晶圓制造行業(yè)深度報(bào)告-供需協(xié)同發(fā)力晶圓制造國產(chǎn)化迎時(shí)代機(jī)遇輝光之間，刻沙為芯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)根基——晶圓制造集成電路是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心組成，邏輯電路（CPU）、微處理器（MPU）、模擬電路（AnalogCircuit）和存儲(chǔ)器（Memory）占據(jù)了半導(dǎo)體市場(chǎng)的半壁江山，據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，2019

年集成電路銷售額達(dá)

3,304

億美元，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額的

80.77%，是當(dāng)之無愧的半導(dǎo)體支柱型產(chǎn)品。集成電路產(chǎn)業(yè)以芯片應(yīng)用為最終目的，主要可分為設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié)，其中晶圓制造環(huán)節(jié)是將設(shè)計(jì)版圖制成光罩，將光罩上的電路圖形

信息轉(zhuǎn)移至硅片上，在晶圓上形成電路的過程。晶圓制造需要開發(fā)出適合生產(chǎn)各種芯片產(chǎn)品的工藝架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，整體制造工藝

復(fù)雜，整個(gè)制造流程大約涉及到

300-400

道工序，主要有晶圓清洗、熱氧化、光刻、刻

蝕、離子注入、退火、擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、化學(xué)機(jī)械研磨、晶圓檢測(cè)

等環(huán)節(jié)。晶圓制造所需設(shè)備種類廣泛，設(shè)備精密度、材料性能、廠房建設(shè)（潔凈室等）

要求高，整體生產(chǎn)難度高、成本投入大、技術(shù)壁壘高，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)桂冠上的一顆明珠，

亦是各國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭(zhēng)相爭(zhēng)奪的產(chǎn)業(yè)高地。先進(jìn)工藝為矢。對(duì)于晶圓制造而言，先進(jìn)工藝是最關(guān)鍵的、最尖端的要素之一，也是引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的重要航標(biāo)，而先進(jìn)工藝往往由邏輯電路所驅(qū)動(dòng)。晶圓制造行業(yè)在經(jīng)歷數(shù)十年的發(fā)展后，目前已經(jīng)進(jìn)入后摩爾時(shí)代，隨著先進(jìn)光刻技術(shù)、3D封裝技術(shù)等不斷涌現(xiàn)，

各種先進(jìn)工藝不斷改進(jìn)和完善，集成電路已由本世紀(jì)初的

0.35

微米的CMOS工藝發(fā)展至

nm級(jí)FinFET工藝。目前，全球最先進(jìn)的、可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的晶圓制造工藝已經(jīng)在

EUV技術(shù)的支撐下達(dá)到

7nm，的

5nm也將于

2020

年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，其

3nm技術(shù)則有望在

2022

年前后進(jìn)入市場(chǎng)。特色工藝為羽。先進(jìn)工藝引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的同時(shí)，特色工藝技術(shù)為晶圓制造提供了多元化

空間。近年來，隨著新興應(yīng)用如超高清視頻、5G、OLED、IoT等終端設(shè)備的全方位興盛與發(fā)展，對(duì)邏輯電路以外的其他集成電路和半導(dǎo)體器件類型都提出了更高的要求。以

面板中的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM為例，顯示技術(shù)的持續(xù)升級(jí)推動(dòng)SRAM的存儲(chǔ)上限從早期的

10Mb、64Mb不斷演變至目前最先進(jìn)的

128Mb，驅(qū)動(dòng)著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷升級(jí)，

將靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的工藝節(jié)點(diǎn)從早期的

80~55/40nm升級(jí)至目前先進(jìn)的

28nm；而嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片

eNVM因廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)及無線通訊領(lǐng)域中，工藝節(jié)點(diǎn)從

0.18μm迅速發(fā)展到

40nm，向著面積更小、速度更快的方向前進(jìn)。資本投入和管理為弓弦。在摩爾定律的推動(dòng)下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，導(dǎo)致生產(chǎn)技術(shù)與制造工序愈為復(fù)雜，制造成本呈指數(shù)級(jí)上升趨勢(shì)，尤其在光刻環(huán)節(jié)，光刻機(jī)的精度決定了電路線寬的大小，因此光刻機(jī)成為推動(dòng)晶圓制造發(fā)展的關(guān)鍵，目前光刻機(jī)經(jīng)歷了五代發(fā)展已經(jīng)到了

EUV階段，成本持續(xù)提升。光刻環(huán)節(jié)以外，晶圓制造企業(yè)也可以采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，但這將使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，意味著集成電路制造企業(yè)需要投入更多且更先進(jìn)的光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備等，造成巨額的設(shè)備投入。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈大幅上升的趨勢(shì)。以

5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例，其投資成本超

150

億美元，是

14nm工藝的兩倍以上，28nm工藝的四倍左右。資本的投入和生產(chǎn)的管理，不僅晶圓制造企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)的重要環(huán)節(jié)，更是晶圓制造行業(yè)中保持領(lǐng)先地位的重要保證。生產(chǎn)模式的變革——從

IDM到

Foundry晶圓制造主要有兩種主要的模式，一種是全面覆蓋各個(gè)環(huán)節(jié)、可以獨(dú)立完成從芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售各個(gè)環(huán)節(jié)的

IDM模式，一種是僅負(fù)責(zé)晶圓制造環(huán)節(jié)，不涉及設(shè)計(jì)和封測(cè)的Foundry模式：?

IDM模式（IntegratedDeviceManufacture，垂直整合制造）：覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈的集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等所有環(huán)節(jié)，擁有集成電路設(shè)計(jì)部門、晶圓廠、封裝測(cè)試廠，可自行設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封測(cè)芯片產(chǎn)品，擁有自有品牌的公司。IDM是早期半導(dǎo)體公司的主要形式，由于屬于典型的重資產(chǎn)模式，對(duì)研發(fā)能力、資金實(shí)力和技術(shù)水平要求較高，能夠維持

IDM模式的公司較少，目前采用

IDM模式典型玩家有Intel、三星。?

Foundry模式，晶圓代工：僅提供集成電路制造環(huán)節(jié)，能夠完成芯片制造但一般不具備芯片設(shè)計(jì)能力。Foundry的誕生主要源于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)化——集成電路產(chǎn)業(yè)鏈在發(fā)展過程中逐漸形成了Fabless（無晶圓設(shè)計(jì)公司）、Foundry（晶

圓代工）、封測(cè)公司，分別按照各自企業(yè)的優(yōu)勢(shì)和稟賦專精其中一部分生產(chǎn)環(huán)節(jié)，

實(shí)現(xiàn)技術(shù)、資本等的高效利用。由于晶圓制造環(huán)節(jié)難度大、成本投入大，F(xiàn)oundry同樣屬于重資產(chǎn)模式，與

IDM類似，能夠長(zhǎng)期維持較高的資本開支和承擔(dān)較重的經(jīng)營(yíng)管理成本的企業(yè)較少，目前全球主要的

Foundry工廠有、GlobalFoundry、聯(lián)華電子和等。IDM和Foundry兩種晶圓制造模式各有差異，但都是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的產(chǎn)物，同時(shí)存在的還有只負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)的Fabless、只負(fù)責(zé)封測(cè)的封測(cè)廠模式，這些生產(chǎn)模式各有優(yōu)劣，

在多年發(fā)展下也培育出了一批全球龍頭企業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移伴隨著專業(yè)化發(fā)展，是

IDM、Foundry等模式興盛的底層邏輯。從歷史發(fā)展進(jìn)程來看，自

20

世紀(jì)

60

年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國發(fā)源以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步細(xì)化和應(yīng)用市場(chǎng)需求變化，經(jīng)歷了兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，催生

Foundry、Fabless、封測(cè)公司等半導(dǎo)體企業(yè)模式。從市場(chǎng)規(guī)模來看，占據(jù)了主要邏輯電路、存儲(chǔ)器生產(chǎn)的

IDM模式（Intel、三星等）的市

場(chǎng)規(guī)模較大，據(jù)

ICinsights，IDM模式

2019

年全球銷售額雖較

2018

年有所下降，但

也超

2,500

億美元。同時(shí)，通過與無晶圓廠設(shè)計(jì)公司等客戶形成共生關(guān)系，晶圓代工企業(yè)能在第一時(shí)間受益于新興應(yīng)用的增長(zhǎng)紅利，近年來市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增加。自

20

世紀(jì)

80

年代開創(chuàng)晶圓代工模式誕生以來，晶圓代工市場(chǎng)經(jīng)過

30

多年發(fā)展，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的核心環(huán)節(jié)。根據(jù)

ICInsights，2018

年世界晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模達(dá)

576

億美元，同比增加

5.11%。IDM、Fabless+Foundry已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要生產(chǎn)方式。根據(jù)

Gartner數(shù)據(jù)顯示，

在

2020Q1

全球半導(dǎo)體供應(yīng)商收入排名中，和合計(jì)占據(jù)超

47%的份額，分別以

IDM和Foundry模式生產(chǎn)。另外，由于

Foundry的存在，一些芯片設(shè)計(jì)公司得以生產(chǎn)制造自己的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模銷售、成為全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要組成，如、AMD等。同時(shí)部分IDM企業(yè)在國內(nèi)也采用代工模式運(yùn)營(yíng)。需求引領(lǐng)，工藝驅(qū)動(dòng)全球半導(dǎo)體需求持續(xù)擴(kuò)張，新一輪需求打開成長(zhǎng)通道半導(dǎo)體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎(chǔ)，站在

5G+AI這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點(diǎn)，

從中長(zhǎng)期維度出發(fā)，半導(dǎo)體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展確定的方向之一，全球半導(dǎo)體銷售額、芯片出貨量持續(xù)增加。未來，在

AI、HPC、IoT等需求的驅(qū)動(dòng)下，全球半導(dǎo)體將迎來新的快速發(fā)展周期。在這個(gè)過程中，作為半導(dǎo)體行業(yè)的核心環(huán)節(jié)之一的晶圓制造將會(huì)在市

場(chǎng)需求持續(xù)增加、產(chǎn)業(yè)鏈專業(yè)化、競(jìng)爭(zhēng)格局變化的拉動(dòng)下實(shí)現(xiàn)踏上新的發(fā)展臺(tái)階。晶圓制造伴隨需求成長(zhǎng)，產(chǎn)能制程多方面提升晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張持續(xù)推進(jìn)芯片品類和需求量持續(xù)增加的浪潮下，全球晶圓廠數(shù)量持續(xù)擴(kuò)張。根據(jù)

ICInsights，9

座

300mm晶圓廠計(jì)劃于

2019

年投產(chǎn)，是自

2007

年開設(shè)

12

座以來最多的一年，其中有

5

座在中國大陸。2020

年則有

6

座晶圓廠計(jì)劃投產(chǎn)。2019

年和

2020

年所有投產(chǎn)的工廠主要用于存儲(chǔ)器的生產(chǎn)和晶圓代工。晶圓產(chǎn)能持續(xù)開出，增速逐漸平穩(wěn)。據(jù)ICInsights估計(jì)，2020

年全球晶圓產(chǎn)能增加達(dá)1,790

萬片（200mm等效），2021

年增加

2,080

萬片，并預(yù)計(jì)這部分新產(chǎn)能主要來自三星、SKHynix和中國大陸公司（例如長(zhǎng)江存儲(chǔ)、等）。同時(shí)，ICInsights統(tǒng)計(jì)2000~2010

年間全球晶圓產(chǎn)能（

200mm等效晶圓）復(fù)合增長(zhǎng)率為

7.09%，預(yù)計(jì)2014~2024

年復(fù)合增長(zhǎng)率為

6.04%，增速逐漸平穩(wěn)。其中，功率&化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)能將在服務(wù)器、等需求的驅(qū)動(dòng)下快速增長(zhǎng)，據(jù)

SEMI2019

年跟蹤的

804

個(gè)設(shè)施和生產(chǎn)線，目前裝機(jī)產(chǎn)能約

800

萬片/年（200mm等效晶圓）。到

2024

年，將有

38

條新的設(shè)施和生產(chǎn)線投入運(yùn)營(yíng)，推動(dòng)裝機(jī)容量累計(jì)增長(zhǎng)

20％，達(dá)到每月

970

萬片（200mm等效晶圓）。而我國將會(huì)是主要的擴(kuò)產(chǎn)地，功率半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)能在

2019~2024

年間分別增長(zhǎng)

50%、87%。從產(chǎn)品角度看，存儲(chǔ)和代工廠提供了全球主要的晶圓產(chǎn)能。據(jù)

ICInsights，按

200mm等效晶圓的月度已裝機(jī)產(chǎn)能來看，2019

年存儲(chǔ)器和代工廠產(chǎn)能分別占全晶圓產(chǎn)能供給的

38.23%、36.39%，同時(shí)這兩大類晶圓制造品類也是

2019~2024

年全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)的主力軍，預(yù)計(jì)分別占未來

5

年月度新增裝機(jī)產(chǎn)能的

44.58%、27.71%。制程工藝路徑不斷演進(jìn)集成電路的成功與否很大程度上取決于

IC制造商能否繼續(xù)提供更好的性能、更多的功能和更低的成本。隨著主流CMOS工藝達(dá)到其理論、實(shí)用和經(jīng)濟(jì)的極限，降低IC成本（按功能或性能）的成本成為未來

IC競(jìng)爭(zhēng)的主要著力點(diǎn)。盡管開發(fā)成本很高，但使用更小的節(jié)點(diǎn)仍可為每個(gè)晶圓帶來更大的收益。根據(jù)

ICInsights，許多

IC公司現(xiàn)在正在設(shè)計(jì)基于

10nm和

7nm工藝技術(shù)的高性能

CPU、MPU等。而邏輯電路全球龍頭

Intel也在逐步推進(jìn)其

10nm級(jí)以下產(chǎn)品的研發(fā)。在

Foundry競(jìng)爭(zhēng)中，具有領(lǐng)先工藝的制造具有明顯的優(yōu)勢(shì)。在

2019

年，是唯一

使用

7nm制程技術(shù)的純晶圓代工制造企業(yè)。由于領(lǐng)先的Fabless企業(yè)排隊(duì)采用

7nm工藝制造最新設(shè)計(jì)，臺(tái)積電每片晶圓的總收入顯著增加。與

2014

年相比，掌握了更先進(jìn)制程工藝的臺(tái)積電在

2019

年的每片晶圓收入更高（+13％）。相比之下，GlobalFoundries、UMC和

SMIC的

2019

年每片晶圓收入與

2014

年相比分別下降了

2％，14％和

19％。同時(shí)，持續(xù)演進(jìn)的晶圓制程工藝為

Foundry的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)不斷添磚加瓦，如（UMC）

于

2018

年

8

月宣布放棄對(duì)

12nm以下制程的研發(fā)，格羅方德（GlobalFoundries）也于

2

個(gè)月后宣布無限期延遲對(duì)

7nm制程的探索，并將在未來以

14nm為主。目前，全球第一梯隊(duì)的

Foundry中僅有臺(tái)積電已實(shí)現(xiàn)

5nm產(chǎn)品的量產(chǎn)，則準(zhǔn)備跳過4nm直接研發(fā)

3nm制程。目前第二梯隊(duì)的Foundry中僅有還在積極開發(fā)更先進(jìn)的制程和產(chǎn)品。除了代工和邏輯電路外，三星，美光，SKHynix和Kioxia/

WD等存儲(chǔ)器供應(yīng)商都在使用先進(jìn)的工藝來制造其

DRAM和閃存組件。而無論是哪種產(chǎn)品，目前全球半導(dǎo)體已經(jīng)發(fā)展到只有極少數(shù)的公司可以開發(fā)前沿工藝技術(shù)并制造前沿芯片的地步。一方面，先進(jìn)制程為晶圓制造行業(yè)逐步篩選出頂級(jí)企業(yè)，另一方面，成熟制程也為工藝落后的企業(yè)提供了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展空間。諸如

CIS、Wifi、射頻等未來物聯(lián)網(wǎng)的主要芯片使用成熟制程已經(jīng)足夠滿足要求，未來先進(jìn)制程+成熟制程將是主流方向。從按制程的產(chǎn)能角度看，先進(jìn)制程引領(lǐng)著產(chǎn)能擴(kuò)張方向。據(jù)

ICInsights，2017~2019

年間

10~20nm是月度裝機(jī)產(chǎn)能的主要部分，2019

年預(yù)計(jì)可達(dá)

32.61%，但

2019~2023

年小于

10nm的產(chǎn)能則可達(dá)

24.74%，是未來

4

年占比增長(zhǎng)最多的部分。在先進(jìn)制程不斷加大占比的時(shí)候，成熟制程占比亦將長(zhǎng)期維持穩(wěn)定。此外，2019

年在純晶圓代工廠的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中，<40nm的產(chǎn)品占據(jù)主流，達(dá)

47%。制程增加的同時(shí)晶圓直徑也在不斷擴(kuò)張，從6英寸（150mm）到8英寸（200mm），從8英寸到12英寸（300mm），晶圓直徑的擴(kuò)大有助于提升生產(chǎn)效率，降低單位成本。據(jù)ICInsights，2020

年預(yù)計(jì)

300mm的新增晶圓廠將達(dá)

10

座。但同時(shí)由于并非所有半導(dǎo)體器件都能夠利用

300mm晶圓所能提供的成本節(jié)約優(yōu)勢(shì)，6、8

英寸晶圓廠可通過制造多種類型非邏輯電路產(chǎn)品（例如專用存儲(chǔ)器，顯示驅(qū)動(dòng)器，微控制器，RF和模擬電路，以及基于MEMS的產(chǎn)品，例如加速度計(jì)，壓力傳感器等）來盈利，未來

6、8

英寸晶圓廠還將占據(jù)一定市場(chǎng)地位。地區(qū)發(fā)展逐漸步調(diào)不一從地區(qū)角度來說，地區(qū)市場(chǎng)規(guī)模和增長(zhǎng)潛力不一。美國作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)地區(qū)，在

IDM銷售額份額為

51％和無晶圓廠銷售額份額為

65％的龐大市場(chǎng)推動(dòng)下，美國公司在

2019

年占據(jù)了全球IC市場(chǎng)總量的

55％。與美國較大的市場(chǎng)相對(duì)應(yīng)的，中國大陸是

2018-2019

年間唯一保持銷售增速的地區(qū)。在

2019

年DRAM和NANDFlashIC銷售下滑的推動(dòng)下，總部位于韓國的韓國公司（主要是三星和SKHynix），銷售額下降了

32％，在所有主要國家/地區(qū)中表現(xiàn)最差。不同地區(qū)的主流制程、代工廠市場(chǎng)也有較大差別，三星和是目前僅有的兩個(gè)可加工<10nm工藝的地區(qū)。韓國和日本在<20nm至≥10nm的市場(chǎng)中均占有很大份額，其中絕大部分用于生產(chǎn)NANDFlash和DRAM。在<20nm-≥10nm的產(chǎn)能中，中國臺(tái)灣也占有很大份額，其中大約一半用于晶圓代工服務(wù)，另一半用于

DRAM等生產(chǎn)。目前在中國大陸的先進(jìn)（<28nm）產(chǎn)能幾乎完全由三星，SK海力士，和臺(tái)積電等公司擁有和控制。中國

Fabless公司的興起為晶圓代工提供了更多的機(jī)會(huì)。隨著過去十年來中國

Fabless公司（例如海思）的崛起，中國市場(chǎng)對(duì)代工服務(wù)的需求也有所增加。2018-2019

年間中國市場(chǎng)是純晶圓代工銷售唯一增長(zhǎng)的地區(qū)，2018

年較

2017

增長(zhǎng)了

42％，達(dá)到

107

億美元，增速較當(dāng)年全球市場(chǎng)的

5%快；2019

年則增長(zhǎng)

6％，比去年純晶圓代工市場(chǎng)總量下降

2％的結(jié)果高出

8

個(gè)百分點(diǎn)。12

英寸產(chǎn)能同樣反映了中國大陸是未來的機(jī)遇之地。2019

年按

Fab總部和所在地計(jì)算，中國大陸的企業(yè)份額較

2018

提升了

2%，同期除了韓國增加

1%以外其他國家及地區(qū)均呈下滑趨勢(shì)，中國大陸作為未來半導(dǎo)體核心地區(qū)的發(fā)展趨勢(shì)明確。資本開支增加預(yù)示景氣除產(chǎn)能外，資本開支同樣是反映晶圓制造發(fā)展的重要指標(biāo)。2017

年以來全球半導(dǎo)體資本開支均維持在

900

億美元以上的高位，2019

年在支出激增的推動(dòng)下，代工領(lǐng)域的資本支出增幅最大，躍升了

17％。據(jù)

ICInsights預(yù)測(cè)，到

2020

年晶圓代工領(lǐng)域?qū)⒃俅纬蔀橹С鲈鲩L(zhǎng)最大的領(lǐng)域，達(dá)

8％占比，占當(dāng)年全球資本開支比重達(dá)

29％，如臺(tái)積電預(yù)計(jì)

2020Capex為

160

億美元，則為

43

億美元。據(jù)

SEMI，2021

年全球晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)

24％，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的

677

億美元。存儲(chǔ)器晶圓廠將以

300

億美元的設(shè)備支出領(lǐng)先全球半導(dǎo)體領(lǐng)域，而領(lǐng)先的邏輯和代工廠預(yù)計(jì)將以

290

億美元的投資排名第二。另一方面，

2020

年

DRAM晶圓廠的投資在

2020年下降

11％之后，明年將激增

50％，而在先進(jìn)邏輯和代工廠的支出，在今年下降

11％之后，到

2021

年將增長(zhǎng)

16％。晶圓制造的引領(lǐng)者們由于集成電路具有重資產(chǎn)、技術(shù)壁壘高、經(jīng)營(yíng)管理難度大等特點(diǎn)，經(jīng)歷多年的大浪淘沙，

現(xiàn)在全球集成電路產(chǎn)業(yè)已從

21

世紀(jì)初的群雄逐鹿發(fā)展成寡頭競(jìng)爭(zhēng)，以

200mm等效晶圓產(chǎn)能為衡量標(biāo)準(zhǔn)，2019

年的行業(yè)集中度顯著高于

2009

年，前

5

名玩家合計(jì)占比高達(dá)54%，而

2009

年僅為

36%。2019

年全球前五大半導(dǎo)體廠商中，雖然相比

2018

年并無大幅新增產(chǎn)能，但三星以存儲(chǔ)IDM+Foundry的雙半導(dǎo)體生產(chǎn)模式在全球月度已裝機(jī)產(chǎn)能穩(wěn)居第一，月產(chǎn)近

300

萬片200mm等效晶圓，而作為純晶圓代工供應(yīng)商以

250

萬片/月的產(chǎn)能位居第二。從前五半導(dǎo)體廠商來看，存儲(chǔ)廠商占據(jù)四席。晶圓代工——一超多強(qiáng)根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析，2020

年第二季晶圓代工廠的營(yíng)收排名中，以預(yù)計(jì)

101.05

億美元的營(yíng)收穩(wěn)居第一，遠(yuǎn)超三星、格芯、和的總和。一方面是晶圓代工市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張，一方面是技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的不斷加深。據(jù)三星預(yù)計(jì)，2022

年全球晶圓代工市場(chǎng)將超過

800

億美元，7nm以下的先進(jìn)制程占比不斷增加。同時(shí)，隨著制程提升，如

130nm→7nm，能參與競(jìng)爭(zhēng)的廠商不斷減少，目前

7nm以下的供應(yīng)商僅有三星和，凸顯先進(jìn)工藝的重要性。TSMC——Foundry模式的開創(chuàng)者與領(lǐng)軍者是當(dāng)前世界上最大的純晶圓代工廠，制程、產(chǎn)能、營(yíng)收長(zhǎng)期占據(jù)全球第一的位置，

是當(dāng)之無愧的代工龍頭。?

掌握著世界最先進(jìn)的晶圓制造工藝：目前

7nm產(chǎn)品已量產(chǎn)出貨，5nm產(chǎn)品量產(chǎn)準(zhǔn)備已經(jīng)完成，5nmEUV工藝也將在今年下半年量產(chǎn)。同時(shí)，下一代先進(jìn)制程

3nm預(yù)計(jì)

2021

年試投產(chǎn)，2nm及更先進(jìn)的制程已在研發(fā)路徑上。?

擁有著世界最龐大的晶圓制造產(chǎn)能：2019

年臺(tái)積公司及其子公司所擁有及管理的年產(chǎn)能超過

1,200

萬片

12

英寸等效晶圓，臺(tái)積電在中國臺(tái)灣設(shè)有三座

12

英寸超大晶圓廠（GIGAFABRFacilities）、四座

8

英寸晶圓廠和一座

6

英寸晶圓廠，并擁有南京公司

12

英寸晶圓廠、WaferTech美國子公司的一座

12

英寸晶圓廠、中國大陸公司松江

8

英寸晶圓廠產(chǎn)能。技術(shù)優(yōu)勢(shì)往往建立在足夠的研發(fā)投入、廠房建設(shè)上，更先進(jìn)的設(shè)備如

EUV光刻機(jī)往往耗費(fèi)巨大，自

2019Q2

以來的資本開支持續(xù)高速增長(zhǎng)，季度同比增速均在

40%以上，2020Q1

更是達(dá)到了

1,925.6

億新臺(tái)幣。2020

年全年臺(tái)積電預(yù)計(jì)資本開支可達(dá)150~160

億美元。技術(shù)優(yōu)勢(shì)帶來更強(qiáng)的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電自

2019

年

Q3

以來晶圓出貨量恢復(fù)正增長(zhǎng)，2020Q1

在全球疫情蔓延的情況下實(shí)現(xiàn)了高達(dá)

32.65%的增長(zhǎng)，ASP（12

英寸晶圓）也達(dá)到了

3,524.79

美元。當(dāng)前最先進(jìn)的工藝為

7nm制程，主要用于生產(chǎn)手機(jī)處理器、基帶芯片、高性能運(yùn)算等對(duì)性能及功耗要求均非常高的產(chǎn)品，客戶主要包括華為、蘋果、、AMD和MTK。由于蘋果

iPhone11

系列銷售情況優(yōu)于預(yù)期，A13

應(yīng)用處理器委由臺(tái)積電以

7nm制程量產(chǎn)，2020Q1

的營(yíng)收延續(xù)

2019Q4

占比達(dá)到

35%，預(yù)期

2020Q2

高端制程的產(chǎn)能仍然緊張。除技術(shù)優(yōu)勢(shì)外，還以管理優(yōu)勢(shì)著稱。以集中式晶圓廠制造管理系統(tǒng)超級(jí)制造平臺(tái)（SuperManufacturingPlatform,

SMP）協(xié)調(diào)管理四座超大晶圓廠的運(yùn)作，一方面提高了產(chǎn)品的一致度和可靠性，同時(shí)為臺(tái)積電提供更大的產(chǎn)能彈性來適應(yīng)需求變動(dòng)，縮短良率學(xué)習(xí)曲線與量產(chǎn)時(shí)間，以及提供較低成本的產(chǎn)品重新認(rèn)證流程。產(chǎn)能上，目前擁有三座

12

吋超大晶圓廠——Fab12、Fab14

及

Fab15。2019

年，這三座超大晶圓廠的總產(chǎn)能已超過

800

萬片

12

英寸等效晶圓，可生產(chǎn)

0.13μm-7nm全世代以及其半世代設(shè)計(jì)的芯片。5nm已于

2020

年上半年進(jìn)入量產(chǎn)階段，主要由臺(tái)積

電第四座超大晶圓廠

Fab18

生產(chǎn)。同時(shí)保留部分產(chǎn)能做為研發(fā)用途，像

3nm、2nm等

更先進(jìn)制程的技術(shù)發(fā)展，未來將持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)制程發(fā)展。UMC——成熟制程與特色工藝的守望者聯(lián)華電子（UMC）是世界第四的純晶圓代工廠（2019，ICInsights），主要在特殊技術(shù)上晶圓制造服務(wù)。公司目前的最先進(jìn)制程為

14nm，整體落后

1~2

代，但公司專注特殊技術(shù)，在成熟制程上具備一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。聯(lián)華電子的資本開支在

2018

年達(dá)到

2015

年以來的頂峰

28

億美元后，2019

年呈現(xiàn)收縮形態(tài)，為

19

億美元，同比-32.14%,計(jì)劃

2020

年將繼續(xù)下滑至

10

億美元（其中

12英寸產(chǎn)能將占

85%，為

8.5

億美元）。產(chǎn)能則僅在

2019

年

10

月完成

USJC收購后2019Q4

有

11.63%的同比增長(zhǎng)，2019Q1

以來的其它季度階段均以小于

2%的幅度增長(zhǎng)。聯(lián)華電子擁有

4

座先進(jìn)

12

英寸晶圓廠：?

位于臺(tái)南的Fab12A于

2002

年進(jìn)入量產(chǎn)，目前主要生產(chǎn)先進(jìn)

14nm制程產(chǎn)品，P1＆2、P3＆4

以及

P5＆6

廠區(qū)組成超過

87,000

片/月的產(chǎn)能；?

Fab12i為聯(lián)華電子特殊技術(shù)中心，主要提供

12

英寸特殊制程產(chǎn)品以適應(yīng)客戶多樣化的應(yīng)用產(chǎn)品，目前產(chǎn)能達(dá)

50,000

片/月。?

最新的

12

英寸晶圓廠是位于中國廈門的聯(lián)芯廠USCXM，已于

2016

年Q4

開始量產(chǎn)。其總設(shè)計(jì)產(chǎn)能為

50,000

片/月。?

2019

年

10

月，聯(lián)華電子取得位于日本的公司USJC所有的股權(quán)，產(chǎn)能達(dá)

33,000片/月的十二英寸晶圓廠，提供最小至

40nm的邏輯和特殊技術(shù)。除了

12

英寸廠外，聯(lián)華電子擁有七座

8

英寸廠與一座

6

英寸廠，每月總產(chǎn)能超過

75

萬片

8

英寸等效晶圓。聯(lián)華電子在亞洲地理區(qū)域多元選擇的制造服務(wù)，客戶可以分散其制造風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)仍在同一區(qū)域內(nèi)的生產(chǎn)，更能確保聯(lián)華電子在中國臺(tái)灣總部最及時(shí)的工程支援。——我國晶圓制造突圍尖兵是全球第五大、國內(nèi)技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè)，具備

0.35μm-

14nm多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)晶圓代工能力，目前

14nmFinFET先進(jìn)制程已成功量產(chǎn)并實(shí)現(xiàn)收入，N+1

工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，在技術(shù)工藝、產(chǎn)能和營(yíng)收上已經(jīng)躋身世界一流晶圓代工企業(yè)行列。先進(jìn)制程技術(shù)+產(chǎn)能持續(xù)推進(jìn)，增資中芯南方加速成長(zhǎng)空間擴(kuò)容。中芯南方是為

14nm及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃而建設(shè)的、具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的

12

英寸晶圓廠（上海

300mmFab）。開發(fā)

14nm及以下產(chǎn)能是公司的一項(xiàng)戰(zhàn)略性的決策，可強(qiáng)化在先進(jìn)制程產(chǎn)品制造的領(lǐng)先市場(chǎng)地位。?

技術(shù)持續(xù)升級(jí)。中芯南方

14nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在開發(fā)更加先進(jìn)的

N+1

和N+2

工藝（內(nèi)部代號(hào)），其中

N+1

工藝在去年四季度已經(jīng)完成流片，目前處于客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)今年四季度風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。從

N+1

工藝比

14nm，性能提升20%，功耗降低

57%，邏輯面積縮小

63%，SoC面積縮小

55%，除了性能提升幅度低于

7nm工藝，功耗和穩(wěn)定性上都與

7nm工藝相近。?

產(chǎn)能積極擴(kuò)張：2020

年中芯國際將逐步擴(kuò)大

FinFET產(chǎn)能，至

2020

年年底將達(dá)

月產(chǎn)

15000

片。資本開支方面，下游需求持續(xù)加強(qiáng)為公司進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)帶來充足動(dòng)力，

公司

2020Q1

資本開支延續(xù)

2019Q4

增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，達(dá)

7.77

億美元，同比+75.4%，環(huán)

比+57.9%。半導(dǎo)體制造公司產(chǎn)能與對(duì)下游需求的判斷高度關(guān)聯(lián)，基于

2020Q1

成

熟制程產(chǎn)能滿載，先進(jìn)制程工藝推進(jìn)順利，在通信、手機(jī)、汽車、消費(fèi)電子等領(lǐng)域

應(yīng)用持續(xù)拓展，公司對(duì)未來充滿信心，將

2020

全年資本開支計(jì)劃上調(diào)

11

億美元

至

43

億美元，預(yù)計(jì)較

2019

年的

20

億美元增長(zhǎng)

115%。此前，公司的資本開支主要用于晶圓廠的設(shè)備及設(shè)施，此外還有部分用于建設(shè)員工生活

區(qū)等。正是因?yàn)榫A廠的持續(xù)投資，使得公司產(chǎn)能在過去年份中持續(xù)增長(zhǎng)。公司

2020Q1

宣布將上調(diào)

11

億美元

Capex，預(yù)計(jì)主要用于上海

300mmFab和成熟制程生產(chǎn)線的設(shè)

備和設(shè)施購置與建設(shè)，我們預(yù)計(jì)

14nm先進(jìn)制程產(chǎn)能將加速擴(kuò)充，成熟制程也將在不斷

恢復(fù)的下游需求中收益。需求強(qiáng)勁，產(chǎn)能滿載。目前，在上海、北京、深圳等地?fù)碛?/p>

7

座晶圓廠，2020

年

Q1

總產(chǎn)能達(dá)

47.6

萬片/月（8

英寸等效）。按產(chǎn)能計(jì)算，公司全球行業(yè)排名第五，中

國排名第一。中芯國際提供從

0.35μm-14nm制程的產(chǎn)品，包含邏輯/射頻/非易失存儲(chǔ)/

圖像傳感器等在內(nèi)主流平臺(tái)的晶圓代工服務(wù)。公司

2020Q1

產(chǎn)能環(huán)比增加

27,500

片/月（折合

8

英寸晶圓），主要系天津

200mmFab、

北京

300mmFab、上海

300mmFab，2020Q1

產(chǎn)能分別環(huán)比+5,000

片/月、+9,000

片/

月、+1,000

片/月（未折合

8

寸晶圓）。產(chǎn)能不斷開出的同時(shí)，ASP也在穩(wěn)步提升，2020Q1

等效

8

英寸晶圓的

ASP延續(xù)增長(zhǎng)，達(dá)

633.69

美元/片。——我國晶圓制造的追趕者是由原上海華虹

NEC和上海宏力半導(dǎo)體新設(shè)合并而成的，隸屬華虹集團(tuán)，

是我國大陸地區(qū)第二大的晶圓代工廠。華虹半導(dǎo)體具備

1.0μm-90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)工

藝，主要專注于特色工藝，在智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域中，基于高度的安全性、可靠性、成本效益及技術(shù)精細(xì)度享譽(yù)市場(chǎng)。在功率

器件技術(shù)方面公司亦擁有強(qiáng)大的能力和豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。公司自建設(shè)中國大陸第一條

8

英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江共有三

條

8

英寸生產(chǎn)線（華虹一、二及三廠），月產(chǎn)能約

18

萬片，同時(shí)在無錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開

發(fā)區(qū)內(nèi)建有一座

12

英寸晶圓廠（華虹七廠），月產(chǎn)能規(guī)劃為

4

萬片。華虹七廠于

2019

年正式落成并邁入生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)期，成為中國大陸領(lǐng)先的

12

英寸特色工藝生產(chǎn)線，也是大

陸第一條

12

英寸功率器件代工生產(chǎn)線。2020

年

5

月

14

日華虹無錫

12

英寸生產(chǎn)線已

實(shí)現(xiàn)高性能

90nmFSI工藝平臺(tái)產(chǎn)品投片，未來將有力支持公司在

5G、IoT等領(lǐng)域的擴(kuò)

張。未來隨著無錫

12

英寸廠產(chǎn)能初步開出，公司“8

英寸+12

英寸”戰(zhàn)略將進(jìn)入實(shí)施+

回報(bào)期。存儲(chǔ)芯片——三足鼎立存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模龐大，未來占比持續(xù)提升。由于

PC、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等

多種終端產(chǎn)品中都需要使用存儲(chǔ)器來完成信息的存儲(chǔ)，存儲(chǔ)器逐漸發(fā)展成半導(dǎo)體市場(chǎng)上

占比最大的商品，按

WSTS統(tǒng)計(jì)，2019

年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)

1,059.07

億美元，占比達(dá)

25.89%，同時(shí)近年來在服務(wù)器需求持續(xù)增長(zhǎng)下，WSTS預(yù)期存儲(chǔ)芯片在半導(dǎo)體中的規(guī)

模和比重將持續(xù)加大，2020

年預(yù)計(jì)可達(dá)

1,223.58

億美元、占比達(dá)

28.72%。存儲(chǔ)器中，

又以

DRAM、NANDFLASH為價(jià)值最高的品類。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)特征明顯，IDM模式適者生存。存儲(chǔ)器具有強(qiáng)周期、重資產(chǎn)、高營(yíng)收、長(zhǎng)投

入、規(guī)模經(jīng)濟(jì)明顯的產(chǎn)業(yè)特征，經(jīng)歷了近半世紀(jì)的發(fā)展后全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)格局不斷洗牌，

三星、SK海力士、等成為贏家，DRAM中三家龍頭企業(yè)（、SK海力

士、美光科技）占據(jù)超

95%的份額，NANDFLASH格局相對(duì)較好，前三龍頭（三星電

子、鎧俠、）合計(jì)占比約

67.2%，美光科技、海力士則分別擁有

13.3%、9.7%

的份額。縱觀產(chǎn)業(yè)特征和市場(chǎng)格局，我們認(rèn)為最適合存儲(chǔ)器發(fā)展的模式是可以整合設(shè)計(jì)、

試產(chǎn)、投產(chǎn)、封裝的

IDM模式，更能適應(yīng)強(qiáng)周期商品的變動(dòng)。存儲(chǔ)芯片制程提升趨緩，成本管控催生工藝升級(jí)：DRAM位元供給的增長(zhǎng)來源以工藝進(jìn)

步帶來的密度提升為主，以產(chǎn)能擴(kuò)張帶來的投片量提升為輔。但是近年來

DRAM在進(jìn)

入

20nm制程以后，制程提升開始遇到瓶頸，目前先進(jìn)的

DRAM器件均在

18nm-15nm區(qū)間。主流廠商出于成本和研發(fā)難度的考慮，對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是

希望通過兩代或三代

1Xnm節(jié)點(diǎn)去升級(jí)

DRAM，并嘗試使用

EUV技術(shù)，由此稱為

1Xnm、

1Ynm、1Znm。2020

年

3

月，三星宣布已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了基于

EUV技術(shù)的

10nm級(jí)

D1xDDR4

模塊出貨并已完成客戶驗(yàn)證，并預(yù)計(jì)將從明年開始批量生產(chǎn)基于

D1a的

DDR5

和

LPDDR5，這將使

12

英寸晶圓的生產(chǎn)效率提升一倍。此外，美光也于

2019

年宣布開始

量產(chǎn)第三代

10nm級(jí)的

1znmDRAM芯片，1znm工藝與上一代的

1ynm8GbDRAM相比，生產(chǎn)效率提升了

27%，耗降低了

40%。NANDFLASH工藝則主要圍繞

die堆疊技術(shù)進(jìn)行突破。目前世界上

NANDFLASH主

流技術(shù)為

3DNAND，通過

die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)，擴(kuò)大存

儲(chǔ)空間和提升可靠性。目前所有主要

NAND產(chǎn)商都已推出了

3DNAND產(chǎn)品，三星在

2019

年

6

月推出了第六代

V-NAND（128L256Gb3DTLCNAND）并于

8

月量產(chǎn)；SK海力士于

2019

年

6

月同樣推出了

128LTLC4DNAND，預(yù)計(jì)

2020

年投產(chǎn)。全球存儲(chǔ)龍頭的產(chǎn)能情況：?

三星：三星半導(dǎo)體在全球擁有七大生產(chǎn)基地，分別位于韓國器興、華城、安陽、平

澤、美國奧斯汀、中國蘇州、中國西安。截至

2019

年

12

月，三星擁有最多的晶

圓產(chǎn)能，每月可生產(chǎn)超

290

萬片

200mm等效晶圓，約占全球總產(chǎn)能的

15%，其

中約三分之二用于制造

DRAM和

NAND存儲(chǔ)芯片。目前正在進(jìn)行的主要建設(shè)項(xiàng)目

為平澤

P2、中國西安二期的新晶圓廠。?

SK海力士：SK海力士在韓國利川與青州、中國無錫與重慶設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地。

按全球晶圓總產(chǎn)能計(jì)算，SK海力士排第四，每月晶圓產(chǎn)能接近

180

萬晶圓（占全

球總產(chǎn)能的

8.9%）。其中

80%以上用于制造

DRAM和

NAND閃存芯片，即約

96

萬片/月以上。SK海力士于

2019

年完成了在韓國清州市新

M15

晶圓廠的建設(shè)以

及在中國無錫的新晶圓廠（C2F）的建設(shè)。其下一個(gè)大型晶圓廠項(xiàng)目是位于韓國利

川的

FabM16

工廠。對(duì)于

DRAM，SK海力士計(jì)劃積極應(yīng)對(duì)持續(xù)擴(kuò)張的

64GB以上的高容量服務(wù)

器模組市場(chǎng)，并擴(kuò)大

10nm第二代產(chǎn)品（1ynm）的銷售來改善收益性。此

外，公司對(duì)

10nm第三代產(chǎn)品（1znm）也將于下半年正式投入批量生產(chǎn)以及

公司還積極應(yīng)對(duì)預(yù)計(jì)全面成長(zhǎng)的

GDDR6

和

HBM2E市場(chǎng)。對(duì)于

NAND閃

存，公司計(jì)劃持續(xù)增加

96

層產(chǎn)品的銷售比重。128

層產(chǎn)品也將在第二季度正

式投入批量生產(chǎn)。另外，公司計(jì)劃在第一季度銷售比重達(dá)到

40%的

SSD的

比例再次擴(kuò)大并向數(shù)據(jù)中心的

PCIeSSD為主將進(jìn)行多元化產(chǎn)品組合以及改

善收益性而持續(xù)努力。?

：按全球晶圓總產(chǎn)能計(jì)算，美光擁有第三大產(chǎn)能，晶圓數(shù)量略多于180萬，

占全球產(chǎn)能的

9.4%。美光在

2019

年的產(chǎn)能增長(zhǎng)得益于其在新加坡的工廠開設(shè)的

新

300mm晶圓廠。該公司還收購了位于猶他州

Lehi的

IMFlash合資工廠中的英

特爾持有的股份。美光科技計(jì)劃在

2020

年在弗吉尼亞州的馬納薩斯開設(shè)第二家晶

圓廠。美光曾在

2019

年

8

月宣布成為全球首家采用

1znm制程技術(shù)，以量產(chǎn)

16GbDDR4

產(chǎn)品。美光臺(tái)中廠已成為扮演

1znm高量產(chǎn)的重要供應(yīng)角色，現(xiàn)階段

由臺(tái)、日兩大

DRAM生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)各自分工量產(chǎn)，在廣島廠生產(chǎn)

1znm的低功

率存儲(chǔ)器產(chǎn)品，而臺(tái)中廠則負(fù)責(zé)量產(chǎn)高速運(yùn)算的

16

GbDDR4

存儲(chǔ)器，可應(yīng)

用于桌上型計(jì)算機(jī)、NB以及資料中心等領(lǐng)域，也就是

2020

年美光

DRAM業(yè)務(wù)的重點(diǎn)項(xiàng)目。接力長(zhǎng)跑+技術(shù)突破，存儲(chǔ)雙強(qiáng)引領(lǐng)國產(chǎn)破局國內(nèi)

DRAM接力者——合肥長(zhǎng)鑫：作為國產(chǎn)

DRAM長(zhǎng)跑競(jìng)賽的接棒人（第一棒為奇夢(mèng)

達(dá)），合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自

2016

年立項(xiàng)以來快速推進(jìn)

DRAM的研發(fā)與量產(chǎn)，2018

年年底即

完成與國際主流

DRAM產(chǎn)品同步的

10nm級(jí)、第一代

19nm8GBDDR4

的交樣，隨后

在

2019

年

9

月

20

日宣布

19nm8GBDDR4

投產(chǎn)，一期目標(biāo)產(chǎn)能達(dá)

12

萬片/月。這標(biāo)

志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。國產(chǎn)

NANDFlash領(lǐng)軍者——長(zhǎng)江存儲(chǔ)：長(zhǎng)江存儲(chǔ)于

2020

年

4

月推出

128

層

QLC3DNAND技術(shù)，意味著我國存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)在快速追趕過程中，未來或?qū)⒃诩夹g(shù)+產(chǎn)能上挑

戰(zhàn)三星、海力士等傳統(tǒng)龍頭。目前公司產(chǎn)能

12

英寸晶圓廠的

3DNANDFlash產(chǎn)能尚處

于爬升期，公司將盡快將

64

層產(chǎn)能爬升至

10

萬片/月，并按期（二期）建成

30

萬片/

月產(chǎn)能。6

月

20

日，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期已開工。隨著二期項(xiàng)

目未來逐步達(dá)產(chǎn)，我國

NANDFlash有望實(shí)現(xiàn)由技術(shù)再到產(chǎn)能的新突破。邏輯電路——獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷（Intel）成立于

1968

年，并于

1971

年推出世界第一款微處理器

4004，拉開了

計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)革命的序幕，而引領(lǐng)了一個(gè)時(shí)代的英特爾也在半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展中逐漸

成為邏輯電路的全球龍頭，盡管市場(chǎng)份額不再是公司的目標(biāo)，但據(jù)MercuryResearch，

2019

年

Q4

其

x86

處理器全球份額占比依舊高達(dá)

84.4%。在制程上稍遜于和三星，7nm工藝計(jì)劃于

2021

年完成研發(fā)量產(chǎn)，目前正

在推進(jìn)

10nm工藝在

CPU上的應(yīng)用，計(jì)劃其工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)可保持每?jī)赡暌淮紊?jí)，首

先是從

2019

年的

10nm工藝、升級(jí)到

2021

年的

7nm極紫外光刻（EUV）工藝。

同時(shí)在架構(gòu)上英特爾正在基于“

xPU”計(jì)算平臺(tái)的模型發(fā)展，針對(duì)四種主要計(jì)算架構(gòu)

（CPU，GPU，AI加速器和

FPGA產(chǎn)品）設(shè)計(jì)產(chǎn)品。未來，英特爾計(jì)劃在自身強(qiáng)大的

CPU設(shè)計(jì)和生產(chǎn)能力上向

FPGA、ASIC擴(kuò)展。采用

IDM模式，并長(zhǎng)期將內(nèi)部制造視為重要優(yōu)勢(shì)，一方面

IDM模式有利于增強(qiáng)

研發(fā)與生產(chǎn)的協(xié)同性以提升研發(fā)效率，進(jìn)一步在摩爾定律推進(jìn)的基礎(chǔ)上通過縮小芯片尺

寸來降低其成本，或者提高芯片的功能和性能，同時(shí)以更高的密度保持相同的成本；另

一方面，IDM模式有助于英特爾優(yōu)化和運(yùn)用其制造能力來交付更先進(jìn)的差異化產(chǎn)品的。

同時(shí)英特爾也增加了對(duì)

Foundry和外部封測(cè)的委托。近年來研發(fā)投入保持在收入的

20％左右，并于在

2018~2019

年間在邏輯（主要

是晶圓制造）上投入了創(chuàng)紀(jì)錄的

Capex以擴(kuò)大

14nm、10nm晶圓產(chǎn)量來應(yīng)對(duì)

2020

年

可能的個(gè)人

PC和服務(wù)器芯片需求，同時(shí)計(jì)劃在

2021

年量產(chǎn)

7nm產(chǎn)品。在全球有

9

個(gè)生產(chǎn)基地，其中

6

個(gè)是晶圓制造廠，3

個(gè)是裝配/測(cè)試廠。英特爾大

部分的邏輯芯片都在美國的俄勒岡州、亞利桑那州和新墨西哥州生產(chǎn)，另有一部分在以

色列，其中俄勒岡州和以色列主要制造

10nm工藝產(chǎn)品，并已于

2019

年完成

10nm產(chǎn)

線的擴(kuò)產(chǎn)；亞利桑那州則計(jì)劃在

2020

年開始生產(chǎn)

10nm工藝產(chǎn)品。中國大連的

Fab主

要生產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品。模擬芯片——傳統(tǒng)巨頭模擬芯片作為電子產(chǎn)品的重要組成部分，其需求隨著各類電子產(chǎn)品的快速發(fā)展而不斷擴(kuò)

大。由于模擬芯片市場(chǎng)不易受單一產(chǎn)業(yè)景氣變動(dòng)影響，因此價(jià)格波動(dòng)遠(yuǎn)沒有存儲(chǔ)芯片和

邏輯電路等數(shù)字芯片的變化大，市場(chǎng)波動(dòng)幅度相對(duì)較小。模擬芯片產(chǎn)品主要用于通訊、

汽車和工業(yè)領(lǐng)域。據(jù)

ICInsights數(shù)據(jù)顯示，憑借

108

億美元的模擬芯片銷售額和

18%的市場(chǎng)份額，德州

儀器（TI）在

2018

年繼續(xù)成為全球排名第一的領(lǐng)先模擬芯片供應(yīng)商。德州儀器主營(yíng)模擬和嵌入式處理芯片，通過

IDM模式完成從設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試到銷售得

全流程，至今已推出約

80,000

多種產(chǎn)品，在電源管理、傳感器和微處理器等領(lǐng)域累計(jì)

服務(wù)約

100,000

名客戶，打入了工業(yè)、汽車、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市

場(chǎng)。德州儀器產(chǎn)品主要面向工業(yè)和汽車市場(chǎng)，2019

年在這兩個(gè)市場(chǎng)的收入占比

57%。德州儀器在全球有

14

個(gè)制造工廠，包括

10

家晶圓制造廠、7

家組裝和測(cè)試工廠以及多

家凸點(diǎn)和探頭工廠，每年生產(chǎn)芯片，其全球化產(chǎn)能布局為其提供穩(wěn)定可靠且長(zhǎng)期

的供貨周期。近年來隨著公司在

12英寸產(chǎn)能上的不斷投入，12英寸產(chǎn)能比重持續(xù)提升。化合物半導(dǎo)體——代工興盛穩(wěn)懋——深度打造化合物半導(dǎo)體代工能力III-V族化合物半導(dǎo)體元件具有優(yōu)異的高頻特性，長(zhǎng)期以來被視為太空科技的無線領(lǐng)域應(yīng)

用首選。隨著商業(yè)上寬頻無線通訊及光通訊的爆炸性需求，化合物半導(dǎo)體技術(shù)更廣泛的

被應(yīng)用在高頻、高功率、低噪聲的無線產(chǎn)品以及光電元件如激光及發(fā)光二極體產(chǎn)品中。

穩(wěn)懋半導(dǎo)體成立於

1999

年，是全球首座以六英寸晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波集成電路（GaAsMMIC）的專業(yè)晶圓代工服務(wù)公司。穩(wěn)懋擁有完整的技術(shù)團(tuán)隊(duì)及最先進(jìn)的砷化鎵微波電

晶體及集成電路制造技術(shù)及生產(chǎn)設(shè)備，客戶除了全球射頻集成電路設(shè)計(jì)公司(RFICDesignHouses)外，還包括全球主要

IDM廠商。在無線寬頻通訊的微波高科技領(lǐng)域中，穩(wěn)懋目前提供兩大類砷化鎵工藝：異質(zhì)結(jié)雙極性

晶體管(HBT)和應(yīng)變式異質(zhì)結(jié)高遷移率電晶體(pHEMT)，二者均為最尖端的工藝。在光

通訊及

3D感測(cè)領(lǐng)域中，穩(wěn)懋以

MMIC生產(chǎn)技術(shù)為基礎(chǔ)，提供光電產(chǎn)品的開發(fā)與制造。穩(wěn)懋目前已進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品主要為：?

1μmHBT：可應(yīng)用于

OC-768,

OC-192

光纖通訊/光纖網(wǎng)路元件中的發(fā)射器和接收

器等主動(dòng)元件；?

2μmHBT、0.5μmpHEMTSwitch：主要應(yīng)用于智能手機(jī)和無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)；?

0.5μmpowerpHEMT：可應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、全球定位系統(tǒng)(GPS)

、有線電視調(diào)頻

器(CableTVtuner)

、交通電子收費(fèi)裝置(Electronictollcollection)、無線區(qū)域性網(wǎng)絡(luò)等；?

先進(jìn)的高頻

0.15μm、0.1μmpHEMT：可應(yīng)用于衛(wèi)星通訊(SATCOMandVSAT)、

汽車業(yè)的自動(dòng)巡航和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)基地臺(tái)的連系。0.5μmpHEMT；穩(wěn)懋擁有全球最大的砷化鎵晶圓廠產(chǎn)能，2018

年產(chǎn)能已超過

34

萬片以上，目前

FabA、

B、C合計(jì)產(chǎn)能

36,000

片/月。公司于

2019

年底開始擴(kuò)充產(chǎn)能，預(yù)計(jì)

2020