ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12963—2022

代替GB/T12963—2014

電子級(jí)多晶硅

Electronic-gradepolycrystallinesilicon

2022-12-30發(fā)布2023-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T12963—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替電子級(jí)多晶硅與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯

GB/T12963—2014《》,GB/T12963—2014,

性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見(jiàn)第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了牌號(hào)要求見(jiàn)年版的

b)(4.1,20144.1.1);

更改了產(chǎn)品等級(jí)見(jiàn)年版的

c)(4.2,20144.1.2);

更改了不同等級(jí)電子級(jí)多晶硅的技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)年版的

d)(5.1,20144.2);

更改了結(jié)構(gòu)要求見(jiàn)年版的

e)(5.3,20144.4);

更改了試驗(yàn)方法的內(nèi)容見(jiàn)第章年版的第章

f)(6,20145);

更改了檢驗(yàn)項(xiàng)目的要求見(jiàn)年版的

g)(7.3,20146.3);

更改了取樣及制樣的內(nèi)容見(jiàn)年版的

h)(7.4.1,20146.4.1);

更改了氧含量的檢驗(yàn)結(jié)果判定見(jiàn)年版的

i)(7.5.2,20146.5.1);

更改了標(biāo)志的內(nèi)容見(jiàn)年版的

j)(8.1,20147.1);

更改了隨行文件的內(nèi)容見(jiàn)年版的

k)(8.5,20147.5)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司青

:、、

海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司有研半導(dǎo)體硅材料

、、

股份公司麥斯克電子材料股份有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有

、、()、

限責(zé)任公司新特能源股份有限公司四川永祥新能源有限公司上海賽夫特半導(dǎo)體材料有限公司宜昌

、、、、

南玻硅材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司洛陽(yáng)中硅高科技有限公司東方電氣樂(lè)山峨半

、、、()

高純材料有限公司

。

本文件主要起草人田新蔣文武趙培芝萬(wàn)首正李素青秦榕王彬?qū)O燕賀東江陳衛(wèi)群宗冰

:、、、、、、、、、、、

徐巖邱艷梅李斌劉曉霞張遵付緒光董先君潘金平張園園雷聰

、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂年第二次修訂年第三次修訂本次為

1991,1996,2009,2014,

第四次修訂

。

Ⅰ

GB/T12963—2022

電子級(jí)多晶硅

1范圍

本文件規(guī)定了電子級(jí)多晶硅的牌號(hào)和類(lèi)別技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存

、、、、、、、、

隨行文件和訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于以氯硅烷硅烷制得的電子級(jí)多晶硅以下簡(jiǎn)稱多晶硅

、(“”)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/p>

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T4061

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

GB/T24574Ⅲ-V

硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、V

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定