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文檔簡介

80年代以后—DRAM的發展面積工藝價格1982256K45mm22P2umNMOS$5119861M75mm23P1.2umCMOS$10019884M95mm23P2M0.8umCMOS$124199116M130mm24P2M0.5umCMOS$275199464M170mm25P3M0.35umCMOS$5751998256M204mm25P3M0.25umCMOS$57520031G表1.211.2當前國際集成電路技術發展趨勢212英寸(300mm)0.09微米是目前量產最先進的CMOS工藝線關心工藝線35)集成電路的速度不斷提高,人們已經用0.13m

CMOS工藝做出了主時鐘達2GHz的CPU;>10Gbit/s的高速電路和>6GHz的射頻電路;6)集成電路復雜度不斷增加,系統芯片或稱芯片系統SoC(System-on-Chip)成為開發目標;7)設計能力落后于工藝制造能力;8)電路設計、工藝制造、封裝的分立運行為發展無生產線(Fabless)和無芯片(Chipless)集成電路設計提供了條件,為微電子領域發展知識經濟提供了條件.集成電路技術發展趨勢51.3無生產線集成電路設計技術6集成電路發展的前三十年中,設計、制造和封裝都是集中在半導體生產廠家內進行的,稱之為一體化制造(IDM,IntegratedDeviceManufacture)的集成電路實現模式。近十年以來,電路設計、工藝制造和封裝開始分立運行,這為發展無生產線(Fabless)集成電路設計提供了條件,為微電子領域發展知識經濟提供了條件。IDM與Fabless集成電路實現7RelationofF&F(無生產線與代工的關系)LayoutChipDesignkitsInternetFoundryFabless設計單位代工單位9RelationofFICD&VICM&Foundry無生產線IC設計-虛擬制造-代工制造FoundryIFoundryIIFICD:fablessICdesignerVICM:virtualICmanufacture(虛擬制造)

(MOSIS,CMP,VDEC,CIC,ICC…)FICD1FICD2FICD3FICD4FICDnVICMVICM10FablessICDesign+FoundryICManufactureFablessFoundryDesignkits11國內可用Foundry(代客戶加工)廠家13國內在建、籌建Foundry(代客戶加工)廠家上海:“中芯”,8”,0.25m,2001.10“宏力”,8”,0.25m,2002.10“華虹-II”,8”,0.25m,籌建臺積電(TSMC),已宣布在松江建廠北京:首鋼NEC,8”,0.25m,籌建天津:Motolora,8”,0.25m,動工蘇州:聯華(UMC),已宣布在蘇州建廠14境外可用Foundry工藝廠家Peregrine(SOI/SOS)Vitesse(GaAs/InP)IBM/Jazz(SiGe)OMMIC(GaAs)Win(穩懋)(GaAs)Agilent(CMOS)AMS(CMOS/BiCMOS)UMC(聯華)(CMOS/BiCMOS)OrbitSTM(CMOS/BiCMOS)Dongbu(東部)Chartered(特許)(CMOS/BiCMOS)TSMC(臺積電)(CMOS/BiCMOS)美國歐洲韓國新加坡臺灣15MPW:costChip1Chip1Chip6Chip2Chip5Chip4Chip3$50000$50000€500/mm2CMP/FranceCharter/Singapore17無生產線集成電路設計EDA工具投資單獨購買一套可設計IC的國外EDA工具: >50萬元單獨獲得CIDC支持多套Panda2000: <5萬元高校聯合參加“中國芯片”工程

多套完整的國內外EDA工具: <10萬元(?)最低可能的一套可設計IC軟件: 2000元(!)(DSCH+Microwind) 18集成電路設計技術的內容國內外可用生產線資源(工藝,價格,服務)的研究和開發可用生產線工藝文件(Tech-files)的建立元件庫(Cell-libraries)的開發具有知識產權的單元電路、系統內核(IP-cores)功能模塊的開發和利用系統芯片(SoC)設計多項目晶圓的開發與工藝實現芯片測試系統和方法的研究19MeasurementSystemofUltra-High-SpeedICsDCSupplierR&S10MHz-40GHzSignalSourceAgilent83484AAgilent86100A

Cost:US$400000ProbeStation211.6集成電路設計需要的知識范圍1)系統知識計算機/通信/信息/控制學科2)電路知識

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