標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 10067.417-2023 電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件 第417部分:碳化硅單晶生長裝置》是針對用于生產(chǎn)碳化硅單晶材料的設(shè)備所制定的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶生長裝置的設(shè)計、制造、安裝、調(diào)試及驗(yàn)收等方面的技術(shù)要求,旨在確保此類裝置能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,并產(chǎn)出高質(zhì)量的碳化硅單晶產(chǎn)品。
標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了碳化硅單晶生長過程中所需的溫度控制精度、真空度維持能力、晶體提拉速度調(diào)控等關(guān)鍵參數(shù)的具體指標(biāo);同時對加熱元件的選擇與配置、隔熱材料性能、爐體結(jié)構(gòu)設(shè)計等方面提出了明確的要求。此外,還涉及到了安全防護(hù)措施、環(huán)境保護(hù)以及能耗控制等內(nèi)容,強(qiáng)調(diào)了在滿足工藝需求的同時也要考慮到操作人員的安全和環(huán)境友好性。
對于制造商而言,遵循此標(biāo)準(zhǔn)意味著其生產(chǎn)的碳化硅單晶生長裝置需通過一系列嚴(yán)格的測試驗(yàn)證才能正式投入使用,這不僅有助于提升產(chǎn)品質(zhì)量,還能增強(qiáng)市場競爭力。而對于用戶來說,則可以根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)來選擇適合自己需求且符合國家標(biāo)準(zhǔn)要求的產(chǎn)品,從而保證實(shí)驗(yàn)或生產(chǎn)過程中的穩(wěn)定性和安全性。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
查看全部
- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-05-23 頒布
- 2023-12-01 實(shí)施





文檔簡介
ICS2518010
CCSK.61.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T10067417—2023
.
電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件
第417部分碳化硅單晶生長裝置
:
Basicspecificationsforelectroheatingandelectromagneticprocessing
installations—Part417Siliconcarbidecrstalrowthinstallations
:yg
2023-05-23發(fā)布2023-12-01實(shí)施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T10067417—2023
.
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅴ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
產(chǎn)品分類
4…………………2
型號參數(shù)
4.1……………2
單晶爐形式加熱方法及代號
4.2、………………………2
主要參數(shù)
4.3……………3
技術(shù)要求
5…………………3
總體要求
5.1……………3
設(shè)計和制造的補(bǔ)充要求
5.2……………4
性能要求
5.3……………6
成套要求
5.4……………7
試驗(yàn)方法
6…………………7
一般要求
6.1……………7
壓升率的測量
6.2………………………7
爐溫穩(wěn)定度的測量
6.3…………………7
運(yùn)動參數(shù)相對偏差的測量
6.4…………8
速度百分偏差的測量
6.5………………8
爬行量的測量
6.6………………………8
同軸度的測量
6.7………………………8
工業(yè)生長晶體試驗(yàn)
6.8…………………8
檢驗(yàn)規(guī)則
7…………………9
一般要求
7.1……………9
出廠檢驗(yàn)項目
7.2………………………9
型式檢驗(yàn)項目
7.3………………………9
標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存
8、、…………………9
一般要求
8.1……………9
其他要求
8.2……………10
訂購與供貨
9………………10
一般要求
9.1……………10
特殊要求
9.2……………10
Ⅰ
GB/T10067417—2023
.
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件的第部分已經(jīng)發(fā)
GB/T10067《》417。GB/T10067
布了以下部分
:
第部分通用部分
———1:;
第部分電弧加熱裝置
———2:;
第部分大型交流電弧爐
———21:;
第部分感應(yīng)電熱裝置
———3:;
第部分中頻無心感應(yīng)爐
———31:;
第部分電壓型變頻多臺中頻無心感應(yīng)爐成套裝置
———32:;
第部分工頻無心感應(yīng)熔銅爐
———33:;
第部分晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置
———34:;
第部分中頻真空感應(yīng)熔煉爐
———35:;
第部分感應(yīng)透熱裝置
———36:;
第部分間接電阻爐
———4:;
第部分網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組
———41:;
第部分推送式電阻加熱機(jī)組
———42:;
第部分強(qiáng)迫對流井式電阻爐
———43:;
第部分箱式電阻爐
———44:;
第部分真空淬火爐
———45:;
第部分罩式電阻爐
———46:;
第部分真空熱處理和釬焊爐
———47:;
第部分臺車式電阻爐
———48:;
第部分自然對流井式電阻爐
———49:;
第部分單晶爐
———410:;
第部分電熱浴爐
———411:;
第部分箱式淬火爐
———412:;
第部分實(shí)驗(yàn)用電阻爐
———413:;
第部分工業(yè)寶石爐
———414:;
第部分鋁材退火爐
———415:;
第部分多晶硅鑄錠爐
———416:;
第部分碳化硅單晶生長裝置
———417:;
第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備
———5:;
第部分電渣重熔爐
———8:。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中國電器工業(yè)協(xié)會提出
。
本文件由全國工業(yè)電熱設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC121)。
本文件起草單位江蘇星特亮科技有限公司西安電爐研究所有限公司安徽瑞馳新能源有限公司
:、、、
Ⅲ
GB/T10067417—2023
.
河南天利熱工裝備股份有限公司廈門曉訊新能源科技有限公司成都粵海金半導(dǎo)體材料有限公司
、、、
常州市樂萌壓力容器有限公司河北同光半導(dǎo)體股份有限公司張家港市中亞特種變壓器制造有限公
、、
司西安慧金科技有限公司株洲瑞德爾智能裝備有限公司中山市合碩高品電器有限公司廣東飛成新
、、、、
材料有限公司西安福萊特?zé)崽幚碛邢薰?/p>
、。
本文件主要起草人李留臣余維江李琨曹姣謝萍張永武李明科趙然潘燕萍楊昆周正星
:、、、、、、、、、、、
李小杰陳佩嫻金星宇尹丹段春芳楊禎
、、、、、。
Ⅳ
GB/T10067417—2023
.
引言
電熱和電磁處理裝置是國民經(jīng)濟(jì)各工業(yè)部門的重要熱工藝裝備該裝置主要按不同電加熱方式和
。
電磁處理分類也可按不同應(yīng)用不同工作頻率和不同工作氣氛等分類為了保證該裝置的開發(fā)生產(chǎn)
,、。、、
使用和銷售有序進(jìn)行促進(jìn)其技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品質(zhì)量的提高更好滿足熱工藝的要求有必要制定該裝置
,,,
的基本技術(shù)條件這也為制定其安全和試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)提供了必要條件在這方面我國已建立了
,。,
電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件系列標(biāo)準(zhǔn)由通用部分及其補(bǔ)充和按上述分類的各專
GB/T10067《》,
用部分組成旨在規(guī)定電熱和電磁處理裝置的產(chǎn)品分類以及在設(shè)計制造安全節(jié)能和
。GB/T10067、、、
環(huán)保性能和成套等方面需要滿足的要求并且描述用于判定該要求是否得到滿足的證實(shí)方法擬由以下
、,
個部分構(gòu)成
39。
第部分通用部分目的在于規(guī)定各類電熱和電磁處理裝置的通用技術(shù)要求
———1:。。
第部分真空電熱和電磁處理裝置的通用要求目的在于規(guī)定真空電熱和電磁處理裝置
———1101:。
的通用技術(shù)要求
。
第部分電弧加熱裝置目的在于規(guī)定電弧加熱裝置的特殊技術(shù)要求
———2:。。
第部分大型交流電弧爐目的在于規(guī)定大型交流電弧爐的特殊技術(shù)要求
———21:。。
第部分真空重熔電弧爐目的在于規(guī)定真空重熔電弧爐的特殊技術(shù)要求
———22:。。
第部分感應(yīng)電熱裝置目的在于規(guī)定感應(yīng)電熱裝置的特殊技術(shù)要求
———3:。。
第部分中頻無心感應(yīng)爐目的在于規(guī)定中頻無心感應(yīng)爐的特殊技術(shù)要求
———31:。。
第部分電壓型變頻多臺中頻無心感應(yīng)爐成套裝置目的在于規(guī)定電壓型變頻多臺中頻無
———32:。
心感應(yīng)爐成套裝置的特殊技術(shù)要求
。
第部分工頻無心感應(yīng)熔銅爐目的在于規(guī)定工頻無心感應(yīng)熔銅爐的特殊技術(shù)要求
———33:。。
第部分晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置目的在于規(guī)定晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置的特殊技
———34:。
術(shù)要求
。
第部分中頻真空感應(yīng)熔煉爐目的在于規(guī)定中頻真空感應(yīng)熔煉爐的特殊技術(shù)要求
———35:。。
第部分感應(yīng)透熱裝置目的在于規(guī)定感應(yīng)透熱裝置的特殊技術(shù)要求
———36:。。
第部分超導(dǎo)直流感應(yīng)透熱裝置目的在于規(guī)定超導(dǎo)直流感應(yīng)透熱裝置的特殊技術(shù)要求
———37:。。
第部分間接電阻爐目的在于規(guī)定間接電阻爐的特殊技術(shù)要求
———4:。。
第部分網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組目的在于規(guī)定網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組的特殊技術(shù)要求
———41:。。
第部分推送式電阻加熱機(jī)組目的在于規(guī)定推送式電阻加熱機(jī)組的特殊技術(shù)要求
———42:。。
第部分強(qiáng)迫對流井式電阻爐目的在于規(guī)定強(qiáng)迫對流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求
———43:。。
第部分箱式電阻爐目的在于規(guī)定箱式電阻爐的特殊技術(shù)要求
———44:。。
第部分真空淬火爐目的在于規(guī)定真空淬火爐的特殊技術(shù)要求
———45:。。
第部分罩式電阻爐目的在于規(guī)定罩式電阻爐的特殊技術(shù)要求
———46:。。
第部分真空熱處理和釬焊爐目的在于規(guī)定真空熱處理和釬焊爐的特殊技術(shù)要求
———47:。。
第部分臺車式電阻爐目的在于規(guī)定臺車式電阻爐的特殊技術(shù)要求
———48:。。
第部分自然對流井式電阻爐目的在于規(guī)定自然對流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求
———49:。。
第部分單晶爐目的在于規(guī)定單晶爐的特殊技術(shù)要求
———410:。。
第部分電熱浴爐目的在于規(guī)定電熱浴爐的特殊技術(shù)要求
———411:。。
第部分箱式淬火爐目的在于規(guī)定箱式淬火爐的特殊技術(shù)要求
———412:。。
第部分實(shí)驗(yàn)用電阻爐目的在于規(guī)定實(shí)驗(yàn)用電阻爐的特殊技術(shù)要求
———413:。。
Ⅴ
GB/T10067417—2023
.
第部分工業(yè)寶石爐目的在于規(guī)定工業(yè)寶石爐的特殊技術(shù)要求
———414:。。
第部分鋁材退火爐目的在于規(guī)定鋁材退火爐的特殊技術(shù)要求
———415:。。
第部分多晶硅鑄錠爐目的在于規(guī)定多晶硅鑄錠爐的特殊技術(shù)要求
———416:。。
第部分碳化硅單晶生長裝置目的在于規(guī)定碳化硅單晶生長裝置的特殊技術(shù)要求
———417:。。
第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備目的在于規(guī)定電熱和電化學(xué)用等離子體設(shè)備的特殊技術(shù)要求
———5:。。
第部分工業(yè)微波加熱裝置目的在于規(guī)定工業(yè)微波加熱裝置的特殊技術(shù)要求
———6:。。
第部分具有電子槍的電熱裝置目的在于規(guī)定具有電子槍的電熱裝置的特殊技術(shù)要求
———7:。。
第部分電渣重熔爐目的在于規(guī)定電渣重熔爐的特殊技術(shù)要求
———8:。。
第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備目的在于規(guī)定高頻介質(zhì)加熱設(shè)備的特殊技術(shù)要求
———9:。。
第部分半熱系統(tǒng)目的在于規(guī)定半熱系統(tǒng)的特殊技術(shù)要求
———10:。。
第部分電磁處理裝置目的在于規(guī)定電磁處理裝置的特殊技術(shù)要求
———11:。。
第部分紅外電熱裝置目的在于規(guī)定紅外電熱裝置的特殊技術(shù)要求
———12:。。
本文件和各專用部分根據(jù)通用部分制定針對各類裝置的特點(diǎn)分別對通用部分的有關(guān)規(guī)定進(jìn)行完
,
善和補(bǔ)充
。
Ⅵ
GB/T10067417—2023
.
電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件
第417部分碳化硅單晶生長裝置
:
1范圍
本文件規(guī)定了碳化硅單晶生長裝置的產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和
、、、、、、
貯存以及訂購與供貨
。
本文件適用于在真空或保護(hù)氣氛下采用間接電阻加熱生長碳化硅單晶的電熱裝置采用高頻感
,。
應(yīng)加熱的生長碳化硅單晶的裝置參照使用
。
本文件適用于物理氣相輸運(yùn)法碳化硅單晶生長裝置其他方法的碳化硅單晶生長裝置參照使用
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
所有部分
溫馨提示
- 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個人學(xué)習(xí)、研究之用,未經(jīng)授權(quán),嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等,侵權(quán)必究。
- 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數(shù)字商品的特殊性,一經(jīng)售出,不提供退換貨服務(wù)。
- 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁,非文檔質(zhì)量問題。
最新文檔
- 廣州松田職業(yè)學(xué)院《建筑設(shè)計A4》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 秋天漫畫節(jié)氣課件
- 天津商業(yè)大學(xué)寶德學(xué)院《數(shù)字產(chǎn)品交互設(shè)計》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 江蘇省無錫市江陰初級中學(xué)2024-2025學(xué)年9校聯(lián)考初三物理試題含解析
- 福建福州市臺江區(qū)達(dá)標(biāo)名校2025年中考英語試題沖刺卷(一)含答案
- 科爾沁藝術(shù)職業(yè)學(xué)院《閱讀與寫作專業(yè)》2023-2024學(xué)年第一學(xué)期期末試卷
- 河南省鶴壁市浚縣二中2025年高考教育聯(lián)盟5月期初聯(lián)考物理試題試卷含解析
- 安徽省黃山市屯溪區(qū)第一中學(xué)2024-2025學(xué)年高三下期中考試(化學(xué)試題理)試題含解析
- 前列腺病人的術(shù)后護(hù)理
- 四川化工職業(yè)技術(shù)學(xué)院《織員工激勵》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 甘肅省專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會考核評估細(xì)則
- 2023工會春游活動方案(7篇)
- 二年級音樂上冊 《大頭娃娃》教學(xué)課件
- 第四章莖尖分生組織培養(yǎng)
- 政治表現(xiàn)及具體事例三條經(jīng)典優(yōu)秀范文三篇
- 阿司匹林論文參考文獻(xiàn)(精選98 個),參考文獻(xiàn)
- .net畢業(yè)論文參考文獻(xiàn)(精選98個),參考文獻(xiàn)
- (青海專版)2023中考化學(xué)命題研究中考真題分析及2023備考策略
- 政策性搬遷計劃書
- 2023年廈門市海滄區(qū)(中小學(xué)、幼兒園)教師招聘考試《教育綜合知識》模擬試題及答案解析
- GB/T 23445-2009聚合物水泥防水涂料
評論
0/150
提交評論