一種低閾值抗輻照對管MOSFET器件設計及工藝研究_第1頁
一種低閾值抗輻照對管MOSFET器件設計及工藝研究_第2頁
一種低閾值抗輻照對管MOSFET器件設計及工藝研究_第3頁
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一種低閾值抗輻照對管MOSFET究MOSFET器件的重要性及應用背MOSFET器件具有較好的抗輻照性MOSFETMOSFET是一種常用的電子元器件，具有結構簡單、工藝成熟等特MOSFET器件在高劑量輻MOSFET器件，成為了電子器件研究的熱點之一。低閾值抗輻照對管MOSFET是一種研究較為深入的器件，在輻射環境下具有較好的穩定性MOSFET器件的設計及制造工藝，并MOSFETMOSFET是一種結合了低閾值效應和耐輻照性的MOSFET器件。其結構示意圖如圖1所示。1MOSFETpn區域處于倒置狀態，即在加強型區域內電子濃度較大，形成通道。而在高劑量輻照環境下，由于輻射損傷，使得通道處于正常工作狀態時的電子濃度不斷減小，致使加強型區域處于正常狀態，從而減小電阻，提高器件的工作效率。低閾值效應是指由于加強型區域內的電子密度較低，使得設備傳導電阻相對較小，能夠提高場效應晶體管的傳導能力，從而提高器件工作效率。加強型區域的寬度與器件的低閾值導通特性密切相關。MOSFETMOSFET器件制造工藝主要包括晶體管制造、注pn+型到pP型硅片上進行氧化蝕刻，形成氧化硅SiO2的輸出和源/漏區域，并在輸出區域附抗輻照對管MOSFET器件。MOSFET為了驗證低閾值抗輻照對管MOSFET器件的性能，本文設計了實驗，5×1012cm-2MOSFET10-9A/cm2，

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