11一、選擇題Moore在1965年預言:每個芯片上晶體管的數目將每個月翻一番?！睟〕MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的效應產生的?！睠〕體在CMOS模擬集成電路設計中，我們一般讓MOS管工作在區。〔D〕4.MOS管一旦出現現象，此時的MOS管將進入飽和區。〔A〕5.表征了MOS器件的靈敏度。〔C〕A.B.C.D.Cascode放大器中兩個相同的NMOS管具有不相同的。〔B〕A.B.C.D.根本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是?！睠〕以下電路不能能使用半邊電路法計算差模增益?！睠〕二極管負載差分放大器9.鏡像電流源一般要求相同的。〔D〕10.NMOS管的導電溝道中依靠導電。〔〕電子11.以下結構中密勒效應最大的是?！睞〕在NMOS中，假設會使閾值電?！睞〕13.模擬集成電路設計中可使用大信號分析方法的是。〔C〕14.模擬集成電路設計中可使用小信號分析方法的是?！睞〕15.以下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸入電阻為。〔〕第15題B.C.D.16.不能直接工作的共源極放大器是共源極放大器。〔C〕17.模擬集成電路設計中的最后一步是?！睟〕18.在當今的集成電路制造工藝中，工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優勢?！睟〕19.PMOS管的導電溝道中依靠導電?！睟〕電子20.電阻負載共源級放大器中，以下措施不能提高放大器小信號增益的是?！睤〕21.以下不是根本差分對電路中尾電流的作用的是?！睤〕22.共源共柵放大器結構的一個重要特性就是輸出阻抗?！睤〕23.MOS管的漏源電流受柵源過驅動電壓控制，我們定義來表示電壓轉換電流的能力?！睞〕24.MOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是?！睠〕25.隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會〔D〕26.工作在飽和區的MOS管，可以被看作是一個。〔B〕27.模擬集成電路設計中的第一步是?！睠〕28.NMOS管中，如果VB變得更負，那么耗盡層?！睠〕29.模擬集成電路設計中的最后一步是。〔B〕30.不能直接工作的共源極放大器是〔C〕共源極放大器。31.采用二極管連接的CMOS，因漏極和柵極電勢相同，這時晶體管總是工作在。〔〕32.對于MOS管，當W/L保持不變時，MOS管的跨導隨過驅動電壓的變化是。

〔〕D.開口向下的拋物線

33.對于MOS器件,器件如果進入三極管區(線性區),跨導將?！病常?增加B.減少34.采用PMOS二極管連接方式做負載的NMOS共源放大器，下面說法正確的選項是。〔

〕A.

PMOS和NMOS都存在體效應，電壓放大系數與NMOS和PMOS的寬長比有關

。B．

PMOS和NMOS都存在體效應，電壓放大系數與NMOS和PMOS的寬長比無關。C.

PMOS和NMOS

不存在體效應，電壓放大系數與NMOS和PMOS的寬長比無關

。D．

PMOS和NMOS不存在體效應，電壓放大系數與NMOS和PMOS的寬長比有關

。35.在W/L保持不變的情況下，跨導隨過驅動電壓和漏電流變化的關系是

〔

〕A.跨導隨過驅動電壓增大而增大，跨導隨漏電流增大而增大。

B.

跨導隨過驅動電壓增大而增大，跨導隨漏電流增大而減小。

C.

跨導隨過驅動電壓增大而減小，跨導隨漏電流增大而增大。

D.

跨導隨過驅動電壓增大而減小，跨導隨漏電流增大而減小。36.和共源極放大器相比擬,共源共柵放大器的密勒效應要。〔〕A.小得多B.相當C.大得多D.不確定37.MOSFETs的閾值電壓具有溫度特性?！病矨

.

零

B.

負

C.

正

D.

可正可負。38.在差分電路中,

可采用恒流源替換〞長尾〞電阻.

這時要求替換〞長尾〞的恒流源的輸出電阻。〔〕A．越高越好B.越低越好

C.

沒有要求D.

可高可低39.MOS器件中，保持VDS不變，隨著VGS的增加，MOS器件。

〔〕A.

從飽和區——>線性區——>截止區B.

從飽和區——>截止區——>線性區C.

從截止區——>飽和區——>線性區

D.從截止區——>線性區——>飽和區40.對于共源共柵放大電路,如果考慮器件的襯底偏置效應,那么電壓增益會〔〕A.增大B.不變C.減小D.可能增大也可能減小41.在當今的集成電路制造工藝中，工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優勢。

〔〕A.MOS

B.CMOS

C.Bipolar

D.BiCMOS

42.保證溝道寬度不變的情況下，采用電流源負載的共源級為了提高電壓增益，可以。〔

〕A.

減小放大管的溝道長度，減小負載管的溝道長度；

B.減小放大管的溝道長度，增加負載管的溝道長度；

C.增加放大管的溝道長度，減小負載管的溝道長度；D.增加放大管的溝道長度，增加負載管的溝道長度。43.隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會?！病?/p>

44.NMOS管中，如果VB電壓變得更負，那么耗盡層?！病矨.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變45.在CMOS差分輸入級中,下面的做法哪個對減小輸入失調電壓有利〔〕A.減小有源負載管的寬長比B.提高靜態工作電流.C.減小差分對管的溝道長度和寬度D.提高器件的開啟(閾值)電壓11二、簡答題CMOS模擬集成電路中，PMOS管的襯底應該如何連接？為什么？〔5分〕解：在CMOS工藝中，由于PMOS管做在N型的“局部襯底〞也就是N阱里面，因此PMOS管的局部襯底接局部高電位。2.什么是N阱？〔5分〕解：CMOS工藝中，PMOS管與NMOS管必須做在同一襯底上，假設襯底為P型，那么PMOS管要做在一個N型的“局部襯底〞上，這塊與襯底摻雜類型相反的N型“局部襯底〞叫做N阱。3.解釋什么叫溝道長度調制效應？〔5分〕解：MOS晶體管存在速度飽和效應。器件工作時，當漏源電壓增大時，實際的反型層溝道長度逐漸減小，即溝道長度是漏源電壓的函數，這一效應稱為“溝道長度調制效應〞4.何謂MOS管的跨導？寫出NMOS管在不同工作區域中的跨導表達式?！?0分〕解：漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量稱之為跨導。放大區：飽和區：截止區：電流為0無跨導5.IC設計常用軟件有哪些？〔10分〕解：Cadence、MentorGraphics和Synopsys6.CMOS模擬集成電路中，NMOS管的襯底應該如何連接？為什么？〔5分〕解：NMOS襯底接最低電位；目的是為了讓襯底PN結反偏，限制載流子只在溝道里流動。7.簡單說明模擬集成電路芯片一般的設計流程?！?分〕8.何謂MOS管的跨導？寫出PMOS管在不同工作區域中的跨導表達式。〔10分〕解：漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量稱之為跨導。放大區:gm=μp飽和區;截止區：電流為0無跨導9.以NMOS為例，忽略高階效應，寫出器件工作的三個狀態的條件，并寫出三個狀態下的I-V特性方程，推導不同工作狀態下的跨導表達式。〔10分〕解：其各段工作情況為：當VGS-VTH<0時，管子關斷，處于微弱導通區，或者處于亞閾值區；當VGS-VTH>0時，管子導通，此時，假設VDS<VGS-VTH時，管子處于線性放大區，或者三角區，或者線性區；假設VDS>VGS-VTH時，管子處于飽和區，漏電流根本保持不變。線性區：飽和區：10.簡單描述N阱CMOS工藝的主要流程步驟，畫出N阱CMOS工藝下的CMOS器件剖面示意圖?！?0分〕解：主要工藝流程步驟為：晶圓準備；雜質注入擴散；氧化；光刻；腐蝕；淀積；CMOS器件剖面示意圖為：11.分析差分電路中器件不匹配對差分對性能所造成的影響?！?分〕12.給出以下圖電路中的Vout表達式?！睷1=R2〕(5分)13.寫出NMOS管構成的根本電流鏡在忽略溝道長度調制情況下的輸出電流和參考電流的關系式。(5分)解：NMOS管構成的根本電流鏡Iout/Iref=(w/l)2/(w/l)114.圖(a)是什么結構?圖(b)忽略了溝道調制效應和體效應。如果體效應不能忽略，請畫出Vin和Vout的關系曲線，并出解釋。(10分)15.畫出以下圖的小信號等效電路，推導Rin的表達式。(10分)16.什么是體效應？體效應會對電路產生什么影響？〔5分〕解：理想情況下是假設晶體管的襯底和源是短接的，實際上兩者并不一定電位相同，當VB變得更負時，VTH增加，這種效應叫做體效應。體效應會改變晶體管的閾值電壓。17.帶有源極負反應的共源極放大電路相對于根本共源極電路有什么優點？〔10分〕解：由帶有源極負反應的共源極放大電路的等效跨導表達式得，假設RS>>1/gm，那么Gm≈1/RS，所以漏電流是輸入電壓的線性函數。所以相對于根本共源極電路，帶有源極負反應的共源極放大電路具有更好的線性。三、計算題MOS管的跨導對于由MOS管構成的電路性能有重大的影響，試分析以下三種情況，跨導隨著某一個參數變化，而其他參數保持恒定時的特性，畫出相應曲線W/L不變時，gm與(VGS-VTH)的變化曲線；W/L不變時，gm與ID的變化曲線；〔3〕ID不變時，gm與(VGS-VTH)的變化曲線。〔共15分〕對于以下圖所示的兩個電路，分別求解并畫出IX和晶體管跨導關于VX的函數曲線草圖，VXV?！?0分〕圖〔a〕圖〔b〕解：3.以下圖是哪種類型的放大器？有哪些優點？寫出其增益表達式。其中〔15分〕第1題4.畫出帶隙基準的構成原理框圖，說明帶隙的含義，并設計一個帶隙基準實現電路?！?0分〕解：帶隙基準的構成原理圖如以下圖所示：它是利用VBE的負溫度系數和Vt的正溫度系數相結合，從而實現0溫度系數的電壓參考。根據以上原理圖，可以得到，因為在室溫下,然而，我們可以令，選擇使得,也就是即可得到零溫度系數，那么此時,剛好等于硅的帶隙能量，所以稱為帶隙基準。實現電路如下圖。試分析所示電路，在低頻區域中，要求(1)求出其小信號增益；(2)求出其輸入阻抗；〔3〕求出其輸出阻抗?！?5分〕以下圖電路的功能是什么？假設Vx=Vy，求Iout?其中〔15分〕7.計算電路的小信號增益。〔10分〕解：8.畫出以下圖共源極高頻模型的小信號等效電路，并利用小信號模型精確推導系統的極點頻率。〔10分〕9.對于以下圖所示的電阻負載共源放大器，如果忽略M1溝道調制效應，分析并推導M1的三個工作區域，以及畫出該電路的輸入輸出特性曲線?！?5分〕

論大學生寫作能力寫作能力是對自己所積累的信息進行選擇、提取、加工、改造并將之形成為書面文字的能力。積累是寫作的基礎，積累越厚實，寫作就越有基礎，文章就能根深葉茂開奇葩。沒有積累，胸無點墨，怎么也不會寫出作文來的。寫作能力是每個大學生必須具備的能力。從目前高校整體情況上看，大學生的寫作能力較為欠缺。一、大學生應用文寫作能力的定義那么，大學生的寫作能力究竟是指什么呢？葉圣陶先生曾經說過，“大學畢業生不一定能寫小說詩歌，但是一定要寫工作和生活中實用的文章，而且非寫得既通順又扎實不可。”對于大學生的寫作能力應包含什么，可能有多種理解，但從葉圣陶先生的談話中，我認為：大學生寫作能力應包括應用寫作能力和文學寫作能力，而前者是必須的，后者是“不一定”要具備，能具備則更好。眾所周知，對于大學生來說，是要寫畢業論文的，我認為寫作論文的能力可以包含在應用寫作能力之中。大學生寫作能力的體現，也往往是在撰寫畢業論文中集中體現出來的。本科畢業論文無論是對于學生個人還是對于院系和學校來說，都是十分重要的。如何提高本科畢業論文的質量和水平，就成為教育行政部門和高校都很重視的一個重要課題。如何提高大學生的寫作能力的問題必須得到社會的廣泛關注，并且提出對策去實施解決。二、造成大學生應用文寫作困境的原因：（一）大學寫作課開設結構不合理。就目前中國多數高校的學科設置來看，除了中文專業會系統開設寫作的系列課程外，其他專業的學生都只開設了普及性的《大學語文》課。學生寫作能力的提高是一項艱巨復雜的任務，而我們的課程設置僅把這一任務交給了大學語文教師，可大學語文教師既要在有限課時時間內普及相關經典名著知識，又要適度提高學生的鑒賞能力，且要教會學生寫作規律并提高寫作能力，任務之重實難完成。（二）對實用寫作的普遍性不重視?！按髮W語文”教育已經被嚴重地“邊緣化”。目前對中國語文的態度淡漠，而是呈現出全民學英語的大好勢頭。中小學如此，大學更是如此。對我們的母語中國語文，在大學反而被漠視，沒有相關的課程的設置，沒有系統的學習實踐訓練。這其實是國人的一種偏見。應用寫作有它自身的規律和方法。一個人學問很大，會寫小說、詩歌、戲劇等，但如果不曉得應用文寫作的特點和方法，他就寫不好應用文。（三）部分大學生學習態度不端正。很多非中文專業的大學生對寫作的學習和訓練都只是集中在《大學語文》這一門課上，大部分學生只愿意被動地接受大學語文老師所講授的文學經典故事，而對于需要學生動手動腦去寫的作文，卻是盡可能應付差事，這樣勢必不能讓大學生的寫作水平有所提高。（四）教師的實踐性教學不強。學生寫作能力的提高是一項艱巨復雜的任務，但在教學中有不少教師過多注重理論知識，實踐性教學環節卻往往被忽視。理論講了一大堆，但是實踐卻幾乎沒有，訓練也少得可憐。閱讀與寫作都需要很強的實踐操作，學習理論固然必不可少，但是閱讀方法和寫作技巧的掌握才是最重要的。由于以上的原因，我們的大學生的寫作水平著實令人堪憂，那么如何走出這一困境，筆者提出一些建議，希望能對大學生寫作水平的提高有所幫助。三、提高大學生應用寫作能力的對策（一）把《應用寫作》課設置為大學生的必修課。在中國的每一所大學，《應用寫作》應該成為大學生的必修課。因為在這個被某些人形容為實用主義、功利主義甚囂塵上的時代，也是個人生存競爭最激烈的時代，人們比任何時代都更需要學會寫作實用性的文章，比如職場競爭中的求職信，生活中的財經文書、法律文書等，以提高個人的生存競爭能力。（二）端正大學生的學習態度。首先，要讓大學生充分認識到實用寫作課的重要性，這門課關乎到他人生的每一個方面，諸如就職，求愛，理財，人際交往等，是他終生都需要使用的一些基礎性的知識，也是他必備的一項生存技能。其次，實用寫作有它自身的規律和方法。它不是你想怎樣寫都行的，它有嚴格的格式性的要求，所以需要系統的研究學習。最后，實用寫作課的實踐性非常強，所以學生們不能只學不練，并且要克服手懶的壞習慣，勤學勤練，為今后的工作生活打好基礎。（三）注重實踐課的訓練。