§10.3集成電路中的隔離雙極集成電路中的隔離MOS集成電路中的隔離2023/4/301IC集成技術(shù)中的工藝模塊

任何一種IC工藝集成技術(shù)都可以分解為三個(gè)基本組成部分：2023/4/302

在決定采用何種工藝時(shí)，必須要保證它們可以完成全部三個(gè)方面的任務(wù)。器件制作器件互連器件隔離IC集成中的器件形成與互連器件制作

主要是制造晶體管所用到的加工工藝，如氧化層的生長(zhǎng)，雜質(zhì)的擴(kuò)散，圖形的轉(zhuǎn)移(光刻和刻蝕)等。2023/4/303器件互連

是為了將半導(dǎo)體器件與外部有效地聯(lián)系起來(lái)制作的連接，包括實(shí)現(xiàn)器件連接的金屬連線以及在半導(dǎo)體和金屬連線之間制作的接觸（常用的接觸：歐姆接觸和肖特基接觸）。IC集成中的器件隔離器件隔離IC制作過(guò)程中，如果兩個(gè)晶體管或其他器件互相毗鄰，它們會(huì)因短路而不工作。故必須開(kāi)發(fā)出某種隔離工藝模塊，使每個(gè)器件的工作都獨(dú)立于其他器件狀態(tài)的能力。2023/4/304要把晶體管和其他器件合并起來(lái)形成電路必需要器件隔離技術(shù)和低電阻率的器件互連技術(shù)，它們是IC集成技術(shù)的兩個(gè)最基本功能。2023/4/305

衡量隔離工藝的指標(biāo)有密度、工藝復(fù)雜度、成品率、平坦化程度和寄生效應(yīng)。這些指標(biāo)間存在著折衷，沒(méi)有一種隔離工藝對(duì)所有電路都適合。IC集成中的器件隔離技術(shù)PN結(jié)隔離氧化物隔離局部氧化(LOCOS)隔離淺槽溝道隔離（STI）硅片絕緣體隔離（SOI)雙極IC中的器件隔離

雙極集成電路的基本制造工藝可大致分為兩類(lèi)：2023/4/306

PN結(jié)隔離的雙極晶體管2023/4/307

標(biāo)準(zhǔn)埋層集電極(SBC:StandardBuriedCollector)雙極晶體管、集電極擴(kuò)散隔離(CDI:CollectorDiffusedIsolation)雙極晶體管、三重?cái)U(kuò)散雙極晶體管(3D:TripleDiffusedTransistor)，其中最常用的是標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極晶體管工藝，而結(jié)隔離是其重要組成部分。

傳統(tǒng)的平面雙極集成電路工藝主要采用反偏的PN結(jié)隔離，主要有三種晶體管結(jié)構(gòu)：

雙極晶體管包括NPN管和PNP管，而集成雙極晶體管是以NPN管為主。SBC結(jié)構(gòu)vs.CDI結(jié)構(gòu)vs.3D結(jié)構(gòu)2023/4/30820世紀(jì)70年代中期前，pn結(jié)隔離SBC結(jié)構(gòu)一直是雙極數(shù)字電路和模擬電路的主流工藝。這是因?yàn)榕cCDI結(jié)構(gòu)和3D結(jié)構(gòu)相比，在工藝上有更多的調(diào)整自由度，因而可獲得滿(mǎn)足多種要求的良好器件性能。SBC結(jié)構(gòu)晶體管的擊穿電壓比CDI結(jié)構(gòu)的高,是因?yàn)槠浼妳^(qū)是n型外延層，比CDI結(jié)構(gòu)的集電區(qū)電阻率高；而SBC結(jié)構(gòu)晶體管的集電極串聯(lián)電阻比3D結(jié)構(gòu)的低，是因?yàn)槠浼姌O下并聯(lián)有高濃度的埋層，而3D結(jié)構(gòu)沒(méi)有。2023/4/309P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiTBL-uptepi-oxxmcxjc四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的雙極晶體管雙極IC中的元件結(jié)構(gòu)(SBC)

2023/4/30雙極集成電路典型工藝的集成/1

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較低的摻雜濃度，可減小集電區(qū)―襯底結(jié)的結(jié)電容

,并提高結(jié)的擊穿電壓。B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層輕摻雜P型硅襯底：一般襯底材料的電阻率選為10ΩCm左右，摻雜濃度一般在的數(shù)量級(jí)。當(dāng)前工藝選<100>方向，主要考慮(100)面上的缺陷少界面態(tài)密度低。2023/4/30襯底材料選擇的考慮11襯底材料的選擇：

襯底材料的類(lèi)型、電阻率和晶向。襯底材料電阻率的選擇：

一方面希望減小隔離結(jié)電容Cs1，這要求襯底的電阻率要高；另一方面，要求阻止外延層N-epi向襯底推進(jìn)，而摻雜濃度過(guò)低會(huì)在后續(xù)工藝中使埋層下推過(guò)多。2023/4/30雙極集成電路典型工藝的集成/2

外延層:在帶有埋層的硅片上外延生長(zhǎng)一層輕摻雜的N型硅，將其作為晶體管的集電區(qū)，整個(gè)晶體管便是制作在該外延層之上的。生長(zhǎng)外延層時(shí)要考慮的主要參數(shù)是外延層的電阻率和外延層的厚度。12埋層：第一次光刻；在P型襯底上注入As進(jìn)行N型擴(kuò)散，之后在晶圓表面淀積一層N型外延層，則把N型擴(kuò)散區(qū)域“埋”在外延層下，將其稱(chēng)為雙極晶體管的埋層。B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層集電極引線從表面引出，如沒(méi)有埋層，從集電極到發(fā)射極的電流必須從高阻的外延層流過(guò)，這相當(dāng)于在體內(nèi)引入了一個(gè)大的串聯(lián)電阻，導(dǎo)致飽和壓降增大。2023/4/3013SBC結(jié)構(gòu)中埋層的作用埋層作用：1)相當(dāng)于在外延層下并聯(lián)一個(gè)阻值小的電阻，大大降低了晶體管集電區(qū)串聯(lián)電阻；2)相當(dāng)于加寬了寄生管的基區(qū)寬度，可以減小寄生pnp晶體管的影響。B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層2023/4/30雙極集成電路典型工藝的集成/3

14B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層隔離區(qū)：在外延層上隔離隔離光刻、刻蝕p+隔離擴(kuò)散形成p+區(qū)(“隔離墻”)。

目的是利用反向pn結(jié)的大電阻特性實(shí)現(xiàn)集成電路中各元器件間電隔離的方法。N+N+N--epiPN--epiPP-Sub(GND)P-Sub(GND)P-Sub(GND)2023/4/30PN結(jié)隔離的實(shí)現(xiàn)―

P+隔離擴(kuò)散15B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層形成穿透外延層的P+隔離墻,將外延層分割成若干彼此獨(dú)立的N型隔離“島”。島之間隔著“隔離墻”,墻兩側(cè)形成兩個(gè)背靠背的pn結(jié)。電路中相互需要隔離的晶體管和電阻等元件分別做在不同的隔離島上，以實(shí)現(xiàn)各元件間的電隔離。2023/4/30PN結(jié)隔離16B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層N+N+N--epiPN--epiPP-Sub(GND)P-Sub(GND)P-Sub(GND)把P型隔離墻接電路中最低電位(接地)，N型隔離島接高電壓，使兩個(gè)結(jié)都反偏，從而使每個(gè)元器件間相互絕緣的隔離效果最佳，這種設(shè)計(jì)稱(chēng)為“結(jié)隔離”。PN結(jié)隔離vs.深槽隔離2023/4/3017PN結(jié)隔離：技術(shù)簡(jiǎn)單并實(shí)現(xiàn)了平面隔離，故成品率高；缺點(diǎn)是面積大(密度不高)，寄生電容大，不適合于高速、高集成度的IC；仍用于一些低成本、低密度的場(chǎng)合。先進(jìn)的雙極集成工藝采用深槽隔離(DTI)技術(shù)：在器件之間刻蝕出深度大于3um的溝槽，用氧化硅或多晶硅回填并用CMP平坦化。特點(diǎn)：大大減少了器件面積和結(jié)的寄生電容，顯著提高雙極IC的集成度和速度。但工藝復(fù)雜，成本較高。2023/4/30雙極集成電路典型工藝的集成/4

18B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層集電區(qū)深接觸(deepcollectorcontactor)：在隔離擴(kuò)散后常常還要增加集電極深接觸工藝(或plug/sinker)，即使集電極歐姆接觸為重?fù)诫s的n型接觸，且穿透外延層和埋層相連。作用：進(jìn)一步降低了晶體管集電極串聯(lián)電阻和數(shù)字電路的輸出低電平。2023/4/30SBC結(jié)構(gòu)集電極深接觸的實(shí)現(xiàn)19B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層

要形成深接觸的高濃度集電區(qū)，一般用磷進(jìn)行摻雜，這是因?yàn)榱椎臄U(kuò)散系數(shù)較大，高濃度的深摻雜使集電極歐姆接觸穿透外延層和埋層相連，所以又稱(chēng)這項(xiàng)工藝為“磷穿透”。2023/4/30雙極集成電路典型工藝的集成/5

20B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層基區(qū)：第三次光刻，注硼、退火形成基區(qū)。

基區(qū)的形成是雙極工藝中非常重要的一步，其寬度和雜質(zhì)分布直接影響著器件的電流增益、截止頻率等特性，因此注硼的能量和劑量需要加以特別控制，即要很好地控制基區(qū)擴(kuò)散的結(jié)深和方塊電阻。202由3/4猜/26SBC雙極IC基區(qū)的設(shè)錘計(jì)考慮21一般為噴了提高苦電流放檢大倍數(shù)只，基區(qū)寬度奪要小，且摻雜濃叫度要比三發(fā)射區(qū)暮的低，但基區(qū)的諷摻雜濃干度又不丘能太低：一是在晶較高的旁電壓下交，集電秘結(jié)空間忙電荷區(qū)擾和發(fā)射債結(jié)空間返電荷區(qū)葵相連會(huì)造成獨(dú)穿通現(xiàn)訴象；另外船還會(huì)加大基區(qū)與電阻及減確少晶體管盼的交流輸糞出阻抗；如果鉆基區(qū)的麗表面濃柏度低于5e10框cm，還會(huì)影響金屬記引線和基嗓區(qū)的歐姆我接觸，故基區(qū)尤摻雜濃度矛的確定要輔綜合考慮取上述因素況。202您3/4拿/2622為提高厲放大倍濫數(shù)和減就小基區(qū)思渡越時(shí)兔間（影塌響晶體江管特征歐頻率的識(shí)重要因期素），坑要求基區(qū)寬臘度愈小槽愈好，但小到蹦一定限度騰時(shí)，則要求提溜高基區(qū)射的濃度芒防止基吹區(qū)穿通。B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層2023奮/4/2蟲(chóng)6雙極集成初電路典型輕工藝的集使成/623發(fā)射區(qū)：第四次光暮刻，刻蝕出競(jìng)發(fā)射區(qū)，注砷并退火形窩成發(fā)射區(qū)曬。要考慮蜂兩個(gè)方面適：一是為得獻(xiàn)到較大的β和較小閃的發(fā)射紛極串聯(lián)端電阻，發(fā)射區(qū)濃噴度控制應(yīng)該選塔高。二訂是發(fā)射結(jié)斤結(jié)深的域控制直接影欲響晶體訴管的基墾區(qū)寬度騾，因此康要求發(fā)泳射結(jié)的淺結(jié)工藝以保證基莫區(qū)寬度的悲可控性和綢重復(fù)性一般pn結(jié)隔離的森模擬電路汁的基區(qū)寬飲度在0.5u慎m的數(shù)量級(jí)選，發(fā)射結(jié)費(fèi)結(jié)深要控吊制在2.5u魄m左右；數(shù)樹(shù)字電路的愛(ài)基區(qū)寬度縫在0.3匹um的數(shù)量冬級(jí)，發(fā)座射結(jié)結(jié)攀深控制倚在0.7施um左右。2023縮慧/4/2酬6雙極集成個(gè)電路典型勁工藝的集隙成/724B輕摻雜P-Sub光刻膠N–epiP+P+P+N–epiPPN+N+N+N+CECEBBN+埋層N+埋層SiO2鈍化層金屬接觸凝和互連：第五次處光刻，刻蝕出怕接觸孔，未用以實(shí)現(xiàn)哀電極的引畏出；第六次氣光刻，形成金喉屬互連。鈍化層艦開(kāi)孔：第七次庸光刻，刻蝕蝕出鈍化感窗口。工藝流程襯底準(zhǔn)備怪（P型）光刻n+埋層區(qū)氧化n+埋層區(qū)注悶入清潔夏表面P-Sub202喜3/4螺/2625工藝流桑程（續(xù)1）2023妖/4/2愧626生長(zhǎng)n-外延隔離菠氧化光刻p+隔離區(qū)p+隔離注入p+隔離推驗(yàn)進(jìn)P-SubN+N+N-N-工藝流程跳（續(xù)2）202說(shuō)3/4杰/2627光刻肆硼擴(kuò)散爽區(qū)硼擴(kuò)病散P-SubN+N+N-N-P+P+P+氧化工藝流陡程（續(xù)3）202遠(yuǎn)3/4缸/2628光刻磷準(zhǔn)擴(kuò)散區(qū)磷擴(kuò)塘散氧化P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP工藝流程輛（續(xù)4）202女3/4垮/2629光刻椒引線孔清潔表脆面P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP工藝流程懲（續(xù)5）2023扇/4/2勸630蒸鍍惡金屬反刻金滿(mǎn)屬P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP工藝流脈程（續(xù)6）202方3/4夜/2631鈍化光刻鈍狗化窗口P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP后工港序埋層區(qū)隔離墻硼擴(kuò)區(qū)磷擴(kuò)區(qū)引線孔金屬連墓線鈍化窗悅口光刻掩積膜版匯好總GNDViVoVDDTR2023萌/4/2狹6322023培/4/2剃633MOS腹IC中的器件侵隔離自隔離局部氧撒化(LOC稻OS)隔離淺槽溝道添隔離（STI）CMOSICMOS器件的自姓隔離/1MOSF欲ET的源、漏拘是由同種舊導(dǎo)電類(lèi)型估的半導(dǎo)體繼材料構(gòu)成際的，且和后襯底材料紫的導(dǎo)電類(lèi)丙型不同。故由句于MOS晶體管端之間不含共享電豈器件，疑所以器軋件本身鹽就是被pn結(jié)隔離扛，又稱(chēng)自隔離(Se棉lf-竿iso默lat抵ed)。202誕3/4華/2634因此只要督維持源－寬襯底和漏這－襯底pn結(jié)的反舅偏，MOSF湯ET就能維持必自隔離。p-siliconsubstrateoxideoxidegategaten+n+P-siliconsubstrateoxideoxidegategaten+n+MOS器件的帶自隔離/2而相鄰的蓋晶體管間紡只要不存乎在導(dǎo)電溝特道，則MOS晶體管梨之間便水不會(huì)產(chǎn)肆生顯著筋電流，未故：2023汽/4/2緒635MOS舅IC中的晶體難管之間不需要議做pn結(jié)隔離，因而可大倉(cāng)大提高集電成度。WelloxidegategatesourcedrainoxideoxidegategatesourcedrainsiliconsubstrateMOS降IC中器件碑隔離的閱作用/1但器件會(huì)鵲存在漏電棗流，特別搶是當(dāng)器件衫尺寸變小勒時(shí)，所以泊有必要進(jìn)支行隔離來(lái)阻止漏電檔流；2023凱/4/2穗636更重要的鼓是，當(dāng)金壩屬連線覆蠻蓋兩MOS管之間的乘場(chǎng)氧區(qū)(FO碧X)時(shí),會(huì)形成寄汪生的場(chǎng)效景應(yīng)晶體管。siliconsubstratesourcedraingatetopnitridefieldoxidemetaltodrainmetaltosourceFOXoxide只要導(dǎo)沈線上的失電壓足歌夠高,就會(huì)使座襯底上稻的硅形拔成反型熱層，使跨相鄰的手兩個(gè)器獄件短路間。MOS垂IC中器件勇隔離的僑作用/2MOS無(wú)IC中的隔離主要是留防止形陵成寄生堅(jiān)的導(dǎo)電御溝道，脖即防止寄生縣場(chǎng)效應(yīng)晶病體管開(kāi)啟:202鹽3/4糟/2637增加場(chǎng)區(qū)垮氧化層的慣厚度；增大場(chǎng)區(qū)氧化層棒下溝道綿的摻雜默濃度(溝道阻斷嬸注入)MOS跡IC中同時(shí)象使用兩嘗種方法嬸進(jìn)行器敢件隔離：場(chǎng)氧化層諷厚度為柵莫氧化層厚看度７－10倍,同時(shí)用離扒子注入方厚法提高場(chǎng)院氧化層下看硅表面區(qū)盾的雜質(zhì)濃抬度。提高寄生浙場(chǎng)效應(yīng)管?chē)@的閾值電櫻壓(>I極C的工作乖電壓)制備厚室氧化層養(yǎng)的最直繡接方法制作厚囑氧化層采最直接受的方法罪是在制耕作器件盤(pán)之前生紗長(zhǎng)一層老厚氧化脹層，然浙后在氧含化層中興刻蝕出重一個(gè)個(gè)益窗口，豎并在這踢些窗口閱中制作露器件。202貢3/4盈/2638材料表面權(quán)上會(huì)產(chǎn)生籍高的臺(tái)階；氧化過(guò)程投中可能會(huì)愚產(chǎn)生增強(qiáng)己擴(kuò)散；使后續(xù)的悅淀積工藝君臺(tái)階覆蓋政差，且影綁響光刻鏟的質(zhì)量(尤其是賞小尺寸瓣圖形時(shí))；用來(lái)提掙高寄生么閾值電鄙壓的保涌護(hù)環(huán)的煌注入通境常必須總在氧化貌前進(jìn)行省，則在長(zhǎng)氧化過(guò)槽程中產(chǎn)慈生的點(diǎn)循缺陷可少能會(huì)增污強(qiáng)氧化缺過(guò)程中短的擴(kuò)散眾，從而將大大降奇低IC的密度。硅的局部治氧化(隔離)技術(shù)LOCO志S:LOCa滿(mǎn)lOxid忌atio儀nof牙Sil叛icon202用3/4勒/2639LOC虜OS從根本上罩說(shuō)是PN結(jié)隔離技避術(shù)的副產(chǎn)淋物，同時(shí)勵(lì)解決了器勸件隔離和現(xiàn)寄生器件暑形成兩個(gè)塔問(wèn)題，是亞微靠米以前席的硅IC制造的孕標(biāo)準(zhǔn)工賭藝。是采用選擇活氧化方法券來(lái)制備厚蹈的場(chǎng)氧化夜層，且工東藝上形成帶厚的場(chǎng)氧底化層和高文濃度的雜么質(zhì)注入利貞用同一次刷光刻完成枝的一種器阿件隔離技疊術(shù)。標(biāo)準(zhǔn)LOC增OS工藝主組要步驟202嚴(yán)3/4玻/2640生長(zhǎng)一層蜘薄氧化層(pad網(wǎng)ox指ide墊氧)－作用？(LP閥CVD淡)淀積氮投化硅(nit揮ride河)－作用？PadOxideMas矛k1半,光刻/刻蝕形擾成nitr歐ide圖形;去膠；暴離子注翻入(場(chǎng)注:bor飾on)－作用？濕法氧化荒技術(shù)形成策局部氧化碰層(LO皂COS)去除氮化隙硅和二氧捷化硅襯墊評(píng)；202滔3/4槽/2641LOCO蔑S的主要作賓用減緩表肚面臺(tái)階；是采用選擇氧檔化方法來(lái)慢制備厚白的場(chǎng)氧杏化層，滾形成的敗厚氧化堡層是半排埋入方獲式(部分凹入)的，可減小在陪材料表面銹上形成的觀臺(tái)階高度；提高場(chǎng)億區(qū)閾值過(guò)電壓；減小表面載漏電流。202池3/4聞/2642LOCO怎S的掩膜局部氧勇化技術(shù)(1)4.2贊Loca瘡lox派idat獨(dú)ion漫ofs諸ilic刪on(蠅LOCO籮S)The修phot扣ores葉ist踏mask漠is卵remo議vedThe諒Si胸O2/Si鞋Nl愿aye亡rs集wil格ln表ow扎act海as些a植mas資ksThe蹈th午ick氣fi覆eld候ox重ide罪is個(gè)th決en念gro虹wn勵(lì)by:expo衡sing曲the皆sur懂face懷of正the袍wafe武rto淹af煩low默ofo葉xyge羞n-ri猾chg廚asThe沾ox范ide堤gr輩ows峰in蓮bo納th寧the旗ve唐rti季cal狼an濾dl獨(dú)ate宜ral縣di勢(shì)rec難tio詢(xún)nsThis魔res樂(lè)ults縣in競(jìng)aac唇tive軍are供asm杜alle堅(jiān)rth籮anp鉛atte砍rned2023屢/4/2煩643局部氧博化技術(shù)(2)Sil猛ico蟻no丟xid峽ati設(shè)on叮is鎮(zhèn)obt階ain琴ed泊by:Heat嗚ing高the柿wafe委rin萬(wàn)ao仿xidi鮮zing此atm滑osph抖ere:Wet便oxid示atio不n:w斯ater掘vap藏or,題T=剝900膽to1礦000oC(r產(chǎn)apid奔pro困cess梅)Dry庫(kù)ox粗ida羽tio塞n:喊Pur造eo股xyg懸en,追T禍=1殊200oC(瓦h(yuǎn)ig吩ht溝emp派era門(mén)tur獄er脅equ因ire詠dt弱oa映chi富eve適an閃ac靠cep償tab顯le仁gro冊(cè)wth曬ra里te)Oxi霸dat柴ion裹c(diǎn)o衡nsu甚mes忌si蜻lic筒onSiO2has頑ap緞pro憑xim棉ate雞ly規(guī)twi絕ce比the有vo遼lum燭eo押fs揚(yáng)ili消conThe乞FO戴Xi卻sr睜ece核des繡be洗low在th笑es紹ili機(jī)con熟su遣rfa膽ce堵by陷0.4筑6XFOX2023曬/4/2適644LOCO粱S存在的涂主要問(wèn)背題/1在氮化匆硅邊緣太形成“鳥(niǎo)嘴”(Bir險(xiǎn)d’s軋be玩ak)；202差3/4份/2645LOCO賄S工藝在覽硅表面法上形成老一個(gè)特淡有的凸提起，其槳后面是那逐漸變立薄的伸眼入到有哥源區(qū)內(nèi)屆的氧化政層，稱(chēng)支為“鳥(niǎo)嘴”，這種華凸起在突凹入結(jié)踩構(gòu)中特達(dá)別明顯誼。“鳥(niǎo)嘴”形成趁的原因及費(fèi)影響202便3/4隱/2646形成原罩因：–氧化劑鋪的橫向君擴(kuò)散；–氧化生首長(zhǎng)發(fā)生蚊在氮化浩硅下面籠；后果：－減小了泉器件的朱有效寬惡度，即減小了是器件的領(lǐng)驅(qū)動(dòng)電暫流；－降低集六成度，Was驢te愉sur警fac兼ea醬rea；－對(duì)后序勸工藝中筋的平坦聽(tīng)化不利。LOC番OS存在的會(huì)主要問(wèn)排題/2產(chǎn)生白帶礙效應(yīng)(Koo書(shū)i攜Si3N4)；202夜3/4據(jù)/2647氮化硅與傍高溫的濕膀氧氣氛反氏應(yīng)形成NH3，其擴(kuò)散羊到硅/氮化硅界資面并在那末里分解，尋形成一層暗熱生長(zhǎng)的轟氮氧化物言，在硅片奔表面看起佩來(lái)像是一繡條繞在有匪源區(qū)邊緣懲的白帶，乓從而導(dǎo)致辜白帶的形歲成。后果：導(dǎo)致有烏源區(qū)內(nèi)菠后續(xù)生天長(zhǎng)的熱痕氧化層(柵氧)的擊穿電蝕壓下降。LOCO而S主要問(wèn)捧題的解涼決措施/1采用其他辜材料替代殘熱氧化硅美做緩沖層(PBL臥)；2023楚/4/2豬648一種熱氧化硅勞與多晶硅資的三明治盡結(jié)構(gòu)可非常掃有效地度減小“鳥(niǎo)嘴”長(zhǎng)度(不到LOCO截S的一半)；但仍撥存在“白帶效懲應(yīng)”。Pol育yB鞏uff攜ere堪dL統(tǒng)OCO杠SPBL－Crab跌Eye暑s有利于脖集成度膚的提高申；減少Si3束N4對(duì)硅襯底塌的應(yīng)力；2023中/4/2搭649LOCO政S主要問(wèn)魂題的解瓣決措施/２2023掀/4/2佩650可以制憑作出幾板乎無(wú)“鳥(niǎo)嘴”的、十分令平坦的厚疊場(chǎng)氧化層氣。但仍存拔在橫向擴(kuò)同散，且增榆加了較大柿的工藝復(fù)腥雜性，故唯沒(méi)有得到練廣泛的應(yīng)勉用。該方法中燈緩沖氧化襪硅層和氮遭化硅層的是制備和普機(jī)通的LOCO信S工藝相植同；P-Epi側(cè)墻掩蔽揪隔離技術(shù)(SWA介MI)；但在形層成氮化祝硅/氧化硅久圖形后坡，還要繼法續(xù)將硅伏刻蝕到貓一定深比度(約為預(yù)游期生長(zhǎng)葛的場(chǎng)氧嫂厚度的瓦一半)。側(cè)墻掩哈蔽隔離副技術(shù)(SWA陣MI)202理3/4火/2651先用刻演蝕技術(shù)(常用各向淋異性的KOH濕法腐綠蝕)在<100劑>襯底上形似成60°左右的斜域坡，利用企其邊緣病作用降暮低場(chǎng)氧珍化過(guò)程灑中的應(yīng)瀉力；再淀積第爬二層緩沖穴氧化層和抹氮化硅并削進(jìn)行各向艱異性刻蝕巖，在襯底硅每的斜坡上舊留下一個(gè)述緩沖氧化傳層和氮化淡硅的側(cè)墻，把有念源區(qū)有牙效地封棗閉起來(lái)伸，再進(jìn)鵝行場(chǎng)氧扛。最后去掉預(yù)氮化硅和拜緩沖氧化志層。P-EpiP-EpiP-Epi場(chǎng)氧2023嫌/4/2引652新技術(shù)的殖出現(xiàn)20世紀(jì)80年代發(fā)螺現(xiàn)，無(wú)摩論是哪竿種LOC逝OS技術(shù)，都雕不適合于碧晶體管密詠度遠(yuǎn)超過(guò)咸的辛集成電路塊。

也就是說(shuō)，由于器件特征尺寸的縮小，限制隔離距離的最終因素不再是表面反型或簡(jiǎn)單的穿通現(xiàn)象，而是一種稱(chēng)為漏感應(yīng)勢(shì)壘降低的穿通效應(yīng)(即最小隔離距離的值是由一個(gè)

結(jié)邊緣到另一個(gè)結(jié)邊緣的距離)。是刻蝕掉扛部分襯揚(yáng)底形成樂(lè)溝槽(槽刻蝕)，再在其中票回填上介伯電質(zhì)(回填)作為相素鄰器件盛之間的走絕緣體景的一種煮器件隔監(jiān)離方法。又分為齊：淺槽隔爪離和深槽尿隔離。202學(xué)3/4冷/2653在這種經(jīng)結(jié)構(gòu)中憤，元器闊件之間記用刻蝕恢的淺溝筆槽隔開(kāi)京，再在吧淺溝槽仆中填入橋介電質(zhì)苦。在側(cè)療壁氧化嚷和填入浩介電質(zhì)蒼后，用CMP方法使晶蘆圓表面平疤坦化。LOCO鍵S主要問(wèn)誰(shuí)題的解唐決措施/３淺槽溝道齒隔離(STI望)技術(shù)2023活/4/2蔬654淺槽溝道隔離(ST鞠I)工藝*HDP秋CV危DO牽xid勵(lì)e*CMP禽Ox果ide次,S延top惰on采Ni鏈tri粗deOxideOxideNitrideNitride*Depo岸sit奪Nitr唐ide,妄Oxi奶de;EtchNit添rid永e,Oxid炮eandSil霸ico蘿n;St乖rip信Phot撇ores砌istPadOxidePadOxideTrench2023唇/4/2剩655STI仗vs.嘗LOCO莊SLOCO澡S–Si冶mple橋r,c酸heap窗er,浩and攔prod欺ucti飼onp恢rove皆n–us俗ed巾in誤IC包fab涌ric針ati弟on斤unt柏il籃fea像tur事e<尚0.理35晝mmSTI–N擔(dān)ob權(quán)ird悉’s體bea物k,搞Smo學(xué)oth蓄er殺sur早fac悄e,籍but架Mo魯re端pro錄ces跪ss睡tep焰s–Sta醒nda圓rd勵(lì)iso洲lat辯ion皆te橫chn尿olo塔gyusedin撤IC龜fab園ric對(duì)ati大on殊unt遙il圈fea況tur貌e<報(bào)0.2王5m嘩mSha院llo有wT愛(ài)ren耀ch集Iso溉lat句ion扒/1Iso惕lat聞ion鑒:Para倆siti祖c(u擺nwan皆ted)軟FET’se之xis聰tb氏etw望een命un它rel地ate叔dt朋ran何sis路tor呢s(抓Fie甚ld秋Oxi企de評(píng)FET’s)Sou禍rce叢an濾dd腳rai揭ns獨(dú)are絹ex熄ist敢ing盛so糾urc揀ea賢nd評(píng)dra終ins談of槽wa樣nte陪dd館evi奏cesGate縮慧sar貧eme瞎tal柔and塞poly先sili帝con現(xiàn)inte頂rcon沾nect羽sThe棚thre簽shol錦dvo仆ltag斜eof逢FOX凍FET’sa福re籃hig堤her倡th艦an增for駛no偷rma惠lF城ET’s2023集/4/2潤(rùn)656§10虹.4CMO騙SI俗C的工藝集姥成CMO用S工藝中的確基本模塊雙阱CMO仁SI及C工藝的主歡要流程和扇基本掩模2023霜/4/2風(fēng)657CMOS工藝中的基本模雜塊202吃3/4迅/2658阱注入延和場(chǎng)注鹽入技術(shù)硅柵工藝自對(duì)準(zhǔn)技避術(shù)輕摻雜是漏注入(LDD開(kāi))CMOS悄IC中的阱CMOS德IC中必須哭在同一銳晶圓上邁制作NMOS和PMOS器件，輔故必須忘在襯底菠上制作椅摻雜類(lèi)森型與硅坦襯底原炎摻雜類(lèi)變型相反剖的摻雜要區(qū)域(反型摻雜)。這些在聽(tīng)硅襯底屠上形成償?shù)摹奖纂s類(lèi)型推或摻雜濃度與硅襯茅底不同學(xué)的局部摻磚雜區(qū)域稱(chēng)為阱(wel閱l)，包括叢：n阱、p阱和雙阱(dua另l/tw絕in-w風(fēng)ell)。2023包/4/2晨659對(duì)亞微米脾技術(shù)而言釣，最普遍堡采用的是雙阱工藝，即N型和P型兩種意阱同在僻一個(gè)輕然摻雜的遙襯底中碑形成。在器訊件尺寸機(jī)非常小國(guó)的情況然下，NMOS和PMOS之間性銹能差別壯減小。雙阱工藝雖然增加磚了工藝的測(cè)復(fù)雜性，逝但能對(duì)每一糞種器件熱獨(dú)立地盛設(shè)定摻虎雜分布，從而使兩類(lèi)王器件性詢(xún)能都得念到優(yōu)化。2023繁/4/2概660雙阱中的倆每個(gè)阱都柳至少包括詞三到五個(gè)士步來(lái)完成吧制作，往往是楊在同一防次光刻性中完成。Twi葛nWell202打3/4年/2661Two撞ma蜻sk軌ste鍋ps;Flat皺sur圖face巨;Com濃mon紅us尚ed懲in穩(wěn)adv奇anc耀ed復(fù)CMO戶(hù)SI輝CHigh括ene止rgy,low妥curr驕ent瓣impl叼ante飛rsFurn低aces外ann攻eali繳nga薪ndd隸rivi滔ng-i僵n阱注入技蛾術(shù)阱注入決定了悄晶體管互的閾值滋工作電向壓，同時(shí)可以減此輕CMO最S電路的一渾些常見(jiàn)問(wèn)象題如閂鎖澡效應(yīng)等。2023獎(jiǎng)/4/2鈴662阱中器件蠢溝道的摻位雜濃度高帳于直接制冒作在襯底配上的體效應(yīng)隨那摻雜濃度惕的增加而跟增加(如：溝公道遷移管率和輸煉出電導(dǎo)俗下降、算結(jié)電容紐奉增加等)阱內(nèi)的器股件速度固墓有地比襯密底中的同妨樣器件速竟度慢；典型的撤阱摻雜局濃度比中襯底高緊幾個(gè)數(shù)冷量級(jí)，所以襯但底濃度的競(jìng)?cè)魏尾淮_絮定性將不神影響阱的鋸濃度。阱注入技尚術(shù)―倒摻雜技娃術(shù)202累3/4度/2663先采用械高能量虧、大劑清量的注挎入，深入此外延層守大概1um左右；隨住后再在相同切區(qū)域進(jìn)行公注入能量研、結(jié)深及餃摻雜劑量游都大幅度候減小的阱榆注入。目標(biāo)：優(yōu)化甚晶體管雙的電學(xué)傳參數(shù)。該技術(shù)險(xiǎn)由于采慶用高能鼻離子注重入將雜級(jí)質(zhì)直接盤(pán)注入到膛所需深儀度，從屑而避免了雜診質(zhì)的嚴(yán)重搬橫向擴(kuò)散。而且由達(dá)于表面奸處的雜栽質(zhì)濃度羅較低(常稱(chēng)為反向阱)，除了提高集成秋度外，還池有助于助減少CMO皆S結(jié)構(gòu)中鋤寄生雙辯極晶體朵管效應(yīng)訪，從而減少閂癢鎖效應(yīng)園的發(fā)生。場(chǎng)注入(溝道阻算止注入)技術(shù)為了制造嚴(yán)實(shí)用的MOS管，在N阱CMOS工藝中一寇直謹(jǐn)慎的呈減小閾值鑄電壓。LOC竭OS可使用暫厚的場(chǎng)殃氧來(lái)提篇高場(chǎng)區(qū)弊的閾值侵電壓，避免榴在場(chǎng)氧帆下形成初反型層(寄生溝道)；同時(shí)在場(chǎng)區(qū)下旋面選擇性躺注入一些敢雜質(zhì)來(lái)提禍高厚場(chǎng)區(qū)豬的閾值電屯壓。P區(qū)接受P型的場(chǎng)眾區(qū)注入，N區(qū)接受N型的場(chǎng)效區(qū)注入。場(chǎng)區(qū)克注入通譯常是在說(shuō)氧化之刮前進(jìn)行丑。2023夕/4/2播6642023勻/4/2額665場(chǎng)注入的作議用所有場(chǎng)氧男生長(zhǎng)的地餅方都需要悠進(jìn)行場(chǎng)注遵入：*場(chǎng)區(qū)注雀入時(shí)可敲以確保場(chǎng)矩氧在較睜大電壓歉偏置下水不會(huì)形爪成反型比層，即形偷成寄生尾溝道；*重?fù)诫s下五的反偏PN結(jié)的反娃向漏電都流很小流，確保兩腸個(gè)MOSF勞ET之間不伍會(huì)導(dǎo)通。柵氧和閾莫值電壓調(diào)嘗整未經(jīng)調(diào)整季的PMOS管的閾值盡電壓在-1.邊5V到-1.9匹V之間，NMO嚼S可能在-0.2階V到0.2虎V之間。所蓮以在柵氧(厚度在0.0輩1um訂~0.扣03u擠m)生長(zhǎng)后，一般在柵氧區(qū)朗注入硼來(lái)進(jìn)行居閾值電賺壓調(diào)整句。202勇3/4創(chuàng)/2666工藝上一般同時(shí)筋對(duì)NMO呀S和PMOS進(jìn)行閾擋值電壓界調(diào)整，將NMOS閾值電壓不調(diào)整到0.7~0.8V葡,PM乓OS調(diào)整到0.8V~0.9V。閾值電殃壓調(diào)整秩可以貪降低運(yùn)阱的摻蔽雜濃度。2023彈/4/2何667Ear家ly溫STI*Chan弱nel段Stop迷Imp伍lant啞atio繡n,B零oron*Oxi畫(huà)de阿Etc縱hB靜ack圣,S霉top伯on這Ni菜tri隊(duì)de*Str想ip棋Nit么rid蕩e,擦Oxi頁(yè)de佩Etc結(jié)hB粱ack掛,Oxi比de弦Ann呈eal叛ing202贈(zèng)3/4腰/2668Adv近anc未ed負(fù)STI裙/1No融nee服df祖or書(shū)cha皂nne柱ls狂top累io毅ni秋mpl煮ant還ati登on屑to貴rai尺se胖the隔fi碗eld攏th襪res秧hol宅dv盜olt竿age；*Pad源Ox去ida乓tio芳na麻nd膛LPC船VD既Nit偏rid濾e*STI挺Mask202鬼3/4簽/2669Adva查nced著STI剪/2*Etch款Nit涂ride諒,Ox屢ide,許and憂(yōu)Sil亮icon絕,St束rip窮Phot窗ores歸ist*HDP押CV蘿DO叨xid右e*CMP桌Ox猾ide輩,S繪top螞on碗Ni偏tri將de,孤Ni剩tri錦de并Str負(fù)ipTra獵nsi墓sto愛(ài)rM宣aki春ng:丈Me迷talGate惠/1For柔ms夠our駛ce/餓dra互in榮fir環(huán)st–Di疾ffus股ion術(shù)dopi歷ngw姨ith未sili狡con夜diox誘ide鋸maskAlig充nga圾tes陽(yáng)with澡sou沉rce/距drai擱n,t舒hen柳gate渠are橫awa肌set悔ched炊and目gat毅eox察ide歌isg獵rownThe謎thir浙dma燦skd疲efin金eth哪eco影ntac斯tho欄les;The兄fo姻urt偷hm似ask籌fo扁rm磁met膽al童gat耳es素and磚in旱ter汁con償nec備tio排ns;Last躲mas摘kde申fine鏟dth榨ebo沉ndin誓gpa氣d.2023母/4/2番670Tra源nsi騰sto椅rMaki盯ngM韻etal悄Gat開(kāi)e/22023撈/4/2腫6Fie末ld壘Oxi賠dat支ion西,a鈴nd界Pho亭tor晃esi鏡st漏Coa收tin刻gPhot喇olit客hogr魔aphy版and才Oxi張deE介tch71Sou委rce慶/dr搬ain夕Do撤pin另ga琴nd凳Gat揪eO購(gòu)xid導(dǎo)ati閘onCont始act,長(zhǎng)Met爸alli嘩zati宴on,冶and留Pass揚(yáng)ivat守ion硅柵工菜藝多晶硅路，原是旗絕緣體傳，通過(guò)重?fù)诫s配擴(kuò)散增加載流侍子將其變?cè)閷?dǎo)體電極和電育極引線；上世紀(jì)70年代：福出現(xiàn)硅柵工藝，也叫自對(duì)準(zhǔn)工三藝2023霞/4/2絞672摻雜后象的多晶鉛硅材料夾與n型襯底和p型襯底的跑功函數(shù)不版對(duì)稱(chēng)N拆MOS和PMO霸S難以獲得咐數(shù)值上相練等的閾值蒸電壓；理想的方凱法―雙摻雜多緣瑞晶硅柵工偵藝：在同一振芯片上芹分別使課用n+和p+多晶硅筍柵作電繪極，即NMOS用n+硅柵，PMOS用p+硅柵NM廣OS和PMO渣S在閾值電含壓、溝道穩(wěn)長(zhǎng)度禾溝雖道摻雜等登多方面對(duì)即稱(chēng)。自對(duì)準(zhǔn)技梢術(shù)202對(duì)3/4府/2673是一種在盼晶圓片款上用單塔個(gè)掩膜醫(yī)形成不藥同區(qū)域的的多層亭結(jié)構(gòu)的夏技術(shù)，是一種可規(guī)將兩次MAS桶K步驟合鞠為一次，讓多個(gè)癥不同區(qū)煌域一次奶成形的嫌工藝技敘術(shù)，被稱(chēng)為自對(duì)準(zhǔn)爭(zhēng)技術(shù)。有源區(qū)渣是制作MOS晶體管俯的區(qū)域譽(yù)，硅柵工藝揭是先做柵登極再做源百、漏區(qū)硅柵工藝換和鋁柵工災(zāi)藝的根本穴區(qū)別；先做好匙硅柵再部做源漏購(gòu)區(qū)摻雜哄，柵極翠下方受洽硅柵保沃護(hù)不會(huì)具被摻雜故：在硅柵膊兩側(cè)自殊然形成禿高摻雜縱的源、鑒漏區(qū)，實(shí)現(xiàn)了源普－柵－漏叢的自對(duì)準(zhǔn)。硅柵自直對(duì)準(zhǔn)工古藝2023六/4/2寺674–先利用光刻膠保護(hù)刻櫻出柵極框，再以多晶硅為掩膜懂，刻出S、D區(qū)域；此診時(shí)多晶硅灰還是絕緣袍體或非良析導(dǎo)體；–再經(jīng)過(guò)險(xiǎn)摻雜，唉雜質(zhì)不運(yùn)僅進(jìn)入灘硅中形胞成了S和D，還進(jìn)入庸多晶硅使裳它成為導(dǎo)贈(zèng)電的柵極拜和柵極引秋線；在硅柵割工藝中哄，S、D、G是一次掩的膜步驟形燒成的:Sel優(yōu)f-a螺lig撐ned櫻Ga嫂teInt皮rod蟻uct蠅ion誘of腰io緊ni熔mpl雜ant促ati酸on;75NMO扒Si唐nst懇ead臭of斑PM執(zhí)OSPol揮ysi這lic促on搶rep躍lac臉ed腸alu短min慨um唯for挎ga冷te:2023坦/4/2降6–Al題all忘oyc懂a(chǎn)n’t躬sus扣tain份the省hig勒hte征mper天atur圓epo灑st-i取mpla世ntat忠ion專(zhuān)anne晃al；硅柵自對(duì)破準(zhǔn)工藝的優(yōu)點(diǎn)自對(duì)準(zhǔn)雁的，它待無(wú)需重余疊設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了工撐藝；減小了電便容，提高了矛器件和血電路速促度。2023僅/4/2那676無(wú)需重割疊設(shè)計(jì)消除了多楚次掩模所炒引起的對(duì)格準(zhǔn)誤差，提高了坐套準(zhǔn)精消度即減小妻了晶體百管尺寸增加了奧集成度。增加了電哭路的可靠藍(lán)性；當(dāng)前IC工藝的栽一種常用的工宏藝方法。自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)及其懲作用作用：消除了用題多次掩模郊所引起的塞對(duì)準(zhǔn)誤差，使MOS管的溝鋪道尺寸班更精確，寄生電容查更小。在電飄路尺寸域縮小時(shí)吐，這種產(chǎn)方法用燙得越來(lái)鎖越多。是一種在辣晶圓片筑上用單叫個(gè)掩模濃形成不養(yǎng)同區(qū)域的的多層結(jié)劉構(gòu)的技術(shù)，是一種生可將兩次MASK步驟合為群一次，讓彼多個(gè)不同秧區(qū)域一次器成形的工展藝技術(shù)，餡被稱(chēng)為自對(duì)準(zhǔn)發(fā)技術(shù)。2023偷/4/2鴉677MOS工藝中的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)/1典型應(yīng)用揚(yáng)：在硅柵工宏藝中，利用多晶硅柵的掩柿蔽作用自正對(duì)準(zhǔn)地進(jìn)姐行源漏苦區(qū)的雜演質(zhì)注言入湯，并同述時(shí)完成軌多晶硅少柵的雜提質(zhì)注入。是將兩支次掩膜漏步驟合彈為一次，讓D，S和G三個(gè)區(qū)格域一次晝成形的一種自對(duì)屋準(zhǔn)技術(shù)。源漏的自千對(duì)準(zhǔn)注入202攏3/4鴉/2678自對(duì)準(zhǔn)源漏工藝2023略/4/2范679上圖中形成了圖凱形的多晶碗硅條用作涂離子注入爺工序中的慨掩模，擋住指雜質(zhì)離治子向柵盯極下結(jié)互構(gòu)(氧化層儉和半導(dǎo)貧體)的注入噴，同時(shí)斥使離子染對(duì)半導(dǎo)毀體的注獵入正好斯發(fā)生在蛙它的兩樣側(cè)，從陡而實(shí)現(xiàn)挑了自對(duì)掉準(zhǔn)。而且原五來(lái)呈半營(yíng)絕緣的墨多晶硅盲本身在屬大量注唯入后變常成低電赴阻率的繞導(dǎo)電體貴。可見(jiàn)多晶烏硅的應(yīng)用寧實(shí)現(xiàn)“一箭三葵雕”之功效究。自對(duì)準(zhǔn)源漏工藝很步驟在有源捏區(qū)上覆殊蓋一層悼薄氧化蠅層，其繭他區(qū)域健上覆蓋絲式厚氧(場(chǎng)氧)；淀積多晶揉硅，用多卵晶硅柵掩劈燕膜板刻蝕滴多晶硅；以多晶補(bǔ)硅柵圖算形為掩倆膜板，貧刻蝕去持掉有源單區(qū)上的院氧化膜濫；源、漏區(qū)宣離子注入202月3/4打/2680812023活/4/2子6MOS工藝中溫的自對(duì)牙準(zhǔn)結(jié)構(gòu)/2金屬硅化嘉物作為接宗觸材料特點(diǎn)：潔類(lèi)金屬梨，低電趨阻率（<0.走01多晶硅），高充溫穩(wěn)定斜性好，貨抗電遷腹移能力絡(luò)強(qiáng)，與孕硅工藝像兼容性嘆好常用接觸和擴(kuò)散阻擋淀積濺射LPC什VD/濱PEC壇VD退火形成合尤適金屬舌化合物形成穩(wěn)定闖接觸界面降低電阻洋率82在IC工藝中，絡(luò)形成良好圍的歐姆接偽觸以減少偉串聯(lián)電阻舊也是CMOS集成中川關(guān)鍵的贈(zèng)一環(huán)。園目前常用硅化著物(si筑lic盼ide同)形成良好幣的接觸，即硅與肚難熔金屬酷形成的化絲式合物，具漲有金自對(duì)準(zhǔn)怖硅化物(Sa圓lic紋ida槍tio蘇n)：MOS工藝中嘩的自對(duì)扒準(zhǔn)結(jié)構(gòu)/3屬性質(zhì)，大大降低浴了多晶暫硅柵極和折源漏區(qū)的爭(zhēng)方塊電阻值；氧化物側(cè)晴墻可以起單到使柵極械硅化物與扔源、漏區(qū)集硅化物斷喊開(kāi)的作用順。2023該/4/2描683在自對(duì)準(zhǔn)盈硅化物稀工藝(se濾lf-尖ali瓣gne嚇ds邊ili謙-ci吊dat彎ion保)中，MOSF脈ET的整個(gè)源供、漏區(qū)和冤多晶硅柵盡上全部都剛形成低電阻率亞的金屬硅雀化物薄膜。自對(duì)準(zhǔn)別硅化物(Sali猶cida采tion)且這些硅沖化物薄膜諸是用自對(duì)準(zhǔn)標(biāo)的方法形邁成的，無(wú)需賄額外的喜掩膜和航光刻。TiS牢i2套and扁Co沸Si2厚;Lowe皆rre劍sist倒ivit磨yth買(mǎi)anW熊Si2；TiS領(lǐng)i2莫whe內(nèi)ng姑ate煩si濃ze>險(xiǎn)0.2棉mm植;CoSi棒2wh軌eng典ate豬size鴉<0.2護(hù)mm;2023腥/4/2亮684Cob押alt給Se偽lf-視ali眼gne賺dS驅(qū)ili球cid杰eP藝roc逃essGateOxide(鈷)Met殿al嘆(Ti改or多Co垂)P漂VD;Ther跡mal斷anne標(biāo)alt煉ofo妙rms醋ilic承ide;Stri容punr梁eac淘ted斃m(xù)e爹tal;2023碗/4/2斧685去除未絹反應(yīng)的拔金屬后，多晶硅噸柵、源昏漏區(qū)等關(guān)露出硅薯層的區(qū)拜域完全喪被硅化錄物所覆悼蓋，而其他興沒(méi)有露出團(tuán)硅層的區(qū)咳域則不存貴在硅化物潔，從而實(shí)撕現(xiàn)了自減對(duì)準(zhǔn)的竿硅化物框生長(zhǎng)。自對(duì)準(zhǔn)鑰硅化物(Sali走cida央tion)工藝其后再進(jìn)行蜜第二次它高溫退啞火以進(jìn)一步降套低硅化物讓的薄層電耍阻，通常畜最后形摧成的硅積化物的邪方塊電勝阻在10~側(cè)1.5Ω/方塊。2023色/4/2肅686Self非-ali繭gned擾Twi納nWe礎(chǔ)ll：MOS工藝中的真自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)/3?Mor答ef驚lex用ibi哲lit逗yf麗or誓the骨de悔sig摩ner?Se徐lf-a挪lign幟edp驕roce趣sss資ave鼓ama永sks蝴tep?L轉(zhuǎn)PCV克DS停i3N址4i新sa床ve辣ry漁den欺se闖lay棒er?B鴨loc敢ki劍on亮imp魯lan低tat蕉ion愛(ài)on扯p-第wel酷l?P捎rev研ent祥ox眠ida捷tio零no斗np盜-we曲e?O痛xid她eg厲row物no鑼nn剪-we丈ll志blo事ck勞p-w編ell浴io戶(hù)ni惕mpl風(fēng)ant拖ati囑on?2023頁(yè)/4/2財(cái)6Self趁-ali春gned欠Twi瘦nWellAdv乓ant化age:r工edu縫ce遵ap企hot郵om叉ask盟st乒ep–Red腿uce解co智st–Im迫prov撿eIC風(fēng)chi喉pyi雄eld.Disa染dvan肉tage:wa澡fer伴surf攻ace喬isn索otf街lat–n呆-we踢ll淹alw佩ays冊(cè)ha縱sl期owe要rl辜eve搞lt納han辭p-將wel極l–A胃ffe慣ct戚pho塑tol興ith錢(qián)ogr行aph塞yr爬eso芝lut升ion–Af餃fect小thi己nfi味lmd支epos疤itio姓n2023播/4/2單687輕摻雜出漏注入掀技術(shù)LDD(Lig要htl坦yD句ope輩dD餓rai崖n/S占o(jì)ur峽ce)*Low療ener落gy,宮low徑curr磚ention蒼impl桃anta寧tion–ver諷yl淡ow默dop顧ant獎(jiǎng)co召nce跟ntr鵲ati晌on,an須dshal糕low雨junc骨tionjust芹ext賊ende島dun感dern子eath多the杰gat疤e;*Side梅wall臣spa性cers碗can殼be巷form嘗edby荒dep艱osi遵tin帖ga鞭nd熱etc救hin竄gb凱ack風(fēng)di牌ele組ctr勺ic熱lay揉ers;*High乳cur淋rent液,lo殊wen恩ergy拋ion后imp擔(dān)lant代atio涂nform勸sth冒eheav嘉ily駁dope氧dso伶urce曲/dra濕in;–S肉our蒼ce/棍dra醋in休are菌ke鎮(zhèn)pt憶apa嘩rt語(yǔ)fro漆mt斷he狠gat沈eb捐yt癢he損sid思ewa惹ll;202糟3/4礦/2688LDDForm商atio維n/12023道/4/2貸689CVD氧化隔猶離物CVD垂直淀積SiO2LDDFor向mat藥ion袋/22023頃/4/2共690n+注入當(dāng)刻蝕CVDSiO2到平坦區(qū)域時(shí)，保留的氧化隔離物。0.25umLDD梯n注入202虎3/4加/2691輕摻雜漏區(qū)的作繳用結(jié)構(gòu)：在溝道興的漏端棗及源端重增加低倍摻雜區(qū)。作用：降低溝道妨中漏附近喉的電場(chǎng)（在整個(gè)棒溝道區(qū)最碑大），減少源漏得間的溝道雜漏電流效祖應(yīng)，提高FET的可靠性譜。LDD使用的較嬸大質(zhì)量的刻摻雜材料詠使硅片的頃上表面成禽為非晶態(tài)盼，可降低溝道慚端口處的考摻雜濃度嚴(yán)及摻雜濃素度的分布常梯度，有助于下維持淺結(jié)野。LDD的作用*Red極uce閉th謹(jǐn)ev踏ert型ica急le顯lec刪tri栽cf酬iel記do孔ft犯he炕sou臉rce艷/d悉rai顧nb盡ias；*Redu咱cet纏hea允vail新able期ele洗ctro鄙nsf府ort掛unne垃ling光;*Supp胳ress競(jìng)the析hot視ele情ctro總nef太fect；202近3/4持/26929、靜夜龍四無(wú)鄰狹，荒居捷舊業(yè)貧蒸。。4月-2沃34月-2膨3Wedn佳esda討y,A咸pril忙26,繭202記310、雨中黃擇葉樹(shù)，燈順下白頭人樂(lè)。。00:園43:典2000:4墓3:2000:存434/2董6/2電023陵12桑:43直:20鎮(zhèn)A