IntroductionofICAssemblyProcess

IC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設(shè)計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝ICPackage（IC的封裝形式）Package--封裝體：指芯片（Die）和不同類型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封裝體。ICPackage種類很多，可以按以下標準分類：按封裝材料劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝按照和PCB板連接方式分為：PTH封裝和SMT封裝按照封裝外型可分為：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；ICPackage（IC的封裝形式）

按封裝材料劃分為：

金屬封裝陶瓷封裝塑料封裝金屬封裝主要用于軍工或航天技術(shù)，無商業(yè)化產(chǎn)品；陶瓷封裝優(yōu)于金屬封裝，也用于軍事產(chǎn)品，占少量商業(yè)化市場；塑料封裝用于消費電子，因為其成本低，工藝簡單，可靠性高而占有絕大部分的市場份額；ICPackage（IC的封裝形式）按與PCB板的連接方式劃分為：

PTHSMTPTH-PinThroughHole,通孔式；SMT-SurfaceMountTechnology，表面貼裝式。目前市面上大部分IC均采為SMT式的SMTICPackage（IC的封裝形式）按封裝外型可分為：SOT、QFN

、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；決定封裝形式的兩個關(guān)鍵因素:封裝效率。芯片面積/封裝面積，盡量接近1:1；引腳數(shù)。引腳數(shù)越多，越高級，但是工藝難度也相應(yīng)增加；其中，CSP由于采用了FlipChip技術(shù)和裸片封裝，達到了

芯片面積/封裝面積=1:1，為目前最高級的技術(shù)；封裝形式和工藝逐步高級和復(fù)雜ICPackage（IC的封裝形式）

QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方無引腳扁平封裝SOIC—SmallOutlineIC小外形IC封裝TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封裝QFP—QuadFlatPackage四方引腳扁平式封裝BGA—BallGridArrayPackage球柵陣列式封裝CSP—ChipScalePackage芯片尺寸級封裝ICPackage

Structure（IC結(jié)構(gòu)圖）TOPVIEWSIDEVIEWLeadFrame

引線框架GoldWire

金線DiePad

芯片焊盤Epoxy

銀漿MoldCompound環(huán)氧樹脂RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【W(wǎng)afer】晶圓……RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【LeadFrame】引線框架提供電路連接和Die的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、

NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp兩種；易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小于40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都會采用LeadFrame，

BGA采用的是Substrate；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【GoldWire】焊接金線實現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物

理連接；金線采用的是99.99%的高純度金；同時，出于成本考慮，目前有采用銅

線和鋁線工藝的。優(yōu)點是成本降低，

同時工藝難度加大，良率降低；線徑?jīng)Q定可傳導(dǎo)的電流；0.8mil，

1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【MoldCompound】塑封料/環(huán)氧樹脂主要成分為：環(huán)氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫

模劑，染色劑，阻燃劑等）；主要功能為：在熔融狀態(tài)下將Die和LeadFrame包裹起來，

提供物理和電氣保護，防止外界干擾；存放條件：零下5°保存，常溫下需回溫24小時；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末（Ag）；有三個作用：將Die固定在DiePad上；

散熱作用，導(dǎo)電作用；-50°以下存放，使用之前回溫24小時；【Epoxy】銀漿TypicalAssemblyProcessFlowFOL/前段EOL/中段Plating/電鍍EOL/后段FinalTest/測試FOL–FrontofLine前段工藝BackGrinding磨片WaferWaferMount晶圓安裝WaferSaw晶圓切割WaferWash晶圓清洗DieAttach芯片粘接EpoxyCure銀漿固化WireBond引線焊接2ndOptical第二道光檢3rdOptical第三道光檢EOLFOL–BackGrinding背面減薄Taping粘膠帶BackGrinding磨片De-Taping去膠帶將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到

封裝需要的厚度（8mils~10mils）；磨片時，需要在正面（ActiveArea）貼膠帶保護電路區(qū)域

同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；FOL–WaferSaw晶圓切割WaferMount晶圓安裝WaferSaw晶圓切割WaferWash清洗將晶圓粘貼在藍膜（Mylar）上，使得即使被切割開后，不會散落；通過SawBlade將整片Wafer切割成一個個獨立的Dice，方便后面的

DieAttach等工序；WaferWash主要清洗Saw時候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔Wafer；FOL–WaferSaw晶圓切割WaferSawMachineSawBlade(切割刀片)：LifeTime：900~1500M；

SpindlierSpeed：30~50Krpm：FeedSpeed：30~50/s;FOL–2ndOpticalInspection二光檢查主要是針對WaferSaw之后在顯微鏡下進行Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品。ChippingDie

崩邊FOL寧–D世ie湊Att嘴ach芯片粘接Wri筑te百Epo觸xy點銀漿Die臭Atta北ch芯片粘接Epo樸xy同Cur辯e銀漿固展化Epox遣yS革tora抱ge：

零下50度存放；Epox春yA逼ging：

使如用之前糾回溫，帽除去氣使泡；Epox默yW靜riti性ng：

點銀忍漿于L/F的Pad上，Patt儀ern可選；FOL–距Die營Att跨ach芯片粘元接芯片拾取號過程：1、Ejec覺tor療Pin從waf估er下方的Myla章r頂起芯片付，使之便堆于聲脫離藍膜重；2、Col暑lec限t/P最ick川up握he支ad從上方吸稿起芯片，雙完成從Wafe營r到L/F的運輸過立程；3、Col責lec替t以一定的翻力將芯片Bon暴d在點有柴銀漿的L/F的Pad上，具體蔬位置可控犬；4、Bond問Hea鼻dRe挽solu輛tion：X-0愚.2u貿(mào)m；Y-0.繭5um；Z-1.口25um；5、Bond頁Hea綁dSp原eed：1.3頃m/s；FOL柏–D含ie獅Att沾ach芯片粘繳接Epo初xy界Wri辛te：Cove柱rage燭>75物%;Die荷Atta防ch：Plac眉emen脅t<0.賢05mm葵;FOL外–E走pox慕y(tǒng)C慌ure銀漿固化銀漿固化建：175倡°C，1個小時；N2環(huán)境，雖防止氧滾化：Die抓At懇tac舅h質(zhì)量檢查輩：Die仙Shea姓r（芯片著剪切力蟻）Comp深any撲LogoFOL歌–W控ire睡Bo鏈ndi糟ng引線焊接利用高純遠度的金線循（Au）、銅摔線（Cu）或鋁源線（Al）把Pad和Lea畢d通過焊接槳的方法連嫩接起來。Pad是芯片踩上電路袍的外接汗點返，Lead是Lead溜Fra顯me上的連套接點。W/B是封裝拘工藝中煙最為關(guān)英鍵的一駛部工藝碗。FOL–找Wir垂eBo紫ndin鉛g引線焊接Key若Word妙s：Capi捆llar抵y：陶瓷京劈刀。W/B工藝中最其核心的一巴個Bon員din婦gT曾ool，內(nèi)部粒為空心吹，中間率穿上金鳥線，并列分別在谷芯片的Pad和Lea囑dF叉ram犬e的Lea鉤d上形成卷第一和乞第二焊編點；EFO：打火石桿。用負于在形臭成第一傅焊點時油的燒球億。打火卵桿打火婦形成高拳溫，將氏外露于Cap筐ill惕ary前端的柿金線高廈溫熔化眨成球形居，以便育在Pad上形成渠第一焊并點（Bond狠Bal趙l）；Bond維Bal廟l：第一脂焊點。進指金線臘在Cap的作用下任，在Pad上形成昆的焊接閣點，一灰般為一單個球形堵；Wed雜ge：第二焊辱點。指金纖線在Cap的作用下序，在Lead柏Fra敵me上形成訓(xùn)的焊接頑點，一扛般為月育牙形（部或者魚祖尾形）陰；W/B四要素朵：壓力館（For顛ce）、超偵聲（USG潤Po申wer）、時營間（Tim牌e）、溫噸度（Temp劫erat鎖ure）；FOL–車Wir稍eBo厚ndin似g引線焊些接陶瓷的Capi世llar虛y內(nèi)穿金組線，并止且在EFO的作用下形，高溫燒響球；金線在Cap施加的一蟻定壓力和折超聲的作漸用下，形病成Bon化dB芝all；金線在Cap施加的一盜定壓力作斤用下，形撐成Wed擦ge；FOL尤–W格ire借Bo膊ndi傍ng引線焊接EFO打火桿撇在磁嘴午前燒球Cap下降到溫芯片的Pad上，加Forc耳e和Pow舌er形成第漂一焊點Cap牽引金線述上升Cap運動軌截跡形成穩(wěn)良好的Wir危eL燃oopCap下降到Lead復(fù)Fra凱me形成焊接Cap側(cè)向劃開征，將金線柴切斷，形樸成魚尾Cap上提，完茶成一次動鍋作FOL–襖Wir刑eBo舌ndin洪g引線焊接Wire唯Bon怨d的質(zhì)量控僑制：Wir呼eP顆ull、Stit諷ch駐Pull（金線憤頸部和月尾部拉釀力）Ball界She并ar（金球推丘力）Wire趴Loo鄉(xiāng)豐p（金線弧兼高）Bal喘lT嫁hic盾kne移ss（金球?qū)俸穸龋〤ra背ter賭Te纏st（彈坑百測試）Int層erm芬eta降lli柏c（金屬廳間化合神物測試算）SizeThic益knes蓋sFOL轟–3缸rd治Opt坑ica遺lI黑nsp拖ect素ion三光檢查檢查Die泄At心tac市h和Wire絡(luò)Bon紙d之后有服無各種疲廢品EOL–忽End則of執(zhí)Line后段工市藝Mol債din棒g注塑EOLLase挎rMa侍rk激光打字PMC高溫固化De-f稠lash勢/Plat筐ing去溢料/電鍍Trim撞/For鏡m切筋/成型4th輪Op歐tic柜al第四道字光檢Ann弱eal螞ing電鍍退火Note：Jus歇tF災(zāi)or沖TSS州OP/摸SOI堵C/Q磁FP鹿pac槳kag態(tài)eEOL于–M疲old與ing（注塑臺）為了防止凳外部環(huán)境因的沖擊，將利用EMC把Wire弄Bon舅ding完成后的斬產(chǎn)品封裝電起鍛來的覆過程，并喪需要加熱挑硬化。Befo蘭reM崖oldi窗ngAfte繭rMo合ldin肯gEOL–啟Mol腎ding（注塑榮）Mol順din側(cè)gT憑ool（模具）EMC（塑封料市）為黑色暢塊狀，低言溫存儲，詢使用前需邀先回溫。蛇其特諸性為籍：在高溫鞏下先處于公熔融狀態(tài)泄，然后會炮逐漸硬化揀，最終成世型。Mol梅din魔g參數(shù)：Mol醬din住gT吉emp：175~襯185°版C；Cla成mp抓Pre脈ssu寒re：3000形~400閥0N；Tran銀sfer私Pre國ssur吳e：1000茄~150掀0Psi；Tra全nsf芝er晃Tim勤e：5~1彩5s；Cur暑eT礎(chǔ)ime：60~1碑20s；Cavi索tyL/FL/FEOL–多Mol濁ding（注塑）Mold抗ing瓶Cycl唱e-L/罷F置于模御具中，冊每個Die位于Cav打ity中，模枯具合模泛。-塊狀EMC放入模胖具孔中-高溫下乒，EMC開始熔化看，順著軌眨道流向Cav錢ity中-從底部巧開始，矮逐漸覆酒蓋芯片-完全覆搶蓋包裹束完畢，崇成型固串化EOL娃–L程ase獸rM務(wù)ark（激光不打字）在產(chǎn)品（Pack薦age）的正面自或者背面倡激光刻字粱。內(nèi)容有富：產(chǎn)品名光稱，生產(chǎn)蔬日期，生裙產(chǎn)批次等揮；Bef繡oreAft陸erEOL–驕Pos沾tMo色ldC攻ure（模后固城化）用于Mol狠din忠g后塑封料絮的固化，補保護IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)楚，消除內(nèi)刑部應(yīng)力。Cur辣eT產(chǎn)emp：175蠶+/-熄5°C；Cur親eT弓ime：8Hr懲sESPE榜COv虜en4hrsEOL–跑De-而flas壺h（去溢驢料）Befo指reAfte柄r目的：De-f秒lash的目的在村于去除Mold燃ing后在管產(chǎn)體周圍Lead之間煙多余應(yīng)的溢料；稈方法：炕弱酸浸泡愛，高壓水軌沖洗；EOL看–P聰lat肉ing（電鍍事）Befo越reP虛lati王ngAfte釀rPl木atin碰g利用金孝屬和化穿學(xué)的方霜法，在Lead訓(xùn)fram機e的表面別鍍上一忠層鍍層，認以防止外灣界環(huán)境的擾影響（潮校濕哄和稀熱）。并飾且使元器田件在PCB板上容踏易焊接潛及茂提高怪導(dǎo)電性炭。電鍍一般蹦有兩種類明型：Pb-蓄Fre羨e：無鉛電遺鍍，采用書的是>99即.95燙%的高純完度的錫顧（Tin），為塘目前普目遍采用逝的技術(shù)陽，符合Roh并s的要求；Tin米-Le鬼ad：鉛錫弦合金。Tin占85%，Lead占15%，由于不耐符合Rohs，目前基政本被淘汰紀；EOL本–P奇ost己An說nea跳lin泊gB購ake（電鍍退沉火）目的：升讓無凳鉛電鍍擇后的產(chǎn)到品在高響溫下烘椅烤一段虎時間，凱目的在苗于怒消譽除電鍍微層潛在希的晶須疊生長（Whis鹽ker置Grow招th）的問題;條件：150+霉/-5C乳;2H羨rs；晶須晶須，又塌叫Whi聰ske刊r，是指錫免在長時間墓的潮濕環(huán)暑境和溫度宅變化環(huán)境渾下生長出淋的一種須蒸狀晶體，仍可能導(dǎo)致慣產(chǎn)品引腳粱的短路。EOL讀–T碼rim津&Fo談rm（切筋貸成型）Tri靠m：將一條摟片的Lead龜Fra控me切割成單悶獨的Unit（IC）的過程交；For沾m：對Tri蛋m后的IC產(chǎn)品進行雹引腳成型凳，達到工殃藝需要求察的形狀，抵并放貨置進Tub奔e或者Tray盤中；EOL–蜂Tri絮m&Fo壘rm（切筋雜成型）Cut剛tin假gT兩ool黑&For嫩min恭gP挺unc渣hCut溝tin紛gD餓ieStri旅pper斤PadForm薄ing遇Die1234EOL–廚Fin丑alV噴isua督lIn銹spec覽tion（第四屆道光檢架）Fin誰al總Vis魚ual悉In令spe熱cti焰on-低FVI在低倍放錯大鏡下，稠對產(chǎn)品外廊觀進行檢忘查。主要鏟針對EOL工藝可能嬌產(chǎn)生的廢蘿品：例如Mold險ing缺陷，電很鍍?nèi)毕莺蚑rim抬/For碰m缺陷等炭；400-680-9696謝謝！439、靜夜晚四無鄰述，荒居獄舊業(yè)貧盈。。4月-2吳34月-2壇3Wed剃nes輩day桑,A冷pri稅l2裹6,狹202挪310、雨中她黃葉樹憲，燈下展白頭人遵。。00:4腔2:3100:4錘2:3100:只424/2萄6/2毛023肢12蹲:42般:31速AM11、以我妄獨沈久畢，愧君越相見頻廁。。4月-燥2300:4艷2:3100:4娘2Apr-貝2326-填A(yù)pr細-2312、故人江功海別，幾樣度隔山川鞠。。00:4繡2:3100:祥42:燃3100:綱42Wedn哥esda襯y,A疤pril碗26,院202旗313、乍見翻棟疑夢，相談悲各問年揭。。4月-熄234月-2年300:4念2:3100:便42:瞧31Apr袖il巧26,億20超2314、他鄉(xiāng)橫生白發(fā)好，舊國潤見青山活。。26趴四月?lián)?02儉312:鏈42:捐31躬上午00:4丑2:314月-2桂315、比不或了得就發(fā)不比，姻得不到屈的就不裹要。。。四月魔2312:初42早上午4月-伴2300:4亭2Apri瞇l26全,20希2316、行動凝出成果縫，工作隱出財富閉。。2023按/4/2努60:罪42:3誼100:餐42:莊3126欲Apr估il盆202哈317、做前，普能夠環(huán)視籌四周；做乓時，你只殲?zāi)芑蛘咦罱澈醚刂詮澞_為起點僚的射線向償前。。12:初42:捉31瓣上午12:搜42寄上午00:厲42:窯314月-嚼239、沒有以失敗，晌只有暫券時停止卵成功！征。4月-暴234月-2煎3Wed旗nes鞏day德,A岸pri課l2襲6,篇202食310、很多事江情努力了銜未必有結(jié)似果，但是訂不努力卻壯什么改變賣也沒有。主。00:鞋42:藏3100:躁42:桶3100:策424/26季/202扁312虧:42:濤31A溜M11、成功壓就是日袋復(fù)一日箭那一點夠點小小波努力的傘積累。脂。4月-漏2300:撫42:削3100:4喜2Apr-葉2326-A勉pr-2姿312、世間共成事，狗不求其濫絕對圓抱滿，留盲一份不錯足，可稅得無限妄完美。逃。00:餐42:熄3100:石42:籍3100:4說2Wed款nes艙day爺,A航pri吐l2摘6,裹202扔313、不知香捷積寺，數(shù)常里入云峰攤。。4月-2肚34月-戚2300:4敬2:3100:4斬2:31Apri貫l26幼,20失2314、意志士堅強的灑人能把眾世界放啄在手中爸像泥塊停一樣任倆意揉捏傅。26四跪月20嶄2312:4旦2:31疏上午00:4蒙2:314月-張2315、楚塞三贊湘接，荊表門九派通絞。。。四月2錯312:4鑄2上午4月-2薄300:4估2Apri劈燕l(xiāng)26喝,20凱2316、少年十適五二十時婆，步行奪蛙得胡馬騎略。。2023棚/4/2濕60:棉42:3陣100:4華2:3126A允pril治202思317、空山新錢雨后，天瞇氣晚來秋幟。。12:叉42:影32刻上午12