時DesignforTesting可測試性設計Designator標記DFC,DesignforCost面對成本的設計DFM,DesignforManufacturing面對制造過程的設計DFR,DesignforReliability面對可靠性的設計DFT,DesignforTest面對測試的設計DFX,DesignforX面對產品的整個生命周期或某個環節的設計DSM,DynamicSetupManagement動態設定管理DynamicRoute動態布線EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設計交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業協會ElectroDynamicCheck動態電性能分析ElectromagneticDisturbance電磁干擾ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾Emulation硬件仿真EngineeringChangeOrder原理圖與PCB幅員的自動對應修改Ensemble多層平面電磁場仿真ESD靜電釋放FallTime下降時間FalseClocking假時鐘FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換FloatLicense網絡浮動FrequencyDomain頻域GaussianDistribution高斯分布Globalflducial板基準GroundBounce地彈反射GUI,GraphicalUserInterface圖形顧客界面Harmonica射頻微波電路仿真HFSS三維高頻構造電磁場仿真IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項目里就是指制作PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國際電氣和電子工程師協會IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的原則ImageFiducial電路基準Impedance阻抗In-Circuit-Test在線測試InitialVoltage初始電壓InputRiseTime輸入躍升時間IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連協會IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過程優化ISO,TheInternationalStandardsOrganization國際原則化組織Jumper跳線LinearDesignSuit線性設計軟件包LocalFiducial個別基準manufacturing制造業MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件MDE,MaxwellDesignEnvironmentNonlinearDesignSuit非線性設計軟件包ODB++OpenDataBase公開數據庫OEM原設備制造商OLEAutomation目的連接與嵌入On-lineDRC在線設計規則檢查Optimetrics優化和參數掃描Overshoot過沖Panelfiducial板基準PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板Period周期PeriodicPulseSource周期脈沖源PhysicalDesignReuse物理設計可重復PI,PowerIntegrity電源完整性Piece-Wise-linearSource分段線性源Preview輸出預覽PulseWidth脈沖寬度PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態線RadialArrayPlacement極坐標方式的元件布局Reflection反射Reuse實現設計重用RiseTime上升時間Rnging振蕩,信號的振鈴Rounding圍繞振蕩RulesDriven規則驅動設計SaxBasicEngine設計系統中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools電路原理設計工具Setting設立SettlingTime建立時間ShapeBase以外形為基礎的無網格布線Shove元器件的推擠布局SI,SignalIntegrity信號完整性Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線Skew偏移SlewRate斜率SPC,StaticticalProcessControl統計過程控制SPI,Signal-PowerIntegrity將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序Split/MixedLayer多電源/地線的自動分隔SSO同時交換STEP,StandardfortheExchangeofProductModelDataSymphony系統仿真Timedomain時域TimestepSetting步進時間設立UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語言Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布Variant派生VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯盟Victim被干擾對象VirtualSystemPrototype虛擬系統原型VST,VerficationandSimulationTools驗證和仿真工具Wizard智能建庫工具,向導2.專業術語術語英文意義中文解釋LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示LCMLiquidCrystalModule液晶模塊TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉90度STNSuperTwistedNematic超級扭曲向列。約180～270度扭曲向列FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級扭曲向列。一層光程賠償偏甲于STN，用于單色顯示TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管Backlight-背光Inverter-逆變器OSDOnScreenDisplay在屏上顯示DVIDigitalVisualInterface（VGA）數字接口TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnalingLVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號Panelink-ICIntegrateCircuit集成電路TCPTapeCarrierPackage柔性線路板COBChipOnBoard通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上Duty-占空比，高出點亮的閥值電壓的部分在一種周期中所占的比率LEDLightEmittingDiode發光二極管ELElextroLuminescence電致發光。EL層由高分子量薄片構成CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復合視頻componentvideo-分量視頻S-video-S端子，與復合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國電視系統委員會制式PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（次序與存儲彩色電視系統）VideoOnDemand視頻點播DPIDotPerInch點每英寸3.A.M.U原子質量數4.ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視5.AEI蝕科后檢查6.Alignment排成始終線，對平7.Alloy融合：電壓與電流成線性關系，減少接觸的阻值8.ARC：anti-reflectcoating防反射層9.ASHER:一種干法刻蝕方式10.ASI光阻去除后檢查11.Backside晶片背面12.BacksideEtch背面蝕刻13.Beam-Current電子束電流14.BPSG:含有硼磷的硅玻璃15.Break中斷，stepper機臺內半途停止鍵16.Cassette裝晶片的晶舟17.CD：criticaldimension核心性尺寸18.Chamber反映室19.Chart圖表20.Childlot子批21.Chip(die)晶粒22.CMP化學機械研磨23.Coater光阻覆蓋（機臺）24.Coating涂布，光阻覆蓋25.ContactHole接觸窗26.ControlWafer控片27.Criticallayer重要層28.CVD化學氣相淀積29.Cycletime生產周期30.Defect缺點31.DEP:deposit淀積32.Descum預解決33.Developer顯影液；顯影（機臺）34.Development顯影35.DG:dualgate雙門36.DIwater去離子水37.Diffusion擴散38.Doping摻雜39.Dose劑量40.Downgrade降級41.DRC:designrulecheck設計規則檢查42.DryClean干洗43.Duedate交期44.Dummywafer擋片45.E/R:etchrate蝕刻速率46.EE設備工程師47.EndPoint蝕刻終點48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷49.ET:etch蝕刻50.Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）51.Exposure曝光52.FAB工廠53.FIB:focusedionbeam聚焦離子束54.FieldOxide場氧化層55.Flatness平坦度56.Focus焦距57.Foundry代工58.FSG:含有氟的硅玻璃59.Furnace爐管60.GOI:gateoxideintegrity門氧化層完整性61.H.M.D.SHexamethyldisilazane,經去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱H.M.D.S62.HCI:hotcarrierinjection熱載流子注入63.HDP：highdensityplasma高密度等離子體64.High-Voltage高壓65.Hotbake烘烤66.ID識別，鑒定67.Implant植入68.Layer層次69.LDD:lightlydopeddrain輕摻雜漏70.Localdefocus局部失焦因機臺或晶片造成之臟污71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化72.Loop巡路73.Lot批74.Mask(reticle)光罩75.Merge合并76.MetalVia金屬接觸窗77.MFG制造部78.Mid-Current中電流79.Module部門80.NIT:Si3N4氮化硅81.Non-critical非重要82.NP:n-dopedplus(N+)N型重摻雜83.NW:n-dopedwellN阱84.OD:oxidedefinition定義氧化層85.OM:opticmicroscope光學顯微鏡86.OOC超出控制界限87.OOS超出規格界限88.OverEtch過蝕刻89.Overflow溢出90.Overlay測量前層與本層之間曝光的精確度91.OX:SiO2二氧化硅92.P.R.Photoresisit光阻93.P1:poly多晶硅94.PA;passivation鈍化層95.Parentlot母批96.Particle含塵量/微塵粒子97.PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工藝工程師2、等離子體增強98.PH:photo黃光或微影99.Pilot實驗的100.Plasma電漿101.Pod裝晶舟與晶片的盒子102.Polymer聚合物103.PORProcessofrecord104.PP:p-dopedplus(P+)P型重摻雜105.PR:photoresist光阻106.PVD物理氣相淀積107.PW:p-dopedwellP阱108.Queuetime等待時間109.R/C:runcard運作卡110.Recipe程式111.Release放行112.Resistance電阻113.Reticle光罩114.RF射頻115.RM:remove.消除116.Rotation旋轉117.RTA:rapidthermalanneal快速熱退火118.RTP:rapidthermalprocess快速熱解決119.SA:salicide硅化金屬120.SAB:salici