標準解讀

《GB/T 12963-2009 硅多晶》相比于其前版《GB/T 12963-1996 硅多晶》，主要在以下幾個方面進行了調整和更新：

  1. 技術指標的修訂：新版標準對硅多晶的純度、碳含量、氧含量、摻雜元素濃度等關鍵質量指標進行了重新定義和要求，以適應半導體技術和太陽能光伏產業發展的更高需求，確保材料性能更加優良。

  2. 檢測方法的改進：為了提高檢測精度和效率，2009版標準引入了更先進的檢測技術和分析方法，如更靈敏的光譜分析技術和更精確的雜質測定手段，以確保測試結果的準確性和可重復性。

  3. 分類與分級體系的優化：根據市場和技術進步，新標準對硅多晶產品進行了更為細致的分類和分級，明確了不同級別產品的適用范圍和質量標準，便于生產和應用雙方更好地對接需求。

  4. 增加了環保和安全要求：考慮到生產過程中的環境保護和操作人員安全，2009版標準加入了環保和安全生產的相關規定，要求企業在生產硅多晶時遵循國家環保法規，采取有效措施減少污染物排放，保障生產安全。

  5. 標準的適用范圍擴展：隨著硅多晶應用領域的拓寬，新標準不僅適用于傳統的半導體器件制造，還特別考慮到了太陽能電池材料的需求，反映了行業發展趨勢。

  6. 術語和定義的更新：為保持與國際標準的一致性，標準中對一些專業術語和定義進行了修訂或新增，提高了標準的國際化水平，便于國內外交流與合作。

  7. 規范性附錄的增補：增加了若干規范性附錄，提供了詳細的測試方法指導、合格判定規則等，增強了標準的實用性和可操作性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 12963-2014
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１２９６３—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６

硅多晶

犛狆犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀

２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１２９６３—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭ１６１１０３：２００３《多晶硅規范》，主要差異如下：

———增加了技術參數，如對基磷、基硼電阻率、碳濃度和ｎ型少子壽命的等級要求；

———增加了硅多晶尺寸范圍要求。

本標準代替ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６《硅多晶》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６相比，主要有如下變動：

———基磷電阻率等級由３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ、１００Ω·ｃｍ修訂為５００Ω·ｃｍ、３００Ω·ｃｍ、２００Ω·ｃｍ；

———增加氧化夾層術語。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨眉半導體材料廠。

本標準主要起草人：羅莉萍、張輝堅、王炎。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６３—１９９６。

Ⅰ

書

犌犅／犜１２９６３—２００９

硅多晶

１范圍

本標準規定了硅多晶的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、運輸、貯存。

本標準適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的硅多晶。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５０非本征半導體材料導電類型測試方法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５８硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

ＧＢ／Ｔ４０５９硅多晶氣氛區熔磷檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０６０硅多晶真空區熔基硼檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０６１硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＡＳＴＭＦ１７２３用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的標準規程

３術語

ＧＢ／Ｔ１４２６４規定的及以下術語適用于本標準：

氧化夾層狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪

硅多晶橫斷面上呈同心圓狀的氧化硅夾雜。

４要求

４．１產品分類

４．１．１產品按外形分為塊狀硅多晶和棒狀硅多晶，根據純度的差別分為３級。

４．１．２牌號

硅多晶的牌號表示為：

Ｐｓｉ——

阿拉伯數字表示硅多晶等級

英文大寫字母表示硅多晶形狀，Ｉ表示棒狀，Ｎ

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