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文檔簡介
1.P型半導體霍耳效應的形成過程
一、P型半導體霍爾效應
§4-5 半導體的霍爾效應BzdbVHIlBAzyx○+_fεxfLfεy電場力：fε=qεx
磁場力：fL=qVxBz
y方向的電場強度為：εy
平衡后：
fεxfLqεy
令：
（RH）P為P型材料的霍爾系數。兩種載流子同時存在霍爾效應？有四種橫向電流分量：二、兩種載流子同時存在時的霍爾效應1/TRH(－)1/TRH(+)(+)(－)(－)(2)p型半導體
1/TRH(－)(－)(3)N型半導體
四、霍爾效應的應用1．判別極性，測半導體材料的參數2．霍爾器件
3．探測器
§4.6半導體的磁阻效應
由于磁場的存在引起電阻的增加，稱這種效應為磁阻效應。一、磁阻效應的類型
按電磁場的關系分縱向磁阻效應：B//，磁阻變化小，不產生VH
橫向磁阻效應：
B，磁阻變化明顯，產生VH
按機理分：
由于電阻率變化引起的R變化—物理磁阻效應由于幾何尺寸l/s的變化引起的R變化—幾何磁阻效應
磁阻的大小：
或二、物理磁阻效應
1．一種載流子
P型：電場加在x方向，磁場在z方向
達到穩定時：εxvxlfqεyV＜VxV＞VxV<Vx的空穴：
運動偏向霍爾場作用的方向V>Vx的空穴：偏向磁場力作用的方向2．同時考慮兩種載流子
Bz=0、=x
時，電子逆電場方向運動，形成電場方向電流Jn
空穴沿電場方向運動，形成電場方向電流Jp
總電流：J0=Jn+Jp
–+JJpJn(a)JnJp+++–––εy(b)J+–Bz此種磁阻效應表示為：為橫向磁阻系數
RHo為弱磁場時的霍爾系數三、幾何磁阻效應1．長條樣品
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